JPS6136316B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6136316B2 JPS6136316B2 JP7347579A JP7347579A JPS6136316B2 JP S6136316 B2 JPS6136316 B2 JP S6136316B2 JP 7347579 A JP7347579 A JP 7347579A JP 7347579 A JP7347579 A JP 7347579A JP S6136316 B2 JPS6136316 B2 JP S6136316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- conductor pattern
- bubble
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ装置における磁気バ
ブル発生器の改良に関する。
ブル発生器の改良に関する。
一般に磁性薄膜は面内方向に磁区の磁化容易軸
を持つているが、ある種の磁性材料、例えばオル
ソフエライトや磁性ガーネツト等の単結晶はＣ軸
方向にのみ磁化容易軸を有する強い１軸異方性を
もつている。このような材料をＣ軸に垂直な面を
もつ薄膜とした場合、外部から磁界を加えないと
きは第１図ａに示すように上向きの磁化方向の磁
区と下向きの磁化方向の磁区とがほぼ等面積で縞
状に交互に入り交つた状態になつている。この薄
膜に下向きのバイアス磁界ＨBを加えて行くと上
向きの磁区は減り、下向きの磁区が広がつて第１
図ｂのような状態を経て遂には第１図ｃに示すよ
うに上向きの磁区はその磁壁の表面張力の働きで
直径数μｍの小さな円柱状になる。こ円柱状の磁
区を磁気バブルドメインという。また第１図ｃの
状態からさらにバイアス磁界を強くして行くと磁
気バブルドメインはある半径から突然つぶれてし
まう。この状態から新しく磁気バブルドメインを
作るにはバイアス磁界と反対方向に数千Ｏeのパ
ルス状の磁界をかけなければならない。この磁界
はニユークリエーシヨン磁界ＨNと呼ばれる。
を持つているが、ある種の磁性材料、例えばオル
ソフエライトや磁性ガーネツト等の単結晶はＣ軸
方向にのみ磁化容易軸を有する強い１軸異方性を
もつている。このような材料をＣ軸に垂直な面を
もつ薄膜とした場合、外部から磁界を加えないと
きは第１図ａに示すように上向きの磁化方向の磁
区と下向きの磁化方向の磁区とがほぼ等面積で縞
状に交互に入り交つた状態になつている。この薄
膜に下向きのバイアス磁界ＨBを加えて行くと上
向きの磁区は減り、下向きの磁区が広がつて第１
図ｂのような状態を経て遂には第１図ｃに示すよ
うに上向きの磁区はその磁壁の表面張力の働きで
直径数μｍの小さな円柱状になる。こ円柱状の磁
区を磁気バブルドメインという。また第１図ｃの
状態からさらにバイアス磁界を強くして行くと磁
気バブルドメインはある半径から突然つぶれてし
まう。この状態から新しく磁気バブルドメインを
作るにはバイアス磁界と反対方向に数千Ｏeのパ
ルス状の磁界をかけなければならない。この磁界
はニユークリエーシヨン磁界ＨNと呼ばれる。
磁気バブルメモリ装置は上記の磁気バブルドメ
インが磁界の勾配により磁性薄膜内を自由に動か
すことができることを利用したもので、磁性薄膜
上にパーマロイ薄膜で第２図ａに示す如きＴバ
ー、あるいは第２図ｂに示す如きハーフデイスク
などのパターンを行列させた伝播路を形成してお
き、磁気バブルのあるところを“１”、ないとこ
ろを“０”として情報を記憶するようになつてい
る。従つて、磁気バブルは情報に従つて発生させ
る必要がある。第３図はニユークリエーシヨン型
の磁気バブル発生器を示したもので、局部的磁界
を発生させる導体パターン１と、つるはし状のパ
ーマロイパターン２とを組合せ、導体１にパルス
状の電流を流しバイアス磁界と反対方向の磁界を
生じさせてバブル３を発生させるようになつてい
る。ところがこの磁界はニユークリエーシヨン磁
界ＨNを越える必要があり、このニユークリエー
シヨン磁界はほぼ異方性磁界ＨKと等しく2000Oe
程度の値をもつているため導体パターン１に流す
電流はかなり大きな値となる。そのためバブルの
発生を必要とする場所以外にも、例えば導体の角
部等に不要なバブル４が発生することがある。こ
の余分に発生したバブルはメモリの誤動作の原因
となる。本発明はこの欠点を改良するために案出
されたものである。
インが磁界の勾配により磁性薄膜内を自由に動か
すことができることを利用したもので、磁性薄膜
上にパーマロイ薄膜で第２図ａに示す如きＴバ
ー、あるいは第２図ｂに示す如きハーフデイスク
などのパターンを行列させた伝播路を形成してお
き、磁気バブルのあるところを“１”、ないとこ
ろを“０”として情報を記憶するようになつてい
る。従つて、磁気バブルは情報に従つて発生させ
る必要がある。第３図はニユークリエーシヨン型
の磁気バブル発生器を示したもので、局部的磁界
を発生させる導体パターン１と、つるはし状のパ
ーマロイパターン２とを組合せ、導体１にパルス
状の電流を流しバイアス磁界と反対方向の磁界を
生じさせてバブル３を発生させるようになつてい
る。ところがこの磁界はニユークリエーシヨン磁
界ＨNを越える必要があり、このニユークリエー
シヨン磁界はほぼ異方性磁界ＨKと等しく2000Oe
程度の値をもつているため導体パターン１に流す
電流はかなり大きな値となる。そのためバブルの
発生を必要とする場所以外にも、例えば導体の角
部等に不要なバブル４が発生することがある。こ
の余分に発生したバブルはメモリの誤動作の原因
となる。本発明はこの欠点を改良するために案出
されたものである。
このため本発明においては、強い１軸異方性を
もつ磁性材料にて形成した基板の上に、局部磁界
を発生させるために形成した導体パターンと、そ
の上に形成したパーマロイパターンとにより構成
された磁気バブル発生器において、前記導体パタ
ーンは局部磁界発生部分を除き、絶縁物を挾んで
２層構造としたことを特徴とするものである。
もつ磁性材料にて形成した基板の上に、局部磁界
を発生させるために形成した導体パターンと、そ
の上に形成したパーマロイパターンとにより構成
された磁気バブル発生器において、前記導体パタ
ーンは局部磁界発生部分を除き、絶縁物を挾んで
２層構造としたことを特徴とするものである。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につ
き詳細に説明する。第４図に実施例の平面図を示
する。図において５は基板の上に形成した第１の
導体パターンであり、６はその上に絶縁体を介し
て形成した第２の導体パターン、７はつるはし状
のパーマロイパターンである。なお８は不要なバ
ブルをチツプの外方に誘導するガードレールであ
りＴ形のパーマロイパターン等により形成された
いる。また前記第１の導体パターン５は局部磁界
９を発生するヘアピンループ１０が形成されてお
り第２の導体パターン６は第１の導体パターン５
のヘアピンループ部分１０を除きガードレール８
までの部分を第１の導体パターン５と同じ形状に
している。
き詳細に説明する。第４図に実施例の平面図を示
する。図において５は基板の上に形成した第１の
導体パターンであり、６はその上に絶縁体を介し
て形成した第２の導体パターン、７はつるはし状
のパーマロイパターンである。なお８は不要なバ
ブルをチツプの外方に誘導するガードレールであ
りＴ形のパーマロイパターン等により形成された
いる。また前記第１の導体パターン５は局部磁界
９を発生するヘアピンループ１０が形成されてお
り第２の導体パターン６は第１の導体パターン５
のヘアピンループ部分１０を除きガードレール８
までの部分を第１の導体パターン５と同じ形状に
している。
このように構成された本実施例のバブル発生器
は第１の導体パターン５と第２の導体パターン６
には互に反対方向の電流を流すようにして用いら
れる。このように電流を流すことによりヘアピン
ループ１０には局部磁界９が発生し、第１と第２
の導体パターンの重なり部分には夫々に発生する
磁界が相殺されて外部には磁界を生じない。従つ
て不要なバブルを発生することもない。
は第１の導体パターン５と第２の導体パターン６
には互に反対方向の電流を流すようにして用いら
れる。このように電流を流すことによりヘアピン
ループ１０には局部磁界９が発生し、第１と第２
の導体パターンの重なり部分には夫々に発生する
磁界が相殺されて外部には磁界を生じない。従つ
て不要なバブルを発生することもない。
第５図は磁気バブル発生器の電流マージン特性
を示しもので図の縦軸には電流をとり、横軸に基
板温度をとつて、曲線およびにより従来品の
マージン幅を示し、曲線およびにより本実施
例の場合を示した。図より明らかなように本実施
例は上限値が従来品よりも著しく改善されている
ことがわかる。
を示しもので図の縦軸には電流をとり、横軸に基
板温度をとつて、曲線およびにより従来品の
マージン幅を示し、曲線およびにより本実施
例の場合を示した。図より明らかなように本実施
例は上限値が従来品よりも著しく改善されている
ことがわかる。
以上説明した如く本発明は導体パターンのヘア
ピンループ部分を除いて２層構造とすることによ
り磁気バブル発生器の電流マージンの改善を可能
としたものである。
ピンループ部分を除いて２層構造とすることによ
り磁気バブル発生器の電流マージンの改善を可能
としたものである。
第１図は磁気バブルの発生の原理説明図、第２
図はバブルの伝播パターン平面図、第３図は従来
のニユークリエーシヨン型磁気バブル発生器の平
面図、第４図は本発明にかかる実施例の磁気バブ
ル発生器の平面図、第５図は電流マージン特性図
である。 ５……第１の導体パターン、６……第２の導体
パターン、７……パーマロイパターン、８……ガ
ードレール、９……局部磁界、１０……ヘアピン
ループ。
図はバブルの伝播パターン平面図、第３図は従来
のニユークリエーシヨン型磁気バブル発生器の平
面図、第４図は本発明にかかる実施例の磁気バブ
ル発生器の平面図、第５図は電流マージン特性図
である。 ５……第１の導体パターン、６……第２の導体
パターン、７……パーマロイパターン、８……ガ
ードレール、９……局部磁界、１０……ヘアピン
ループ。
Claims (1)
- １ 強い１軸異方性をもつ磁性材料にて形成した
基板の上に、局部磁界を発生させるために形成し
た導体パターンと、その上に形成したパーマロイ
パターンとによに構成された磁気バブル発生器に
おいて、前記導体パターンは局部磁界発生部分を
除き絶縁物を挾んで２層構造としたことを特徴と
するバブル発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7347579A JPS5685A (en) | 1979-06-13 | 1979-06-13 | Magnetic bubble generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7347579A JPS5685A (en) | 1979-06-13 | 1979-06-13 | Magnetic bubble generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5685A JPS5685A (en) | 1981-01-06 |
| JPS6136316B2 true JPS6136316B2 (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=13519331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7347579A Granted JPS5685A (en) | 1979-06-13 | 1979-06-13 | Magnetic bubble generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5685A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273015A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Hitachi Ltd | 電流切替回路 |
| JP4778301B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2011-09-21 | 日本特殊陶業株式会社 | プラズマジェット点火プラグおよびその点火装置 |
-
1979
- 1979-06-13 JP JP7347579A patent/JPS5685A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5685A (en) | 1981-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3548036B2 (ja) | 磁気ｒａｍセル内の内部非対称 | |
| Raffel et al. | Magnetic film memory design | |
| Bobeck et al. | Current-access magnetic bubble circuits | |
| US4247912A (en) | Magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins | |
| US3706081A (en) | Fail-safe domain generator for single wall domain arrangements | |
| JPS6136316B2 (ja) | ||
| US3876994A (en) | Planar bias field control of magnetic bubble domain apparatus | |
| US4128895A (en) | Magnetic wall assisted bubble domain nucleator | |
| US4067002A (en) | Field access of bubble domain lattice | |
| JPS6037759Y2 (ja) | 磁気バブルメモリチツプ | |
| US4476544A (en) | Current-controlled magnetic domain memory | |
| US4101971A (en) | Magnetic bubble information writing device | |
| JPS6037756Y2 (ja) | 磁気バブル発生器 | |
| US3962690A (en) | Thin film magnetic storage device | |
| US4273801A (en) | Passive bubble generator | |
| JPS6160504B2 (ja) | ||
| JPS6143794B2 (ja) | ||
| US4884236A (en) | Bloch line memory device | |
| JPS5911984B2 (ja) | 磁気バブルメモリ装置 | |
| US4058801A (en) | Field access method for bubble memories | |
| US4112503A (en) | Stripe domain propagation using contiguous bicore disk file structure | |
| JPS6226113B2 (ja) | ||
| JPH0359519B2 (ja) | ||
| US4547865A (en) | Magnetic bubble replicator | |
| JP2849724B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス |