JP2849724B2 - ブロッホラインメモリデバイス - Google Patents
ブロッホラインメモリデバイスInfo
- Publication number
- JP2849724B2 JP2849724B2 JP1237899A JP23789989A JP2849724B2 JP 2849724 B2 JP2849724 B2 JP 2849724B2 JP 1237899 A JP1237899 A JP 1237899A JP 23789989 A JP23789989 A JP 23789989A JP 2849724 B2 JP2849724 B2 JP 2849724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- vbl
- memory device
- stripe
- bloch line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブロッホラインデバイスに関し、詳しくは、
パルス垂直磁界の範囲を広くとっても垂直ブロッホライ
ン対（VBL対）の有無を確実に識別でき、チョッピング
が正確に行なえるようにしたブロッホラインメモリデバ
イスに関する。
パルス垂直磁界の範囲を広くとっても垂直ブロッホライ
ン対（VBL対）の有無を確実に識別でき、チョッピング
が正確に行なえるようにしたブロッホラインメモリデバ
イスに関する。
高密度記憶素子の開発に伴なって、ブロッホラインメ
モリデバイスがその記憶容量の膨大さ及び不揮発性であ
ることから近時注目されている。
モリデバイスがその記憶容量の膨大さ及び不揮発性であ
ることから近時注目されている。
ブロッホラインメモリデバイスは、情報記憶部をバブ
ルドメインを細長く伸ばしたストライプドメイン周辺磁
壁で構成し、その中に、安定に存在する垂直ブロッポラ
イン対（VBL対）の有無のかたちで情報を記録させると
いうものである。そして、このブロッホラインメモリデ
バイスは、大まかにいえば、（ｉ）書込み部、（ii）記
録転送部、（iii）読み出し部の三要素から成立ってい
る。
ルドメインを細長く伸ばしたストライプドメイン周辺磁
壁で構成し、その中に、安定に存在する垂直ブロッポラ
イン対（VBL対）の有無のかたちで情報を記録させると
いうものである。そして、このブロッホラインメモリデ
バイスは、大まかにいえば、（ｉ）書込み部、（ii）記
録転送部、（iii）読み出し部の三要素から成立ってい
る。
第１図はそうしたブロッホラインメモリデバイスの概
略を表わしており、図中、１はメジャーライン（バブル
転送部）、２は信号書込み・読み出し部、３はマイナー
ループ（信号記憶部）である。
略を表わしており、図中、１はメジャーライン（バブル
転送部）、２は信号書込み・読み出し部、３はマイナー
ループ（信号記憶部）である。
ブロッホラインを用いてメモリデバイスを作製しよう
としたとき、最も難かしい問題の一つは記憶した情報の
読み出しである。従来においては、そのブロッホライン
メモリの読み出しは、一般に、VBL対の有無をバブルド
メインの有無に変換して行なう方式が採用される。
としたとき、最も難かしい問題の一つは記憶した情報の
読み出しである。従来においては、そのブロッホライン
メモリの読み出しは、一般に、VBL対の有無をバブルド
メインの有無に変換して行なう方式が採用される。
ところで、第１図における信号書込み・読み出し部２
付近を細かくしてみると、第３図にみられるように、VB
L制御用コンダクタ４、信号書込み用コンダクタ５、信
号読み出し用コンダクタ６などが設けられている。な
お、この第３図は従来の信号読み出しの方法を説明する
ためにあげたものである。
付近を細かくしてみると、第３図にみられるように、VB
L制御用コンダクタ４、信号書込み用コンダクタ５、信
号読み出し用コンダクタ６などが設けられている。な
お、この第３図は従来の信号読み出しの方法を説明する
ためにあげたものである。
第３図（ａ）は初期状態を表わしており、ここでは説
明の適宜上三本のストライプドメイン（マイナールー
プ）S1,S2,S3が描かれている。これらの先端に下向きに
記載されている一本の矢印はダミーのVBLである。スト
ライプドメインS1及びS3の先端近傍にはで表わしたVB
L対が存在している。この信号（VBL対）の読み出しは、
第３図（ｂ）に示したように、まず、VBL制御用コンダ
クタ４に電流を流すことにより、コンダクタ４の下部に
太線↑で表わした方向に面内磁界を発生させ、次いで、
膜面と垂直方向にストライプドメインを安定に存在させ
る為に印加してあるバイアス磁界を弱めてストライプヘ
ッドを信号読み出し用コンダクタ６をまたぐ位置まで引
き伸ばす。最後に、第３図（ｃ）に示したように、信号
読み出し用コンダクタ６に電流IRを流し、コンダクタ６
にはさまれたストライプ領域にストライプドメイン内の
磁化方向と逆向きの垂直磁界を発生させると、前記領域
を横切っているストライプドメインの幅は局所的にせば
まりストライプヘッド部にVBLが存在している（ストラ
イプドメインを囲んでいる両側の磁壁内の磁化方向が同
方向である）ストライプドメインはチョッピングされ、
そうでないものはチョッピングされずにいる。これは磁
壁内磁化方向による交換力の差にもとづくものである。
明の適宜上三本のストライプドメイン（マイナールー
プ）S1,S2,S3が描かれている。これらの先端に下向きに
記載されている一本の矢印はダミーのVBLである。スト
ライプドメインS1及びS3の先端近傍にはで表わしたVB
L対が存在している。この信号（VBL対）の読み出しは、
第３図（ｂ）に示したように、まず、VBL制御用コンダ
クタ４に電流を流すことにより、コンダクタ４の下部に
太線↑で表わした方向に面内磁界を発生させ、次いで、
膜面と垂直方向にストライプドメインを安定に存在させ
る為に印加してあるバイアス磁界を弱めてストライプヘ
ッドを信号読み出し用コンダクタ６をまたぐ位置まで引
き伸ばす。最後に、第３図（ｃ）に示したように、信号
読み出し用コンダクタ６に電流IRを流し、コンダクタ６
にはさまれたストライプ領域にストライプドメイン内の
磁化方向と逆向きの垂直磁界を発生させると、前記領域
を横切っているストライプドメインの幅は局所的にせば
まりストライプヘッド部にVBLが存在している（ストラ
イプドメインを囲んでいる両側の磁壁内の磁化方向が同
方向である）ストライプドメインはチョッピングされ、
そうでないものはチョッピングされずにいる。これは磁
壁内磁化方向による交換力の差にもとづくものである。
この後、バイアス磁界を所定の値まで強めることによ
り、ストライプヘッドは第３図（ａ）の状態まで縮み信
号（VBL対）がバブルに交換されたことになる。さら
に、バブルは検出器まで転送され、電気信号に変換され
る。
り、ストライプヘッドは第３図（ａ）の状態まで縮み信
号（VBL対）がバブルに交換されたことになる。さら
に、バブルは検出器まで転送され、電気信号に変換され
る。
かかる信号読み出し法にあっては、信号読み出はコン
ダクタ６に印加させるべき電流値は次の条件を満してい
なければならない。即ち、ストライプドメインのヘッド
部にVBLが存在する時はこの電流による垂直方向パルス
磁界によってヘッド部が100％チョッピングされ、VBLが
存在しない時は全くチョッピングされてはならないとい
うことである。
ダクタ６に印加させるべき電流値は次の条件を満してい
なければならない。即ち、ストライプドメインのヘッド
部にVBLが存在する時はこの電流による垂直方向パルス
磁界によってヘッド部が100％チョッピングされ、VBLが
存在しない時は全くチョッピングされてはならないとい
うことである。
この条件をグラフに表わしたのが第４図である。図
中、実線９はストライプヘッド部にVBLが存在している
状態におけるストライプヘッドのチョッピング確率の関
係を示している。だが、VBLが存在している場合には100
％チョッピングされる必要があるため、少なくともI2で
示した電流値が印加されねばならない。同様に、実線10
はストライプヘッドにVBLが無い場合のもので、I3がI1
とI4がI2とそれぞれ対応している。信号読み出し時に印
加すべき電流の値IRはここではI2＜IR＜I3の範囲に設定
する必要がある。
中、実線９はストライプヘッド部にVBLが存在している
状態におけるストライプヘッドのチョッピング確率の関
係を示している。だが、VBLが存在している場合には100
％チョッピングされる必要があるため、少なくともI2で
示した電流値が印加されねばならない。同様に、実線10
はストライプヘッドにVBLが無い場合のもので、I3がI1
とI4がI2とそれぞれ対応している。信号読み出し時に印
加すべき電流の値IRはここではI2＜IR＜I3の範囲に設定
する必要がある。
それにもかかわらず、従来法ないし従来のデバイスに
よったのでは、前記の信号読み出し時に印加されるべき
電流値IRの範囲は極めて狭く、従って、電流値の変動等
による誤動作が生じやすく信頼性に欠けるというのが実
情である。
よったのでは、前記の信号読み出し時に印加されるべき
電流値IRの範囲は極めて狭く、従って、電流値の変動等
による誤動作が生じやすく信頼性に欠けるというのが実
情である。
本発明は、上記のごとき欠点を解消し、VBLがストラ
イプヘッド部に存在している場合には100％チョッピン
グが行なえ、逆に、そうしたVBLが存在しない場合はチ
ョッピングがまったく行なわれない（チョッピング率０
％）という条件を充すことのできるブロッホラインメモ
リデバイスを提供するものである。
イプヘッド部に存在している場合には100％チョッピン
グが行なえ、逆に、そうしたVBLが存在しない場合はチ
ョッピングがまったく行なわれない（チョッピング率０
％）という条件を充すことのできるブロッホラインメモ
リデバイスを提供するものである。
本発明は垂直ブロッホライン対（VBL対）を記憶信号
として用いるブロッホラインメモリにおいて、信号記録
をになう磁性層上に信号読み出し用コンダクタが設けら
れ、更に、その信号読み出し部上部に、ブロッホライン
対（VBL対）を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の磁化方向
と平行あるいは反平行方向の磁界発生させる手段が設け
られていることを特徴としている。
として用いるブロッホラインメモリにおいて、信号記録
をになう磁性層上に信号読み出し用コンダクタが設けら
れ、更に、その信号読み出し部上部に、ブロッホライン
対（VBL対）を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の磁化方向
と平行あるいは反平行方向の磁界発生させる手段が設け
られていることを特徴としている。
ちなみに、本発明者らはブロッホラインメモリデバイ
スにおける信号読み出しについていろいろな角度から検
討を行なった結果、前記の従来のデバイス又は方法で電
流値の変動等による誤動性が生じやすいのは、ストライ
プドメインの両側の磁壁内の磁化方向の違い（平行ある
いは反平行）による交換力の差が磁界印加による磁気的
な力に比べて非常に微弱であることに起因していること
をつきとめ、続いて、信号読み出し部上部に、信号たる
VBL対を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の磁化方向と平行
あるい反平行方向の磁界を印加する手段を設ければ、前
記課題が完全又はほぼ完全に達成できることを確めた。
従って、本発明に係るデバイスは、端的にいえば、磁化
方向が空間的に変化する際に生ずる前記の交換力の他
に、外部磁界によって生ずる磁気力を作用させることに
よって、ストライプヘッドの状態の相違によるストライ
プヘッドのチョッピング特性の差を大きくさせる手段が
採用されたものである。
スにおける信号読み出しについていろいろな角度から検
討を行なった結果、前記の従来のデバイス又は方法で電
流値の変動等による誤動性が生じやすいのは、ストライ
プドメインの両側の磁壁内の磁化方向の違い（平行ある
いは反平行）による交換力の差が磁界印加による磁気的
な力に比べて非常に微弱であることに起因していること
をつきとめ、続いて、信号読み出し部上部に、信号たる
VBL対を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の磁化方向と平行
あるい反平行方向の磁界を印加する手段を設ければ、前
記課題が完全又はほぼ完全に達成できることを確めた。
従って、本発明に係るデバイスは、端的にいえば、磁化
方向が空間的に変化する際に生ずる前記の交換力の他
に、外部磁界によって生ずる磁気力を作用させることに
よって、ストライプヘッドの状態の相違によるストライ
プヘッドのチョッピング特性の差を大きくさせる手段が
採用されたものである。
本発明を第２図に従がいながらさらに詳細に説明す
る。なお、第２図においては、第３図で用いたのと同じ
引き出し線符号（番号）を用いているが、図面の繁雑さ
を避ける意味で“信号書込み用コンダクタ”は省略して
ある。
る。なお、第２図においては、第３図で用いたのと同じ
引き出し線符号（番号）を用いているが、図面の繁雑さ
を避ける意味で“信号書込み用コンダクタ”は省略して
ある。
まず、信号読み出し時のストライプヘッドの状態を、
信号の有無（S1及びS3は信号あり、S2は信号なし）によ
り、磁壁内磁化方向が逆向き10,10′となるように設定
する。これは外部面内磁界をVBL制御用コンダクタ４に
よりVBL対の片方９だけをストライプヘッドに沿って回
転させることにより行なう（第２図（ａ））。
信号の有無（S1及びS3は信号あり、S2は信号なし）によ
り、磁壁内磁化方向が逆向き10,10′となるように設定
する。これは外部面内磁界をVBL制御用コンダクタ４に
よりVBL対の片方９だけをストライプヘッドに沿って回
転させることにより行なう（第２図（ａ））。
この操作の後、信号読み出し部をまたぐ位置までスト
ライプヘッドを引き伸ばす。引き伸ばす方法は、従来法
と同様、バイアス磁界を変化させることにより行なう。
信号読み出し部は２本の平行コンダクタ６と、それには
さまれた面内磁化膜11とにより構成される。面内磁化膜
の磁化方向は太線矢印↑又は↓で示されている。ここ
で、ストライプドメインS1,S3下の磁壁内磁化方向は面
内磁化膜からの漏洩磁界と逆方向であり、ストライプド
メインS2は同方向である（第２図（ｂ））。
ライプヘッドを引き伸ばす。引き伸ばす方法は、従来法
と同様、バイアス磁界を変化させることにより行なう。
信号読み出し部は２本の平行コンダクタ６と、それには
さまれた面内磁化膜11とにより構成される。面内磁化膜
の磁化方向は太線矢印↑又は↓で示されている。ここ
で、ストライプドメインS1,S3下の磁壁内磁化方向は面
内磁化膜からの漏洩磁界と逆方向であり、ストライプド
メインS2は同方向である（第２図（ｂ））。
従って、この状態から信号読み出し用コンダクタ６に
電流を流すことにより、S1及びS3の信号読み出し部の下
部の磁化方向は容易に変化しチョッピングされる（第２
図（ｃ））。
電流を流すことにより、S1及びS3の信号読み出し部の下
部の磁化方向は容易に変化しチョッピングされる（第２
図（ｃ））。
上記の第２図に基づいた説明から容易に推察されるよ
うに、本発明のブロッホラインメモリデバイスはブロッ
ホライン対（VBL対）を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の
磁化方向を平行あるいは反平行方向の磁界を発生させる
手段が設けられていることから、ブロッホライン対（VB
L対）をストライプヘッドに有するものの磁壁内磁化方
向は面内磁化膜の漏洩磁界と逆方向となり、I2＜IR＜I3
の範囲で容易にチョッピングされるようになる。
うに、本発明のブロッホラインメモリデバイスはブロッ
ホライン対（VBL対）を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の
磁化方向を平行あるいは反平行方向の磁界を発生させる
手段が設けられていることから、ブロッホライン対（VB
L対）をストライプヘッドに有するものの磁壁内磁化方
向は面内磁化膜の漏洩磁界と逆方向となり、I2＜IR＜I3
の範囲で容易にチョッピングされるようになる。
本発明のブロッホメモリデバイスによれば、信号の読
み出しが容易かつ正確に行なえる。
み出しが容易かつ正確に行なえる。
第１図はブロッホラインメモリデバイスの主要部を概略
的に表わした図である。 第２図は本発明デバイスの動作を説明するための図であ
る。 第３図は従来の信号読み出し方法を説明するための図で
ある。 第４図は印加電流とチョッピング確率との関係を表わし
たグラフである。 S1,S2,S3……ストライプドメイン ４……VBL制御用コンダクタ ６……信号読み出し用コンダク
的に表わした図である。 第２図は本発明デバイスの動作を説明するための図であ
る。 第３図は従来の信号読み出し方法を説明するための図で
ある。 第４図は印加電流とチョッピング確率との関係を表わし
たグラフである。 S1,S2,S3……ストライプドメイン ４……VBL制御用コンダクタ ６……信号読み出し用コンダク
Claims (1)
- 【請求項１】垂直ブロッホライン対（VBL対）を記憶信
号として用いるブロッホラインメモリデバイスにおい
て、信号記録をになう磁性層上に信号読み出し用コンダ
クタが設けられ、更に、その信号読み出し部上部に、VB
L対を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の磁化方向と平行又
は反平行方向の磁界を発生させるVBL制御用コンダクタ
が設けられていることを特徴とするブロッホラインメモ
リデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237899A JP2849724B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | ブロッホラインメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237899A JP2849724B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | ブロッホラインメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100989A JPH03100989A (ja) | 1991-04-25 |
| JP2849724B2 true JP2849724B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17022078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1237899A Expired - Lifetime JP2849724B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | ブロッホラインメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849724B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1237899A patent/JP2849724B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03100989A (ja) | 1991-04-25 |
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