JPS592991B2 - 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 - Google Patents
磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法Info
- Publication number
- JPS592991B2 JPS592991B2 JP56135166A JP13516681A JPS592991B2 JP S592991 B2 JPS592991 B2 JP S592991B2 JP 56135166 A JP56135166 A JP 56135166A JP 13516681 A JP13516681 A JP 13516681A JP S592991 B2 JPS592991 B2 JP S592991B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic bubble
- transfer
- minor loop
- loop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は連接形転送路（コンフイギユアス・デイスク・
パターン）を備えてなる磁気バブルメモリデバイスのマ
イナループ構成法に関する。
パターン）を備えてなる磁気バブルメモリデバイスのマ
イナループ構成法に関する。
近年、磁気バブルメモリの記憶媒体として動作する磁気
バブル（以下バブル）として直径１μｍ以下の所謂のサ
ブミクロンバブルを用いて記憶容量を増加したメモリデ
バイスの開発が進められており、これにはバブルの転送
を連接形転送回路により行う方法がとられている。この
方法はバブルを保持する磁性膜が一定方向の磁気容易軸
を有する第１領域とこの領域を囲みこれと直交した磁化
容易軸をもつ第２領域とにより形成され、第１領域によ
りバブル情報転送用のメジャ・ループパターンとバブル
情報格納用の数多くのマイナ・ループパターンとが形成
されているもので、第２領域はバブル保持膜へのイオン
注大成は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁性膜の
形成などの方法により作ることができる。
バブル（以下バブル）として直径１μｍ以下の所謂のサ
ブミクロンバブルを用いて記憶容量を増加したメモリデ
バイスの開発が進められており、これにはバブルの転送
を連接形転送回路により行う方法がとられている。この
方法はバブルを保持する磁性膜が一定方向の磁気容易軸
を有する第１領域とこの領域を囲みこれと直交した磁化
容易軸をもつ第２領域とにより形成され、第１領域によ
りバブル情報転送用のメジャ・ループパターンとバブル
情報格納用の数多くのマイナ・ループパターンとが形成
されているもので、第２領域はバブル保持膜へのイオン
注大成は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁性膜の
形成などの方法により作ることができる。
ここで、メジヤ・ループパターンおよびマィナループパ
ターンは多数のディスクパターンまたは角形パターンを
連接した形状をとるため連接形転送回路（コンテイギユ
アス・ディスクパターン）と云われている。第１図およ
び第２図は連接形転送回路の説明図でＡは正面図、また
ＢはＡ−Ｎ線における断面図である。
ターンは多数のディスクパターンまたは角形パターンを
連接した形状をとるため連接形転送回路（コンテイギユ
アス・ディスクパターン）と云われている。第１図およ
び第２図は連接形転送回路の説明図でＡは正面図、また
ＢはＡ−Ｎ線における断面図である。
バブルメモリ用磁性膜は非磁性ガーネツトであるガドリ
ニウム・ガリウムガーネツト（Ｇｄ３Ｇａ３Ｏｌ２略称
ＧＧＧ）よりなるウエハ１の上にバブル保持膜となる磁
性ガーネツト薄膜２を液相エピタキシヤル成長させた後
、第１図の場合は転送パターン３を除く部分に水素イオ
ン（Ｈ＋）、ヘリウムイオン（Ｈｅ＋）、ネオンイオン
（Ｎｅ＋）などのイオンを注入することにより磁化容易
軸が膜面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネツト
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を面方向
に倒したものである。
ニウム・ガリウムガーネツト（Ｇｄ３Ｇａ３Ｏｌ２略称
ＧＧＧ）よりなるウエハ１の上にバブル保持膜となる磁
性ガーネツト薄膜２を液相エピタキシヤル成長させた後
、第１図の場合は転送パターン３を除く部分に水素イオ
ン（Ｈ＋）、ヘリウムイオン（Ｈｅ＋）、ネオンイオン
（Ｎｅ＋）などのイオンを注入することにより磁化容易
軸が膜面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネツト
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を面方向
に倒したものである。
また、第２図の場合は磁性ガーネツト薄膜２の基板上に
磁化容易軸を面内にもつガーネツト例えばイツトニウム
・アイアン・ガーネツト（ＹＩＧ）６をエピタキシヤル
成長させ連接形転送パターン５を形成したもので、イオ
ン注入を施したと同様な特性をもつバブル転送回路を得
ることができ、駆動磁界の回転方向が時計方向の場合、
第１図Ａおよび第２図Ａに示すようにバブル７は駆動磁
界の回転に従つて連接形転送回路に従つて順次転送が行
われる。さて、このような連接形転送回路が用いられて
いるバブルメモリデバイスにはシングルループ構成とメ
ジヤ・マイナループ構成とがあり、後者においては転送
回路としてバブル情報の書き込みと読み出しを行うメジ
ヤループとバブル情報の格納を行うマイナループとがあ
り、また、バブルの転送回路と導体回路とが相互作用を
する発生器（ジエネレータ）、検出器（デテクタ）、ト
ランスフアゲートなどの機能ゲート（フアンクシヨンゲ
ート）がある。
磁化容易軸を面内にもつガーネツト例えばイツトニウム
・アイアン・ガーネツト（ＹＩＧ）６をエピタキシヤル
成長させ連接形転送パターン５を形成したもので、イオ
ン注入を施したと同様な特性をもつバブル転送回路を得
ることができ、駆動磁界の回転方向が時計方向の場合、
第１図Ａおよび第２図Ａに示すようにバブル７は駆動磁
界の回転に従つて連接形転送回路に従つて順次転送が行
われる。さて、このような連接形転送回路が用いられて
いるバブルメモリデバイスにはシングルループ構成とメ
ジヤ・マイナループ構成とがあり、後者においては転送
回路としてバブル情報の書き込みと読み出しを行うメジ
ヤループとバブル情報の格納を行うマイナループとがあ
り、また、バブルの転送回路と導体回路とが相互作用を
する発生器（ジエネレータ）、検出器（デテクタ）、ト
ランスフアゲートなどの機能ゲート（フアンクシヨンゲ
ート）がある。
さて、バブルの転送回路がメジヤ・マイナループ構成を
とり、連接形転送回路で構成されるマイナループは従来
第３図に示すようにパターン形成されている。
とり、連接形転送回路で構成されるマイナループは従来
第３図に示すようにパターン形成されている。
すなわち、０ｄｄ．Ｅｖｅｎの回路構成をとる実施例の
場合、書き込みメジヤループ８を形成する連接形転送パ
ターンの１つ置きにこれと直角にマイナループ９があり
、このメジヤおよびマイナループの中間で、基板上に導
体パターン１０がそのヘアピン形状の先端部１１がメジ
ヤループを形成する連接形転送パターンのカスプ１２を
囲む形で形成されてトランスフアインゲートが形成され
ている。
場合、書き込みメジヤループ８を形成する連接形転送パ
ターンの１つ置きにこれと直角にマイナループ９があり
、このメジヤおよびマイナループの中間で、基板上に導
体パターン１０がそのヘアピン形状の先端部１１がメジ
ヤループを形成する連接形転送パターンのカスプ１２を
囲む形で形成されてトランスフアインゲートが形成され
ている。
また、マイナループ９を挟んでこれと反対位置には図示
していないがトランスフアアウトゲートおよび読み出し
メジヤラインが類似の構造でパターン形成されている。
していないがトランスフアアウトゲートおよび読み出し
メジヤラインが類似の構造でパターン形成されている。
ここで連接形転送回路はもともと直径１μｍ程度の微少
バブルの転送に適するパターンとして開発されたもので
あり、そのためマイナループ間の間隔が狭くまた機能ゲ
ートを形成する導体パターン幅も狭く、ゲート抵抗が上
昇するために駆動電圧を高くして使用することが必要で
、このことは導体パターンの信頼度の面から問題であつ
た。
バブルの転送に適するパターンとして開発されたもので
あり、そのためマイナループ間の間隔が狭くまた機能ゲ
ートを形成する導体パターン幅も狭く、ゲート抵抗が上
昇するために駆動電圧を高くして使用することが必要で
、このことは導体パターンの信頼度の面から問題であつ
た。
本発明は従来と較べて記憶密度を低下させることなく、
バブルメモリデバイス設計の自由度を増すと共にゲート
回路の駆動電圧を低下さすことを目的とし、これを実現
する方法として従来の直線状のマイナループの複数個を
この両端部で連結することによりループの結合体を形成
し、このループ毎に任意の構成辺で１個の転送パターン
を削除して開放端を設けることにより１個の周回パター
ンよりなるマイナループを形成するものである。以後、
図面により本発明を説明する。第４図は本発明にかかる
実施例の１つで、Ａ，ｂ２つのマイナループが両端部で
接続後に上端部の接続パターンを除去して開放端を設け
たマイナループである。
バブルメモリデバイス設計の自由度を増すと共にゲート
回路の駆動電圧を低下さすことを目的とし、これを実現
する方法として従来の直線状のマイナループの複数個を
この両端部で連結することによりループの結合体を形成
し、このループ毎に任意の構成辺で１個の転送パターン
を削除して開放端を設けることにより１個の周回パター
ンよりなるマイナループを形成するものである。以後、
図面により本発明を説明する。第４図は本発明にかかる
実施例の１つで、Ａ，ｂ２つのマイナループが両端部で
接続後に上端部の接続パターンを除去して開放端を設け
たマイナループである。
図において書き込みメジヤライン８を形成する連接形転
送回路に副い、駆動磁界により転送されてきたバブル１
３は駆動磁界が反時計方向に２回転した状態でヘアピン
状導体パターン１１がトランスフアインゲートを形成し
ている連接形転送パターンのカスプ位置１２にまで転送
されてくるがこの状態で導体パターン１０にパルス電流
を流じ、これによる誘導磁界によつてヘアピン状導体パ
ターン１１内のバイアス磁界が弱まるとバプルはストラ
イプアウトしてその先端が連接形転送パターンｂの下端
にまで達し、以後駆動磁界の回転に従つて連接形転送パ
ターンに副つて１３″，１Ｊと矢印の方向に転送され、
Ａ，ｂ２つのマイナループを１つのマイナループとして
転送が行われる。
送回路に副い、駆動磁界により転送されてきたバブル１
３は駆動磁界が反時計方向に２回転した状態でヘアピン
状導体パターン１１がトランスフアインゲートを形成し
ている連接形転送パターンのカスプ位置１２にまで転送
されてくるがこの状態で導体パターン１０にパルス電流
を流じ、これによる誘導磁界によつてヘアピン状導体パ
ターン１１内のバイアス磁界が弱まるとバプルはストラ
イプアウトしてその先端が連接形転送パターンｂの下端
にまで達し、以後駆動磁界の回転に従つて連接形転送パ
ターンに副つて１３″，１Ｊと矢印の方向に転送され、
Ａ，ｂ２つのマイナループを１つのマイナループとして
転送が行われる。
第５図はＡ，ｂ２つのマイナループよりなる連結パター
ンを（ｂ）パターンの中央部で切断して開放端を設けた
マイナループで、（ｂ）パターンの下端部１４がトラン
スフアインゲートに対向した転送パターンとするとバブ
ルは１駆動磁界により図の矢印の方向に連接形転送パタ
ーンに副つて転送が行われる。また、第６図はＡ，ｂ，
ｃの３個のマイナループよりなるパターンを両端で連結
し、（ａ）および（ｃ）パターンの中央部で切断し、２
組の開放端を設けて１個のマイナループとしたもので（
ｃ）パターンの下端１５をトランスフアインゲートに対
向した転送パターンとすると、バブルは矢印で示した転
送パターンに副つて転送が行われる。ここで本発明は従
来の直線状の連接形転送パターンを複数個例えばｎ個連
続することにより（ｎ１）個よりなるループ群を作り、
各ループ上の任意の１ケ所で切断することにより（ｎ−
１）個の開放端を設けることを本旨とするものであるが
、この開放端は共通パターン上に設けることはこの条件
に含まれない。
ンを（ｂ）パターンの中央部で切断して開放端を設けた
マイナループで、（ｂ）パターンの下端部１４がトラン
スフアインゲートに対向した転送パターンとするとバブ
ルは１駆動磁界により図の矢印の方向に連接形転送パタ
ーンに副つて転送が行われる。また、第６図はＡ，ｂ，
ｃの３個のマイナループよりなるパターンを両端で連結
し、（ａ）および（ｃ）パターンの中央部で切断し、２
組の開放端を設けて１個のマイナループとしたもので（
ｃ）パターンの下端１５をトランスフアインゲートに対
向した転送パターンとすると、バブルは矢印で示した転
送パターンに副つて転送が行われる。ここで本発明は従
来の直線状の連接形転送パターンを複数個例えばｎ個連
続することにより（ｎ１）個よりなるループ群を作り、
各ループ上の任意の１ケ所で切断することにより（ｎ−
１）個の開放端を設けることを本旨とするものであるが
、この開放端は共通パターン上に設けることはこの条件
に含まれない。
例えば、第６図において（ａ）、（ｂ）パターンよりな
るループは（ａ）パターン上に開放端を、また（ｂ）、
（ｃ）パターンよりなるループは（ｃ）パターン上に開
放端を設けているが、この場合（ａ）、（ｂ）パターン
よりなるループおよび（ｂ）、（ｃ）パターンよりなる
ループが（ｂ）パターン上の開放端を共有するか或は（
ｂ）パターン土に相互に開放端を設けることは含まれな
い。
るループは（ａ）パターン上に開放端を、また（ｂ）、
（ｃ）パターンよりなるループは（ｃ）パターン上に開
放端を設けているが、この場合（ａ）、（ｂ）パターン
よりなるループおよび（ｂ）、（ｃ）パターンよりなる
ループが（ｂ）パターン上の開放端を共有するか或は（
ｂ）パターン土に相互に開放端を設けることは含まれな
い。
本発明の特徴は記憶密度を変えることなく設計の自由度
を拡げ、またデバイスの信頼度を向上できる点にある。
すなわち、本発明の実施例である第４図を従来の構成を
とる第３図と比較すると、従来は直線状のマイナループ
毎にゲート回路が設けてあるが、マイナループ相互の間
隔が接近しているため導体パターン１０を幅広く設計す
ることが困難である。
を拡げ、またデバイスの信頼度を向上できる点にある。
すなわち、本発明の実施例である第４図を従来の構成を
とる第３図と比較すると、従来は直線状のマイナループ
毎にゲート回路が設けてあるが、マイナループ相互の間
隔が接近しているため導体パターン１０を幅広く設計す
ることが困難である。
それで導体パターン１０の線幅を小にして設計する結果
、ゲート抵抗の増加による駆動電圧の−ヒ昇は避けるこ
とができず、発熱断線等の障害が生じていた。然し、本
発明を実施すればゲート回路は（ａ）、（ｂ）パターン
下端のいずれかの対向位置に設ければよく、そのため設
計の自由度が増すと共に導体パターン１０も従来より幅
広く設計することができ、従つて駆動電圧を下げて信頼
度を向上することができる。
、ゲート抵抗の増加による駆動電圧の−ヒ昇は避けるこ
とができず、発熱断線等の障害が生じていた。然し、本
発明を実施すればゲート回路は（ａ）、（ｂ）パターン
下端のいずれかの対向位置に設ければよく、そのため設
計の自由度が増すと共に導体パターン１０も従来より幅
広く設計することができ、従つて駆動電圧を下げて信頼
度を向上することができる。
本発明の特徴はｎ個の直線状連接形転送パターンを連結
する場合に（ｎ−１）個の開放点を各閉ループ沖に必ず
１個存在するように形成することによつて或る位置より
出発したバブルが全てのループを必ず１回通過して再び
元の出発点に戻るように構成されていることが条件であ
る。
する場合に（ｎ−１）個の開放点を各閉ループ沖に必ず
１個存在するように形成することによつて或る位置より
出発したバブルが全てのループを必ず１回通過して再び
元の出発点に戻るように構成されていることが条件であ
る。
上記のように本発明の実施により設計の自由度の増加お
よび信頼度の向上が達成できた。
よび信頼度の向上が達成できた。
第１図および第２図は連接形転送回路の説明図で、Ａは
正面図、ＢはこのＡ−Ｎ線における断面図、第３図は従
来のマイナループおよびゲート回路の説明図、第４図、
第５図および第６図は本発明を実施したマイナループの
構成例である。
正面図、ＢはこのＡ−Ｎ線における断面図、第３図は従
来のマイナループおよびゲート回路の説明図、第４図、
第５図および第６図は本発明を実施したマイナループの
構成例である。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを保持する磁性膜が一定方向の磁化容易
軸を有する第１領域と該第１領域を囲み、且つその磁化
容易軸とほぼ直交した磁化容易軸を有する第２領域とを
有し、前記第１領域により磁気バブル情報転送用のメジ
ヤ・ループパターンと磁気バブル情報格納用の複数のマ
イナ・ループパターンとが形成され、更に該メジヤ・ル
ープパターンとマイナ・ループパターンとの対向領域に
絶縁層を介してコンダクタパターンを積層形成してメジ
ャ・ループパターンとマイナ・ループパターン間の磁気
バブル情報トランスファ用のトランスファゲートが形成
された磁気バブルメモリデバイスにおいて、マイナ・ル
ープパターンが端部において相互接続されると共に、該
相互接続されたパターンが適宜数の部分においてパター
ンが一部削除され、これにより磁気バブル転送路がパタ
ーンの或る１点から始まつてパターンの外側および内側
を周回して最初の点に戻るよう形成されていることを特
徴とする磁気バブルメモリデバイスのマイナループ構成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135166A JPS592991B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135166A JPS592991B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837893A JPS5837893A (ja) | 1983-03-05 |
| JPS592991B2 true JPS592991B2 (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=15145366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135166A Expired JPS592991B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592991B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8400374A (nl) * | 1984-02-07 | 1985-09-02 | Stamicarbon | Werkwijze voor het vervaardigen van blaasfolie. |
| NL8400375A (nl) * | 1984-02-07 | 1985-09-02 | Stamicarbon | Werkwijze voor het vervaardigen van blaasfolie. |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135166A patent/JPS592991B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5837893A (ja) | 1983-03-05 |
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