JPS6038795B2 - コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 - Google Patents
コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子Info
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- JPS6038795B2 JPS6038795B2 JP57083732A JP8373282A JPS6038795B2 JP S6038795 B2 JPS6038795 B2 JP S6038795B2 JP 57083732 A JP57083732 A JP 57083732A JP 8373282 A JP8373282 A JP 8373282A JP S6038795 B2 JPS6038795 B2 JP S6038795B2
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- Japan
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- transfer
- transfer pattern
- pattern
- type magnetic
- bubble
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンティギュアスディスク型磁気バブル素子に
関する。
関する。
磁気バブル（以下単にバブルという）を情報の担体とし
て用いる記憶素子において、従来、バフルの転送は、パ
ーマロィの如き敏磁性膜でできたパターン（以下パーマ
ロィパタンという）を外部から印加する面内回転磁界に
よって磁化することによって生じる磁極にバブルを引き
つけることによって行なわれている（このようなパーマ
ロイパタンによりバブルの転送を行なう従来の磁気バブ
ル素子を以下コンベンショナル型磁気バブル素子という
）。
て用いる記憶素子において、従来、バフルの転送は、パ
ーマロィの如き敏磁性膜でできたパターン（以下パーマ
ロィパタンという）を外部から印加する面内回転磁界に
よって磁化することによって生じる磁極にバブルを引き
つけることによって行なわれている（このようなパーマ
ロイパタンによりバブルの転送を行なう従来の磁気バブ
ル素子を以下コンベンショナル型磁気バブル素子という
）。
しかしながら前記のパーマロィパタンは互いに、非常に
狭い間隙を介して形成されなければならず、この間隙の
形成が微細加工上の限界となり記憶密度の向上を防げて
いる。また、パーマロイパタン間の間隙は転送中のバブ
ルに対して磁気的な捕捉力を与えるため、バブルの高速
転送を行なううえでも不都合である。このようなコンベ
ンショナル型磁気バブル素子の有する欠点を克服するた
めに、既に米国特許第３８２８３２計号明細書において
、磁性薄膜上に選択的にイオン注入を施すことにより形
成される非注入領域からなる転送パタンに沿ってバブル
の転送を行なうコンティギュァスディスク型磁気バブル
素子と呼ばれる新しいタイプの磁気バブル素子が提案さ
れている。
狭い間隙を介して形成されなければならず、この間隙の
形成が微細加工上の限界となり記憶密度の向上を防げて
いる。また、パーマロイパタン間の間隙は転送中のバブ
ルに対して磁気的な捕捉力を与えるため、バブルの高速
転送を行なううえでも不都合である。このようなコンベ
ンショナル型磁気バブル素子の有する欠点を克服するた
めに、既に米国特許第３８２８３２計号明細書において
、磁性薄膜上に選択的にイオン注入を施すことにより形
成される非注入領域からなる転送パタンに沿ってバブル
の転送を行なうコンティギュァスディスク型磁気バブル
素子と呼ばれる新しいタイプの磁気バブル素子が提案さ
れている。
コンティギュアスディスク型磁気バブル素子において、
効率的なバブルのアクセスを行なうためには、前記コン
ベンショナル型磁気バブル素子で既に採用されているよ
うなメジャー・マイナー構成を実現することがぜひとも
必要である。メジャー・マイナー構成の磁気バブル素子
において必須の機能要素の一つはマィナ−ノレ−プのバ
ブルを制御性よくメジャー転送路に移す機念（以下トラ
ンスファー・アウトという）及びメジャー転送路のバブ
ル制御性よくマイナーループに移す機能（以下トランス
ファー・ィンという）である。通常このような機能を果
たす要素はトランスファー・ゲートと呼ばれている。本
発明の説明に先立ち従来のトランスファー・ゲートの特
徴及び欠点を図面を用いて説明する。
効率的なバブルのアクセスを行なうためには、前記コン
ベンショナル型磁気バブル素子で既に採用されているよ
うなメジャー・マイナー構成を実現することがぜひとも
必要である。メジャー・マイナー構成の磁気バブル素子
において必須の機能要素の一つはマィナ−ノレ−プのバ
ブルを制御性よくメジャー転送路に移す機念（以下トラ
ンスファー・アウトという）及びメジャー転送路のバブ
ル制御性よくマイナーループに移す機能（以下トランス
ファー・ィンという）である。通常このような機能を果
たす要素はトランスファー・ゲートと呼ばれている。本
発明の説明に先立ち従来のトランスファー・ゲートの特
徴及び欠点を図面を用いて説明する。
第１図はアール・ウオルフ（Ｒ．Ｗｏｌｆｅ）氏らによ
り１９８１年３月に、ジャーナル・オプ・アプライド・
フイジクス（Ｊｏｍｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓ）誌第５２登第３号第２３７７頁〜第２３
７９頁に発表された論文に示されているトランスファー
・ゲートの一例である。参照数字１および２は各々バブ
ルを保持し得る立方晶系の磁性材料の（１ １１）面を
膜面とした磁性薄膜上に形成された非注入領域からなる
第１の転送パタン及び第２の転送パタンである。矢印１
５はバイアス磁界の方向を表わしている。矢印１４は第
１の転送パタンと第２の転送パタンとの最近接点３（第
１の転送パタン側）から４（第２の転送パタン側）へ向
かう方向を、矢印１３は第１の転送パタンの実質的な配
列方向（〔０１１〕方向）を表わしている。
り１９８１年３月に、ジャーナル・オプ・アプライド・
フイジクス（Ｊｏｍｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓ）誌第５２登第３号第２３７７頁〜第２３
７９頁に発表された論文に示されているトランスファー
・ゲートの一例である。参照数字１および２は各々バブ
ルを保持し得る立方晶系の磁性材料の（１ １１）面を
膜面とした磁性薄膜上に形成された非注入領域からなる
第１の転送パタン及び第２の転送パタンである。矢印１
５はバイアス磁界の方向を表わしている。矢印１４は第
１の転送パタンと第２の転送パタンとの最近接点３（第
１の転送パタン側）から４（第２の転送パタン側）へ向
かう方向を、矢印１３は第１の転送パタンの実質的な配
列方向（〔０１１〕方向）を表わしている。
同数字５は矢印１３の方向と矢印１４の方向とのなす角
度を表わしている。第１の転送パタン及び第２の転送パ
タンは角度５が１２０ｏ前後となるように形成されてい
る。〔０１１〕方向に直線状に形成された第１の転送パ
タンの〔２１１〕側のエッジ部からなる転送路は一般に
スーパー転送路と呼ばれており、最も良好な転送特性が
得られることはすでに公知である。矢印１６で示される
〔２１１〕方向に形成された第２の転送パタンの長手方
向の両側のエッジ部では共に平均的な転送特性が得られ
ることはすでに公知であり、このような転送路は一般に
グッド転送路と呼ばれている。（１１１）面を膿面とし
た磁性薄膜は磁気的な膜面内３回対称性を有しているた
め〔１１０〕方向に形成された転送パタンの〔１１２〕
側エッジ部、及び〔１０１〕方向に形成された転送パタ
ンの〔１２１〕側エッジ部は全てスーパー転送路と呼ば
れている。また、同機の理由により、〔１１２〕方向及
び〔１２１〕方向に形成された転送パタンの長手方向の
両側のエッジ部は全てグッド転送路と呼ばれている。以
下ではこれらの等価的な３方向の内の１方向で代表して
説明する。第１の転送パタンのスーパー転送路側のエッ
ジ部に沿って転送中のバブルが位暦９に来たときに導体
パタン６に矢印１７の向きに電流パルスを印加すること
によりバブルは位置１０‘こ転送される。
度を表わしている。第１の転送パタン及び第２の転送パ
タンは角度５が１２０ｏ前後となるように形成されてい
る。〔０１１〕方向に直線状に形成された第１の転送パ
タンの〔２１１〕側のエッジ部からなる転送路は一般に
スーパー転送路と呼ばれており、最も良好な転送特性が
得られることはすでに公知である。矢印１６で示される
〔２１１〕方向に形成された第２の転送パタンの長手方
向の両側のエッジ部では共に平均的な転送特性が得られ
ることはすでに公知であり、このような転送路は一般に
グッド転送路と呼ばれている。（１１１）面を膿面とし
た磁性薄膜は磁気的な膜面内３回対称性を有しているた
め〔１１０〕方向に形成された転送パタンの〔１１２〕
側エッジ部、及び〔１０１〕方向に形成された転送パタ
ンの〔１２１〕側エッジ部は全てスーパー転送路と呼ば
れている。また、同機の理由により、〔１１２〕方向及
び〔１２１〕方向に形成された転送パタンの長手方向の
両側のエッジ部は全てグッド転送路と呼ばれている。以
下ではこれらの等価的な３方向の内の１方向で代表して
説明する。第１の転送パタンのスーパー転送路側のエッ
ジ部に沿って転送中のバブルが位暦９に来たときに導体
パタン６に矢印１７の向きに電流パルスを印加すること
によりバブルは位置１０‘こ転送される。
以後、面内回転磁界により、位置１１および１２に順次
転送されトランスファー・ィン動作が実現される。一方
、バブルのトランスファー・アウト動作を行なう場合に
は、第２の転送パタンを周回中のバブルが位置１２に来
たときに面内回転磁界の回転送方向を反転し位置１０お
よび９を順次経て〆ジャー転送路へ転送する。
転送されトランスファー・ィン動作が実現される。一方
、バブルのトランスファー・アウト動作を行なう場合に
は、第２の転送パタンを周回中のバブルが位置１２に来
たときに面内回転磁界の回転送方向を反転し位置１０お
よび９を順次経て〆ジャー転送路へ転送する。
この後再び面内回転磁界を反転しもとの回転方向に戻す
。このような面内回転磁界の反転を行なうため、従来の
トランスファー・ゲートでは非常に複雑なバブル駆動回
路が必要であった。本発明の目的は非常に簡単なバブル
駆動回路によりバブルのトランスファー・イン動作及び
トランスフア−・アウト動作が可能なトランスファー・
ゲートを有するコンティギュアスディスク型磁気バブル
素子を提供することにある。
。このような面内回転磁界の反転を行なうため、従来の
トランスファー・ゲートでは非常に複雑なバブル駆動回
路が必要であった。本発明の目的は非常に簡単なバブル
駆動回路によりバブルのトランスファー・イン動作及び
トランスフア−・アウト動作が可能なトランスファー・
ゲートを有するコンティギュアスディスク型磁気バブル
素子を提供することにある。
本発明のコンティギュアスディスク型磁気バブル素子は
、磁気バブルを保持し得る立方晶系の磁性材料の（１１
１）面を膜面とした磁性薄膜上に選択的にイオン注入を
施すことにより、〔０１１〕，〔１０１〕，〔１１０〕
のいずれかの方向に間隙を隔てて直線状に並んだ複数個
の凸部を有する非注入領域からなる第１の転送パタンの
スーパー転送路側エッジ部をメジャー転送路として用い
、該メジャー転送路と反対側に位置する第１の転送パタ
ンの凸部と予め定めた間隔を有する間隙部を介してグッ
ド方向に形成された珠数状の非注入領域からなる第２の
転送パタンのエッジ部をマイナーループ転送路として用
いるメジャー・マイナー構成の磁気バブル素子において
、前記第１の転送パタンに沿って形成された帯状の第１
の導体パタン及び前記第１の転送パタンと前記第２の転
送パタンとの間の間隙部近傍に設けられた第２の導体パ
タンを有している。
、磁気バブルを保持し得る立方晶系の磁性材料の（１１
１）面を膜面とした磁性薄膜上に選択的にイオン注入を
施すことにより、〔０１１〕，〔１０１〕，〔１１０〕
のいずれかの方向に間隙を隔てて直線状に並んだ複数個
の凸部を有する非注入領域からなる第１の転送パタンの
スーパー転送路側エッジ部をメジャー転送路として用い
、該メジャー転送路と反対側に位置する第１の転送パタ
ンの凸部と予め定めた間隔を有する間隙部を介してグッ
ド方向に形成された珠数状の非注入領域からなる第２の
転送パタンのエッジ部をマイナーループ転送路として用
いるメジャー・マイナー構成の磁気バブル素子において
、前記第１の転送パタンに沿って形成された帯状の第１
の導体パタン及び前記第１の転送パタンと前記第２の転
送パタンとの間の間隙部近傍に設けられた第２の導体パ
タンを有している。
次に、実施例をもとに本発明の原理を説明する。
第２図は本発明の第１の実施の一例を示す図である。
第１の転送パタン１から第２の転送パタン２へのトラン
スファー・インは、第１の転送パタンに沿って設けられ
た第１の導体パタン２０に矢印２１の向きに電流パルス
を印加することにより、第１図を用いて説明した従来の
トランスファーゲートの原理にもとづいて実現される。
スファー・インは、第１の転送パタンに沿って設けられ
た第１の導体パタン２０に矢印２１の向きに電流パルス
を印加することにより、第１図を用いて説明した従来の
トランスファーゲートの原理にもとづいて実現される。
参照数字９，１０，１１および１２はトランスファー・
ィン動作におけるバブルの転送位置を示している。本発
明の特徴は第１の導体パタン２０の他に、第１の転送パ
タンと第２の転送パタンとの間の間隙部近傍に第２の導
体パタン２２を設けたことにある。この第２の導体パタ
ン２２に矢印２３の向きに電流パルスを印加することに
より以下に示すような本発明の原理にもとづきトランス
ファー・アウト動作が実現される。第３図は第２の導体
パタンに印加する電流パルスの位相及びパルス幅の一例
を示したものである。
ィン動作におけるバブルの転送位置を示している。本発
明の特徴は第１の導体パタン２０の他に、第１の転送パ
タンと第２の転送パタンとの間の間隙部近傍に第２の導
体パタン２２を設けたことにある。この第２の導体パタ
ン２２に矢印２３の向きに電流パルスを印加することに
より以下に示すような本発明の原理にもとづきトランス
ファー・アウト動作が実現される。第３図は第２の導体
パタンに印加する電流パルスの位相及びパルス幅の一例
を示したものである。
第３図では、第１の転送パタンの配列方向（〔０１１〕
方向）を回転磁界の１８００方向にとっている。面内回
転磁界の方向が矢印３０の向きのときバブルは第２図の
位置２５にある。この位相を女台点とし矢印３２で示さ
れる位相範囲に渡る電流パルスを第２の導体パタンに印
加すると、位置２６が静磁気的なポテンシャルの谷とな
るような磁界分布が誘起され、バブルは電流パルスが印
加されている間、位置２６に捕捉され続ける。電流パル
スが切れたとき面内回転磁界は矢印３１の方向を向いて
おり、このとき、第１の転送パタンーには位置２６にバ
ブルを引きつけるようなチャージドウオールが形成され
ている。したがって電流パルスが切れた後、バブルは面
内回転磁界による第１の転送パタン１のチャージドウオ
ールの移動にともない、位置２７および２８を順次経て
転送され、トランスファー・アウト動作が実現される。
以上のような本発明の原理によれば、回転磁界を反転す
ることなく導体パタンに印加する電流パルスだけでトラ
ンスファー・ィン動作及びトランスファー・アウト動作
が行なえ、バブル駆動回路を非常に簡単にすることがで
きる。
方向）を回転磁界の１８００方向にとっている。面内回
転磁界の方向が矢印３０の向きのときバブルは第２図の
位置２５にある。この位相を女台点とし矢印３２で示さ
れる位相範囲に渡る電流パルスを第２の導体パタンに印
加すると、位置２６が静磁気的なポテンシャルの谷とな
るような磁界分布が誘起され、バブルは電流パルスが印
加されている間、位置２６に捕捉され続ける。電流パル
スが切れたとき面内回転磁界は矢印３１の方向を向いて
おり、このとき、第１の転送パタンーには位置２６にバ
ブルを引きつけるようなチャージドウオールが形成され
ている。したがって電流パルスが切れた後、バブルは面
内回転磁界による第１の転送パタン１のチャージドウオ
ールの移動にともない、位置２７および２８を順次経て
転送され、トランスファー・アウト動作が実現される。
以上のような本発明の原理によれば、回転磁界を反転す
ることなく導体パタンに印加する電流パルスだけでトラ
ンスファー・ィン動作及びトランスファー・アウト動作
が行なえ、バブル駆動回路を非常に簡単にすることがで
きる。
第４図ａおよび第４図ｂはそれぞれ第２の導体パタンの
形状を変えた本発明の第２及び第３の実施例を示す。参
照数字４０は第２の導体パタン、同数字４１は第２の導
体パタンに印加する電流パルスの方向である。第２及び
第３の実施例において、第２の転送パタンを周回中のバ
ブルが位置２５にきたときに第２の導体パタン４０に電
流パルスを印加すれば第１の実施例の場合と同様の原理
にもとづき、位置２６を経てトランスファー・アウト動
作が実現される。第５図はメジャー転送路パタンの形状
を変えた本発明の第４の実施例を示す。
形状を変えた本発明の第２及び第３の実施例を示す。参
照数字４０は第２の導体パタン、同数字４１は第２の導
体パタンに印加する電流パルスの方向である。第２及び
第３の実施例において、第２の転送パタンを周回中のバ
ブルが位置２５にきたときに第２の導体パタン４０に電
流パルスを印加すれば第１の実施例の場合と同様の原理
にもとづき、位置２６を経てトランスファー・アウト動
作が実現される。第５図はメジャー転送路パタンの形状
を変えた本発明の第４の実施例を示す。
参照数字４４は第１の転送パタンである。トランスファ
ーィン動作は第１の導体パタン２０１こ矢印２１の向き
に電流パルスを印加することにより位置５０，５１，５
２，５３および５４を経て行なわれる。第２の転送パタ
ン周回中のバブルが位置５５にきたときに第２の導体パ
タン６０１こ矢印６１の向きに電流パルスを印加すれば
第１の実施例の場合と同機の原理にもとづき、位置５６
，５７および５８を順次経てトランスファー・アウト動
作が実現される。第６図は第２のエッジの切り込みの位
置を変えることにより第１の実施例とは逆極性の電流パ
ルスによりトランスファー・アウトを行なう本発明の第
５の実施例を示す。第２の転送パタンを転送中のバブル
が位置６５にきたときに第２の導体パタン７０に矢印７
１の向きに電流パルスを印加すると×印で示される位置
７３が静磁気的なポテンシャルの山となるような磁界分
布が誘起される。このためバブルは電流パルスが印加さ
れている間、位置６５に停留し続ける。電流パルスが切
れた後は第１の実施例の場合と同様に、第１の転送パタ
ン側のチャージドウオールに引きつけられ、位置６７お
よび６８を順次経てトランスファー・アウト動作が行な
われる。以上に述べたように、本発明を用いれば回転磁
界を反転することなく、導体パタンに印加する電流パル
スだけでトランスファー・ィン動作及びトランスファー
・ゲート動作が行なえ、バブル駆動回路を非常に簡単に
することができる。
ーィン動作は第１の導体パタン２０１こ矢印２１の向き
に電流パルスを印加することにより位置５０，５１，５
２，５３および５４を経て行なわれる。第２の転送パタ
ン周回中のバブルが位置５５にきたときに第２の導体パ
タン６０１こ矢印６１の向きに電流パルスを印加すれば
第１の実施例の場合と同機の原理にもとづき、位置５６
，５７および５８を順次経てトランスファー・アウト動
作が実現される。第６図は第２のエッジの切り込みの位
置を変えることにより第１の実施例とは逆極性の電流パ
ルスによりトランスファー・アウトを行なう本発明の第
５の実施例を示す。第２の転送パタンを転送中のバブル
が位置６５にきたときに第２の導体パタン７０に矢印７
１の向きに電流パルスを印加すると×印で示される位置
７３が静磁気的なポテンシャルの山となるような磁界分
布が誘起される。このためバブルは電流パルスが印加さ
れている間、位置６５に停留し続ける。電流パルスが切
れた後は第１の実施例の場合と同様に、第１の転送パタ
ン側のチャージドウオールに引きつけられ、位置６７お
よび６８を順次経てトランスファー・アウト動作が行な
われる。以上に述べたように、本発明を用いれば回転磁
界を反転することなく、導体パタンに印加する電流パル
スだけでトランスファー・ィン動作及びトランスファー
・ゲート動作が行なえ、バブル駆動回路を非常に簡単に
することができる。
第１の導体パタン、第２の導体パタン、第１の転送パタ
ン第２の転送パタンなどの形状としては第２図，第４図
ａ，第４図ｂ，第５図，第６図の実施例以外にもいろい
ろな形状のものが考えられるが第２図及び第３図を用い
て説明した如き原理によりバブルを転送し得る形状のも
のであればすべて本発明に含まれることはいうまでもな
い。
ン第２の転送パタンなどの形状としては第２図，第４図
ａ，第４図ｂ，第５図，第６図の実施例以外にもいろい
ろな形状のものが考えられるが第２図及び第３図を用い
て説明した如き原理によりバブルを転送し得る形状のも
のであればすべて本発明に含まれることはいうまでもな
い。
第１図は従来のトランスファーゲートを示す図である。
１は第１の転送パタン、２は第２の転送パタン、３，４
は第１の転送パタンと第２の転送パタンとの最近接点、
１４は最近接点３から最近接点４へ向かって引かれた直
線の方向を示す矢印、１３は第１の転送パタンの実質的
な配列方向を示す矢印、５は１３及び１４の矢印で示さ
れる２つの方向のなす角度、１６は磁性薄膜の〔２１１
〕方向を示す矢印、６は導体パタン、１７は導体パタン
に印加する電流パルスの方向を示す矢印、１５はバイア
ス磁界の方向を示す矢印、９，１０，１１，１２はバブ
ルの転送位置である。第２図及び第３図は本発明の第１
の実施例を示す図である。２０は第１の導体パタン、２
１は第１の導体パタンに印加する電流パルスの方向を示
す矢印、２２は第２の導体パタン、２３は第２の導体パ
タンに印加する電流パルスの方向を示す矢印、２５，２
６，２７，２８はバブルの転送位置、３０，３１は回転
磁界の方向を示す矢Ｅ０、３２は電流パルスの印加位相
を示す矢印である。 第４図ａ，第４図ｂ，第５図及び第６図はそれぞれ本発
明の第２，第３，第４及び第５の実施例を示す図である
。４４は第１の転送ゲタン、４０，６０，７０は第２の
導体パタン、４１，６１，７１は第２の導体パタンに印
加する電流パルスの方向を示す矢印、５０，５１，５２
，５３，５４，５５，５６，５７，５８，５９，６５，
６６，６７，６８はバブルの転送位置、７３は静磁気的
なポテンシャルの山の位置である。 オ′図 才２図 オＪ図 矛４図（Ｑ） オ ４ 図 （ら） オＳ図 矛６図
は第１の転送パタンと第２の転送パタンとの最近接点、
１４は最近接点３から最近接点４へ向かって引かれた直
線の方向を示す矢印、１３は第１の転送パタンの実質的
な配列方向を示す矢印、５は１３及び１４の矢印で示さ
れる２つの方向のなす角度、１６は磁性薄膜の〔２１１
〕方向を示す矢印、６は導体パタン、１７は導体パタン
に印加する電流パルスの方向を示す矢印、１５はバイア
ス磁界の方向を示す矢印、９，１０，１１，１２はバブ
ルの転送位置である。第２図及び第３図は本発明の第１
の実施例を示す図である。２０は第１の導体パタン、２
１は第１の導体パタンに印加する電流パルスの方向を示
す矢印、２２は第２の導体パタン、２３は第２の導体パ
タンに印加する電流パルスの方向を示す矢印、２５，２
６，２７，２８はバブルの転送位置、３０，３１は回転
磁界の方向を示す矢Ｅ０、３２は電流パルスの印加位相
を示す矢印である。 第４図ａ，第４図ｂ，第５図及び第６図はそれぞれ本発
明の第２，第３，第４及び第５の実施例を示す図である
。４４は第１の転送ゲタン、４０，６０，７０は第２の
導体パタン、４１，６１，７１は第２の導体パタンに印
加する電流パルスの方向を示す矢印、５０，５１，５２
，５３，５４，５５，５６，５７，５８，５９，６５，
６６，６７，６８はバブルの転送位置、７３は静磁気的
なポテンシャルの山の位置である。 オ′図 才２図 オＪ図 矛４図（Ｑ） オ ４ 図 （ら） オＳ図 矛６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブルを保持し得る立方晶系の磁性材料の（１
１１）面を膜面とした磁性薄膜上に、選択的にイオン注
入を施すことにより、〔０１１〕，〔１０１〕，〔１１
０〕のいずれかの方向に間隙部を隔てて直線上に並んだ
複数個の凸部を有する非注入領域からなる第１の転送パ
タンのスーパー転送路側エツジ部をメジヤー転送路とし
て用い、該メジヤー転送路と反対側に位置する前記第１
の転送パタンの凸部と予め定めた間隔を有する間隙部を
介してグツド転送路方向に形成された珠数玉状の非注入
領域からなる第２の転送パタンのエツジ部をマイナール
ープ転送路として用いるメジヤー・マイナー方式の磁気
バブル素子において、前記第１の転送パタンに沿つて形
成された帯状の第１の導体パタン及び前記第１の転送パ
タンと前記第２の転送パタンとの間の間隙部近傍に設け
られた第２の導体パタンを有することを特徴とするコン
テイギユアスデイスク型磁気バブル素子。 ２ 前記第１の転送パタンが、３つの凸部を有するクロ
ーバ形状を有するクローバ形状を有し、かつ、該３つの
凸部中心を結んで得られる３角形の１辺が〔０１１〕，
〔１０１〕，〔１１０〕のいずれかの方向を向いている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のコンテイ
ギユアスデイスク型磁気バブル素子。 ３ 前記クローバ形状の第１の転送パタンと珠数状の前
記第２の転送パタンとの最近接点のうち、前記第１の転
送パタン側の最近接点から前記第２の転送パタン側の最
近接点へ向かう方向と前記第１の転送パタンの実質的な
配列方向とのなす角度が１２０°前後であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のコンテイギユアスデ
イスク型磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083732A JPS6038795B2 (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083732A JPS6038795B2 (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200491A JPS58200491A (ja) | 1983-11-22 |
| JPS6038795B2 true JPS6038795B2 (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=13810689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083732A Expired JPS6038795B2 (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038795B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174699A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-07 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | ペン交換装置 |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP57083732A patent/JPS6038795B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174699A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-07 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | ペン交換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58200491A (ja) | 1983-11-22 |
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