JPS6187296A - イオン注入バブルデバイスの製造方法 - Google Patents
イオン注入バブルデバイスの製造方法Info
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- JPS6187296A JPS6187296A JP59208785A JP20878584A JPS6187296A JP S6187296 A JPS6187296 A JP S6187296A JP 59208785 A JP59208785 A JP 59208785A JP 20878584 A JP20878584 A JP 20878584A JP S6187296 A JPS6187296 A JP S6187296A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- ion
- conditions
- energy
- bubble
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、膜厚０．５〜０．７μｍ程度の微小バブル結
晶に１６Ｍビン）／ｃｍ程度の高密度イオン注入バブル
デバイスを形成する際のイオン注入条件とそのアニール
条件に関する。
晶に１６Ｍビン）／ｃｍ程度の高密度イオン注入バブル
デバイスを形成する際のイオン注入条件とそのアニール
条件に関する。
磁気バブルメモリの大容量化のために、磁気バブル（以
下「バブル」と略す）を微小化すると共に転送パターン
も微細化できるものとして、第４図のようなコンティギ
ュアス・デバイスが提案されている。第４図（イ）（ロ
）のように円形のパターン１の外側のみにイオン注入を
行なって、円形パターン１の外側の領域２の磁区の磁化
を寝かすと、（イ）図のように円形パターン１の外周の
〔１２丁〕方向、（２Ｔ丁〕方向および（ＴＴ２ ）方
向の３個所でバブルが安定する。これはこの３個所で、
チャージドウオールと呼ばれるバブルを吸引する細帯状
の磁荷の集まりが形成されるためである。この現象を利
用し、同図（ハ）のようなコンティギュアス・パターン
１ｃの外側２のみイオン注入し、面内方向の回転磁界を
印加すると、バブルは矢印方向に転送される。このよう
なコンティギュアス・デバイスでは、２μｍ以下の短い
周期で転送路を作成することができる。なお４はＧＧＧ
基板である。
下「バブル」と略す）を微小化すると共に転送パターン
も微細化できるものとして、第４図のようなコンティギ
ュアス・デバイスが提案されている。第４図（イ）（ロ
）のように円形のパターン１の外側のみにイオン注入を
行なって、円形パターン１の外側の領域２の磁区の磁化
を寝かすと、（イ）図のように円形パターン１の外周の
〔１２丁〕方向、（２Ｔ丁〕方向および（ＴＴ２ ）方
向の３個所でバブルが安定する。これはこの３個所で、
チャージドウオールと呼ばれるバブルを吸引する細帯状
の磁荷の集まりが形成されるためである。この現象を利
用し、同図（ハ）のようなコンティギュアス・パターン
１ｃの外側２のみイオン注入し、面内方向の回転磁界を
印加すると、バブルは矢印方向に転送される。このよう
なコンティギュアス・デバイスでは、２μｍ以下の短い
周期で転送路を作成することができる。なお４はＧＧＧ
基板である。
このようにコンティギュアス・パターンの外側のみにイ
オン注入を行う際の条件としては、第５図のように角型
のプロファイルを有することが有効である。この図で横
軸はイオン注入層の結晶表面からの深さＸ、縦軸は歪ま
たは全磁気異方性である。歪を表すΔｄ／ｄまたは全磁
気異方性を表すΔＨｋの大きさは、ドーズ量すなわちイ
オン注入量で決定され、イオン注入の深さＸは、イオン
注入エネルギーの強さで決定される。したがってドーズ
量とエネルギーがイオン注入における重要な因子である
。歪Δｄ／ｄは、格子定数ｄの歪である。また全磁気異
方性ΔＨｋは、歪により誘起される面内方向の異方性磁
界で、 で表される（λ〃／：磁歪定数、Ｅ：ヤング率、シ：ポ
ワソン比）。またΔＨｋ ６ＣΔｄ／ｄの関係にある。
オン注入を行う際の条件としては、第５図のように角型
のプロファイルを有することが有効である。この図で横
軸はイオン注入層の結晶表面からの深さＸ、縦軸は歪ま
たは全磁気異方性である。歪を表すΔｄ／ｄまたは全磁
気異方性を表すΔＨｋの大きさは、ドーズ量すなわちイ
オン注入量で決定され、イオン注入の深さＸは、イオン
注入エネルギーの強さで決定される。したがってドーズ
量とエネルギーがイオン注入における重要な因子である
。歪Δｄ／ｄは、格子定数ｄの歪である。また全磁気異
方性ΔＨｋは、歪により誘起される面内方向の異方性磁
界で、 で表される（λ〃／：磁歪定数、Ｅ：ヤング率、シ：ポ
ワソン比）。またΔＨｋ ６ＣΔｄ／ｄの関係にある。
第５図のような角型プロファイルは、３重イオン注入に
よって得られる。デバイス特性にとって、最も都合が良
いと考えられる正磁気異方性磁界、またはこれを作り出
す歪の結晶表面からの深さ方向のプロファイルは、第５
図に示すような角型である。即ち、イオン注入層のあら
ゆる位置において、均一にイオン注入が行なわれること
が必要である。この角型プロファイルは、第６図に示す
ように、１回のイオン注入では形成できない。したがっ
て第５図の角型プロファイルに近づけるためには、多重
のイオン注入が必要となる。２重注入でもある程度第５
図の角型に近づくが、結晶全面の表面近傍にニュークリ
エーション防止のために、イオン注入する事を考えると
、３重注入が最も良い。すなわち３重にイオン注入を行
ない、それぞれのイオン注入特性が、第６図の曲線量１
〜ｉ３のように、深さ方向にずれ、全磁気異方性のピー
クが一定に揃うようにすると、３つの曲線１１〜ｉ３の
和はｉ４で示されるように、第５図の角型にほぼ近づく
ことになる。
よって得られる。デバイス特性にとって、最も都合が良
いと考えられる正磁気異方性磁界、またはこれを作り出
す歪の結晶表面からの深さ方向のプロファイルは、第５
図に示すような角型である。即ち、イオン注入層のあら
ゆる位置において、均一にイオン注入が行なわれること
が必要である。この角型プロファイルは、第６図に示す
ように、１回のイオン注入では形成できない。したがっ
て第５図の角型プロファイルに近づけるためには、多重
のイオン注入が必要となる。２重注入でもある程度第５
図の角型に近づくが、結晶全面の表面近傍にニュークリ
エーション防止のために、イオン注入する事を考えると
、３重注入が最も良い。すなわち３重にイオン注入を行
ない、それぞれのイオン注入特性が、第６図の曲線量１
〜ｉ３のように、深さ方向にずれ、全磁気異方性のピー
クが一定に揃うようにすると、３つの曲線１１〜ｉ３の
和はｉ４で示されるように、第５図の角型にほぼ近づく
ことになる。
ところでドーズ量を増やすとΔＨｋが増大し、デバイス
特性には有利であるが、ある程度以上ドーズ量を増やす
と逆に格子歪が大きくなり過ぎ、強磁性体でな（なって
しまうので上限がある。またイオン注入エネルギーを増
大させると、イオン注入層２の厚さは増し、バブルを駆
動する力は強まるが、あまり深いとトラック間のとび移
・りが激しくなったり、バブル層３が逆に薄くなるため
、転送特性は劣化する。したがってこれもある適当な範
囲が存在する。
特性には有利であるが、ある程度以上ドーズ量を増やす
と逆に格子歪が大きくなり過ぎ、強磁性体でな（なって
しまうので上限がある。またイオン注入エネルギーを増
大させると、イオン注入層２の厚さは増し、バブルを駆
動する力は強まるが、あまり深いとトラック間のとび移
・りが激しくなったり、バブル層３が逆に薄くなるため
、転送特性は劣化する。したがってこれもある適当な範
囲が存在する。
一方２μｍ周期転送路を形成するために、従来から３重
イオン注入は試みられているが、イオン注入条件は、水
素３重もしくは２重打ち込みで、Ｈ２＋イオンの最大エ
ネルギーはいずれも大きく、６５〜７０ｋｅ Ｖ程度を
要する。Ｈ２イオンのみの注入の長所は、低歪で高い歪
磁気異方性エネルギーが得られることであるが、一方イ
オン注入時間が長いという欠点がある。
イオン注入は試みられているが、イオン注入条件は、水
素３重もしくは２重打ち込みで、Ｈ２＋イオンの最大エ
ネルギーはいずれも大きく、６５〜７０ｋｅ Ｖ程度を
要する。Ｈ２イオンのみの注入の長所は、低歪で高い歪
磁気異方性エネルギーが得られることであるが、一方イ
オン注入時間が長いという欠点がある。
そこで本発明は、膜厚０．５〜０．７μｍで約２μｍ以
下の周期の微小バブル結晶からなる高密度イオン注入バ
ブルデバイスを３重イオン注入によって製造する際に、
水素３重イオン注入法の欠点であるイオン注入に時間が
かかり過ぎる問題を改良でき、かつ最も良好な転送マー
ジンを得るためのイオン注入条件を提案するものである
。
下の周期の微小バブル結晶からなる高密度イオン注入バ
ブルデバイスを３重イオン注入によって製造する際に、
水素３重イオン注入法の欠点であるイオン注入に時間が
かかり過ぎる問題を改良でき、かつ最も良好な転送マー
ジンを得るためのイオン注入条件を提案するものである
。
この問題点を解決するために講じた本発明による技術的
手段は、０．５μｍ〜０．７μｍの範囲の膜厚を有する
バブル結晶に約２μｍ以下程度の転送路をもつ高密度の
イオン注入バブルデバイスを形成する際の３重イオン注
入の条件として、第１のイオン注入がＮ♂イオンによっ
てなされ、その条件がエネルギー２５〜３５ｋｅ Ｖ、
ドーズ量０．８〜１．２Ｘ１０”／ｃｍ’であること、
第２のイオン注入が同じ（Ｎｅ＋イオンによってなされ
、その条件がエネルギー１００〜１４０ｋｅ Ｖ、ド一
ズ量１．６〜２．４Ｘ１０／ｃｍであること、かつ第３
のイオン注入がＨ２イオンによってなされ、その条件が
エネルギー３０〜４２ｋｅ Ｖ、ドーズ６ ｚ 量１．６〜２．４ｘｌＯ／ｃｍであり、第１〜第３のイ
オン注入の順序は任意であり、かつイオン注入の後プラ
ズマ中で熱処理を行う方法を採っている。
手段は、０．５μｍ〜０．７μｍの範囲の膜厚を有する
バブル結晶に約２μｍ以下程度の転送路をもつ高密度の
イオン注入バブルデバイスを形成する際の３重イオン注
入の条件として、第１のイオン注入がＮ♂イオンによっ
てなされ、その条件がエネルギー２５〜３５ｋｅ Ｖ、
ドーズ量０．８〜１．２Ｘ１０”／ｃｍ’であること、
第２のイオン注入が同じ（Ｎｅ＋イオンによってなされ
、その条件がエネルギー１００〜１４０ｋｅ Ｖ、ド一
ズ量１．６〜２．４Ｘ１０／ｃｍであること、かつ第３
のイオン注入がＨ２イオンによってなされ、その条件が
エネルギー３０〜４２ｋｅ Ｖ、ドーズ６ ｚ 量１．６〜２．４ｘｌＯ／ｃｍであり、第１〜第３のイ
オン注入の順序は任意であり、かつイオン注入の後プラ
ズマ中で熱処理を行う方法を採っている。
このように本発明の技術的手段によれば、３重イオン注
入を行う際の、各イオン注入条件を前記の特定の範囲に
設定することで、第５図の角型プロファイルに近づける
ことができる。しかも実験結果から明らかなように、バ
イアスマージンおよび歪磁気異方性も充分な値が得られ
た。
入を行う際の、各イオン注入条件を前記の特定の範囲に
設定することで、第５図の角型プロファイルに近づける
ことができる。しかも実験結果から明らかなように、バ
イアスマージンおよび歪磁気異方性も充分な値が得られ
た。
また従来の水素のみの３重イオン注入における水素イオ
ン注入に代えて、２つのイオン注入をＮｅイオンで行う
ことで、水素イオン注入量を減少できる。そのためＨ２
イオンの注入時間を大幅に短縮することができる。即ち
注入時間はドーズ量に比例するため、従来の水素３重注
入のドーズ量７ＸＩＯ”／ｃｍ’に比較し、本発明では
水素イオンは１／３〜１／４のドーズ量であるため、時
間も同じ割合で短縮できる。Ｎ−の注入時間はＨ２＋に
比べるとほとんど無視できる。またＨ２の代わりにＮ
ｅ”を使用することにより生ずる歪磁気異方性エネルギ
ーの減少に対しては、特願昭５８−１５７０６８号（昭
和５８年８月３０日出願）の発明で開示されたプラズマ
中での熱処理により増大させることができるので問題は
ない。
ン注入に代えて、２つのイオン注入をＮｅイオンで行う
ことで、水素イオン注入量を減少できる。そのためＨ２
イオンの注入時間を大幅に短縮することができる。即ち
注入時間はドーズ量に比例するため、従来の水素３重注
入のドーズ量７ＸＩＯ”／ｃｍ’に比較し、本発明では
水素イオンは１／３〜１／４のドーズ量であるため、時
間も同じ割合で短縮できる。Ｎ−の注入時間はＨ２＋に
比べるとほとんど無視できる。またＨ２の代わりにＮ
ｅ”を使用することにより生ずる歪磁気異方性エネルギ
ーの減少に対しては、特願昭５８−１５７０６８号（昭
和５８年８月３０日出願）の発明で開示されたプラズマ
中での熱処理により増大させることができるので問題は
ない。
次に本発明によるイオン注入バブルデバイスの製造方法
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する
。前記のように、バブルデバイス特性にとって最も都合
良いと考えられる歪磁気異方性磁界、またはこれを作り
出す歪の、結晶表面からの深さ方向のプロファイルは、
角型に近いほど良（、この角型プロファイルを得るため
に、本発明でも３重イオン注入を行なう。
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明する
。前記のように、バブルデバイス特性にとって最も都合
良いと考えられる歪磁気異方性磁界、またはこれを作り
出す歪の、結晶表面からの深さ方向のプロファイルは、
角型に近いほど良（、この角型プロファイルを得るため
に、本発明でも３重イオン注入を行なう。
また第５図、第６図で示すように、Δｄ／ｄまたはΔＨ
ｋの大きさはドーズ量で決定され、イオン注入の深さは
イオン注入エネルギーで決定すれる。そこで本発明の発
明者らは、０．５μｍ〜０．７μｍの範囲の膜厚を有す
るバブル結晶に１６Ｍビット／ｃｍ（約２μｍ周期）程
度の密度をもつイオン注入バブルデバイスについて、Ｎ
ｅイオンによる第１イオン注入と、同じ（Ｎｅイオンに
よる第２イオン注入と、Ｈ２イオンによる第３イオン注
入とからなる、３重イオン注入を行い、かつその際の各
イオン注入のドーズ量とイオン注入エネルギーの最適範
囲を調べた。なお、実験に用いた結晶材料（ＹＳｍＬｕ
ＣａＧｅＩＧ ）の特性を、表１に示す。
ｋの大きさはドーズ量で決定され、イオン注入の深さは
イオン注入エネルギーで決定すれる。そこで本発明の発
明者らは、０．５μｍ〜０．７μｍの範囲の膜厚を有す
るバブル結晶に１６Ｍビット／ｃｍ（約２μｍ周期）程
度の密度をもつイオン注入バブルデバイスについて、Ｎ
ｅイオンによる第１イオン注入と、同じ（Ｎｅイオンに
よる第２イオン注入と、Ｈ２イオンによる第３イオン注
入とからなる、３重イオン注入を行い、かつその際の各
イオン注入のドーズ量とイオン注入エネルギーの最適範
囲を調べた。なお、実験に用いた結晶材料（ＹＳｍＬｕ
ＣａＧｅＩＧ ）の特性を、表１に示す。
表１
評価は、第３図に示すように、２μｍ周期で第４図（ハ
）のようなスネーク型の直線伝播路の伝播に対する駆動
バイアスマージンで、その最小駆動磁界ＨＤｍｉｎおよ
び駆動磁界ＨＤ ＝５００ｅにおけるバイアスマージン
幅で行なった。
）のようなスネーク型の直線伝播路の伝播に対する駆動
バイアスマージンで、その最小駆動磁界ＨＤｍｉｎおよ
び駆動磁界ＨＤ ＝５００ｅにおけるバイアスマージン
幅で行なった。
第１図に３重イオン注入の場合の各ドーズ量とこれらの
マージン特性の実験結果を示し、第２図にイオン注入エ
ネルギー依存性を示す。
マージン特性の実験結果を示し、第２図にイオン注入エ
ネルギー依存性を示す。
第１図において、横軸はドーズ量を示し、縦軸はバイア
スマージン幅、最小駆動磁界ＨＤｍｉｎおよび歪磁気異
方性（ΔＨｋ）を示す。イオン注入条件は略号で示す。
スマージン幅、最小駆動磁界ＨＤｍｉｎおよび歪磁気異
方性（ΔＨｋ）を示す。イオン注入条件は略号で示す。
例えば３０／ＩＥ１４は３０ｋｅ Ｖの１×１０’ｊ’
ｃｍ２のことである。第１・・・第３のイオン注入はそ
れぞれ、第１Ｎｅ注入を３０ｋｅ Ｖで一定、第２Ｎｅ
注入を１２０ｋｅ Ｖで一定、Ｈ２＋注入を３６ｋｅ
Ｖで一定とし、ドーズ量を等間隔に変化させた例である
。
ｃｍ２のことである。第１・・・第３のイオン注入はそ
れぞれ、第１Ｎｅ注入を３０ｋｅ Ｖで一定、第２Ｎｅ
注入を１２０ｋｅ Ｖで一定、Ｈ２＋注入を３６ｋｅ
Ｖで一定とし、ドーズ量を等間隔に変化させた例である
。
イオン注入後は、パワー密度０ 、６５ Ｗ ／ ｃｍ
２で２０分間、プラズマ中で熱処理し、更に空気中での
熱処理を４００℃で１時間行なっている。
２で２０分間、プラズマ中で熱処理し、更に空気中での
熱処理を４００℃で１時間行なっている。
同図かられかるように、最小駆動磁界ＨＤｍｉｎが４０
０ｅ以下でバイアスマージン幅が６００ｅ以上のドーズ
量条件は、第１Ｎｅイオン注入で、０．８〜１．２ Ｘ
１０’／ ｃｍ”、第２Ｎｅイオ７注入で１．６〜２
．４Ｘ １ｏ’４／ｃｍ２．Ｈ２＋イオン注入Ｔ： １
．６〜２．４Ｘ１０／ｃｍ２であれば良い。
０ｅ以下でバイアスマージン幅が６００ｅ以上のドーズ
量条件は、第１Ｎｅイオン注入で、０．８〜１．２ Ｘ
１０’／ ｃｍ”、第２Ｎｅイオ７注入で１．６〜２
．４Ｘ １ｏ’４／ｃｍ２．Ｈ２＋イオン注入Ｔ： １
．６〜２．４Ｘ１０／ｃｍ２であれば良い。
第２図は横軸にイオン注入エネルギーを、縦軸にバイア
スマージン幅と最小駆動磁界ＨＤｍｉｎを示七 す。そして第１Ｎｅ注入をＩＥ１４で一定、第２ＮＪ注
入を２Ｅ１４で一定、Ｈ２十注入を２Ｅ１６で一定とし
、イオン注入エネルギーを３重イオン注入のそれぞれに
ついて、等間隔で変化させたものである。同図より、最
小駆動磁界ＨＤｍｉｎが約４００ｅ以下で、バイアスマ
ージン幅ΔＨＢが６００ｅ以上の条件は、それぞれ第１
Ｎｅ注入が２５〜３５ｋｅＶ、第２Ｎｅ＋注入が１００
〜１４０ｋｅＶ、 Ｈ２＋イオン注入が３０〜４２ｋｅ
■の範囲となる。
スマージン幅と最小駆動磁界ＨＤｍｉｎを示七 す。そして第１Ｎｅ注入をＩＥ１４で一定、第２ＮＪ注
入を２Ｅ１４で一定、Ｈ２十注入を２Ｅ１６で一定とし
、イオン注入エネルギーを３重イオン注入のそれぞれに
ついて、等間隔で変化させたものである。同図より、最
小駆動磁界ＨＤｍｉｎが約４００ｅ以下で、バイアスマ
ージン幅ΔＨＢが６００ｅ以上の条件は、それぞれ第１
Ｎｅ注入が２５〜３５ｋｅＶ、第２Ｎｅ＋注入が１００
〜１４０ｋｅＶ、 Ｈ２＋イオン注入が３０〜４２ｋｅ
■の範囲となる。
なお第１Ｎ−イオン注入、第２Ｎｅ＋イオン注入および
Ｈ２十イオン注入の注入順序は任意でよい。
Ｈ２十イオン注入の注入順序は任意でよい。
以上のように本発明によれば、３重イオン注入の条件を
それぞれのイオン注入について、前記のような条件とす
ることで、０．５μｍ〜０．７μｍの範囲の膜厚を有す
る微小バブル結晶に約２μｍ周期程度の転送路をもつ高
密度のイオン注入バブルデバイスにおいても、角型のプ
ロファイルを得ることができる。またイオン注入時間を
充分短縮することが可能となり、バイアスマージン幅も
充分な値を得ることが可能となった。
それぞれのイオン注入について、前記のような条件とす
ることで、０．５μｍ〜０．７μｍの範囲の膜厚を有す
る微小バブル結晶に約２μｍ周期程度の転送路をもつ高
密度のイオン注入バブルデバイスにおいても、角型のプ
ロファイルを得ることができる。またイオン注入時間を
充分短縮することが可能となり、バイアスマージン幅も
充分な値を得ることが可能となった。
第１図は本発明による３重イオン注入法におけるドーズ
量依存性を示す図、第２図は同方法におけるイオン注入
エネルギー依存性を示す図、第３図はバイアスマージン
を′示す図、第４図はイオン注入バブルデバイスを示す
平面図と断面図、第５図は角型プロファイルを示す図、
第６図は３重イオン注入法による特性を示す図である。 図において、１は円形パターン、ＩＣはスネーク状転送
路、２はイオン注入領域、３はバブル結晶をそれぞれ示
す。 特許出願人 富士通株式会社代理人 弁理士
青 柳 稔第１図 愉ＨｏＩ／ｌ−二ｌ吉品のコラ７フ１（早（ｊｊ／”の
ニ’）第２図 第３図 第４図 （ロ） 第５図
量依存性を示す図、第２図は同方法におけるイオン注入
エネルギー依存性を示す図、第３図はバイアスマージン
を′示す図、第４図はイオン注入バブルデバイスを示す
平面図と断面図、第５図は角型プロファイルを示す図、
第６図は３重イオン注入法による特性を示す図である。 図において、１は円形パターン、ＩＣはスネーク状転送
路、２はイオン注入領域、３はバブル結晶をそれぞれ示
す。 特許出願人 富士通株式会社代理人 弁理士
青 柳 稔第１図 愉ＨｏＩ／ｌ−二ｌ吉品のコラ７フ１（早（ｊｊ／”の
ニ’）第２図 第３図 第４図 （ロ） 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０．５μｍ−０．７μｍの範囲の膜厚を有するバブル結
晶に高密度のイオン注入バブルデバイスを形成する際の
３重イオン注入の条件として、 第１のイオン注入がＮｅ＾＋イオンによってなされ、そ
の条件がエネルギー２５〜３５ｋｅＶ、ドーズ量０．８
〜１．２×１０＾１＾４／ｃｍ＾２であること、第２の
イオン注入が同じくＮｅ＾＋イオンによってなされ、そ
の条件がエネルギー１００〜１４０ｋｅＶ、ドーズ量１
．６〜２．４×１０＾１＾４／ｃｍ＾２であること、か
つ第３のイオン注入がＨ＿２＾＋イオンによってなされ
、その条件がエネルギー３０〜４２ｋｅＶ、ドーズ量１
．６〜２．４×１０＾１＾６／ｃｍ＾２であり、第１〜
第３のイオン注入の順序は任意であり、かつイオン注入
の後プラズマ中で熱処理を行うことを特徴とするイオン
注入バブルデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208785A JPS6187296A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | イオン注入バブルデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208785A JPS6187296A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | イオン注入バブルデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187296A true JPS6187296A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16562062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208785A Pending JPS6187296A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | イオン注入バブルデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187296A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039378A1 (fr) * | 1998-02-02 | 1999-08-05 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Procede de formation de cavites dans un substrat semi-conducteur, par implantation d'atomes |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208785A patent/JPS6187296A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039378A1 (fr) * | 1998-02-02 | 1999-08-05 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Procede de formation de cavites dans un substrat semi-conducteur, par implantation d'atomes |
| FR2774510A1 (fr) * | 1998-02-02 | 1999-08-06 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de substrats, notamment semi-conducteurs |
| US6429104B1 (en) | 1998-02-02 | 2002-08-06 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for forming cavities in a semiconductor substrate by implanting atoms |
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