JPS58118086A - 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−トInfo
- Publication number
- JPS58118086A JPS58118086A JP56213403A JP21340381A JPS58118086A JP S58118086 A JPS58118086 A JP S58118086A JP 56213403 A JP56213403 A JP 56213403A JP 21340381 A JP21340381 A JP 21340381A JP S58118086 A JPS58118086 A JP S58118086A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubbles
- transfer gate
- cusp
- bubble memory
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明は電子計算装置の端末機等のメモリとして用いら
れる磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスファ
ゲートに関するものである。
れる磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスファ
ゲートに関するものである。
（２） 従来技術と問題点
磁気バブルメモリ素子を利用して情報の蓄積、論理演算
等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密
度及び低消費電力等積々の特徴をもち、さらには機械的
要素を全く含まない固体素子であることから非常に高い
信頼性を有している。
等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密
度及び低消費電力等積々の特徴をもち、さらには機械的
要素を全く含まない固体素子であることから非常に高い
信頼性を有している。
最近このような磁気バブルメモリデバイスにおいて記憶
密度の増加をはかるためイオン注入法によるパルプ転送
パターンの形成法が開発されている。
密度の増加をはかるためイオン注入法によるパルプ転送
パターンの形成法が開発されている。
この方法は第１図の平面図及び第２図の断面図に示す如
くガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ ）の
単結晶基板ｌの上に磁性ガーネット等のバブル用結晶膜
２を液相エピタキシャル底長させて形成し、このバブル
用結晶膜２（二対しパターン３以外の部分４に水素、ネ
オン、ヘリウム等のイオンを注入するのである。このよ
うｆニパターン３を形成した素子はイオンを注入された
部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致
し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印すの如くも
とのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５は回
転磁界によってパターン３の周縁に沿って矢印Ｃの如く
転送される。
くガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ ）の
単結晶基板ｌの上に磁性ガーネット等のバブル用結晶膜
２を液相エピタキシャル底長させて形成し、このバブル
用結晶膜２（二対しパターン３以外の部分４に水素、ネ
オン、ヘリウム等のイオンを注入するのである。このよ
うｆニパターン３を形成した素子はイオンを注入された
部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致
し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印すの如くも
とのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５は回
転磁界によってパターン３の周縁に沿って矢印Ｃの如く
転送される。
このようなイオン注入磁気バブルメモ１）デバイスにお
いては、従来のパーマロイパターンを用いた磁気バブル
メモリデパイヌに用いられているような２つのパターン
間でバブルの受は渡しを行なうことができる双方向性ト
ランスファゲートが実現されていないことが欠点となっ
ている。
いては、従来のパーマロイパターンを用いた磁気バブル
メモリデパイヌに用いられているような２つのパターン
間でバブルの受は渡しを行なうことができる双方向性ト
ランスファゲートが実現されていないことが欠点となっ
ている。
〔３）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入磁気バブル
メモリデバイスの双方向性トランスファゲートを提供す
ることを目的とするものである。
メモリデバイスの双方向性トランスファゲートを提供す
ることを目的とするものである。
（４）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル用結晶膜
の上にバブル転送路としてイオン注入法により形成した
メジャーラインとマイナーループ間を一方より他方にバ
ブルを転送するトランスファゲートにおいて、メジャー
ラインのカスプ部とマイｆ −ループのカスブ部とを結
んでへ了ビン状の導体を設けたことを特徴とする磁気バ
ブルメモリデバイスの双方向性トランス７丁ゲートを提
供することによって達成される。
の上にバブル転送路としてイオン注入法により形成した
メジャーラインとマイナーループ間を一方より他方にバ
ブルを転送するトランスファゲートにおいて、メジャー
ラインのカスプ部とマイｆ −ループのカスブ部とを結
んでへ了ビン状の導体を設けたことを特徴とする磁気バ
ブルメモリデバイスの双方向性トランス７丁ゲートを提
供することによって達成される。
（３）
（５）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第３図は本発明による双方向性トランスファゲートを示
Ｔ図である。
Ｔ図である。
同図において、６は５角形状のパターンを２個毎にギャ
ップを設けて列状に配列したメジャーライン、７は４角
形状のパターンを一部が重なるように連接したマイナー
ループ、８はメジャーラインのカスブ部ａとマイナール
ープのカスブ部すとを結んだ線に沿って配置されたヘア
ピン状導体をそれぞれ示している。なお９はバブル用結
晶の磁化容易軸方向に１を示す。
ップを設けて列状に配列したメジャーライン、７は４角
形状のパターンを一部が重なるように連接したマイナー
ループ、８はメジャーラインのカスブ部ａとマイナール
ープのカスブ部すとを結んだ線に沿って配置されたヘア
ピン状導体をそれぞれ示している。なお９はバブル用結
晶の磁化容易軸方向に１を示す。
このように形層、された本発明のトランスファゲートは
、バブルがマイナーループ７を転送され、そのカスプの
ｂ部にきたときにヘアピン状導体８にＮＬＲ，を流して
バブルを引伸し、メジャーライン６のカスプのａ部が吸
引となる回転磁界の位相のときに電流を切ればバブルは
収縮してａ部に吸引される。まなバブルがメジャーライ
ン６を転送され、そのカスプのａ部にきたときにヘアピ
ン状溝（４） 体８に電流を流してバブルを引伸ばし、マイナーループ
のカスプのｂ部が吸引となる回転磁界の位相のときに電
流を切断すれば、バブルは収縮してｂ部に吸づ１されろ
。このようにして本発明のトランスファゲートはマイナ
ーループからメジャーラインへ、またはその逆方向にバ
ブルを転送することができ、双方向性を有する。
、バブルがマイナーループ７を転送され、そのカスプの
ｂ部にきたときにヘアピン状導体８にＮＬＲ，を流して
バブルを引伸し、メジャーライン６のカスプのａ部が吸
引となる回転磁界の位相のときに電流を切ればバブルは
収縮してａ部に吸引される。まなバブルがメジャーライ
ン６を転送され、そのカスプのａ部にきたときにヘアピ
ン状溝（４） 体８に電流を流してバブルを引伸ばし、マイナーループ
のカスプのｂ部が吸引となる回転磁界の位相のときに電
流を切断すれば、バブルは収縮してｂ部に吸づ１されろ
。このようにして本発明のトランスファゲートはマイナ
ーループからメジャーラインへ、またはその逆方向にバ
ブルを転送することができ、双方向性を有する。
２ｇ４図は本発明の双方同性トランスファゲートのトラ
ンスファイン動作の位相−電流マジンを示したもので、
試験条件を温度４０℃、バイアス磁界３１８０ｅ、回転
磁界５５０ｅ（３００ＫＨｚ ３、印加パルス幅ｉＪ、
８μＳとした場合である。
ンスファイン動作の位相−電流マジンを示したもので、
試験条件を温度４０℃、バイアス磁界３１８０ｅ、回転
磁界５５０ｅ（３００ＫＨｚ ３、印加パルス幅ｉＪ、
８μＳとした場合である。
第５図はトランスファイン動作の位相−バイアスマージ
ンを示したものである。同図において曲線Ａは本発明の
双方向性トランスファゲートの、曲線Ｂは従来のトラン
スファゲートの特性をそれぞれ示した。試験条件は、本
発明の場合は一回転磁界５５０ｅ、印加パルヌ電流５０
ｍＡ、パルス幅０．８μｓ、従来品は回転磁界５ （）
Ｏｅ （３００ＫＨｚ）、印加パルス電流１００ｍＡ
、パルス幅０．４μｓである。図より本発明の双方向性
トランスファゲートは従来のトランスファゲートに比し
バイアスマージンの大きいことがわかる。
ンを示したものである。同図において曲線Ａは本発明の
双方向性トランスファゲートの、曲線Ｂは従来のトラン
スファゲートの特性をそれぞれ示した。試験条件は、本
発明の場合は一回転磁界５５０ｅ、印加パルヌ電流５０
ｍＡ、パルス幅０．８μｓ、従来品は回転磁界５ （）
Ｏｅ （３００ＫＨｚ）、印加パルス電流１００ｍＡ
、パルス幅０．４μｓである。図より本発明の双方向性
トランスファゲートは従来のトランスファゲートに比し
バイアスマージンの大きいことがわかる。
第６図は本発明の双方向性トランスファゲートのトラン
スファイン動作の電流−バイアスマージンを示したもの
である。図より電流５０ ｍＡで十分なバイアスマージ
ンを有していることがわかる。
スファイン動作の電流−バイアスマージンを示したもの
である。図より電流５０ ｍＡで十分なバイアスマージ
ンを有していることがわかる。
以上より従来のカスプティップ型のトランスファゲート
の△θ＝１５°で△Ｈ１１＝３００ｅ、（但しＩｍ＝１
００ｍＡ、シングルパルスＲ） −、Ｊ ＝ ３ＱＯで
△ＨＢ−３００ｅ、（但し■ｓｍ＝ｌＱＱＪ、 ダブ
ルパルス時）の特性に比べ位相幅の拡大、最小動作電流
の低減およびパルスのシングル化が実現すれている。
の△θ＝１５°で△Ｈ１１＝３００ｅ、（但しＩｍ＝１
００ｍＡ、シングルパルスＲ） −、Ｊ ＝ ３ＱＯで
△ＨＢ−３００ｅ、（但し■ｓｍ＝ｌＱＱＪ、 ダブ
ルパルス時）の特性に比べ位相幅の拡大、最小動作電流
の低減およびパルスのシングル化が実現すれている。
箭７図は本発明の双方向性トランスファゲートのトラン
スファアウト動作時の位相−バイアスマージンを示した
もので、トランスファイン動作と同様なマージン幅を有
している。なお試験条件は印加パルス電流９０ｍＡ、パ
ルス幅０．８μｓであるう（６）発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の双方向性トラン
スファゲートはカスプとカスブを結フヘアピン状専体を
設けた構造とすることにより、イオン注入磁気バブルメ
モリの双方向性トランスファゲートを実現したもので、
磁気バブルメモリＱ）機能拡大に効果大なるもす）であ
る。
スファアウト動作時の位相−バイアスマージンを示した
もので、トランスファイン動作と同様なマージン幅を有
している。なお試験条件は印加パルス電流９０ｍＡ、パ
ルス幅０．８μｓであるう（６）発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の双方向性トラン
スファゲートはカスプとカスブを結フヘアピン状専体を
設けた構造とすることにより、イオン注入磁気バブルメ
モリの双方向性トランスファゲートを実現したもので、
磁気バブルメモリＱ）機能拡大に効果大なるもす）であ
る。
＠１図及び第２図はイオン注入磁気バブルメモリデバイ
スを説明するための図、第３図は本発明による磁気バブ
ルメモリデバイスの双方向性トランスファゲートの構造
を示す図、第４図乃至第６図は本発明の双方向性トラン
スファゲートのトランスファイン動作時の特性を示す図
であり、第４図は位相−電流マージン、第５図は位相、
バイアスマージン、第６図は電流−バイアスマージンを
それぞれ示す図、＠７図は本発明の双方向性トランスフ
ァゲートのトランスファアウト動作時の位相−バイアス
マージンを示す図である。 図面に於いて、６はメジャーライン、７はマイ（７） ナーループ、８はヘアピン状導体をそれぞれ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （８） 位相θ（度） ５図 位相θ（度）
スを説明するための図、第３図は本発明による磁気バブ
ルメモリデバイスの双方向性トランスファゲートの構造
を示す図、第４図乃至第６図は本発明の双方向性トラン
スファゲートのトランスファイン動作時の特性を示す図
であり、第４図は位相−電流マージン、第５図は位相、
バイアスマージン、第６図は電流−バイアスマージンを
それぞれ示す図、＠７図は本発明の双方向性トランスフ
ァゲートのトランスファアウト動作時の位相−バイアス
マージンを示す図である。 図面に於いて、６はメジャーライン、７はマイ（７） ナーループ、８はヘアピン状導体をそれぞれ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （８） 位相θ（度） ５図 位相θ（度）
Claims (1)
- １、磁気バブル用結晶膜の上にバブル転送路としてイオ
ン注入法により形成したメジャーラインとマイナールー
プ間を一方より他方にバブルを転送するトランスファゲ
ートにおいて、メジャーラインのカスブ部とマイナール
ープのカスブ部とを結んでヘアピン状の導体を設けたこ
とを特徴とする磁気バブルメモリデバイスの双方向性ト
ランスファゲート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213403A JPS58118086A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213403A JPS58118086A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118086A true JPS58118086A (ja) | 1983-07-13 |
| JPS6338795B2 JPS6338795B2 (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=16638637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213403A Granted JPS58118086A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 磁気バブルメモリデバイスの双方向性トランスフアゲ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641115A1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device, recording method for such a device and method of operating an information storage unit incorporating such a device |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56213403A patent/JPS58118086A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641115A1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device, recording method for such a device and method of operating an information storage unit incorporating such a device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338795B2 (ja) | 1988-08-02 |
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