JPS6338795B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6338795B2 JPS6338795B2 JP56213403A JP21340381A JPS6338795B2 JP S6338795 B2 JPS6338795 B2 JP S6338795B2 JP 56213403 A JP56213403 A JP 56213403A JP 21340381 A JP21340381 A JP 21340381A JP S6338795 B2 JPS6338795 B2 JP S6338795B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer gate
- bubble
- present
- cusp
- current
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- Expired
Links
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
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- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子計算装置の端末機等のメモリとし
て用いられる磁気バブルメモリデバイスの双方向
性トランスフアゲートに関するものである。
て用いられる磁気バブルメモリデバイスの双方向
性トランスフアゲートに関するものである。
(2) 従来技術と問題点
磁気バブルメモリ素子を利用して情報の蓄積、
論理演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮
発生、高記憶密度及び低消費電力等種々の特徴を
もち、さらには機械的要素を全く含まない固体素
子であることから非常に高い信頼性を有してい
る。最近このような磁気バブルメモリデバイスに
おいて記憶密度の増加をはかるためイオン注入法
によるバブル転送パターンの形成法が開発されて
いる。この方法は第１図の平面図及び第２図の断
面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ツト（GGG）の単結晶基板１の上に磁性ガーネ
ツト等のバブル用結晶膜２を液相エピタキシヤル
成長させて形成し、このバブル用結晶膜２に対し
パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパ
ターン３を形成した素子はイオンを送入された部
分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印
ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。従
つてバブル５は回転磁界によつてパターン３の周
縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。
論理演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮
発生、高記憶密度及び低消費電力等種々の特徴を
もち、さらには機械的要素を全く含まない固体素
子であることから非常に高い信頼性を有してい
る。最近このような磁気バブルメモリデバイスに
おいて記憶密度の増加をはかるためイオン注入法
によるバブル転送パターンの形成法が開発されて
いる。この方法は第１図の平面図及び第２図の断
面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ツト（GGG）の単結晶基板１の上に磁性ガーネ
ツト等のバブル用結晶膜２を液相エピタキシヤル
成長させて形成し、このバブル用結晶膜２に対し
パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパ
ターン３を形成した素子はイオンを送入された部
分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印
ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。従
つてバブル５は回転磁界によつてパターン３の周
縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。
このようなイオン注入磁気バブルメモリデバイ
スにおいては、従来のパーマロイパターンを用い
た磁気バブルメモリデバイスに用いられているよ
うな２つのパターン間でバブルの受け渡しを行な
うことができる双方向性トランスフアゲートが実
現されていないことが欠点となつている。
スにおいては、従来のパーマロイパターンを用い
た磁気バブルメモリデバイスに用いられているよ
うな２つのパターン間でバブルの受け渡しを行な
うことができる双方向性トランスフアゲートが実
現されていないことが欠点となつている。
(3) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入磁
気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフア
ゲートを提供することを目的とするものである。
気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフア
ゲートを提供することを目的とするものである。
(4) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル
用結晶膜の上にバブル転送路としてイオン注入法
により形成したメジヤーラインとマイナーループ
間を一方より他方にバブルを転送するトランスフ
アゲートにおいて、メジヤーラインのカスプ部と
マイナーループのカスプ部とを結んでヘアピン状
の導体を設けたことを特徴とする磁気バブルメモ
リデバイスの双方向性トランスフアゲートを提供
することによつて達成される。
用結晶膜の上にバブル転送路としてイオン注入法
により形成したメジヤーラインとマイナーループ
間を一方より他方にバブルを転送するトランスフ
アゲートにおいて、メジヤーラインのカスプ部と
マイナーループのカスプ部とを結んでヘアピン状
の導体を設けたことを特徴とする磁気バブルメモ
リデバイスの双方向性トランスフアゲートを提供
することによつて達成される。
(5) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第３図は本発明による双方向性トランスフアゲ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
同図において、６は５角形状のパターンを２個
毎にギヤツプを設けて列状に配例したメジヤーラ
イン、７は４角形状のパターンを一部が重なるよ
うに連接したマイナーループ、８はメジヤーライ
ンのカスプ部ａとマイナーループのカスプ部ｂと
を結んだ線に沿つて配置されたヘアピン状導体を
それぞれ示している。なお９はバブル用結晶の磁
化容易軸方向K1を示す。
毎にギヤツプを設けて列状に配例したメジヤーラ
イン、７は４角形状のパターンを一部が重なるよ
うに連接したマイナーループ、８はメジヤーライ
ンのカスプ部ａとマイナーループのカスプ部ｂと
を結んだ線に沿つて配置されたヘアピン状導体を
それぞれ示している。なお９はバブル用結晶の磁
化容易軸方向K1を示す。
このように形成された本発明のトランスフアゲ
ートは、バブルがマイナーループ７を転送され、
そのカスプのｂ部にきたときにヘアピン状導体８
に電流を流してバブルを引伸し、メジヤーライン
６のカスプのａ部が吸引となる回転磁界の位相の
ときに電流を切ればバブルは収縮してａ部に吸引
される。またバブルがメジヤーライン６を転送さ
れ、そのカスプのａ部にきたときにヘアピン状導
体８に電流を流してバブルを引伸ばし、マイナー
ループのカスプのｂ部が吸引となる回転磁界の位
相のときに電流を切断すれば、バブルは収縮して
ｂ部に吸引される。このようにして本発明のトラ
ンスフアゲートはマイナーループからメジヤーラ
インへ、またはその逆方向にバブルを転送するこ
とができ、双方向性を有する。
ートは、バブルがマイナーループ７を転送され、
そのカスプのｂ部にきたときにヘアピン状導体８
に電流を流してバブルを引伸し、メジヤーライン
６のカスプのａ部が吸引となる回転磁界の位相の
ときに電流を切ればバブルは収縮してａ部に吸引
される。またバブルがメジヤーライン６を転送さ
れ、そのカスプのａ部にきたときにヘアピン状導
体８に電流を流してバブルを引伸ばし、マイナー
ループのカスプのｂ部が吸引となる回転磁界の位
相のときに電流を切断すれば、バブルは収縮して
ｂ部に吸引される。このようにして本発明のトラ
ンスフアゲートはマイナーループからメジヤーラ
インへ、またはその逆方向にバブルを転送するこ
とができ、双方向性を有する。
第４図は本発明の双方向性トランスフアゲート
のトランスフアイン動作の位相−電流マジンを示
したもので、試験条件を温度40℃、バイアス磁界
318Oe、回転磁界55Oe（3000KHz）、印加パルス幅
0.8μsとした場合である。
のトランスフアイン動作の位相−電流マジンを示
したもので、試験条件を温度40℃、バイアス磁界
318Oe、回転磁界55Oe（3000KHz）、印加パルス幅
0.8μsとした場合である。
第５図はトランスフアイン動作の位相−バイア
スマージンを示したものである。同図において曲
線Ａは本発明の双方向性トランスフアゲートの、
曲線Ｂは従来のトランスフアゲートの特性をそれ
ぞれ示した。試験条件は、本発明の場合は、回転
磁界55Oe、印加パルス電流50ｍＡ、パルス幅
0.8μs、従来品は回転磁界500e（300KHz）、印加パ
ルス電流100ｍＡ、パルス幅0.4μsである。図より
本発明の双方向性トランスフアゲートは従来のト
ランスフアゲートに比しバイアスマージンの大き
いことがわかる。
スマージンを示したものである。同図において曲
線Ａは本発明の双方向性トランスフアゲートの、
曲線Ｂは従来のトランスフアゲートの特性をそれ
ぞれ示した。試験条件は、本発明の場合は、回転
磁界55Oe、印加パルス電流50ｍＡ、パルス幅
0.8μs、従来品は回転磁界500e（300KHz）、印加パ
ルス電流100ｍＡ、パルス幅0.4μsである。図より
本発明の双方向性トランスフアゲートは従来のト
ランスフアゲートに比しバイアスマージンの大き
いことがわかる。
第６図は本発明の双方向性トランスフアゲート
のトランスフアイン動作の電流−バイアスマージ
ンを示したものである。図より電流50ｍＡで十分
なバイアスマージンを有していることがわかる。
のトランスフアイン動作の電流−バイアスマージ
ンを示したものである。図より電流50ｍＡで十分
なバイアスマージンを有していることがわかる。
以上より従来のカスプテイツプ型のトランスフ
アゲートのΔθ＝15゜でΔHB＝30Oe、（但しImin＝
100ｍＡ、シングルパルス時）、Δθ＝30゜でΔHB＝
30Oe、（但しImin＝100ｍＡ、ダブルパルス時）
の特性に比べ位相幅の拡大、最小動作電流の低減
およびパルスのシングル化が実現されている。
アゲートのΔθ＝15゜でΔHB＝30Oe、（但しImin＝
100ｍＡ、シングルパルス時）、Δθ＝30゜でΔHB＝
30Oe、（但しImin＝100ｍＡ、ダブルパルス時）
の特性に比べ位相幅の拡大、最小動作電流の低減
およびパルスのシングル化が実現されている。
第７図は本発明の双方向性トランスフアゲート
のトランスフアアウト動作時の位相−バイアスマ
ージンを示したもので、トランスフアイン動作と
同様なマージン幅を有している。なお試験条件は
印加パルス電流90ｍＡ、パルス幅0.8μsである。
のトランスフアアウト動作時の位相−バイアスマ
ージンを示したもので、トランスフアイン動作と
同様なマージン幅を有している。なお試験条件は
印加パルス電流90ｍＡ、パルス幅0.8μsである。
(6) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の双方向
性トランスフアゲートはカスプとカスプを結ぶヘ
アピン状導体を設けた構造とすることにより、イ
オン注入磁気バブルメモリの双方向性トランスフ
アゲートを実現したもので、磁気バブルメモリの
機能拡大に効果大なるものである。
性トランスフアゲートはカスプとカスプを結ぶヘ
アピン状導体を設けた構造とすることにより、イ
オン注入磁気バブルメモリの双方向性トランスフ
アゲートを実現したもので、磁気バブルメモリの
機能拡大に効果大なるものである。
第１図及び第２図はイオン注入磁気バブルメモ
リデバイスを説明するための図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリデバイスの双方向性トラ
ンスフアゲートの構造を示す図、第４図乃至第６
図は本発明の双方向性トランスフアゲートのトラ
ンスフアイン動作時の特性を示す図であり、第４
図は位相−電流マージン、第５図は位相、バイア
スマージン、第６図は電流−バイアスマージンを
それぞれ示す図、第７図は本発明の双方向性トラ
ンスフアゲートのトランスフアアウト動作時の位
相−バイアスマージンを示す図である。 図面に於いて、６はメジヤーライン、７はマイ
ナーループ、８はヘアピン状導体をそれぞれ示
す。
リデバイスを説明するための図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリデバイスの双方向性トラ
ンスフアゲートの構造を示す図、第４図乃至第６
図は本発明の双方向性トランスフアゲートのトラ
ンスフアイン動作時の特性を示す図であり、第４
図は位相−電流マージン、第５図は位相、バイア
スマージン、第６図は電流−バイアスマージンを
それぞれ示す図、第７図は本発明の双方向性トラ
ンスフアゲートのトランスフアアウト動作時の位
相−バイアスマージンを示す図である。 図面に於いて、６はメジヤーライン、７はマイ
ナーループ、８はヘアピン状導体をそれぞれ示
す。
Claims (1)
- １ 磁気バブル用結晶膜の上にバブル転送路とし
てイオン注入法により形成したメジヤーラインと
マイナーループ間を一方より他方にバブルを転送
するトランスフアゲートにおいて、メジヤーライ
ンのカスプ部とマイナーループのカスプ部とを結
んでヘアピン状の導体を設けたことを特徴とする
磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフ
アゲート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213403A JPS58118086A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213403A JPS58118086A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118086A JPS58118086A (ja) | 1983-07-13 |
| JPS6338795B2 true JPS6338795B2 (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=16638637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213403A Granted JPS58118086A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118086A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172091A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56213403A patent/JPS58118086A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118086A (ja) | 1983-07-13 |
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