JPS5916189A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5916189A JPS5916189A JP57123767A JP12376782A JPS5916189A JP S5916189 A JPS5916189 A JP S5916189A JP 57123767 A JP57123767 A JP 57123767A JP 12376782 A JP12376782 A JP 12376782A JP S5916189 A JPS5916189 A JP S5916189A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- bubble
- transfer path
- soft magnetic
- tip
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は磁気パズルメモリ装置のバブル磁区転送路に関
し特にそのバブル転送方向を変更するコーナ一部のパタ
ーンに関するものである。
し特にそのバブル転送方向を変更するコーナ一部のパタ
ーンに関するものである。
（２）技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶密度及び低消費
電力であり、さらには機械的要素を全く含まない固体素
子であることから非常に高い信頼性を有している静穏々
の特徴をもっているため大容量メモリとして将来が期待
されている。
磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶密度及び低消費
電力であり、さらには機械的要素を全く含まない固体素
子であることから非常に高い信頼性を有している静穏々
の特徴をもっているため大容量メモリとして将来が期待
されている。
この磁気バブルメモリ装置は、磁気バブルを磁界により
一軸異方性を有する磁性薄膜内を自由に動かすことかで
きることを利用したものであって、第１図に示す如く磁
気バブルメモリ素子１．バブルを駆動するための回転磁
界発生用コイル２及び３、バブルを安定に保持するため
のバイアス磁界発生用磁石４及び５．磁気シールドケー
ス６等により構成されている。
一軸異方性を有する磁性薄膜内を自由に動かすことかで
きることを利用したものであって、第１図に示す如く磁
気バブルメモリ素子１．バブルを駆動するための回転磁
界発生用コイル２及び３、バブルを安定に保持するため
のバイアス磁界発生用磁石４及び５．磁気シールドケー
ス６等により構成されている。
そしてメモリ素子１は１例えばガドリニウム・ガリウム
・ガーネット単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長
法により磁性ガーネット等のバブル磁区結晶膜が形成さ
れ、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜により第２図に
示す如きハーフディスク等のパターンを周期的に配列し
たバブル磁区転送路が形成されている。
・ガーネット単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長
法により磁性ガーネット等のバブル磁区結晶膜が形成さ
れ、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜により第２図に
示す如きハーフディスク等のパターンを周期的に配列し
たバブル磁区転送路が形成されている。
このハーフディスクを用いたバブル磁区転送路はギャッ
プが割合床くともバブルを転送することができると言わ
れており、２μｍのバブルを用いた１Ｍビットのメモリ
素子ではギャップが１μｍ。
プが割合床くともバブルを転送することができると言わ
れており、２μｍのバブルを用いた１Ｍビットのメモリ
素子ではギャップが１μｍ。
パターン周期が７〜８μｍで十分な特性が得られている
。ところが記憶密度を向上するため前記と同一面積の素
子に４Ｍビットヲ収容しようとすると、転送路ギャップ
はα５μｍ、パターン周期は４μｍ程度に縮小する必要
がある。このギャップα５μｍはパターン作成時の光り
ソグラフィの解像力の限界を越えるものであり、素子作
成が困難となる。
。ところが記憶密度を向上するため前記と同一面積の素
子に４Ｍビットヲ収容しようとすると、転送路ギャップ
はα５μｍ、パターン周期は４μｍ程度に縮小する必要
がある。このギャップα５μｍはパターン作成時の光り
ソグラフィの解像力の限界を越えるものであり、素子作
成が困難となる。
このため最近、クラブフートと称されるパターンが開発
されている。このパターンはハーフディスクパターンよ
りもギャップを大きくできるという利点があるものの、
方向を変更する場合のコーナーパターンに十分な特性を
有するものがなかった。
されている。このパターンはハーフディスクパターンよ
りもギャップを大きくできるという利点があるものの、
方向を変更する場合のコーナーパターンに十分な特性を
有するものがなかった。
（３）従来技術と問題点
第３図はクラブフートパターンを用いたバブル磁区転送
路のコーナ一部を示す図であり、バブルを矢印入方向よ
り矢印Ｂ方向に転送することができるようになっている
。しかしこのコーナ一部は十分な特性が得られないとい
う欠点があった。
路のコーナ一部を示す図であり、バブルを矢印入方向よ
り矢印Ｂ方向に転送することができるようになっている
。しかしこのコーナ一部は十分な特性が得られないとい
う欠点があった。
（４）発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、クラブフートパ
ターンを用いたバブル磁区転送路において十分な特性を
有するコーナ一部を提供することを目的とするものであ
る。
ターンを用いたバブル磁区転送路において十分な特性を
有するコーナ一部を提供することを目的とするものであ
る。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、直線木片の両端に屈
曲部を有する軟磁性薄膜のクラブフートパターンを周期
的に配列したバブル磁区転送路において、クラブフート
パターンとは別に、直線木片の少なくとも１個所に屈曲
部を有する軟磁性薄膜パターンを設け、該パターンの内
側で且つ該パターンの直線木片の直角方向より該直線素
片にギャップを隔ててクラブ７−トパターンの先端を近
接して配置し、バブル磁区の転送方向を変化させ得るこ
とを特徴とするバブル磁区転送路全提供することによっ
て達成される。
曲部を有する軟磁性薄膜のクラブフートパターンを周期
的に配列したバブル磁区転送路において、クラブフート
パターンとは別に、直線木片の少なくとも１個所に屈曲
部を有する軟磁性薄膜パターンを設け、該パターンの内
側で且つ該パターンの直線木片の直角方向より該直線素
片にギャップを隔ててクラブ７−トパターンの先端を近
接して配置し、バブル磁区の転送方向を変化させ得るこ
とを特徴とするバブル磁区転送路全提供することによっ
て達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第４図は本発明によるバブル磁区転送路の第１の実施例
を示す図である。同図において、７及び８は軟磁性薄膜
で形成されたクラブフートパターン９を配列した転送路
、１０はコーナ一部に設けられた軟磁性薄膜パターン、
ＨＲは回転駆動磁界をそれぞれ示す。
を示す図である。同図において、７及び８は軟磁性薄膜
で形成されたクラブフートパターン９を配列した転送路
、１０はコーナ一部に設けられた軟磁性薄膜パターン、
ＨＲは回転駆動磁界をそれぞれ示す。
コーナ一部に設けられた軟磁性パターン１０ｉｌｔ直線
の素片部分１０ａと少なくとも１個所の屈曲部１０ｂと
が形成されており、このパターンの直線木片１０ａの直
角方向より転送路７０クラブフートパターン９がギヤ、
ブＧｉ隔てて対向するように配置されている。なお転送
路８は軟磁性パターン１０の先端にクラブフートパター
ン９の先端を近接させて配置されている。
の素片部分１０ａと少なくとも１個所の屈曲部１０ｂと
が形成されており、このパターンの直線木片１０ａの直
角方向より転送路７０クラブフートパターン９がギヤ、
ブＧｉ隔てて対向するように配置されている。なお転送
路８は軟磁性パターン１０の先端にクラブフートパター
ン９の先端を近接させて配置されている。
このように構成された本実施例は、転送路７を入方向よ
りバブルが転送されて来て、駆動磁界ＨＲがｔ１方向に
向いたとき、バブルは転送路７の■のところにある。駆
動磁界ＨＲが１２の方向に向くとバブルはクラブフート
パターン９の先端の■のところに来る。さらに駆動磁界
ＨＲが回転するとバブルはｔ２と１３の間で軟磁性パタ
ーン１０の先端■の位置に飛び移る。なおも駆動磁界Ｈ
Ｒが回転するとパズルはｔ３とｔ４の間で転送路８のク
ラブフートパターン９の先端■の位置に飛び移り、５駆
動磁界ＨＲの回転と共に■を経て転送路８を矢印Ｂ方向
へ転送される。このようにして矢印入方向より転送路７
全転送されて来たバブルはコーナ一部の軟磁性パターン
１０によって直角に向きを変えられ転送路８に沿って矢
印Ｂ方向に転送されるのである。
りバブルが転送されて来て、駆動磁界ＨＲがｔ１方向に
向いたとき、バブルは転送路７の■のところにある。駆
動磁界ＨＲが１２の方向に向くとバブルはクラブフート
パターン９の先端の■のところに来る。さらに駆動磁界
ＨＲが回転するとバブルはｔ２と１３の間で軟磁性パタ
ーン１０の先端■の位置に飛び移る。なおも駆動磁界Ｈ
Ｒが回転するとパズルはｔ３とｔ４の間で転送路８のク
ラブフートパターン９の先端■の位置に飛び移り、５駆
動磁界ＨＲの回転と共に■を経て転送路８を矢印Ｂ方向
へ転送される。このようにして矢印入方向より転送路７
全転送されて来たバブルはコーナ一部の軟磁性パターン
１０によって直角に向きを変えられ転送路８に沿って矢
印Ｂ方向に転送されるのである。
第５図は第２の実施例を示す図である。本実施例はバブ
ルの転送方向を１８０°折り返す場合であり、そのコー
ナ一部に、前実施例と同様な少なくとも１個所に屈曲部
を有する軟磁性薄膜パターン１０を設け、その直線木片
１０ａの直角方向より転送路７のクラブフートパターン
９がギャップＧを隔てて対向するように配置されている
。なお１１はパターン１０の磁極の磁界？調整するため
に設けられた軟磁性薄膜の補助パターンである。
ルの転送方向を１８０°折り返す場合であり、そのコー
ナ一部に、前実施例と同様な少なくとも１個所に屈曲部
を有する軟磁性薄膜パターン１０を設け、その直線木片
１０ａの直角方向より転送路７のクラブフートパターン
９がギャップＧを隔てて対向するように配置されている
。なお１１はパターン１０の磁極の磁界？調整するため
に設けられた軟磁性薄膜の補助パターンである。
また転送路８は軟磁性パターン１０の先端にクラブフー
トパターン９の先端を近接させて配置されている。
トパターン９の先端を近接させて配置されている。
このように構成された本実施例は、前実施例と同様な動
作によυ転送路７を矢印Ａ方向より転送されて来るバブ
ルを１８０°折り返し転送路８に沿って矢印Ｂ方向に転
送することができる。
作によυ転送路７を矢印Ａ方向より転送されて来るバブ
ルを１８０°折り返し転送路８に沿って矢印Ｂ方向に転
送することができる。
第６図は本実施例の動作特性を従来例と比較して示した
図である。同図において、横軸には駆動磁界、縦軸には
バイアス磁界をとり、曲線Ａにより本発明の転送路の特
性を示し１曲線Ｂ（点線）により第３図に示した従来例
の特性全示した。図より本発明の転送路は従来例に比し
て遥に大きい動作マージン２有することがわかる。
図である。同図において、横軸には駆動磁界、縦軸には
バイアス磁界をとり、曲線Ａにより本発明の転送路の特
性を示し１曲線Ｂ（点線）により第３図に示した従来例
の特性全示した。図より本発明の転送路は従来例に比し
て遥に大きい動作マージン２有することがわかる。
第７図及び第８図は第３及び第４の実施例を示した図で
ある。この両実施例は第５図に示した実施例と同様にバ
ブル’ｊｚ１８Ｄ’折り返す場合であり、パターン１０
と１１の形状を若干変えたものであるが基本的には第５
図の実施例と同様でありその効果もまた同様である。
ある。この両実施例は第５図に示した実施例と同様にバ
ブル’ｊｚ１８Ｄ’折り返す場合であり、パターン１０
と１１の形状を若干変えたものであるが基本的には第５
図の実施例と同様でありその効果もまた同様である。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明のバブル磁区転送路
は、クラブフートパターンを用いた転送路において、バ
ブルの転送方向を変えるコーナ一部を簡単な構成で実現
し、かつ充分々動作特性が得られ、磁気バブルメモリに
使用してその信頼性を向上し得るといった効果大なるも
のである。
は、クラブフートパターンを用いた転送路において、バ
ブルの転送方向を変えるコーナ一部を簡単な構成で実現
し、かつ充分々動作特性が得られ、磁気バブルメモリに
使用してその信頼性を向上し得るといった効果大なるも
のである。
第１図は磁気バブルメモリ装置の構造全説明するための
図、駆２図はハーフディスクパターン？用いたバブル磁
区転送路を示す図、第３図はクラブフートパターンを用
いたバブル磁区転送路のコーナ一部を示す図、第４図は
本発明によるノくプル磁区転送路の第１の実施例を示す
図、第５図は第２の実施例を示す図、第６図は本発明に
よるノくプル磁区転送路の動作特性を示す特性図、第７
図及び第８図Ｆｉ第３及び第４の実施例を示す図である
。 図面において、７及び８はクラブフートパターンを用い
た転送路、９はクラブフートパターン、１０は軟磁性薄
膜パターン、１１は補助パターンをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 ５０ 第２０ 訴）６ソ偽ｆ） 第３０ 第４耐
図、駆２図はハーフディスクパターン？用いたバブル磁
区転送路を示す図、第３図はクラブフートパターンを用
いたバブル磁区転送路のコーナ一部を示す図、第４図は
本発明によるノくプル磁区転送路の第１の実施例を示す
図、第５図は第２の実施例を示す図、第６図は本発明に
よるノくプル磁区転送路の動作特性を示す特性図、第７
図及び第８図Ｆｉ第３及び第４の実施例を示す図である
。 図面において、７及び８はクラブフートパターンを用い
た転送路、９はクラブフートパターン、１０は軟磁性薄
膜パターン、１１は補助パターンをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 ５０ 第２０ 訴）６ソ偽ｆ） 第３０ 第４耐
Claims (1)
- １、 直線素片の両端に屈曲部を有する軟磁性薄膜のク
ラブ７−トパターンを周期的に配列したバブル磁区転送
路において、クラブフートパターンとは別に、直線素片
の少なくとも１個所に屈曲部を有する軟磁性薄膜パター
ンを設け、該パターンの内側で且つ該パターンの直線素
片の直角方向より該直線素片にギャップを隔ててクラブ
フートパターンの先端を近接して配置し、バブル磁区の
転送方向を変化させ得ることを特徴とするバブル磁区転
送路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123767A JPS5916189A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
| CA000432330A CA1207444A (en) | 1982-07-17 | 1983-07-13 | Magnetic-bubble memory device |
| DE8383304098T DE3378940D1 (en) | 1982-07-17 | 1983-07-14 | Magnetic-bubble memory device |
| US06/513,657 US4625297A (en) | 1982-07-17 | 1983-07-14 | Magnetic-bubble memory device |
| EP83304098A EP0101187B1 (en) | 1982-07-17 | 1983-07-14 | Magnetic-bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123767A JPS5916189A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916189A true JPS5916189A (ja) | 1984-01-27 |
| JPS613026B2 JPS613026B2 (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=14868773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123767A Granted JPS5916189A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4625297A (ja) |
| EP (1) | EP0101187B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5916189A (ja) |
| CA (1) | CA1207444A (ja) |
| DE (1) | DE3378940D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8878069B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-11-04 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Cable support for automobile |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60185288A (ja) * | 1984-03-03 | 1985-09-20 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| US6798691B1 (en) * | 2002-03-07 | 2004-09-28 | Silicon Magnetic Systems | Asymmetric dot shape for increasing select-unselect margin in MRAM devices |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4261045A (en) * | 1979-06-29 | 1981-04-07 | International Business Machines Corporation | Magnetic bubble Y-bar corner |
| US4333163A (en) * | 1980-04-25 | 1982-06-01 | National Semiconductor Corporation | Bubble memory with increased gap tolerance between propagation elements |
| US4355373A (en) * | 1980-11-24 | 1982-10-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory |
| US4357682A (en) * | 1980-11-24 | 1982-11-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Conductorless transfer for magnetic bubble memories |
| WO1982001959A1 (en) * | 1980-11-24 | 1982-06-10 | Electric Co Western | Magnetic bubble memory |
| JPS5916192A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Fujitsu Ltd | 磁気バブル素子 |
-
1982
- 1982-07-17 JP JP57123767A patent/JPS5916189A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-13 CA CA000432330A patent/CA1207444A/en not_active Expired
- 1983-07-14 EP EP83304098A patent/EP0101187B1/en not_active Expired
- 1983-07-14 US US06/513,657 patent/US4625297A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-07-14 DE DE8383304098T patent/DE3378940D1/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8878069B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-11-04 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Cable support for automobile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4625297A (en) | 1986-11-25 |
| EP0101187A2 (en) | 1984-02-22 |
| DE3378940D1 (en) | 1989-02-16 |
| JPS613026B2 (ja) | 1986-01-29 |
| CA1207444A (en) | 1986-07-08 |
| EP0101187B1 (en) | 1989-01-11 |
| EP0101187A3 (en) | 1986-03-19 |
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