JPS5824870B2 - 磁気バブル・ドメインの移動のための伝播構造体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル・ドメイン・デバイス、より具体的
にはコンテイギュアス伝播素子を用い、そのコンテイギ
ュアス伝播素子が例えばパーマロイのような軟磁性物質
の層で与えられているバブル・デバイスに関する。

磁気バブル・ドメイン技術においては、磁性体内で安定
に存在し且つ移動し得る磁気バブル・ドメインを支持す
るために、ガーネット又はアモルファス層等の磁性体が
使われる。

又、一般にバブル・ドメインを動かすための力を与える
ためにオーバーレイが用いられる。

１つの型のオーバーレイは導体パターンであり、もう１
つの型のオーバーレイはいわゆる「磁界駆動（ｆｉｅｌ
ｄ ａｃｃｅｓｓ ）Ｊデバイスで用いられるパターン
である。

この後者の型のデバイスでは伝播素子の面内で磁界が再
配向すると共に磁気的引力を発生する磁性素子が設けら
れる。

この型の磁界駆動デバイスは典型的には磁性体のイオン
注入領域又は軟磁性オーバーレイから構成される。

互いに分離した伝播素子が市販の磁気バブル・デバイス
に広く用いられているが、与えられたリングラフィ能力
に関して高いビット密度を与えるためにコンテイギュア
ス伝播素子パターンが提案されている。

１つの型のコンテイギュアス伝播素子構造は、普通円板
（ディスク）形のパターンが互いに接して（例えば鋸歯
状の）波状の縁を画定し、それに沿ってパズル・ドメイ
ンが伝播パターンの面内での磁界の再配向と共に移動す
るような、コンテイギュアス・ディスクを使用する。

イオン注入によって作られるコンテイギュアス伝播素子
の場合、バブル・ドメインを引き付は且つイオン注入領
域の波状の縁に沿って移動するマグネティック・チャー
シト・ウオール（磁荷を帯びた磁壁）が形成される。

これは磁気バブル・ドメインを引き付け、磁気バブルを
移動させる。

現在、チャーシト・ウオール・デバイスは、コンテイギ
ュアス・ディスク型デバイスによって与えられる非常に
魅力的な形状（ｇｅｏｍｅｔｒｙ）を利用する唯一の方
法を提供している。

コンテイギュアス伝播素子を与えるために軟磁性物質層
を使う提案がなされているが、そのような提案は数多く
の問題により成功していない。

例えば米国特許第３９９８７７２号は、開ロバターンを
形成したオーバーレイ・パーマロイ層と共にバブル・ド
メイン伝播のためにパーマロイ・ディスクを使用した構
造を示している。

この構造はパーマロイ・ディスクの周辺部に沿って磁気
バブルを動かすように働かないであろうし、さらにアモ
ルファス磁気バブル・ドメイン層を必要とする。

この構造ではディスク・パターンに沿ったカスプ領域で
のバブル・ドメインの移動が不満足であり、非常に低い
周波数の伝播しか得られない。

さらに非常に低い周波数でさえもこの構造に沿ったバブ
ル伝播の信頼性は非常に低かった。

又さらに、１回の精密マスキング工程だけを使ってこの
構造を形成する事はできない。

コンテイギュアス・ディスク（以下ＣＤと略記する）型
の形状を使用でき且つチャーシト・ウオールの代りに軟
磁性物質を使用するデバイス方式はかなりの興味がある
。

そのような構造は従来のチャーシト・ウオールＣＤデバ
イスと同様の高いビット充填密度を提供するが、ＮｉＦ
ｅ等の軟磁性物質に関連したよりなじみ深い処理技術が
用いられるであろう。

又、伝播以外の異なった機能例えばバブル発生、引き伸
ばし及び感知等のための部品の設計がより易しくなるで
あろう。

というのは軟磁性物質が基本的な伝播機能のために既に
チップ上に存在しているからである。

これらの新規なデバイスにおけるバブル移動は、従来の
チャーシト・ウオールＣＤデバイスや離散素子デバイス
と比べて非常に滑らかである。

又、より小さなバブルへスケール・ダウンした時の離散
素子デバイスの透磁率損失はこれらの新しいデバイスの
それよりもずっと悪いと予想される。

これは狭いバーが避けられるからである。

Ｙ、Ｓ、Ｌｉｎ他によるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉ
ｍｓ ｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ 、 Ｖｏｌ １ＭＡＧ
−１３、ｐ、１７４４、（１９７７）に示されているよ
うにＮｉＦｅ０ＣＤ型デバイスを工夫しようとする試み
が行なわれている。

上記文献に記載された構造においては、ＣＤの内側にＮ
ｉＦｅ層を有する伝播パターン（第１Ａ図）とＣＤの外
側にＮｉＦｅ層（隣接開口、第１Ｂ図）を有するパター
ンが示されている。

両方の型のパターンでバブルは図示された位相に関して
ディスクの画部分において安定であった。

しかし駆動磁界が反対側の位相に回転する時、カスプ領
域において反発性の磁極の発生による誤動作が観察され
た。

この誤動作機構はＣＤの場合であれば各ディスクの周囲
の循環の原因となり、隣接開口の場合はカスブからの反
発脱離の原因になる。

本発明では従来のＣＤ構造に伴なう問題は解消され、Ｃ
Ｄ型構造を与えるために特に軟磁性層が使われている。

パターンに沿ってバブルが伝播する事の信頼性の欠如と
いう問題を解決するために、カスプ領域の移動が滑らか
で且つ信頼性が有るようにカスブ領域にポテンシャル井
戸を作る手段が設けられる。

後で詳述するように、２つの駆動層が用いられる。

一方の層は磁気バブル層から他の駆動層とは異なった距
離にある。

この間隔の不等は磁束路の断絶の原因になり、従ってバ
ブルがカスブ領域に存在する時一方の駆動層がバブルの
制御を支配し、バブルがディスクの周囲を移動する時他
方の駆動層が支配的になる。

従ってバブルは、伝播パターンに沿ったどの位置にあっ
ても常にポテンシャル井戸の中に存在する。

この事は信頼性のあるバブル移動を与え、非常に高い周
波数の駆動磁界での信頼性あるバブル移動の可能性を与
える。

さらにこの構造は１回の精密マスキング工程を用いて作
成する事ができ、且つバブル・デバイスでオーバーレイ
材料としてよく知られた物質によって作る事ができる。

トランスファ、伝播、発生、感知及び消去等の全ての機
能を、それらの機能を実行するために必要な全ての構成
要素に関して同じ材料を使って、与える事ができる。

従って本発明の主な目的は、バブルの移動にマグネティ
ック・チャーシト・ウオールの不要な改良されたコンテ
イギュアス素子バブル構造を与える事である。

本発明の他の目的は、駆動層のために軟磁性材料を使用
した有利なコンテイギュアス素子バブル・デバイスを与
える事である。

本発明の他の目的は、複数の駆動層を設けるために１回
だけの精密マスキング工程しか使わない、コンテイギュ
アス素子伝播デバイスを製造するための技術を与える事
である。

本発明の他の目的は、完全なシステムに必要な全ての機
能を有し且つ軟磁性材料の層から画定されたコンテイギ
ュアス伝播素子の設けられた磁気バブル・ドメイン・チ
ップを与える事である。

本発明の他の目的は、伝播パターンに沿って信頼性のあ
る伝播を与える、パーマロイで出来たコンテイギュアス
伝播素子を使用した磁気バブル・ドメイン構造を与える
事である。

本発明の他の目的は、コンテイギュアス伝播素子を使用
し、バブル・ドメインの制御のための電流支持導体が各
構成要素において機能し、エレクトロマイクレージョン
効果を伴なわずに非常に大きな電流を導体に流す事ので
きる磁気バブル・ドメイン・チップを与える事である。

本発明の他の目的は、複数の磁気駆動層を与えるために
単一のマスキング工程が用いられる工程で、完全な記憶
システムに必要な全ての機能を与える磁気バブル・ドメ
イン・チツ７°を製造するための技術を与える事である
。

本発明の他の目的は、軟磁性材料から成る駆動層を用い
た磁気バブル・ドメイン・デバイスであって、達成可能
な最小線幅に近い直径を有するバブルを使用できるもの
を与える事である。

本発明の他の目的は、コンテイギュアス伝播素子を使っ
たバブル・デバイスであって、結晶異方性効果を示さな
い軟磁性材料を使う事によって磁気駆動層中の結晶異方
性に関連する問題点を回避したデバイスを与える事であ
る。

本発明は、磁気バブル・ドメインの移動のためにマグネ
ティック・チャーシト・ウオールを使用しない、バブル
・ドメイン伝播デバイス、磁気バブル・ドメイン・チッ
プ及びそれらを製造するための方法に関するコンテイギ
ュアス伝播素子は、バブル・ドメインが移動する略波状
（鋸歯状）の縁を有する伝播パターンを画定する軟磁性
物質層で与えられる。

この縁はカスプ状の領域を有し、そこではバブルがその
領域を滑らか且つ信頼性あるように移動する事を保証す
るように、ポテンシャル井戸を形成する付加的手段によ
ってバブルの移動が大きく制御される。

１つの実施例ではポテンシャル井戸発生手段は、第１の
磁気駆動層よりもバブル・ドメインから大きな距離の位
置に配置された別の軟磁性物質層を含む。

即ち、本発明の実施において、パターン全体に沿ったバ
ブル・ドメイン移動を制御するために、「低い」（バブ
ル・ドメイン層に対して薄いスペーサを持つ）軟磁性層
が、「高い」（バフル・ドメイン層に対して厚いスペー
サを持つ）軟磁性層と組合せて用いられる。

バブル・ドメイン層に関するスペーサ厚さの不等は駆動
パターンからの磁束の経路の断絶の原因になる。

従って「高」及び「低」のパターンの縁に反対符号の磁
極が作られる。

形状は次のように設計される。即ちバブルがディスク領
域に存在する時は低い方の軟磁性駆動層の縁に強い求引
性の正極が生じ、これが高い方の駆動層の遠い距離にあ
る反発性の負極の影響を圧倒し、従って低い駆動層がバ
ブル移動の制御を保持する原因になる。

一方バフルがカスプ領域にある時は、高い駆動層の極が
正になり且つ低い駆動層の対応する負極よりも大きな影
響力を持つ。

低い層の磁極は、カスプ領域の低い駆動パターンの形状
により弱く、従って高い駆動層がバブル移動の制御を取
得する。

言り換えるとバブルの制御は、バブルがディスク領域及
びカスプ領域の各々に存在する時交互に低い駆動層と高
い駆動層との間を移り変る。

これは、バブルが伝播パターンに沿ってどの位置に存在
するかによらずに常にポテンシャル井戸の中にある事を
意味する。

従って非常に信頼性のある伝播が行なわれる。

従来技術のデバイスではバブル・ドメインを移動させる
ために複数の駆動層が用いられ、そして伝播パターンの
異なった部分を制御するために異なった駆動層が使用さ
れる事があるが、従来技術は、コンテイギュアス伝播素
子から成る伝播パターンに沿ってバブル・ドメインを満
足に移動させるために磁気バブル・ドメイン材料の同じ
側にある２つの駆動層を使用する事は示してもいないし
示唆してもいない。

さらに従来技術は、複数の駆動層を与え且つそのような
構造を用いる時チップ上に必要な全機能を与えるために
単一の精密マスキング工程を使うチップ全体の製造方法
を示唆もしくは開示していない。

本発明の目的、特徴及び利点は以下の良好な実施例のよ
り具体的な説明でより明らかになるであろう。

２層伝播パターン （第１Ａ図〜第２Ｂ図）これらの図
面は、各々軟磁性材料から成る２つの駆動層を用いたバ
ブル伝播構造の一実施例を示す。

バブル・ドメインがそれに沿って動くコンテイギュアス
伝播素子が設けられており、バブルの制御は、バブルが
波状（鋸歯状）の伝播経路に沿って異なった部分を伝播
して行く時、下側の駆動層と上側の駆動層との間で移り
変わる。

第１Ａ図〜第１Ｃ図は駆動層に関する適当な形状を示し
、第２Ｂ図は第１Ｃ図の構造の場合に磁界の再配向に応
答してバブルが運動する様子を示している。

より詳しく説明すれば、第１Ａ図は下部駆動層の１つの
可能な実施例を示す。

バブル・ドメインが伝播し得る層を含む基板１０の上に
は、パーマロイ等の軟磁性物質の層１２が存在する。

層１２は複数のＣＤ １４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ，１４
Ｄ及び１４Ｅを形成している。

バブル１６は１１０中にあり、軟磁性層１２の下に滞在
している。

駆動磁界病。

が層１２の面内で再配向する時、バブルは駆動層１２の
周辺に沿って矢印１８の方向に動くであろう。

バブル１６の位置は、ＨＸｙが図示された方位の時のバ
ブルの位置である。

第１Ｂ図は上部駆動層の適鮨な実施例を示す。

説明を簡単にするために、基板は第１Ａ図と同じ参照番
号１０が与えられている。

しかし、上部駆動層２０は開口２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ
，２２Ｄ及び２２Ｅを有する軟磁性物質の層から出来て
いる。

層２０は下部駆動層１２を構成する軟磁性物質と同じ（
例えばパーマロイ）軟磁性物質から出来ていても、又違
った軟磁性物質が使われていてもよい。

第１Ｂ図は駆動磁界Ｈｘｙが同じ方位の場合の基板１０
中のバブル・ドメイン２４の位置を示す。

バブル・ドメインは駆動層を構成する軟磁性物質の下に
滞在し、従って略円形の開口の外側に位置する。

第１Ａ図（コンテイギュアス・ディスク）及び第１Ｂ（
コンテイギュアス・ホール）に示される型の単一駆動層
より成るバブル伝播パターンは磁気バブルを移動させる
ために以前に使われた事がある。

しかし両方共バブル・ドメインは良好な信頼性のある伝
播マージンを保って移動しなかった。

第１Ａ図のＣＤパターンを使用するバブル・ドメイン移
動の場合、バブルは図示されている駆動磁界Ｈ，（７）
位相の場合にディスクの曲部分で安定に存在するが、駆
動磁界が逆の位相に回転する時安定でなくなる。

この場合カスプ領域において反発性の磁極の形成による
誤動作が観察された。

この誤動作の機構により、１つのＣＤから次のＣＤへの
信頼性のある伝播が行なわれずに、ＣＤパターン中の特
定のディスクの周囲での循環が生じた。

第１Ｂ図のコンテイギュアス・ホールの場合であれば、
カスブ領域からの反発離脱が生じ、バブルが別の隣接し
た伝播経路に移動して、その結果データの消失をまねく
であろう。

第１Ｃ図は基板１０中のバブル・ドメインを信頼のおけ
るように移動させるのに適した２駆動層構造を示す。

第１Ｃ図の構造をより明瞭に今まで説明して来た駆動層
に関係付けるために、可能な限り同じ参照番号が用いら
れるであろう。

従って伝播構造は、基板１０から各々間隔を置いた下部
駆動層１２及び上部駆動層２０より成る。

第１Ｃ図の分解図でバブル・ドメインＢは基板１０の中
に存在する。

下部駆動層１２は基板１０上ｈ１の距離にあり、上部駆
動層２０は基板１０上ｈ２の距離にある。

この構造を製造する時、上部駆動層２０を基板１０から
より大きな距離に保持するためにより大きなスペーサが
使われる。

従って伝播経路のある部分でのバブル移動を除いて、上
部駆動層のバブルＢに対する影響力は下部駆動層１２の
それよりも小さいであろう。

上部駆動層及び下部駆動層の基板との間のスペーサ厚さ
の不等は磁束経路の断絶を生じさせ、その結果上部駆動
層及び下部駆動層の縁に反対符号の磁極が形成される。

この磁束経路の断絶は伝播経路全体に沿ったバブルの信
頼性ある移動を保証するために使われる。

駆動層１２及び２０は同一のマスキング工程を用いて製
造する事ができる。

この場合コンテイギュアス・ホール２２Ａ〜２２Ｅは下
部駆動層のＣＤ１４Ａ〜１４Ｅのすぐ上に位置するであ
ろう。

従って第１Ｃ図の構造の上面図を取れば、上部及び下部
駆動層の厚さが同じであれば、連続的な軟磁性物質の層
が存在するように見えるであろう。

もちろんその厚さは目的に応じて変える事ができる。

又、開口はディスクと同じ直径を持つ必要はない。

第２Ａ図は第１Ｃ図の構造の上面図である。

参照番号は同一である。

構造は開口を有する上部駆動層２０から成り、ＣＤ１４
Ａ〜１４Ｅが見られる。

ＣＤの凸部分においてＣＤの下のスペーサはディスクの
周囲の領域に対応するそれよりもかなり薄い。

又、それ程重要ではないが一般にＷｌｌくＷｌである。

これはディスク１４Ａ〜１４Ｅが駆動層２０よりもバブ
ルに近い事を意味し、バブルがＣＤの凸部分近（を移動
する時ＣＤ１４Ａ〜１４Ｅによって最大の磁気的影響が
与えられるであろう。

一方カスプ（ｑ領域のＣＤパターンの幅Ｗ２は上部駆動
層２００幅Ｗ２’よりも小さい。

これはバブルがカスプ領域にある時に上記駆動層２０が
バブル移動に対してかなりの影響を与え得る事を意味す
る。

第２Ｂ図は磁界ＨＸｙが駆動層１２及び２０の面内で回
転する時のバブルの移動経路２６を示す。

より詳細には、バブルがＣＤ領域１４Ａに存在する時、
ＣＤ１４Ａの縁のグラス（ト）符号で示される正の磁極
が、上部駆動層２０のそれに対応する遠距離の反発性の
負極よりも大きな影響を与えるように、伝播構造の形状
が設計される。

従ってバブルがＣＤパターンの凸部分に沿って存在して
いる時、下部駆動層がバブル移動の制御を保持する。

一方バブルがカスプ領域にある時、（＋符号で示される
ように）上部駆動層２０の磁極が正になり、カスプ領域
での短かいネック（幅Ｗ２）による下部駆動層１２の（
ディスク１４Ａ及び１４Ｂの間のカスプ領域の一符号で
示される）対応する負極よりも大きな影響を与える。

これは上部駆動層２０がバブル移動を制御し、従ってバ
ブルはカスプ領域では下部駆動層１２の下を移動せず上
部駆動層２０の下を移動する。

言い換えると、バブルがディスク領域及びカスプ領域に
存在する時バブルの制御は下部駆動層及び上部駆動層の
間で交互に移り変る。

このようにして２層構造で画定される伝播路のどの位置
にあっても、バブルは常にポテンシャル井戸の中に存在
する。

単−及び２重の駆動層を使用する従来の技術とは対照的
に本発明の構造は信頼性あるバブル移動を与えて前述の
問題を克服している。

これは伝播経路の全ての部分においてバブル移動のため
にポテンシャル井戸が形成されるからである。

もし上部層が下部層の逆のパターンであれば、２駆動層
伝播構造は単一のマスクによって形成できる。

しかし下部層が信頼性のあるバブル移動を与えないカス
プ領域に上部層がポテンシャル井戸を作る限りは、下部
層がコンテイギュアス伝播素子から成り一方上部層が異
なったパターンから成っていてもよい。

カスプ領域にポテンシャル井戸を与えるための可能な実
施例が第１１図に関連してより詳細に説明されるであろ
う。

伝播経路の大部分に関してディスク・パターンがバブル
移動を制御するので、ディスク・パターンを開口層より
もバブル・ドメインに接近させる事が有利である。

しかし開ロバターンをよりバブルに接近させた設計も可
能である。

製造 （第３Ａ図〜第３Ｃ図） これらの図は上部及び下部駆動層の単一マスキング製造
の１つの可能な方法を示している。

これらは製造工程の断面図であり、第３Ｃ図は最終構造
である。

第３Ａ図〜第３Ｃ図の工程を第２Ａ図の伝播パターンに
関係付けるため、同じ参照番号を用いた。

基板１０はバブル・ドメイン層２８及びその上の誘電体
層３０から成っている。

バブル・ドメイン層２８は周知の型の磁性カーネット層
でも又別の型のバブル・ドメイン物質でもよい。

その厚さはバブル・ドメインの直径に依存する。

１０μｍ周期のパターンの場合誘電体層３０は典型的に
は約４００ ｎｍの厚さのＳｉＯ□等の電気絶縁物質よ
り成る。

基板１０上には薄いメッキ・ベース層３２がある。

これは典型的にはＴｉ／Ａｕから成り、Ｔｉ層（付着力
強化用）は約１０ｎｍの厚さ、Ａｕ層は約３０ｎｍの厚
さである。

次にフォトレジスト層がメッキ・ベース層３２土にスピ
ン塗布され、マスクを通じて露光され、そしてディスク
領域内にレジスト層３４を残して現像される。

即ち層３４は例えば第２Ａ図の１４ＤのようなＣＤの１
つが形成されるべき場所に位置する。

第３Ｂ図でＡｕ層３６がメッキ・ベース層３２の上に約
８００ ｎｍの厚さに電気メッキされ、次にレジスト３
４が除去される。

従ってディスク１４Ｄが形成される場所に開口３８が残
る。

工程の最終段階ではＴｉＯ２の層４０が約３０Ｈｍの厚
さに堆積される。

層４０は次の駆動層１２及び２０の堆積のための付着強
化層として用いられる。

駆動層１２及び２０は約３５０ｎｍのＮｉＦｅによって
与えられ、この層は第３Ｂ図の全ウェーバ上に真空蒸着
され第３Ｃ図の構造を形成する。

この工程の重要な段階は、第３Ｂ図に示すように層３６
の金の形状がオーバーハングするようにレジスト壁３４
（第３Ａ図）の形状を作る事である。

このオーバーハングした形状は下部駆動層と上部駆動層
との分離を保証し、従って縁に所望の強さの磁極が形成
される。

周知のように、レジスト層３４に傾斜壁を設けるために
いくつかの技術が利用できる。

上部駆動層２０を高くするために使われた金の層３６は
、完成したチツン沖で電流を流すために使用できる。

この層は非磁性的なので、伝播磁極パターンに悪影響を
与えない。

設計の考察 （第４図〜第８図） 上部及び下部駆動層の影響の下でのバブル・ドメインの
挙動のモデルは、上部及び下部駆動層の縁の磁極からバ
ブル・ドメインに作用する逆の磁界の差引を決定する事
によって得られる。

モデル化及び設計のために第４図に示すような形状が使
われた。

下部駆動層１２はコンテイギュアス（接触）菱形構造４
ＷＸ８Ｗより成る。

但しＷは下部駆動層１２のコンテイギュアス菱形領域の
カスプのネック部分の幅である。

使用したおおまかな解析モデルでは下部パーマロイ菱形
構造は一辺が２．８２Ｗの正方形で表わされ、それに隣
接した上部パーマロイ領域（高い方の菱形領域）は一辺
４Ｗの正方形で表わされた。

下部パーマロイのカスプは長さＷで幅４Ｗの棒で表わさ
れ、それに対応する上部パーマロイ領域は（高い方のカ
スプ領域は一辺７Ｗの正方形で表わされた。

計算する時、バブルの中心はパーマロイ形状の下に縁か
らＷ／２の距離の所に存在すると任意に仮定された３こ
れらの仮定の下で、４つの別々のパーマロイ形状即ち上
部及び下部の菱形並びに上部及び下部のカスプ領域の縁
のポテンシャル井戸の中のバブルに関して、スペーサの
、厚さの関数としてポテンシャル井戸の深さが与えられ
た駆動磁界の大きさに関して求められた。

これは第５Ａ図に示されている。

駆動磁界の方位は最大のポテンシャル井戸の深さを与え
るものが採用されている。

さらに、駆動磁界の向きが反転した時、パーマロイ形状
の縁の近くのバブルが経験するポテンシャル丘の高さを
そのようなポテンシャル井戸の大きさが近似している事
が仮定された。

これらの結果を用い、上部及び下部パーマロイ領域から
のポテンシャルの重ね合せが少なくとも１００ｅの正味
のポテンシャル井戸を作らなければならないという任意
的な要求を課すと、２００ｅの駆動磁界及び５μのバブ
ルに関して第５Ｂ図の曲線が描かれる。

第５Ｂ図で実線は必要な１００ｅのポテンシャル井戸の
深さの場合に下部菱形のスペーサＳＬの関数として上部
菱形スペーサＳＨの最小値を示す。

又破線は同じ１００ｅのポテンシャル井戸の深さの場合
下部力スズのスペーサＳＬの関数として上部カスプのス
ペーサＳＨの最大値を示す。

下部菱形及び下部カスプのＳＬの値は同一であり、上部
菱形及びカスプのＳＨの値も同一なので、ＳＨの最大値
がＳＨの最小値よりも大きな実現可能な領域は第５Ｂ図
の斜線領域のみである。

従って０．３４μｍよりも小さなＳＬの値だけが受は入
れる事ができ、それに対応してＳＨの値は１．３７μｍ
よりも小さくなげればならない。

第５Ｂ図のこれらの曲線に類似の曲線がより高い値の駆
動磁界ＨＸｙに関して描かれた。

そして駆動磁界が増加すると共に菱形曲線とカスプ曲線
との交点はより大きなＳＬの値へ移動する事が見い出さ
れた。

これは望まざるバブルの発生の危険を減少させる。

これらの考察に基づき５μｍバブル・デバイスに関して
約３００ｅの駆動磁界が可能であろう。

より小さなバブルについての計算によれば必要な駆動磁
界の増加はささやかなものでしかない。

これらの計算から得られた数値は、いくつかの粗雑な近
似がなされているため、正確なものとは考えられない。

しかしながら示された傾向は次の実験と一致する。

予備的テスト結果が５μｍのバブルを用いて得られ、２
μｍバブルの移動のための構造（１０μｍ周期）がこれ
らの設計原理に基づいて製造された。

下部駆動層１２及び上部駆動層２０を用いた伝播パター
ンを示す第６図に定められたように違った奥行と幅のカ
スプ領域を用いた１０μｍ周期のパターンが用いられた
。

これら１０μｍ周期のデバイスの準静的観察により、バ
ブルはティスフ領域をうまく通過しカスプ領域では特定
のマージン内にちょうど保持される事が示された。

しかしカスプ領域ではおそらく下部駆動層から生じる負
の磁極の影響によりバブルが縁から逆に移動する事が注
意を引いた。

最小の駆動磁界は約３００ｅ１４００ｅの駆動磁界では
１８０ｅのマージンを有する事が見い出された。

誤動作の機構は、高バイアスにおけるカスプでのバブル
の消滅及び低バイアスでの個々のディスクの周囲の循環
であった。

カスプが狭すぎる場合例えば１．５μｍ以下の時、おそ
らくディスク間の経路のりラフタンスの低さのため最小
駆動磁界の値が高くなる事が見られた。

一方もしカスプの奥行が太きすぎれば、ストリップ・ア
ウトによりディスク周囲の循環が低バイアスで顕著にな
った。

伝播マージンを決定するために高周波数測定が行なわれ
た。

４００ｅの駆動磁界で１０６の伝播ステップの場合１８
０ ＫＨｚでマージンは１５０ｅであった。

これは第７図に示されている。この図はバイアス磁界Ｈ
ｂ対駆動磁界の大きさＨＸｙを描いている。

高い駆動磁界で低バイアス誤動作がより顕著であった。

これはおそらく下部駆動層１２のディスクの周囲の循環
によるものであろう。

駆動周波数が増加する時第７図及び第８図から明らかな
ように最小駆動磁界の増加は緩やかなものでしかない。

これに関連して第８図は第７図に示したものと同一のカ
スプ幅及び奥行きを有するパターンに関する最小駆動磁
界Ｈｘｙ （騙）対駆動磁界ＨＸｙの周波数の曲線を描
いている。

これらの良好な高周波数における結果を理解するために
伝播トラックの１周期に沿ったバブルの速度の変動が測
定された。

他のバブル・ドメイン伝播構造に関して以前に行なわれ
た同様の測定と対照的に、パーマロイ・コンテイギュア
ス素子２層伝播構造についての今回の結果はこれまで観
察された最低の最大−平均速度比を示した。

この滑うカナバブルの移動は、Ｔバーや非対称ノ・−７
・ディスクと違い本発明の構造がギャップのない伝播構
造であるという点に関連している。

さらに（これもギャップのない）チャーシト・ウオール
・コンテイギュアス伝播素子と対称的に、この構造のパ
ーマロイ・コンテイギュアス素子テバイス中では磁気結
晶異方性による速度変化が存在しない。

デバイス形状とスペーサ厚さを最適化すれば伝播マージ
ンのかなりの拡大が可能になるであろう。

さらに各ディスクの周囲を循環するという低バイアス誤
動作機構が阻止されるならば、伝播マージンの拡大が得
られるであろう。

そのための技術は第１２図に関して説明する。

第１２図は下部駆動層１２のディスク領域においてバブ
ル材料に行なわれた狭い条片状の高注入量イオン打ち込
みを示している。

これによってディスク周囲のバブルの循環が阻止される
。

完成した磁気記憶チップ（第９Ａ図〜第１０Ｅ図）第９
Ａ図に示される磁気記憶チップは、パーマロイ等の軟磁
性物質の２つの層から出来ている。

これらの層はバブル・ドメイン記憶層を含む下側の基板
から違った距離にある。

例えば第９Ｂ図に示されるように下部駆動層１２及び上
部駆動層２０が設けられている。

下部駆動層１２の下のスペーサ３０はＳｉＯ等の電気絶
縁物質から成り、又上部駆動層２０の下のスペーサ３２
はＡｕ、Ａｌ−Ｃｕ等の電気伝導物質から成る。

第９Ａ図に示されたチップ・レイアウトの詳細に進む前
に、単一レベル・マスキング技術によって製造される実
施例について幾つかの一般原理を最初に説明する。

もし２以上のレベルのマスキングが許されるならば製造
はより容易になるであろう。

普通チップ・レイアウトにおける最も困難な考慮の１つ
はバブル・ドメインをある伝播経路かう別の経路へ移す
ためのトランスファ・スイッチの設計である。

スイッチ動作をうまく行わせチップ全体のレイアウトを
与えるために、コンテイギュアス菱形を通る電流を阻止
し一組のスイッチに関する電流が別の組のスイッチに関
する伝導路へ短絡しないようにする事が必要である。

これらの目的を達成するためにスペーサ３０は電気絶縁
物質から成り、スペーサ３２はトランスファ・スイッチ
で占められるチップ領域においては導電性物質から成る
。

チップの他の場所では両方のスペーサ３０及び３２は電
気絶縁物質から成る。

チップ・レイアウトはスイッチで占められた領域とトラ
ンスファ・スイッチで占められていない隣接領域とから
構成されるので、スペーサ層は導電物質と非導電物質と
の交互の帯によって与える事ができる。

従ってチップのスイッチング領域のコンテイギュアス菱
形の周囲には絶縁層が与えられているのでコンテイギュ
アス菱形を横切って電流の短絡が生じる事はない。

さらに非磁性的な導電スペーサは上部駆動層のスペーシ
ングを与えるのみならず電流を流す機能のためにも使用
できる。

チップの上面図である第９Ａ図を参照すると、下部駆動
層１２はコンテイギュアス菱形の伝播経路、略矩形のバ
ブル・ドメイン発生器Ｇ、及びシェブロン形の伸張器Ｅ
を含む。

上部駆動層２０は下部駆動層１２の逆であって、下部駆
動層１２のパターンと同形の開口を有する軟磁性物質の
連続的なシートから成る。

例えば駆動層２０は略矩形の発生器Ｇの開口、コンテイ
キュアス菱形の開口、及びシェブロン伸張器Ｅの形の開
口を有する。

チップ・レイアウトは書込み部分、記憶部分及び読取り
部分より成る。

書込み部分はパーマロイバブル・ドメイン発生器Ｇ１書
込みメジャー経路３４、第１の書込みトランスファ・ス
イッチ３６、書込みトランスファ経路３８及び第２の書
込みトランスファ・スイッチ４０から成る。

第１の書込みトランスファ・スイッチ３６は書込みメジ
ャー経路３４から書込みトランスファ経路３８へバブル
をトランスファするために用いられ、第２の書込みトラ
ンスファ・スイッチ４０は経路３８からマイナー・ルー
プ４２より成るチップの記憶部へバブルをトランスファ
するために使われる。

チップの読取り部は、バブルを感知素子（図示せず）ま
で移動させるシェブロン伸張器、第１の読取りスイッチ
４４、読取りトランスファ経路４６、第２の読取りトラ
ンスファ・スイッチ４８及び読取りメジャー経路５０を
含む。

第１の読取りトランスファ・スイッチ４４はバブルをマ
イナー・ループ４２から読取りトランスファ経路４６へ
移動させるために使われ、第２の読取りトランスファ・
スイッチ４８はバブルを読取りトランスファ経路４６か
ら読取りメジャー経路５０へ移動させるために使われる
。

第９Ａ図の構造は読取りと書込みのために別々のメジャ
ー経路を用いた周知のメジャー／マイナー・ループ型の
メモリ構成に似ている。

しかしマイナー・ループ４２と書込みメジャー経路３４
及び読取りメジャー経路５０との間に各々書込みトラン
スファ経路３８及び読取りトランスファ経路３６が使わ
れている点が違っている。

これらのトランスファ経路３８及び４６は、マイナー・
ループ４２に記憶されたバブルとメジャー経路３４及び
５０上のバブルとの間の望ましくないバブル−バブル相
互作用の効果を防ぐための設計である。

これらのトランスファ経路３８及び４６は、そのような
相互作用が起きそうな時は空になっているので、上記目
的を達成している。

もちろんこの設計によると完全なトランスファのために
２回のスイッチング・プロセスが必要である。

この特徴は通常のメジャー／マイナー・ループ型の記憶
構成では不要である。

このレイアウト中の全てのスイッチは同じ方式で動作す
る。

従って１つだけのスイッチを説明する。

１つのディスクから別の伝播路の他のディスクへのバブ
ルのブルート・フォース（ｂｒｕｔｅ −ｆｏｒｃｅ）
引き付けが可能だが、このレイアウトに示されたスイッ
チはストップ−スタート原理に基づいている。

例えば第１の書込みトランスファ・スイッチ３６の１つ
を説明する。

磁界が時計方向に回転するとバブルは書込みメジャー経
路３４に沿って移動し、そのいくつかは駆動磁界ＨＸｙ
が上向きの時に突起５２上に来る。

この方向で駆動磁界の回転は停止し次に再開１．て磁界
は右を向く。

突起５２と書込みトランスファ経路３８の最も下側の菱
形との間のチャネルを流れる電流が、突起５２から書込
みトランスファ経路３８の菱形へバブルがスイッチする
か否かを決定する。

この電流は上部駆動層２０の下にある導体を流れる。

この導体は第９Ｂ図に示されるスペーサ３２である。

導電性のスペーサは菱形領域には存在しないので、電流
経路は書込みスイッチ３６の領域で制限される。

従って磁界の強さはスイッチ３６の領域で最大であり、
それゆえ良好なトランスファ・マージンが得られる。

第９Ａ図のレイアウトで示されるスイッチは概略的なも
のでしかなく、突起の大きさ５２及び最適の菱形−突起
間隔に関して変更可能である。

訂算は、導体幅Ｗ＝Ｄ（バブル・ドメイン直径）がスイ
ッチの局所バイアス磁界領域で最大の磁界勾配を得るた
めに最適である事を示している。

第９Ａ図の設計はこの大きさである。

さらにスペーサ導体は非常に厚く、そして上部パーマロ
イ駆動層２０で被覆されている。

従ってこれらのスイッチは高効率であろう。

第９Ａ図の設計で電気絶縁体（ＳｉＯ）と導体（この場
合ＡＩ ）の交互の帯がベース層として示されている。

この図から理解できるように、Ａ１スペーサ層は種々の
スイッチがある領域に設けられ、他のチップ領域はＳｉ
Ｏをスペーサ層とじて有している。

又チップのスイッチ領域にある菱形はその周囲に絶縁層
を有している。

従ってＡ１層で与えられる電流路は電流がスイッチ領域
を流れる時制限される。

この事は電流がコンテイギュアス菱形を流れるのを防ぎ
、菱形を横切る電流の短絡を防ぐ。

磁気チップの読取り部において、シェブロン伸張器−検
出器のデザインが示されている。

これは既知の設計である。

出力信号を増加させるためにバブル・ドメインのストリ
ップ・アウトを起こさせる事が望ましいが、リングラフ
ィの目的でＷ−りの最小特徴サイズも望ましい。

詳細な製造工程を説明する時に理解されるであろうが、
個々のコンテイキュアス・ディスクの周囲をバブル・ド
メインが循環するのを防ぐために下部駆動層の下の領域
のバブル・ドメイン物質中にイオン注入してもよい。

しかし単一レベル・マスキング法を使うならば、感知器
−検出器の領域もイオン注入されるであろう。

これはパーマロイ駆動層の下のバブル・ドメインを排斥
する傾向を持ち、もし厚い感知器の設計が使われるなら
ば感知器をバブルが通過するのを妨げるかもしれない。

この効果を克服するために感知器の近くをイオン注入か
ら保護するために付加的な粗いマスキング工程を用いる
事ができる。

又その代わりに、付加的な粗いマスキング工程を用いて
、薄膜感知器として作用する薄いパーマロイ膜を局在的
に形成する事もできるであろう。

このチップの書込み部では、複製ディスク型の発生器Ｇ
がバブルの源として使われる。

データ・パターンはスイッチ電流の印加によって制御さ
れる。

発生器Ｇの下のパーマロイ棒５４は単に電流路を制限す
るために役立つだけである。

この設計ではその半分位はむだになっている。

単一マスキング工程を用いる第９Ａ図のチップの製造が
第１０Ａ図〜第１０Ｅ図の断面図に示されている。

この工程で第ｉｏＥ図は８１０Ｅ−１０Ｅに沿った第９
Ａ図のレイアウトの断面図である。

この製造工程で導電帯と非導電帯（例えばＡＩとＳｉＯ
の帯）との間の境界線を定める時に粗い位置合せが使わ
れる。

実際のスイッチ電流は突起５２とトランスファの起きる
菱形との間の制限された領域で決定されるので、上記境
界線は菱形数個分の位置の変動があってもデバイス動作
に影響を与える事はない。

第１０Ａ図〜第１０Ｅ図は、下部駆動層１２の下のバブ
ル・ドメイン層領域が個々のコンテイギュアス菱形の周
囲をバブル・ドメインが循環するのを防ぐためにイオン
注入された第９Ａ図のチップの製造工程を説明している
。

これは、下部駆動層１２と上部駆動層２０の両者が同一
の堆積工程で製造される、単一レベル・マスキング技術
である。

第１０Ａ図では基板１０、下部駆動層１２及び土部駆動
層２０を説明するのに今までと同じ参照番号を使用する
。

これらの参照番号だけが既に説明した構造及び工程とこ
の工程とを関係付けるために維持される。

従ってバブル・ドメイン基板１０はバブル・ドメイン層
５６を含み、その上に薄いＳｉ０層５８（約３００人）
を有する。

層５８はこの構造が後にイオン・ミリングされる時に障
壁層として作用する。

この方法では層５８はバブル・ドメイン層５６の上部表
面のミリングを阻止する。

各々ＳｉＯ及び導体（例えばＡｌ／Ｃｕ合金）の隣接し
た帯６０及び６２が層５８上に重ねられている。

ＳｉＯ帯６０及びＡｌ／Ｃｕｌ／Ｃｕ間一の厚さを有し
、周知の工程で製造される。

例えば連続的なＳｉＯシートが形成され、次にエツチン
グされて導体６２の堆積のための凹部を形成する。

帯６２は非磁性的な、導電性の物質で、第９Ａ図のレイ
アウト中のスイッチの動作のために電流を流すために使
用できる。

図は導体がＡｌであるように描かれているが、導体の選
択はエレクトロマイグレーション等の因子によって決定
される。

Ａｌ／Ｃｕ合金は、エレクトロマイグレーションに抵抗
性がある点が特に良好であるので、金と同様に適当な物
質である。

しかし金はその上に絶縁性の側壁を形成し難い物質であ
り、このため適当ではない。

この因子は第１０Ｄ図に関してより明らかにされるであ
ろう。

第１０Ｄ図はＡｌ／Ｃｕ帯の側壁が陽極酸化されて絶縁
体を形成する工程を示している。

第１０Ｂ図ではレジスト層が塗布され、次に下部駆動層
１２に対応するコンテイギュアス菱形領域のレジスト層
を除去するためにマスクを用いて露光及び現像が行なわ
れる。

この工程はパターンが形成されたレジスト・マスク６３
を残す。

レジスト・マスク６３はイオン・ミリング（第１００図
）用のマスクとして使われる。

イオン・ミリングは酸化物帯６０及び導体帯６２を加工
するために行なわれる。

Ａ１及びＳｉＯの両者は殆んど同じイオン・ミリング速
度を持つので、適した材料である。

しかし必要であれば、ミリングされた帯６０及び６２の
深さを等しくするためにＡＩ／Ｃｕ帯６２の上に薄い障
壁層を堆積しておく事ができる。

第１０Ｃ図ではバブル・ドメイン層５６の領域６４で上
部部分の磁性を「消す」ような深さ及び注入量のイオン
注入が帯６０及び６２で与えられるマスクを通じて行な
われる。

領域６４は下部駆動層１２に形成されるコンテイギュア
ス菱形の下側の領域であって、バブル・ドメインがコン
テイギュアス菱形の下を移動する事を阻止するのに役立
つ。

゛このようにすればバブル・ドメインは個々の菱形の周
囲を循環せす、駆動磁界が回転すると共にあるコンテイ
ギュアス菱形から次のものへ移って行くであろう。

イオン注入に続いて、イオン・ミリングされた開口６６
（第１０Ｃ図）はイオン・ミリング又は化学エツチング
のいずれかにより第１０Ｄ図に示すように少し拡大され
る。

第１０Ｄ図に示されるようにＡｌ／Ｃｕ開口よりもＳｉ
Ｏ開口の方が少し小さくなるように選択的エツチングが
行なわれる。

次にＡｌ／Ｃｕｌ／Ｃｕ帯緑２６８を形成するように陽
極酸化（ａｎｏｄｉ ｚｅ ）される。

工程の最後の段階は第１０Ｅ図に示される。

最初第１０Ｄ図の構造全体にＳｉＯスペーサ層１０が堆
積される。

このスペーサ層は下部駆動層１２とバブル・ドメイン層
５６との間に適渦な間隔を与えるために使われる。

その厚さは周知の方法によって決定される。

一般に０．５μのバブル・ドメインの場合スペーサ１０
は約１０００〜２０００人の厚さである。

この後下部及び上部駆動層を形成するために軟磁性物質
が堆積される。

これらの駆動層に適した物質はパーマロイである。

もつともアモルファス磁性体等の他の軟磁性物質も使用
可能である。

第１０Ｅ図から明らかなように、陽極酸化工程で導体帯
６２の側壁に形成された絶縁層６８により、Ａｌ−Ｃｕ
導体６２と下部駆動層１２のパーマロイとの間に電気的
短絡は存在しない。

第９Ａ図に示されるような完全なチップの設計において
、駆動層１２及び２０をバブル・ドメイン層５６から分
離するスペーサ層の厚さは、バブル・ドメインの移動の
ために与えられるポテンシャル井戸の大きさに関連して
選択される。

バブル・ドメイン層と上部駆動層２０との間で使われる
スペーサの厚さは、バブルがカスプ領域にある時充分な
強さの磁極が上記駆動層２０によって与えられるがバブ
ルが他の場所にいる時はそれほど強くない陽極を生じる
ようになっている。

一方上部及び下部駆動層とバブル・ドメイン層との間に
あるスペーサの厚さの間の差は上部駆動層と下部駆動層
との間に磁気的短絡が存在する位に小さくてはならない
。

直径約０．５μのバブル・ドメインを移動させるために
数千穴のスペーサ厚さの差があればよく働くであろう。

代替的構造 （ｉ’ｆ １図〜第１２図）本発明の実施
において下部駆動層１２は、駆動磁界ＨＸｙの再配向に
応答してバブル・ドメインが移動する波状（一歯状）の
縁を形成したコンテイキュアス伝播素子から成っている
。

同じ堆積工程で土部駆動層２０を作成すると非常に便利
である。

この方法によると下部駆動層の波状の縁に沿って形成さ
れたカスプにおいて信頼性ある移動を与えるために上部
駆動層は下部駆動層に対して正確に位置付けられるであ
ろう。

しかしバブルがカスプ領域にあるときにバブルのための
ポテンシャル井戸が与えられる限りは違った設計を用い
る事ができる。

第１１図はカスプ領域にポテンシャル井戸を与えるため
の代替的構造を示す。

もつともこの構造は前述のもの程好ましくはない。

第１１図で下部駆動層１２中のコンテイギュアス菱形は
例えば第９Ａ図に示されたものと同一である。

しかし上部駆動層２０は、コンテイギュアス菱形の縁に
沿ったカスプ領域上に存在する複数のエバー７２から構
成される。

バー７２はカスプ領域のコンテイギュアス菱形のネック
部分の幅よりも長いので、バブルがカスプ領域に存在す
る時に菱形よりも強い磁極を発生するであろう。

従ってこれらの領域のバブル移動のためのポテンシャル
井戸を与えるであろう。

しかしもしパターンの最小寸法がバブル１個の直径に等
しければ（Ｗ＝Ｄ）、何らかのストリップ・アウトの問
題を伴なわずにバブルをエバーからエバーへ移動させる
のは少し困難である。

このため第１１図の■バー１２は他の上部駆動層２０の
設計程適切ではない。

しかしここに与えられた概念は、下部駆動層による信頼
性ある伝播が不可能な時はその時にバブルドメインを移
動させるためのポテンシャル井戸を与えるために上部駆
動層を設けるという思想である。

従来技術のパーマロイ・コンテイギュアス・ディスク構
造で注目されていた可能な誤動作機構は個々のコンテイ
ギュアス・ディスクの周囲をバブル・ドメインが循環す
る事であった。

これを阻止するために、第９Ａ図のレイアウトで行なわ
れたように下部駆動層１２のコンテイギュアス伝播素子
の下の領域のバブル・ドメイン層にイオン注入する事が
できる。

しかし下部駆動層のコンテイギュアス伝播素子の下の全
領域にイオン注入する必要はないし、又むしろその方が
好ましい。

良好な磁束の結合に必要なパーマロイとバブルとの重な
りを可能にするため、下部駆動層のパーマロイ・コンテ
イギュアス伝播素子はイオン注入領域よりも少し広くさ
れている。

例えば第１２図では基板１０にイオン注入された細い帯
状領域７４が存在している。

下部駆動層１２は、イオン注入領域７４がパターン１２
に沿って縦に伸びるように基板１０の上に形成される。

これはパターン１２の各菱形の周囲をバブルが循環する
のを防ぎ、又バブルＢに対して良好な磁束の結合を与え
るための充分な量の軟磁性物質も提供している。

本発明を実施する時バブル・ドメイン伝播構造は、各々
軟磁性物質より成る共通平面上にない２つの磁気駆動層
を用いて与えられる。

下部駆動層は伝播経路の部分に沿って良好なバブルの伝
播を与え、上部駆動層は下部駆動層による伝播が信頼性
に欠ける時に良好な伝播を保証する。

従ってバブルの伝播の全ての位相においてバブルに関し
てポテンシャル井戸が与えられる。

これは軟磁性パターンを使用すると信頼性のない伝播し
か得られなかった従来技術の構造と対照的である。

本発明は良好なマージンを有する伝播を与え、且つ製造
工程を単純にするための単一マスキング技術で製造し得
る構造を与える。

さらに本発明の構造のリングラフィ的拘束は厳格なリン
グラフィ的拘束の不要なものである。

本発明のさらに具体的な実施において、磁気バブル・ド
メイン記憶チップに必要な全ての機能な有する完全なチ
ップが与えられる。

これら全ての機能は本発明の原理と適合する設計の軟磁
性物質を用いて与える事ができる。

当然の事として他の型のチップ・レイアウト、他の形状
、他のスペーサの厚さ等を用い得る事は明らかであろう
。

一般に上部層は、バブル移動のために適当な磁極が形成
され得るように、下部層に対して位置付けられる。

しかし上部層の正確な横方向位置は適当な磁極配置を設
計するために調整する事ができる。

それらの設計変更にかかわらず、本発明の原理はここに
与えられた一般的指針に基づいて拡張できる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図はコンテイギュアス伝播素子がディスク形であ
るような軟磁性物質より成る駆動層を示す。 第１Ｂ図は開口を有する軟磁性物質層より成る駆動層を
示す。 第１Ｃ図は２つの軟磁性物質駆動層を有する本発明の伝
播構造の分解図である。 第２Ａ図は第１Ｃ図の構造の上面図である。 第２Ｂ図はバブル・ドメインの移動経路を示す第２Ａ図
と同様の上面図である。 第３Ａ図乃至第３Ｃ図は第１Ｃ図の２層伝播構造を形成
するための単一マスキング技術を説明する図である。 第４図はバブル・ドメインの移動のための適当なパター
ンの設計を説明するために使われる２層伝播パターンの
図である。 第５Ａ図はスペーサの厚さの関数としてポテンシャル井
戸の深さを示す図、第５Ｂ図は第４図の構造を使う場合
のバブル・ドメイン層と駆動層との距離の効果を説明す
る図である。 第６図は伝播パターンに沿ったカスプ領域の形状の効果
を説明するために使われる別の２層駆動構造の図である
。 第７図は第６図のパターンに沿ったバブル・ドメインの
移動に関する動作マージンの図である。 第８図は駆動磁界の回転周波数対必要な最小駆動磁界の
図である。 第９Ａ図は本発明の２駆動層を用いた磁気バブル・ドメ
イン・チップの図、第９Ｂ図は第９Ａ図の構造の一部分
の側面図である。 第１０Ａ図乃至第１０Ｅ図は第９Ａ図の構造を製造する
ための単一マスキング技術を説明する断面図である。 第１１図は他の２層駆動構造を説明する図である。 第１２図は他の２層駆動構造を説明する図である。 １０・・・・・・基板、１２・・・・・・下部駆動層、
２０・・・・・・上部駆動層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブル・ドメインがその中を移動し得る磁性体
   中で上記バブル・ドメインを移動させるための伝播構造
   体であって、 軟磁性物質より成る、互いに同一平面上にない第１の駆
   動層及び第２の駆動層より構成され、上記第１の駆動層
   は磁界の再配向に応答して上記バブル・ドメインを移動
   させるためのコンテイギュアス伝播素子を形成するパタ
   ーンであって力スズ領域を有する略波状の縁を備えるも
   のを有し、上記第１の駆動層は上記カスブ領域以外の領
   域で上記バブル・ドメインの移動を事実上制御し、上記
   第２の駆動層は上記力スズ領域にポテンシャル井戸を形
   成する事によって上記力スズ領域における上記バブル・
   ドメインの移動を事実上制御する、伝播構造体。