JPS6336074B2 - - Google Patents
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- JPS6336074B2 JPS6336074B2 JP59039740A JP3974084A JPS6336074B2 JP S6336074 B2 JPS6336074 B2 JP S6336074B2 JP 59039740 A JP59039740 A JP 59039740A JP 3974084 A JP3974084 A JP 3974084A JP S6336074 B2 JPS6336074 B2 JP S6336074B2
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- magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/24—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモリ装置に関し、特にそ
のバブル磁区転送パターンの形状に関するもので
ある。
のバブル磁区転送パターンの形状に関するもので
ある。
従来技術と問題点
従来よりバブル磁区を転送させるバブル磁区転
送パターンにはハーフデイスク型パターン（第１
図ａ参照）、非対称シエブロン型パターン等が用
いられてきた。しかし最近の情報量の増加や装置
の小型化のためバブルメモリ素子の高密度化をは
かる場合、ハーフデイスク或は非対称シエブロン
を相似縮小しても主として光露光技術の限界によ
り転送周期の限界は6μm程度にとどまり、例えば
４メガビツトチツプでは寸法が１メガビツトチツ
プの約10mm角に対し約15mm角と大きくなるため駆
動電力の増大やウエハからとれるチツプ数が減少
し、コストアツプ等の問題が生ずる。ところが近
年ベル研究所のボーベツクにより第２図ａに示す
如き形状をしたワイドギヤツプパターンと呼ばれ
る新しい転送パターンが発表された。これは従来
のハーフデイスクパターン等が第１図ａ及びｂに
示すように、パターン１，２間のギヤツプ３にお
いて深いポテンシヤル４を発生させ、バブル５を
ストレツチさせながらパターン１からパターン２
へ転送させるのに対し、第２図ａ及びｂに示すよ
うに、パターン１の先端部Ａとパターン２の足部
Ｂの間に生じる磁界勾配に沿つてバブル５を移動
させるものでありハーフデイスク型パターンの約
２倍のギヤツプ余裕度を有していることから高密
度化に対し有望なパターンであると期待された。
送パターンにはハーフデイスク型パターン（第１
図ａ参照）、非対称シエブロン型パターン等が用
いられてきた。しかし最近の情報量の増加や装置
の小型化のためバブルメモリ素子の高密度化をは
かる場合、ハーフデイスク或は非対称シエブロン
を相似縮小しても主として光露光技術の限界によ
り転送周期の限界は6μm程度にとどまり、例えば
４メガビツトチツプでは寸法が１メガビツトチツ
プの約10mm角に対し約15mm角と大きくなるため駆
動電力の増大やウエハからとれるチツプ数が減少
し、コストアツプ等の問題が生ずる。ところが近
年ベル研究所のボーベツクにより第２図ａに示す
如き形状をしたワイドギヤツプパターンと呼ばれ
る新しい転送パターンが発表された。これは従来
のハーフデイスクパターン等が第１図ａ及びｂに
示すように、パターン１，２間のギヤツプ３にお
いて深いポテンシヤル４を発生させ、バブル５を
ストレツチさせながらパターン１からパターン２
へ転送させるのに対し、第２図ａ及びｂに示すよ
うに、パターン１の先端部Ａとパターン２の足部
Ｂの間に生じる磁界勾配に沿つてバブル５を移動
させるものでありハーフデイスク型パターンの約
２倍のギヤツプ余裕度を有していることから高密
度化に対し有望なパターンであると期待された。
事実このワイドギヤツプパターン（第２図）は
直径が約2μmのバブルを用いパターン配列周期Ｐ
が8μmでギヤツプ３が2μmとした場合、周期Ｐと
ギヤツプ３が同寸法のハーフデイスクパターン
（第１図）に比べ約２倍の400e三角波駆動におい
て約300eのバイアスマージン幅を持つことが確認
されている。
直径が約2μmのバブルを用いパターン配列周期Ｐ
が8μmでギヤツプ３が2μmとした場合、周期Ｐと
ギヤツプ３が同寸法のハーフデイスクパターン
（第１図）に比べ約２倍の400e三角波駆動におい
て約300eのバイアスマージン幅を持つことが確認
されている。
ところが第２図に示したワイドギヤツプパター
ンは４メガビツトチツプを得るためパターン配列
周期Ｐを4μm、ギヤツプ３を1μm程度に縮小して
いくと、ギヤツプ部のポテンシヤルが極めて浅く
なるためバブルがＡからＢへ渡りはじめる時非常
に不安定な状態となり充分な転送マージンが得ら
れないという欠点があつた。
ンは４メガビツトチツプを得るためパターン配列
周期Ｐを4μm、ギヤツプ３を1μm程度に縮小して
いくと、ギヤツプ部のポテンシヤルが極めて浅く
なるためバブルがＡからＢへ渡りはじめる時非常
に不安定な状態となり充分な転送マージンが得ら
れないという欠点があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、ワイドギヤツ
プパターンのパターンギヤツプに生ずる強い磁界
勾配を保つたままギヤツプ部のポテンシヤル全体
を深くし高密度化に適するようにしたバブル磁区
転送路を具備した磁気バブルメモリ素子を提供す
ることを目的とするものである。
プパターンのパターンギヤツプに生ずる強い磁界
勾配を保つたままギヤツプ部のポテンシヤル全体
を深くし高密度化に適するようにしたバブル磁区
転送路を具備した磁気バブルメモリ素子を提供す
ることを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、入口側素片
と出口側素片を有する軟磁性材料からなるバブル
磁区転送パターンが複数個、隣接パターンにおい
て出口側素片を入口素片の背面にバブル転送ギヤ
ツプを介して対向するように配置されたバブル磁
区転送路を備え、且つ前記バブル磁区転送パター
ンはその入口側素片と出口側素片の長さの差ｈが
該転送パターンの高さＨの10％以上25％以下の寸
法を持つことを特徴とする磁気バブルメモリ素子
を提供することによつて達成される。
と出口側素片を有する軟磁性材料からなるバブル
磁区転送パターンが複数個、隣接パターンにおい
て出口側素片を入口素片の背面にバブル転送ギヤ
ツプを介して対向するように配置されたバブル磁
区転送路を備え、且つ前記バブル磁区転送パター
ンはその入口側素片と出口側素片の長さの差ｈが
該転送パターンの高さＨの10％以上25％以下の寸
法を持つことを特徴とする磁気バブルメモリ素子
を提供することによつて達成される。
また前記バブル磁区転送路が、そのバブル磁区
転送パターンの入口側素片のパターン幅を復路は
Ａ、往路はＣとし、出口側素片のパターン幅を復
路はＢ、往路をＤとしたとき、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃで
あり、かつＣ＞ＡＢ＞Ｄであることを特徴とす
る磁気バブルメモリ素子を提供することによつて
達成される。
転送パターンの入口側素片のパターン幅を復路は
Ａ、往路はＣとし、出口側素片のパターン幅を復
路はＢ、往路をＤとしたとき、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃで
あり、かつＣ＞ＡＢ＞Ｄであることを特徴とす
る磁気バブルメモリ素子を提供することによつて
達成される。
発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面によつて詳述す
る。第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子
におけるバブル磁区転送パターンとしてのワイド
ギヤツプパターンの基本形状を説明するための図
であり、同図において、１０，１１は3200Å〜
3400Å程度の膜厚のパーマロイからなるバブル磁
区転送パターン、１２はその出口側素片、１３は
入口側素片、ａは入口側素片のパターン幅、ｇは
ギヤツプ幅、Ｈはパターン高さ、ｈは入口側素片
と出口側素片の高さの差、Ｐはパターン配列周
期、矢印Ｑはバブルの転送方向、矢印Ｒはバブル
を安定に静止させるためのホールド磁界の方向を
それぞれ示している。
る。第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子
におけるバブル磁区転送パターンとしてのワイド
ギヤツプパターンの基本形状を説明するための図
であり、同図において、１０，１１は3200Å〜
3400Å程度の膜厚のパーマロイからなるバブル磁
区転送パターン、１２はその出口側素片、１３は
入口側素片、ａは入口側素片のパターン幅、ｇは
ギヤツプ幅、Ｈはパターン高さ、ｈは入口側素片
と出口側素片の高さの差、Ｐはパターン配列周
期、矢印Ｑはバブルの転送方向、矢印Ｒはバブル
を安定に静止させるためのホールド磁界の方向を
それぞれ示している。
尚、パターン１０，１１はバブル情報を記憶す
るマイナーループ転送路を構成するパターンで、
直径が1.2〜1.4μm程度のバブル磁区を与える磁性
ガーネツトからなるバブル結晶（Ｙ Sm Lu Ca
Ge Ｉ Ｇ組成からなる結晶等）上に被着された
1200Å〜1400ÅのSiO2スペーサの上に形成され、
該バブル結晶表面にはハードバブル抑制のため４
〜６×1013Ne+（50KeV）の条件でイオン注入が
施される。また図示矢印の１２１，11２，２11は
該バブル結晶の（111）面の場合の結晶方向を示
している。
るマイナーループ転送路を構成するパターンで、
直径が1.2〜1.4μm程度のバブル磁区を与える磁性
ガーネツトからなるバブル結晶（Ｙ Sm Lu Ca
Ge Ｉ Ｇ組成からなる結晶等）上に被着された
1200Å〜1400ÅのSiO2スペーサの上に形成され、
該バブル結晶表面にはハードバブル抑制のため４
〜６×1013Ne+（50KeV）の条件でイオン注入が
施される。また図示矢印の１２１，11２，２11は
該バブル結晶の（111）面の場合の結晶方向を示
している。
本実施例は第３図に示す如く入口側素片１３と
出口側素片１２とを有し、その出口側素片１２が
P2点をできるだけ磁気的に中立な状態になる様
入口側素片１３に比べ細く（出口側素片１２の中
央部で約70〜90％細い）かつ浅い屈曲を持つた非
対称形状である。
出口側素片１２とを有し、その出口側素片１２が
P2点をできるだけ磁気的に中立な状態になる様
入口側素片１３に比べ細く（出口側素片１２の中
央部で約70〜90％細い）かつ浅い屈曲を持つた非
対称形状である。
本実施例のギヤツプ部における磁界勾配の強さ
及びポテンシヤルの深さなど動作特性に影響を与
える形状パラメータはギヤツプ幅ｇ、入口側素片
１３のP1点と出口側素片１２のP2点間の距離、
入口側素片１３のパターン幅ａ及びパターン高さ
Ｈである。
及びポテンシヤルの深さなど動作特性に影響を与
える形状パラメータはギヤツプ幅ｇ、入口側素片
１３のP1点と出口側素片１２のP2点間の距離、
入口側素片１３のパターン幅ａ及びパターン高さ
Ｈである。
ギヤツプ幅ｇは広すぎると動作特性を劣化し逆
に狭すぎると露光、エツチング技術等の制約によ
り素子作製が困難となるため1.2μmから0.5μmの
範囲が適当である。
に狭すぎると露光、エツチング技術等の制約によ
り素子作製が困難となるため1.2μmから0.5μmの
範囲が適当である。
第４図はパターン周期Ｐで規格化した入口側素
片１３のパターン幅ａとバイアスマージンΔHB
の関係を示したものである。入口側素片１３のパ
ターン幅ａは細い程磁極がP1点に集中しP1―P2
間の磁界勾配は強くなると考えられるが、あまり
細くするとバブルを入口側素片に沿つてP1から
P3へ移動する場合の駆動力が減少し、特性が劣
化する。一方ａをあまり広くすると入口側素片先
端部で磁極が分散し磁界勾配が弱くなる。従つて
第４図からも分るように入口側素片１３のパター
ン幅ａはパターン周期Ｐに対し30％〜40％の範囲
が特性上良好である。
片１３のパターン幅ａとバイアスマージンΔHB
の関係を示したものである。入口側素片１３のパ
ターン幅ａは細い程磁極がP1点に集中しP1―P2
間の磁界勾配は強くなると考えられるが、あまり
細くするとバブルを入口側素片に沿つてP1から
P3へ移動する場合の駆動力が減少し、特性が劣
化する。一方ａをあまり広くすると入口側素片先
端部で磁極が分散し磁界勾配が弱くなる。従つて
第４図からも分るように入口側素片１３のパター
ン幅ａはパターン周期Ｐに対し30％〜40％の範囲
が特性上良好である。
第５図は入口側素片１３と出口側素片１２の高
さの差ｈをパターン高さＨで規格化した値とバイ
アスマージン幅ΔHBの関係を示したものである。
ｈが小さくなる程P1〜P2間距離が短くなり磁界
勾配が強くなつてくるが小さくなりすぎるとP2
点の磁極が強くなりすぎ逆に磁界勾配の劣化を招
く。従つて第５図からも分るように入口側素片１
３と出口側素片１２の高さの差ｈはパターン高さ
Ｈに対し10％〜25％の範囲が特性上良好である。
さの差ｈをパターン高さＨで規格化した値とバイ
アスマージン幅ΔHBの関係を示したものである。
ｈが小さくなる程P1〜P2間距離が短くなり磁界
勾配が強くなつてくるが小さくなりすぎるとP2
点の磁極が強くなりすぎ逆に磁界勾配の劣化を招
く。従つて第５図からも分るように入口側素片１
３と出口側素片１２の高さの差ｈはパターン高さ
Ｈに対し10％〜25％の範囲が特性上良好である。
更に第６図はパターン周期Ｐで規格化したパタ
ーン高さＨとバイアスマージン幅ΔHBの関係を
示したものである。Ｈが小さくなると形状異方性
の減少によりP1点の磁極が弱まり磁界勾配の低
下が起こる。逆に高すぎるとセルサイズが増大し
記憶密度が減小する。従つてパターン高さＨはパ
ターン周期Ｐに対し50％〜100％の範囲が適当で
ある。
ーン高さＨとバイアスマージン幅ΔHBの関係を
示したものである。Ｈが小さくなると形状異方性
の減少によりP1点の磁極が弱まり磁界勾配の低
下が起こる。逆に高すぎるとセルサイズが増大し
記憶密度が減小する。従つてパターン高さＨはパ
ターン周期Ｐに対し50％〜100％の範囲が適当で
ある。
第７図は以上の結果から最適化されたワイドギ
ヤツプパターンの実際例を説明するための図であ
り、(a)はパターン寸法、(b)はその動作マージン特
性を示す。本パターンはギヤツプ幅ｇが0.9μm、
入口側素片のパターン幅ａはパターン周期4μmに
対し37％、入口側素片と出口側素片の高さの差ｈ
はパターン高さＨに対し17％、パターン高さＨは
パターン周期Ｐに対し87％である。このパターン
の動作マージン特性はｂ図に示す如く最少駆動磁
界50Oe、バイアスマージン幅40Oe（70Oe三角波
駆動、バブル径が約1.3μm）と極めて良好な特性
を示した。
ヤツプパターンの実際例を説明するための図であ
り、(a)はパターン寸法、(b)はその動作マージン特
性を示す。本パターンはギヤツプ幅ｇが0.9μm、
入口側素片のパターン幅ａはパターン周期4μmに
対し37％、入口側素片と出口側素片の高さの差ｈ
はパターン高さＨに対し17％、パターン高さＨは
パターン周期Ｐに対し87％である。このパターン
の動作マージン特性はｂ図に示す如く最少駆動磁
界50Oe、バイアスマージン幅40Oe（70Oe三角波
駆動、バブル径が約1.3μm）と極めて良好な特性
を示した。
第８図は同様に最適化した8μm周期のワイドギ
ヤツプパターンの実際例を説明するための図であ
り、(a)はパターン寸法、(b)は動作マージン特性を
示す。本パターンは、ギヤツプ幅ｇが1.0μm、入
口側素片のパターン幅ａはパターン周期Ｐに対し
35％、入口側素片と出口側素片の高さの差ｈはパ
ターン高さＨの18％、パターン高さＨはパターン
周期Ｐに対し70％である。このパターンの動作マ
ージン特性はｂ図に示す如く最小駆動磁界35Oe、
バイアスマージン幅45Oe（70Oe三角波駆動、
1.3μm径バブル）と良好な特性を示した。尚、本
8μm周期パターンは不良ループ情報を記憶するた
めのブートループや、マイナーループに対しバブ
ルの書込み／読出しを行なうメジヤーラインの転
送用パターンとして有効である。
ヤツプパターンの実際例を説明するための図であ
り、(a)はパターン寸法、(b)は動作マージン特性を
示す。本パターンは、ギヤツプ幅ｇが1.0μm、入
口側素片のパターン幅ａはパターン周期Ｐに対し
35％、入口側素片と出口側素片の高さの差ｈはパ
ターン高さＨの18％、パターン高さＨはパターン
周期Ｐに対し70％である。このパターンの動作マ
ージン特性はｂ図に示す如く最小駆動磁界35Oe、
バイアスマージン幅45Oe（70Oe三角波駆動、
1.3μm径バブル）と良好な特性を示した。尚、本
8μm周期パターンは不良ループ情報を記憶するた
めのブートループや、マイナーループに対しバブ
ルの書込み／読出しを行なうメジヤーラインの転
送用パターンとして有効である。
次に本発明の他の実施例を説明する。
第９図に示すワイドギヤツプパターンを用いて
マイナーループを構成するときは矢印の方向の
転送路（往路）と矢印の方向の転送路（復路）
が必要である。このような往復の転送路において
は往路と復路の特性が異なるものである。例えば
転送路のパターンの入口側素片の幅をＡ、出口
側素片の幅をＢとし、転送路のパターンの入口
側素片の幅をＣ、出口側素片の幅をＤとしたと
き、Ｂ／Ａ＝Ｄ／Ｃ，Ｃ＝Ａ＞Ｂ＝Ｄ、即ち転送
路とのパターンが全く同じであると第１０図
ａの特性図に示す如く転送路のマージン幅が転
送路よりも狭くなり全体のマージン幅が狭くな
る。
マイナーループを構成するときは矢印の方向の
転送路（往路）と矢印の方向の転送路（復路）
が必要である。このような往復の転送路において
は往路と復路の特性が異なるものである。例えば
転送路のパターンの入口側素片の幅をＡ、出口
側素片の幅をＢとし、転送路のパターンの入口
側素片の幅をＣ、出口側素片の幅をＤとしたと
き、Ｂ／Ａ＝Ｄ／Ｃ，Ｃ＝Ａ＞Ｂ＝Ｄ、即ち転送
路とのパターンが全く同じであると第１０図
ａの特性図に示す如く転送路のマージン幅が転
送路よりも狭くなり全体のマージン幅が狭くな
る。
また、Ｂ／ＡＤ／Ｃ，ＣＡ＞Ｂ＞Ｄ、即ち
前者よりＤを小さくするとその特性は第１０図ｂ
に示す如く転送路の特性が下方に移動し、全体
のマージン幅が狭くなる。
前者よりＤを小さくするとその特性は第１０図ｂ
に示す如く転送路の特性が下方に移動し、全体
のマージン幅が狭くなる。
また、Ｂ／Ａ＜Ｄ／Ｃ，ＣＡＢ＞Ｄ、即ち
転送路のＤ／Ｃを小さくすると、その特性は第
１０図Ｃの如く転送路の駆動磁界が上り、やは
り全体のマージンが劣化する。
転送路のＤ／Ｃを小さくすると、その特性は第
１０図Ｃの如く転送路の駆動磁界が上り、やは
り全体のマージンが劣化する。
そこで本実施例においては、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃ，
Ｃ＞ＡＢ＞Ｄとしたのである。即ちＡ，Ｂに対
してＣは大きくＤは小さく、かつ入口側素片と出
口側素片の比は転送路が転送路より大であ
る。このように構成された本実施例は第１１図に
示す如く転送路と転送路の特性が近似し、且
つ全体のマージン幅も大となり良好な結果が得ら
れる。
Ｃ＞ＡＢ＞Ｄとしたのである。即ちＡ，Ｂに対
してＣは大きくＤは小さく、かつ入口側素片と出
口側素片の比は転送路が転送路より大であ
る。このように構成された本実施例は第１１図に
示す如く転送路と転送路の特性が近似し、且
つ全体のマージン幅も大となり良好な結果が得ら
れる。
この際幅Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの関係は当然上記本発
明の実施例による4μm周期パターン或は8μm周期
パターンにおける定められた寸法内で調整する。
明の実施例による4μm周期パターン或は8μm周期
パターンにおける定められた寸法内で調整する。
尚、本実施例においてホールド磁界は第９図
（第３，７，８図でも同様）に矢印Ｒで示す方向
に印加することが好ましい。その理由は矢印Ｒ方
向以外の方向では実際に素子に印加される磁界ベ
クトルによる駆動力がマージン劣化に、より顕著
に影響するためである。
（第３，７，８図でも同様）に矢印Ｒで示す方向
に印加することが好ましい。その理由は矢印Ｒ方
向以外の方向では実際に素子に印加される磁界ベ
クトルによる駆動力がマージン劣化に、より顕著
に影響するためである。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明による磁気
バブルメモリ素子はそのバブル磁区転送路のパタ
ーン形状を、パターンギヤツプに生ずる強い磁界
勾配を保つたままギヤツプ部のボテンシヤル全体
を深くすることによつてパターンの小型化が可能
となり高密度化が実現されるといつた効果大なる
ものである。
バブルメモリ素子はそのバブル磁区転送路のパタ
ーン形状を、パターンギヤツプに生ずる強い磁界
勾配を保つたままギヤツプ部のボテンシヤル全体
を深くすることによつてパターンの小型化が可能
となり高密度化が実現されるといつた効果大なる
ものである。
第１図及び第２図は従来のバブル磁区転送パタ
ーンの動作原理を説明するための図、第３図乃至
第６図は本発明による磁気バブルメモリ素子にお
けるバブル磁区転送パターンを説明するための
図、第７図及び第８図は本発明の実際例を説明す
るための図、第９図乃至第１１図は本発明による
他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０，１１はバブル磁区転送パ
ターン、１２はバブル磁区転送パターンの出口側
素片、１３はバブル磁区転送パターンの入口側素
片をそれぞれ示す。
ーンの動作原理を説明するための図、第３図乃至
第６図は本発明による磁気バブルメモリ素子にお
けるバブル磁区転送パターンを説明するための
図、第７図及び第８図は本発明の実際例を説明す
るための図、第９図乃至第１１図は本発明による
他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０，１１はバブル磁区転送パ
ターン、１２はバブル磁区転送パターンの出口側
素片、１３はバブル磁区転送パターンの入口側素
片をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入口側素片と出口側素片を有する軟磁性材料
からなるバブル磁区転送パターンが複数個、隣接
パターンにおいて出口側素片を入口側素片の背面
にバブル転送ギヤツプを介して対向するように配
置されたバブル磁区転送路を備え、且つ前記バブ
ル磁区転送パターンはこの入口側素片と出口側素
片の長さの差ｈが該転送パターンの高さＨの10％
以上25％以下の寸法を持つことを特徴とした磁気
バブルメモリ素子。 ２ 前記バブル磁区転送パターンの入口側素片の
パターン幅ａがパターン周期Ｐの30％以上40％以
下の寸法を持つことを特徴とした特許請求の範囲
第１項記載の磁気バブルメモリ素子。 ３ 前記バブル磁区転送パターンの高さＨがパタ
ーン配列周期Ｐの50％以上100％以下の寸法を持
つことを特徴とした特許請求の範囲第２項記載の
磁気バブルメモリ素子。 ４ 前記バブル磁区転送路が、0.5μm以上1.2μm
以下の転送ギヤツプ、8μm以下3.5μm以上の一定
の配列周期で配列されていることを特徴とした第
１項〜第３項のいずれかに記載の磁気バブルメモ
リ素子。 ５ バブル磁区の転送を行なうため軟磁性材料で
形成され、バブルの進行方向にパターンギヤツプ
をはさんで入口側素片と出口側素片を有し、該出
口側素片が該入口側素片より細くかつ短くなつた
非対称構造のバブル磁区転送パターンが配列され
たバブル磁区転送路を有し、該バブル磁区転送路
は、そのバブル磁区転送パターンの入口側素片の
パターン幅を復路はＡ、往路はＣとし、出口側素
片のパターン幅を復路はＢ、往路をＤとしたと
き、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃであり、かつＣ＞ＡＢ＞Ｄ
であることを特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039740A JPS60185288A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
| CA000475170A CA1238111A (en) | 1984-03-03 | 1985-02-26 | Magnetic bubble memory device |
| US06/706,611 US4698786A (en) | 1984-03-03 | 1985-02-28 | Magnetic bubble memory device |
| EP85400392A EP0155212A3 (en) | 1984-03-03 | 1985-03-01 | Magnetic bubble memory device |
| KR1019850001354A KR850007152A (ko) | 1984-03-03 | 1985-03-02 | 자기 버블 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039740A JPS60185288A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185288A JPS60185288A (ja) | 1985-09-20 |
| JPS6336074B2 true JPS6336074B2 (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=12561359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59039740A Granted JPS60185288A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698786A (ja) |
| EP (1) | EP0155212A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60185288A (ja) |
| KR (1) | KR850007152A (ja) |
| CA (1) | CA1238111A (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137575A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-27 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory |
| US4355373A (en) * | 1980-11-24 | 1982-10-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory |
| EP0067170A4 (en) * | 1980-11-24 | 1985-07-01 | Western Electric Co | MAGNETIC BUBBLE STORAGE. |
| JPS5853081A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-29 | Nec Corp | 磁気バブル閉ル−プ転送回路 |
| JPS5916189A (ja) * | 1982-07-17 | 1984-01-27 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| US4514827A (en) * | 1983-04-11 | 1985-04-30 | Intel Corporation | Method for selecting propagation elements for magnetic bubble memory |
-
1984
- 1984-03-03 JP JP59039740A patent/JPS60185288A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-26 CA CA000475170A patent/CA1238111A/en not_active Expired
- 1985-02-28 US US06/706,611 patent/US4698786A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-03-01 EP EP85400392A patent/EP0155212A3/en not_active Withdrawn
- 1985-03-02 KR KR1019850001354A patent/KR850007152A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60185288A (ja) | 1985-09-20 |
| EP0155212A3 (en) | 1989-03-15 |
| EP0155212A2 (en) | 1985-09-18 |
| CA1238111A (en) | 1988-06-14 |
| KR850007152A (ko) | 1985-10-30 |
| US4698786A (en) | 1987-10-06 |
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