JPS5867006A - 積層垂直磁化膜 - Google Patents
積層垂直磁化膜Info
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- JPS5867006A JPS5867006A JP56166772A JP16677281A JPS5867006A JP S5867006 A JPS5867006 A JP S5867006A JP 56166772 A JP56166772 A JP 56166772A JP 16677281 A JP16677281 A JP 16677281A JP S5867006 A JPS5867006 A JP S5867006A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- bubble
- coercive force
- laminated
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3222—Exchange coupled hard/soft multilayers, e.g. CoPt/Co or NiFe/CoSm
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、積層垂直磁化膜に関Ｔるものであり、更に
詳細には、磁性薄膜を多層構造とした積層垂直磁化膜に
関Ｔるものであって、例えば、磁気バブｒ・の形成およ
び消去の容易な低保磁力の磁性薄膜とその低保磁力の磁
性薄膜のバブル形成等のために印加する低レベルの磁界
により影響されない高保磁力を有する磁性薄膜を少な（
とも１層ずつ積層した多層構造の積層垂直磁化膜に関す
るものであり、磁気バブル素子や磁気光学素子などとし
て使用できるものである。
詳細には、磁性薄膜を多層構造とした積層垂直磁化膜に
関Ｔるものであって、例えば、磁気バブｒ・の形成およ
び消去の容易な低保磁力の磁性薄膜とその低保磁力の磁
性薄膜のバブル形成等のために印加する低レベルの磁界
により影響されない高保磁力を有する磁性薄膜を少な（
とも１層ずつ積層した多層構造の積層垂直磁化膜に関す
るものであり、磁気バブル素子や磁気光学素子などとし
て使用できるものである。
例えば、磁気バブル素子は１例えば１ｅｅ以下の低保磁
力の垂直磁化薄膜を、ＧＧＧ（ガドリニウム拳ガリウム
・ガーネット〕などの基板上に積層したものの上にパー
マロイやイオン打込みガーネット膜などのパターンを形
成してなるものであって、磁気バブルがそのパターン中
を簡単に移動しつるので磁気バブルメモリーとして使用
される。このだ 磁気バブル素子の詳細番こついては発明者等電気学会雑
誌、第１００巻、ＩＩ！３号、第２１５〜２１８頁（１
９８０）に記載した通りである。
力の垂直磁化薄膜を、ＧＧＧ（ガドリニウム拳ガリウム
・ガーネット〕などの基板上に積層したものの上にパー
マロイやイオン打込みガーネット膜などのパターンを形
成してなるものであって、磁気バブルがそのパターン中
を簡単に移動しつるので磁気バブルメモリーとして使用
される。このだ 磁気バブル素子の詳細番こついては発明者等電気学会雑
誌、第１００巻、ＩＩ！３号、第２１５〜２１８頁（１
９８０）に記載した通りである。
バブル転送用のパターンとしては、情報密度が高くかつ
動作速度が速いものが要求され、現在は例えば第１図１
こ示したコンテイギユアスディスク回路の如きメジャー
−マイナ一方式のものが多く使用されている。イオン打
込みガーネットはイオン打込みにより結晶異方性を生じ
、パターン形成の方向が制限されるなどの問題があるの
で、パーマロイで高密度なコンテイギユアスディスクが
形成し得るならば最も好ましい。しかしながら、パーマ
ロイのパターンでは、マイナーループ（１１内のディス
ク（２）の密度が高くなると、ディスク中を移動するバ
ブル（３）が隣接Ｔるディスクへ飛び移ったり、或いは
同一ディスク中の一万の側より他方の側へ移行したりす
るバブルの誤送による情報のミスを生じ易い。尚、（４
）はメジャーループ、（５）はトランスファーライン、
（６）は書込みラインである。
動作速度が速いものが要求され、現在は例えば第１図１
こ示したコンテイギユアスディスク回路の如きメジャー
−マイナ一方式のものが多く使用されている。イオン打
込みガーネットはイオン打込みにより結晶異方性を生じ
、パターン形成の方向が制限されるなどの問題があるの
で、パーマロイで高密度なコンテイギユアスディスクが
形成し得るならば最も好ましい。しかしながら、パーマ
ロイのパターンでは、マイナーループ（１１内のディス
ク（２）の密度が高くなると、ディスク中を移動するバ
ブル（３）が隣接Ｔるディスクへ飛び移ったり、或いは
同一ディスク中の一万の側より他方の側へ移行したりす
るバブルの誤送による情報のミスを生じ易い。尚、（４
）はメジャーループ、（５）はトランスファーライン、
（６）は書込みラインである。
発明者等はこのようなバブルの誤送を避けるため鋭意研
究を重ねた結果、バブル膜にバブルの発生や消去、バブ
ルの転送等の際に印加されるバブル発生磁界やバイアス
磁界などによっても容易に変化しない安定な磁区を形成
させれば、バブルの移動範囲は同一磁区内に制限される
ので、磁区とると考え、この発明を完成した。
究を重ねた結果、バブル膜にバブルの発生や消去、バブ
ルの転送等の際に印加されるバブル発生磁界やバイアス
磁界などによっても容易に変化しない安定な磁区を形成
させれば、バブルの移動範囲は同一磁区内に制限される
ので、磁区とると考え、この発明を完成した。
この発明はバブルの発生、消去が容易な低保磁力の垂直
磁化膜（以下、「ソフト膜」という〕の上Ｓまたは下部
に高保磁力の垂直磁化膜（以下、「ハード膜」という）
を少くとも１層ずつ積層し、かつ、そのハード膜の面内
に互に隣接する部分とは磁化の方向が異なる磁区を複数
区形成させたものである。
磁化膜（以下、「ソフト膜」という〕の上Ｓまたは下部
に高保磁力の垂直磁化膜（以下、「ハード膜」という）
を少くとも１層ずつ積層し、かつ、そのハード膜の面内
に互に隣接する部分とは磁化の方向が異なる磁区を複数
区形成させたものである。
この発明において、ソフト膜として使用できる低保磁力
の磁化薄膜の素材としては、例えば、（ＹＢｉ ）５
（ＦｅＧａ ）５０１２であって、その保磁力は一般に
ほぼ０乃至１０ｅである。また、ハード膜の素材として
は、例えば（ＢｉＧｄ８ｍＬｕ）！１（ＦｅＡＪ）ｓｏ
１２でアッテ、その保磁力はこの積層垂直磁化膜に印加
されるバイアス磁界より高い必要があり、一般には約８
０へ以上、好菫しくは約１００乃至３，００００ｅであ
る。例えば、このようなソフト膜とハード膜とからなる
２層ガーネット膜は、ＧＧ＜）などの基材上に、液相エ
ピタキシャル法（ＬＰＥ法）によって作成することがで
き、その膜厚はそれぞれ通常的１．００μｍ以下であり
、好ましくは約０．０１〜１０μｍである。
の磁化薄膜の素材としては、例えば、（ＹＢｉ ）５
（ＦｅＧａ ）５０１２であって、その保磁力は一般に
ほぼ０乃至１０ｅである。また、ハード膜の素材として
は、例えば（ＢｉＧｄ８ｍＬｕ）！１（ＦｅＡＪ）ｓｏ
１２でアッテ、その保磁力はこの積層垂直磁化膜に印加
されるバイアス磁界より高い必要があり、一般には約８
０へ以上、好菫しくは約１００乃至３，００００ｅであ
る。例えば、このようなソフト膜とハード膜とからなる
２層ガーネット膜は、ＧＧ＜）などの基材上に、液相エ
ピタキシャル法（ＬＰＥ法）によって作成することがで
き、その膜厚はそれぞれ通常的１．００μｍ以下であり
、好ましくは約０．０１〜１０μｍである。
以下、この発明を図面を参照して詳細に説明する。
第２ （ａ）および２（ｂ）図において、この発明に係
る積層垂直磁化膜は、ＧＧＧなどの基板Ｑｌ上に、ＬＰ
Ｅ法によって、保磁力が約１０Ｃ以下であるソフト膜ａ
υならひ番こ保磁力が約８００ｅ以上であるハード膜ａ
りからなる２層ガーネット膜か形成されている構造を有
している。なお、ハード膜ａりを基板Ｇａ上に形成させ
、そのハード膜上にソフト膜ａηを形成させることもで
きる。また、ハード膜および／またはソフト膜をそれぞ
れ多層構造にしてもよいし、ソフト膜とハード膜とから
なる２層構造または多層構造が複数層形成されていても
よい。ノ１−ド膜ａのには、例えば、上向きに磁化され
た磁区−と、その両側ｔこ下向きに磁化された磁区Ｉと
が形成されている。例えば、この磁区餞に対向するソフ
ト膜（１１）の部分に、上向きに硫化された磁気バブル
（ｔｅを形成させた場合、このバブルは磁区０漕および
α（の形成する強い磁界に影響されるので、磁区０の外
ＩＩＩ！に転送することはできない。
る積層垂直磁化膜は、ＧＧＧなどの基板Ｑｌ上に、ＬＰ
Ｅ法によって、保磁力が約１０Ｃ以下であるソフト膜ａ
υならひ番こ保磁力が約８００ｅ以上であるハード膜ａ
りからなる２層ガーネット膜か形成されている構造を有
している。なお、ハード膜ａりを基板Ｇａ上に形成させ
、そのハード膜上にソフト膜ａηを形成させることもで
きる。また、ハード膜および／またはソフト膜をそれぞ
れ多層構造にしてもよいし、ソフト膜とハード膜とから
なる２層構造または多層構造が複数層形成されていても
よい。ノ１−ド膜ａのには、例えば、上向きに磁化され
た磁区−と、その両側ｔこ下向きに磁化された磁区Ｉと
が形成されている。例えば、この磁区餞に対向するソフ
ト膜（１１）の部分に、上向きに硫化された磁気バブル
（ｔｅを形成させた場合、このバブルは磁区０漕および
α（の形成する強い磁界に影響されるので、磁区０の外
ＩＩＩ！に転送することはできない。
＠ ３ （ａ）および３（ｂ）図は、Ｉｔ！２図のハー
ド膜上ｆコ更にパターンを形成した例であって、実際に
は公知の磁気バブルメモリーのようにバブル膜上には例
えばスペーサー、制御用導体、スペーサー転送用パーマ
ロイパターンの順に積層されているが、説明を簡単にす
るため、第３（ａ）図の断面図ではハード膜とソフト膜
のみを、また第３ （ｂ）図の平面図ではバブル膜上の
パターンの一部分のみを示している。第３ （ｂ）図に
示１丁ように、コンテイギユアスディスク回路パターン
のディスク（１５は、ハード膜ａａに形成される２つの
上向きの磁区（１りｌｌＸ１３ｎ）’、およびこれらの
上向き磁区間に挾まれた下向きの磁区（１４１１）の磁
界によって％３つの部分（１５ｆｌａ）、（１５ｆｉＪ
ｌ）’および（１５ｍｂ）に分割される。また、上向き
の磁区（１３ｆｌ）および（１３ｎ５’は、下向きの磁
区（１４ｎ）によって、その両側に隔てられ、また、デ
ィスク（１５ｍ）に隣接してディスク（１５ｎ−りおよ
び（１５ｎ十〇がそれぞれ設けられる上向きの磁区とは
、下向きの磁区（１４ｎ−りおよび（１４１！十〇によ
って隔てられるように形成されている。
ド膜上ｆコ更にパターンを形成した例であって、実際に
は公知の磁気バブルメモリーのようにバブル膜上には例
えばスペーサー、制御用導体、スペーサー転送用パーマ
ロイパターンの順に積層されているが、説明を簡単にす
るため、第３（ａ）図の断面図ではハード膜とソフト膜
のみを、また第３ （ｂ）図の平面図ではバブル膜上の
パターンの一部分のみを示している。第３ （ｂ）図に
示１丁ように、コンテイギユアスディスク回路パターン
のディスク（１５は、ハード膜ａａに形成される２つの
上向きの磁区（１りｌｌＸ１３ｎ）’、およびこれらの
上向き磁区間に挾まれた下向きの磁区（１４１１）の磁
界によって％３つの部分（１５ｆｌａ）、（１５ｆｉＪ
ｌ）’および（１５ｍｂ）に分割される。また、上向き
の磁区（１３ｆｌ）および（１３ｎ５’は、下向きの磁
区（１４ｎ）によって、その両側に隔てられ、また、デ
ィスク（１５ｍ）に隣接してディスク（１５ｎ−りおよ
び（１５ｎ十〇がそれぞれ設けられる上向きの磁区とは
、下向きの磁区（１４ｎ−りおよび（１４１！十〇によ
って隔てられるように形成されている。
そこで、第２（ｂ）図に示Ｔように、ソフト膜ａυ上の
一点にバブルＱｌを形成し、ディスク（１５ｎａ）’上
を移動させる場合、下向きの磁区（１４ｎ＋りの磁界に
妨げられて隣接Ｔるディスク（１５ｎ十〇に飛び移るこ
とはできず、また磁区（１４ｎ）に妨げられて他の部分
（１５ｎｂ）および（１５ｎａ）にも移行することはで
きない。
一点にバブルＱｌを形成し、ディスク（１５ｎａ）’上
を移動させる場合、下向きの磁区（１４ｎ＋りの磁界に
妨げられて隣接Ｔるディスク（１５ｎ十〇に飛び移るこ
とはできず、また磁区（１４ｎ）に妨げられて他の部分
（１５ｎｂ）および（１５ｎａ）にも移行することはで
きない。
尚、第２図および第３図では、ハード膜中ｌこ形成され
た複数の磁区を形成した磁界内においてソフト膜中にバ
ブルを形成し得ることが前提であるが、発明者等は実施
例に示Ｔようにソフト膜中にバブルを生成しうることを
確認している。また、一定の磁界がバイヤスされたパタ
ーン内でバブルを移動させることは、従来のバブルメモ
リーに於ても行なわれていることであるので、第６図に
示すようなバブルメモリーが作動することは容易に理解
されるであろう。
た複数の磁区を形成した磁界内においてソフト膜中にバ
ブルを形成し得ることが前提であるが、発明者等は実施
例に示Ｔようにソフト膜中にバブルを生成しうることを
確認している。また、一定の磁界がバイヤスされたパタ
ーン内でバブルを移動させることは、従来のバブルメモ
リーに於ても行なわれていることであるので、第６図に
示すようなバブルメモリーが作動することは容易に理解
されるであろう。
この発明において、ハード膜に複数の磁区を形成するに
は、例えば最初にハード膜の磁化の方向を均一にしてお
き、これにレーザー光線を照射すればよい。これによっ
て、照射された部分のみが磁化の方向か逆転して複数の
磁区を形成することができる。したがって、極めて繊細
なストＩＪツブ状またはストライプ状の磁区に分割Ｔる
こともでなお、この発明に係る積層垂直磁化膜は、パー
マロイパターンと組合せて使用Ｔる第３図に示すような
積層構造のバブル膜の例に限定されるものではなく、例
えば、磁化方向を均一にしたノ１−ド膜とソフト膜との
積層膜を基板上に形成し、この上に任意の構成、例えば
、イオン打込み膜などのパターンを形成させた後、その
パターンの回路の一部に相当するハード膜へ部分の磁化
を逆転させれば、その部分のパターン回路は閉鎖きれ払
ごとになる。そのように修正きれたパターン回路を有す
る積層垂直磁化膜は、バブルメモリーやオートメーショ
ン機器の回路としても利用し得る・まな実施例にも示し
た通り、磁界強度により部分的に偏光の透過度を変化さ
せ得るので、この部分を利用して元スイッチなどとする
ことも出来る。
は、例えば最初にハード膜の磁化の方向を均一にしてお
き、これにレーザー光線を照射すればよい。これによっ
て、照射された部分のみが磁化の方向か逆転して複数の
磁区を形成することができる。したがって、極めて繊細
なストＩＪツブ状またはストライプ状の磁区に分割Ｔる
こともでなお、この発明に係る積層垂直磁化膜は、パー
マロイパターンと組合せて使用Ｔる第３図に示すような
積層構造のバブル膜の例に限定されるものではなく、例
えば、磁化方向を均一にしたノ１−ド膜とソフト膜との
積層膜を基板上に形成し、この上に任意の構成、例えば
、イオン打込み膜などのパターンを形成させた後、その
パターンの回路の一部に相当するハード膜へ部分の磁化
を逆転させれば、その部分のパターン回路は閉鎖きれ払
ごとになる。そのように修正きれたパターン回路を有す
る積層垂直磁化膜は、バブルメモリーやオートメーショ
ン機器の回路としても利用し得る・まな実施例にも示し
た通り、磁界強度により部分的に偏光の透過度を変化さ
せ得るので、この部分を利用して元スイッチなどとする
ことも出来る。
実施例
厚さ４００μｍのＧＧＧ基板上に低保磁力層（ソフト膜
）として膜厚１０ ｔｓｍ Ｏ） （ＹＢｉ ）ｓ（Ｆ
ｅＧａ）ｓｏｌｚ ｆ高保磁力層（ハード層）として膜
厚７μｍの（ＢＩＧｄ８ｍＬす５（ＰｅＡＪ）５０１□
を、ハード膜が外層になるようにして、液相エピタキシ
ャル生長法により積層した。尚、ソフト膜の飽和磁化４
πＭｍは２３０ガウスで、保磁力は１０ｅ以下、特性長
は０．４１μｍ％菫たハード膜の飽和磁化４πＭｍは２
１０ガウス、保磁力は１４００ｅであった。この積層膜
の磁化曲線を試料振動型磁力計を用いて測定した結果を
第４図に示Ｔ０ この積層膜のハード膜を最初上向き方向に磁化し、次に
レーザー照射により烏部的奢こ反転させ巾５０μｍの反
転磁区を形成すると同時に、更にこの反転磁区内の低保
磁力層に反転磁区を作成した。
）として膜厚１０ ｔｓｍ Ｏ） （ＹＢｉ ）ｓ（Ｆ
ｅＧａ）ｓｏｌｚ ｆ高保磁力層（ハード層）として膜
厚７μｍの（ＢＩＧｄ８ｍＬす５（ＰｅＡＪ）５０１□
を、ハード膜が外層になるようにして、液相エピタキシ
ャル生長法により積層した。尚、ソフト膜の飽和磁化４
πＭｍは２３０ガウスで、保磁力は１０ｅ以下、特性長
は０．４１μｍ％菫たハード膜の飽和磁化４πＭｍは２
１０ガウス、保磁力は１４００ｅであった。この積層膜
の磁化曲線を試料振動型磁力計を用いて測定した結果を
第４図に示Ｔ０ この積層膜のハード膜を最初上向き方向に磁化し、次に
レーザー照射により烏部的奢こ反転させ巾５０μｍの反
転磁区を形成すると同時に、更にこの反転磁区内の低保
磁力層に反転磁区を作成した。
この積層膜の磁気ファラデイ効果を利用した偏光顕微鏡
写真は第５（ａ）図の通りであ□す、Ｉ！５（ｂ）図に
示すような磁化方向を有することが認められた。
写真は第５（ａ）図の通りであ□す、Ｉ！５（ｂ）図に
示すような磁化方向を有することが認められた。
なお％第５図の斜線部分は迷路磁区を示■。
次に、この積層膜に磁界Ｈを印加し、その磁界を次第に
上昇させながら、偏光顕微鏡で観察したところ、磁界の
強さか約７００ｅを超えると第５（ａ）図のように中央
のストライブは中断され遂には第６図のようなバブルか
形成きれ（第６図はＨ＝８ＱＯｅの場合の写真）、更に
磁界を上昇させるとこのバブルはつぶれて消滅すること
が認められた。
上昇させながら、偏光顕微鏡で観察したところ、磁界の
強さか約７００ｅを超えると第５（ａ）図のように中央
のストライブは中断され遂には第６図のようなバブルか
形成きれ（第６図はＨ＝８ＱＯｅの場合の写真）、更に
磁界を上昇させるとこのバブルはつぶれて消滅すること
が認められた。
このバブルが安定して存在する磁界は、ハード膜の構成
および逆転磁区の巾などにより定まる。
および逆転磁区の巾などにより定まる。
−例として、上記実施例と同一構成のハード膜とソフト
膜とからなる積層垂直磁化膜に於て、反転磁区中Ｗ（μ
ｍ）を変化３せた場合におけるバブルコラップス磁界Ｈ
ｅ、１（Ｏｅ）の測定結果を第７図に示Ｔ。
膜とからなる積層垂直磁化膜に於て、反転磁区中Ｗ（μ
ｍ）を変化３せた場合におけるバブルコラップス磁界Ｈ
ｅ、１（Ｏｅ）の測定結果を第７図に示Ｔ。
第１図はコンテイギユアスディスク回路の原理図、第２
図はこの発明に係る積層垂直磁化膜の積一層バブル膜の
磁化の原理説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
、第６図はこの発明に係る１例である磁気バブル素子を
用いたバブルメモリーの原理説明図で、（ａ）は積層バ
ブル膜部分の断面図、（ｂ）は積層バブル膜上番こ構成
されたパターンの平面図、第４図はその磁気バブル素子
の磁化曲線を示すグラフ、第５図（ａ）および第６図は
そのバブル素子のファラデイ効果写真の要部模写図、ｌ
！５図（ｂ）はＩ！５図（１）の断面図、第７図はその
バブル素子の反転磁区中とバブルコラップス磁界との関
係を示すグラフである。 なお図面に用いた符号において、 顛・・・・・・・・・・・・・・・基板←υ・・・・・
・・・・・・・・・・ソフト膜Ｑ３・・・・・・・・・
・・・・・・ハード膜（１３ＸＩ４）・・・・・・・・
・・・・磁区である。 代理人 上屋 勝 オ ｌ 図 ／ ；１′ −口 才８図 オ ４ 図 λ 計口（リプｆ 」ご
目 （ｋノ ストライ７１玖ｔｒＩＰｗ休＾２
図はこの発明に係る積層垂直磁化膜の積一層バブル膜の
磁化の原理説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
、第６図はこの発明に係る１例である磁気バブル素子を
用いたバブルメモリーの原理説明図で、（ａ）は積層バ
ブル膜部分の断面図、（ｂ）は積層バブル膜上番こ構成
されたパターンの平面図、第４図はその磁気バブル素子
の磁化曲線を示すグラフ、第５図（ａ）および第６図は
そのバブル素子のファラデイ効果写真の要部模写図、ｌ
！５図（ｂ）はＩ！５図（１）の断面図、第７図はその
バブル素子の反転磁区中とバブルコラップス磁界との関
係を示すグラフである。 なお図面に用いた符号において、 顛・・・・・・・・・・・・・・・基板←υ・・・・・
・・・・・・・・・・ソフト膜Ｑ３・・・・・・・・・
・・・・・・ハード膜（１３ＸＩ４）・・・・・・・・
・・・・磁区である。 代理人 上屋 勝 オ ｌ 図 ／ ；１′ −口 才８図 オ ４ 図 λ 計口（リプｆ 」ご
目 （ｋノ ストライ７１玖ｔｒＩＰｗ休＾２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 低保磁力の垂直磁化薄膜と高保磁力の垂直磁化薄
膜とが基板上に少くとも１層ずつ積層され、その高保磁
力の磁性薄膜ｌこ、隣接Ｔる磁区が互に磁化方向の異な
る複数の安定な磁区を形成してなることを特徴とする積
層垂直磁化膜。 ２、高保磁力の垂直磁化薄膜の保磁力が印加されるバイ
アス磁界より高い保磁力を有Ｔることを特徴とする特許
請求の範囲！！１項に記載の積層垂直磁化膜。 ６、低保磁力の垂直磁化薄膜の保磁力が１０Ｃ以下であ
り、高保磁力の垂直磁化薄膜の保磁力が８００ｅ以上で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の積
層垂直磁化膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166772A JPS5867006A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 積層垂直磁化膜 |
| FR8217484A FR2514930A1 (fr) | 1981-10-19 | 1982-10-19 | Dispositif lamellaire a domaines magnetiques notamment pour memoire |
| DE19823238719 DE3238719A1 (de) | 1981-10-19 | 1982-10-19 | Magnetblaseneinrichtung mit uebereinanderliegenden schichten |
| GB8229883A GB2111775A (en) | 1981-10-19 | 1982-10-19 | Laminated magnetic bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166772A JPS5867006A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 積層垂直磁化膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867006A true JPS5867006A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=15837398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166772A Pending JPS5867006A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 積層垂直磁化膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867006A (ja) |
| DE (1) | DE3238719A1 (ja) |
| FR (1) | FR2514930A1 (ja) |
| GB (1) | GB2111775A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5140547A (en) * | 1987-12-01 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic bubble recording element |
| GB2215542B (en) * | 1988-02-04 | 1992-09-23 | Canon Kk | Magnetic bubble recording device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3543249A (en) * | 1967-12-19 | 1970-11-24 | Bell Telephone Labor Inc | High permeability magnetic film structure |
| US3529303A (en) * | 1968-11-12 | 1970-09-15 | Bell Telephone Labor Inc | Domain propagation arrangement |
| FR2389968B1 (ja) * | 1977-05-02 | 1983-02-04 | Burroughs Corp | |
| JPS5891B2 (ja) * | 1977-09-30 | 1983-01-05 | 俊一 岩崎 | 磁気記録媒体 |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56166772A patent/JPS5867006A/ja active Pending
-
1982
- 1982-10-19 FR FR8217484A patent/FR2514930A1/fr not_active Withdrawn
- 1982-10-19 DE DE19823238719 patent/DE3238719A1/de not_active Withdrawn
- 1982-10-19 GB GB8229883A patent/GB2111775A/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2514930A1 (fr) | 1983-04-22 |
| DE3238719A1 (de) | 1983-05-05 |
| GB2111775A (en) | 1983-07-06 |
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