JPS6040110B2 - 磁気バブルデバイスの検出器 - Google Patents
磁気バブルデバイスの検出器Info
- Publication number
- JPS6040110B2 JPS6040110B2 JP4411681A JP4411681A JPS6040110B2 JP S6040110 B2 JPS6040110 B2 JP S6040110B2 JP 4411681 A JP4411681 A JP 4411681A JP 4411681 A JP4411681 A JP 4411681A JP S6040110 B2 JPS6040110 B2 JP S6040110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- magnetic bubble
- stretch
- bubble device
- stretch conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルデバイスのバブル検出器の改良に関
する。
する。
最近磁気バブルを利用した磁気バブルメモリデバイスに
も記憶密度の増加が要求されるため、１つの方法として
高密度化が可能なイオン注入法による転送パターンの形
成法が開発されている。
も記憶密度の増加が要求されるため、１つの方法として
高密度化が可能なイオン注入法による転送パターンの形
成法が開発されている。
以下、本発明はイオン注入磁気バブルデバイスを例にし
て説明する。この方法は、第１図の平面図および第２図
の断面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト（Ｑ℃）基板１の上に磁性ガーネットの薄膜２を液相
ェピタキシヤル成長させて形成し、この磁性薄膜２に対
しパターン３以外の部分に水素、ネオン、ヘリウム等の
イオンを注入するのである。
て説明する。この方法は、第１図の平面図および第２図
の断面図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト（Ｑ℃）基板１の上に磁性ガーネットの薄膜２を液相
ェピタキシヤル成長させて形成し、この磁性薄膜２に対
しパターン３以外の部分に水素、ネオン、ヘリウム等の
イオンを注入するのである。
このようにパターン３を形成した素子はィオンを注入さ
れた部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印ｂの如
くもとのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５
は回転磁界によってパターン３の周辺に沿って矢印ｃの
如く転送される。そしてパターン３は円形のパターンを
一部づつ重ねて連接させた形状であり、従来のパーマロ
ィパターンの如くギャップを必要としないため寸法精度
が緩くも良く、従ってパターンが小さくでき高密度化が
実現される。このようなイオン注入磁気バブルメモリデ
バイスにおいてはバブルの検出に従来の如きパーマロィ
パターンによるストレッチャ検出器が用し、れないので
、第３図に示す如きストレッチコンダク夕を用いた検出
器が用いられる。図の符号６は転送パターン、７はスト
レッチコンダクタ、８は磁気抵抗効果を利用するパーマ
ロイディテクタである。この検出器の動作を簡単に説明
すると、バブル９は回転磁界Ｈｒにより矢印の如く転送
パターン６に左から右へ転送されるが、バブルがストレ
ッチコンダク夕７のヘアピンループに位置するカスプー
川こ滞在している間にストレッチコンダクタ７にストレ
ッチパルス電流を流しバブルを引伸ばしてストライプド
メインとなし、このストライプドメインによるパーマロ
ィディテクタ８の抵抗変化を検出するのである。第４図
はダミーを備えた検出器の実際例を示したもので、パー
マロイディテクタ８より端子１１．１１′へ至る引出線
１２，１２′はストレッチコンダク夕７とＡ及びＢ部で
交差している。
れた部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印ｂの如
くもとのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５
は回転磁界によってパターン３の周辺に沿って矢印ｃの
如く転送される。そしてパターン３は円形のパターンを
一部づつ重ねて連接させた形状であり、従来のパーマロ
ィパターンの如くギャップを必要としないため寸法精度
が緩くも良く、従ってパターンが小さくでき高密度化が
実現される。このようなイオン注入磁気バブルメモリデ
バイスにおいてはバブルの検出に従来の如きパーマロィ
パターンによるストレッチャ検出器が用し、れないので
、第３図に示す如きストレッチコンダク夕を用いた検出
器が用いられる。図の符号６は転送パターン、７はスト
レッチコンダクタ、８は磁気抵抗効果を利用するパーマ
ロイディテクタである。この検出器の動作を簡単に説明
すると、バブル９は回転磁界Ｈｒにより矢印の如く転送
パターン６に左から右へ転送されるが、バブルがストレ
ッチコンダク夕７のヘアピンループに位置するカスプー
川こ滞在している間にストレッチコンダクタ７にストレ
ッチパルス電流を流しバブルを引伸ばしてストライプド
メインとなし、このストライプドメインによるパーマロ
ィディテクタ８の抵抗変化を検出するのである。第４図
はダミーを備えた検出器の実際例を示したもので、パー
マロイディテクタ８より端子１１．１１′へ至る引出線
１２，１２′はストレッチコンダク夕７とＡ及びＢ部で
交差している。
この交差部Ａ，Ｂは第５図の断面図に示す如く、ストレ
ッチコンダクタ７とパーマロイデイテクタ８は厚さ約２
０００△のＳｉ０２層１ １ａを介して交差している。
なお、図の符号１２ａは基板、１３は絶縁層である。ま
たパーマロィディテクタ８には磁気抵抗効果を利用して
バブル検出するため２〜３ｈＡの直流電流を流しており
、このためディテタク８の両端には１〜１．Ｗの電位が
生ずる。このため第４図のＡ部は低電位側であるためＯ
Ｖであるが、Ｂ部は１〜１．５Ｖとなる。またストレッ
チコンダクタ７にはパルス電流を流すけれども電位は約
ＯＶであ。従ってストレッチコンダクタ７とディテクタ
８の高電位側との交差部ＢにはＳｉ０２層が薄いため強
電界（ＩＶ／２０００Ａ＝５０ｋＶ／ｃの）が生じＳｊ
０２層１ １ ａが破壊され、これに伴いパーマロィデ
ィテクタ８が切断されることがある。本発明はこの問題
を解決するために案出されたものである。このため本発
明においては、ヘアピンループ状に形成したストレッチ
コンダクタと、その中心に配置したパーマロィディテク
夕とを具備した磁気バブルデバイスの検出器において、
パーマロィディテクタの高電位側の端子をストレッチコ
ンダクタと交差しないように配置したことを特徴とする
ものである。
ッチコンダクタ７とパーマロイデイテクタ８は厚さ約２
０００△のＳｉ０２層１ １ａを介して交差している。
なお、図の符号１２ａは基板、１３は絶縁層である。ま
たパーマロィディテクタ８には磁気抵抗効果を利用して
バブル検出するため２〜３ｈＡの直流電流を流しており
、このためディテタク８の両端には１〜１．Ｗの電位が
生ずる。このため第４図のＡ部は低電位側であるためＯ
Ｖであるが、Ｂ部は１〜１．５Ｖとなる。またストレッ
チコンダクタ７にはパルス電流を流すけれども電位は約
ＯＶであ。従ってストレッチコンダクタ７とディテクタ
８の高電位側との交差部ＢにはＳｉ０２層が薄いため強
電界（ＩＶ／２０００Ａ＝５０ｋＶ／ｃの）が生じＳｊ
０２層１ １ ａが破壊され、これに伴いパーマロィデ
ィテクタ８が切断されることがある。本発明はこの問題
を解決するために案出されたものである。このため本発
明においては、ヘアピンループ状に形成したストレッチ
コンダクタと、その中心に配置したパーマロィディテク
夕とを具備した磁気バブルデバイスの検出器において、
パーマロィディテクタの高電位側の端子をストレッチコ
ンダクタと交差しないように配置したことを特徴とする
ものである。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第６図に実施例を示す。
本実施例は２個の検出器イ及び口を有しているが一方は
ダミーである。そしてストレッチコンダクタ１４はヘア
ピン状に形成され、パーマロィディテク夕１５，１５′
はストレッチコンダクタの中央に設けれている。、号１
６及び１７はストレッチコンダクタ１４の子であり、１
８，１８′はパーマロイデイテクタ１５，１５′の低電
位側の端子でストレッチコンダクタの端子１６，１７の
外側に配置されている。１９，１９′はパーマロイデイ
テクタ１５，１５′の高電位側の端子でありストレッチ
コンダクタの端子１６，１７の中間に配置されている。
ダミーである。そしてストレッチコンダクタ１４はヘア
ピン状に形成され、パーマロィディテク夕１５，１５′
はストレッチコンダクタの中央に設けれている。、号１
６及び１７はストレッチコンダクタ１４の子であり、１
８，１８′はパーマロイデイテクタ１５，１５′の低電
位側の端子でストレッチコンダクタの端子１６，１７の
外側に配置されている。１９，１９′はパーマロイデイ
テクタ１５，１５′の高電位側の端子でありストレッチ
コンダクタの端子１６，１７の中間に配置されている。
従ってパーマロィディテクタ１５，１５′より低位側の
端子１８，１８′への引出し線２０，２０′はストレッ
チコンダクタ１４とＣ部で交差しているが、高電位側の
の端子１９，１９′への引出し線２１，２１′はストレ
ッチコンダクタ１４とは交差しないよになっている。こ
のように形成された本実施例はバブルを検出するとき、
ストレッチコンダクタ１４によりバフルはパーマロイデ
イテクタ１５，１５′上に引伸ばされ、該パーマロィデ
ィテクタ１５，１５′の両端にはそれぞれ約１〜１．５
Ｖの電圧が発生する。
端子１８，１８′への引出し線２０，２０′はストレッ
チコンダクタ１４とＣ部で交差しているが、高電位側の
の端子１９，１９′への引出し線２１，２１′はストレ
ッチコンダクタ１４とは交差しないよになっている。こ
のように形成された本実施例はバブルを検出するとき、
ストレッチコンダクタ１４によりバフルはパーマロイデ
イテクタ１５，１５′上に引伸ばされ、該パーマロィデ
ィテクタ１５，１５′の両端にはそれぞれ約１〜１．５
Ｖの電圧が発生する。
このときパーマロイデイテクタ１５，１５′の引出し線
２０，２０′とストレッチコンダクタ１４との交差部Ｃ
にはパーマロィディテク夕の低電位側であるため大きな
電位差は生じない。またパーマロィディテクタ１５，１
５′の高電位側はストレッチコンダクタ１４とは交差し
ていないため、何れも絶縁層の破壊を生ずることはない
。以上イオン注入バブルデバイスを例にして説明した如
く本発明の検出器はパーマロィディテクタの高電位側と
ストレッチコンダクタとが交差しないように形成するこ
とにより、絶縁層の破壊を防止し磁気バブルデバイスの
信頼性向上を可能としたものである。
２０，２０′とストレッチコンダクタ１４との交差部Ｃ
にはパーマロィディテク夕の低電位側であるため大きな
電位差は生じない。またパーマロィディテクタ１５，１
５′の高電位側はストレッチコンダクタ１４とは交差し
ていないため、何れも絶縁層の破壊を生ずることはない
。以上イオン注入バブルデバイスを例にして説明した如
く本発明の検出器はパーマロィディテクタの高電位側と
ストレッチコンダクタとが交差しないように形成するこ
とにより、絶縁層の破壊を防止し磁気バブルデバイスの
信頼性向上を可能としたものである。
第１図はイオン注入磁気バブルデバイスの原理説明図、
第２図は第１図のローロ線における断面図、第３図はイ
オン注入磁気バブルデバイスの検出器の原理説明図、第
４図はイオン注入磁気バブルデバイスの従来の検出器の
構成図、第５図はそのストレッチコンダクタとパーマロ
イデイテクタの交差部の拡大断面図、第６図は本発明に
かかる実施例のイオン注入磁気バブルデバイスの検出器
の構成図である。 １４……ストレッチコンダク夕、１５，１５′……パー
マロイデイテクタ、１６，１７……ストレッチコソダク
タの端子、１８，１８′・・・・・・パーマロィディテ
クタの低圧側の端子、１９，１９′……パーマロィディ
テクタの高圧側の端子。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
第２図は第１図のローロ線における断面図、第３図はイ
オン注入磁気バブルデバイスの検出器の原理説明図、第
４図はイオン注入磁気バブルデバイスの従来の検出器の
構成図、第５図はそのストレッチコンダクタとパーマロ
イデイテクタの交差部の拡大断面図、第６図は本発明に
かかる実施例のイオン注入磁気バブルデバイスの検出器
の構成図である。 １４……ストレッチコンダク夕、１５，１５′……パー
マロイデイテクタ、１６，１７……ストレッチコソダク
タの端子、１８，１８′・・・・・・パーマロィディテ
クタの低圧側の端子、１９，１９′……パーマロィディ
テクタの高圧側の端子。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ ヘアピンループ状に形成したストレツチコンダクタ
と、その中心の配置したパーマロイデイテクタとを具備
した磁気バブルデバイスの検出器において、パーマロイ
デイテクタの高電位側の端子をストレツチコンダクタと
交差しないように配置したとを特徴とする磁気バブルデ
バイスの検出器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4411681A JPS6040110B2 (ja) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | 磁気バブルデバイスの検出器 |
| DE8181304301T DE3176047D1 (en) | 1980-09-20 | 1981-09-18 | Magnetic bubble memory device |
| EP81304301A EP0048606B1 (en) | 1980-09-20 | 1981-09-18 | Magnetic bubble memory device |
| US06/303,588 US4445200A (en) | 1980-09-20 | 1981-09-18 | Magnetic bubble memory detection method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4411681A JPS6040110B2 (ja) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | 磁気バブルデバイスの検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57162172A JPS57162172A (en) | 1982-10-05 |
| JPS6040110B2 true JPS6040110B2 (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12682626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4411681A Expired JPS6040110B2 (ja) | 1980-09-20 | 1981-03-27 | 磁気バブルデバイスの検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040110B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03140007A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Daishinku Co | 表面実装用パッケージ |
| JPH0518758A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-01-26 | Murata Mfg Co Ltd | 振動ジヤイロ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864691A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-18 | Nec Corp | コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器 |
| JPS59117773A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-07 | Nec Corp | 磁気バブル検出器 |
| JPH045532Y2 (ja) * | 1986-08-25 | 1992-02-17 |
-
1981
- 1981-03-27 JP JP4411681A patent/JPS6040110B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03140007A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Daishinku Co | 表面実装用パッケージ |
| JPH0518758A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-01-26 | Murata Mfg Co Ltd | 振動ジヤイロ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57162172A (en) | 1982-10-05 |
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