SU1347789A1 - Способ получени ферромагнитных пленок на твердотельных подложках - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике , в частности к технологии получени  тонких ферромагнитных пленок , и может быть использовано при Изобретение относитс  к технологии получени х тонких (Ri lOOO А) магнитных пленок (ТМИ) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, примен емых в ЭВМ. Цель изобретени  - расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Пример. Дл  получени  магнитной пленки на основе железа подложку в виде плавленного кварца марки КИ, полированную с двух сторон, бомбардируют на ускорителе ИЛУ-3 ионами е с энергией кэВ, дозой 8 X 10 Fe VCM при плотности тока ионов создании регистрирующих сред дл  записи магнитной и магнитооптической информации. Целью изобретени   вл етс  расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Изобретение позвол ет формировать в твердотельной подложке на заданной глубине ферромагнитную пленку, которую можно использовать в широком частотном диапазоне при создании быстродействующих запоминающих устройств ЭВМ, приборов СЕЧ в планарных лини х: фазовращатели , СВЧ-ключи и т.д. Это достигаетс  тем, что твердотельную подложку из кварца бомбардируют быстрыми ионами переходных элементов группы железа при плотност х ионного тока - ион/см с и дозах имплантации -Ю -10-1 О ион/см § (Л . с. Температура радиационного нагрева не превьплала 65 С. Методами  дерного гамма-резонанса, оптической спектроскопии было подтверждено образование ферромагнитной островковой пленки металлического oi- Fe. Данные ферромагнитного резонанса показали, что толщина частиц составл ет окола 300-400 А, их диаметр 500-700 А, коэффициент заполнени  по площади образца около 0,2. Вектор намагниченности лежит преимущественно в плоскости пленки. Из сн тых петель гистерезиса на частоте 75 Гц вычислены величина коэрцитивной силы Э, намагниченность на- сьщени  1, 1,47-10 Гс-см /см и от00 4 00 со

Description

HoiiiPinu ,,)Ч11ОИ нпмагииченис сти к и; ь;;1 гиич(Ч1И(и:ти насыщени  T,j/Tj 0,2f, По.пучонна  плеикл защищена cJIoe 11Г1Лпленного кварца толщиной Л. В качеетве материала подлож- ;п выбран кварц. Кварц - немагнитный м,чтери;и1, что  вл етс  необходим1 1М греГк11,чннем к нодложкам дл  ТФП. Его коррозионна  стойкость, механическа  iipo4Hf)CTb н нзносостойкость обеспе- чивакгс Б||1сокпе экснлуатацнонные ха- р кте11игтики. Было экспериментально устано1У ен11, что при имнлантации KnaimcHofi пс дложки iioHahm магнитных илементо) удаетс  создать тонкую фер- .iai-HHTHyi(i пленку (ТФП).

Бь ло

установлено также, что при

-.46

дозах имплантации меньше ион/см20

Tf in но обуктчуетс , так как в этом случае размер прс цинитатов металла меньше критического размера однодо- менности и частицы  вл ютс  сунерпа- рамагн тными во всем частотном диапа- зоне. 11о:зтому минимальна  доза им плантации выбрана равной ион/см При дальнейшем увеличении дозы происходит увеличение размеров частиц ме

тплла и формирование ТФП. Однако при дозах более 1010 ион/см существен- 1гым становитс   вление распылени  защитного поверхностного сло  подложки, привод щее к тому,что часть преципитатов металла выходит на поверхность. Это ухудигает химическую стойкость пленки. Поэтому верхней граничной до- и mлanтaции выбрана iO ион/см .

Редакто П.Тимонина Техред Л.Сердюкова

Заказ 6799Тираж 69АПодписное

Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГЮ1Т СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. А/5

Пр.чг волственно-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101

IInoTFioc:Tb тока j в ионном нучке при заданн(и 1 доте определ ет врем  облучени  и температуру подложки при

ее радиационном нагреве. В процессе такого нагрева образующиес  микрочастицы металла могут окисл тьс , что будет преп тствовать формированию ТФП. В св зи с этим была выбрана максимальна  величина ион/см-с,

при которой температура образца не превышает . Ионна  бомбардировка с малой плотностью ионного тока практически не сказываетс  на магнитных характеристиках ТФП. Однако при этом дл  достижени  необходимой дозы необоснованно увеличиваетс  врем  облучени , поэтому велиffj

чину J меньше 6-10 ион/см с нецеТаким образом, данньй способ позвол ет получать ферромагнитную пленку , защищенную от внешних воздействий , которую можно использовать в широком частотном диапазоне.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ получени  ферромагнитной пленки на твердотельных подложках путем бомбардировки быстрыми ионами переходных элементов группы железа, отличающийс  тем, что, с целью расширени  частотного диапазо- на ферромагнитной пленки, в качестве подложки используют кварц и облучают ее при плотност х ионного тока 6 « « 10 -9 Ю ион/см. с и дозах 10-10 ион/см

   Корректор М.Пожо