KR970071478A - 스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 - Google Patents

스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970071478A
KR970071478A KR1019960076673A KR19960076673A KR970071478A KR 970071478 A KR970071478 A KR 970071478A KR 1019960076673 A KR1019960076673 A KR 1019960076673A KR 19960076673 A KR19960076673 A KR 19960076673A KR 970071478 A KR970071478 A KR 970071478A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
spin valve
magnetization
valve element
antiferromagnetic
Prior art date
Application number
KR1019960076673A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100254324B1 (ko
Inventor
요시노리 오쓰카
요시후미 미조시타
타카오 고시카와
Original Assignee
세키사와 다다시
후지쓰 가부시키카이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키사와 다다시, 후지쓰 가부시키카이샤 filed Critical 세키사와 다다시
Publication of KR970071478A publication Critical patent/KR970071478A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100254324B1 publication Critical patent/KR100254324B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3945Heads comprising more than one sensitive element
    • G11B5/3948Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
    • G11B5/3951Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
    • G11B5/3954Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/40Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165Auxiliary circuits
    • G11C11/1659Cell access
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165Auxiliary circuits
    • G11C11/1675Writing or programming circuits or methods
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B19/00Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
    • G11B19/02Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
    • G11B19/04Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/02Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B5/09Digital recording

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

스핀밸브형 자기헤드는, 제1의 자화자유층과 제1의 자화고정층과 제1의 비자성중간층으로서 분리한 구조를 가지는 제1의 스핀밸브 소자와, 제2의 자화자유층과 제2의 자화고정층을 제2의 비자성중간층으로서 분리한 구조를 가지는 제2의 스핀밸브 소자를 가지고, 더구나, 제1의 자화고정층과 제2의 자화고정층은 각각 반평행으로 자화되고, 제1 및 제2의 자유층은 외부자계에 의하여 회전가능케 자화되어 있다.

Description

스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예의 자기기록장치의 재생전용의 자기헤드에서의 스핀밸브 충구성과 회로 접속상태를 도시한 분해사시도, 제4도는 본 발명의 제1실시예의 재생전용의 자기헤드의 스핀밸브 소자와 전극과의 접속상태의 제1예를 도시한 사시도.

Claims (24)

  1. 제1의 자화자유층과 제1의 방향으로 자회된 제1의 자화고정층을 제1의 비자성중간층으로 분리한 구조를 가지는 제1의 스핀밸브 소자와, 제1의 스핀밸브 소자상에 직접 또는 절연층을 통하여 형성되고, 더우기 제2의 자화자유층과 제2의 방향으로 자화된 제2의 자화고정층을 제2의 비자성중간층으로서 분리한 구조를 가지고, 그 제2의 방향과 전기 제1의 방향은 서로 반평행인 제2의 스핀밸브 소자와, 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자에 접속된 복수의 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  2. 제1항에 있어서, 전기 제1의 방향과 전기 제2의 방향은, 매체대향면에 수직한 방향인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  3. 복수의 전기 자극은, 전기 제1의 스핀밸브 소자위와 전기 제2의 스판밸브 소자상중의 자기기록매체대향면에 수직 방향으로 또는 그 자기 기록매체대향면에 평행방향으로 서로 간격을 두어 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  4. 제3항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자 및 전기 제2의 스핀밸브 소자중 자기기록매체와의 대향면을 덮는 도전막 또는 그 대향면의 표면에 형성된 도전층에 의하여 전기 전극중 하나가 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  5. 제3항에 전기 제1의 스핀밸브 소자 및 전기 제2의 스핀밸브 소자중 자기 기록매체에 가까운 측에 접속된 전기 전극에는, 그 자기기록매체와 같은 전위가 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  6. 제5항에 있어서, 전기 자기기록매체 가까운 측에 접속된 전기 자극은, 전기 제1의 스핀밸브소자 및 전기 제2의 스핀밸브 소자를 끼우는 자기 실드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  7. 제2항, 제3항, 제4항, 제5항 또는 제6항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자, 전기 제2스핀밸브 소자에는 전기 자기기록매체와의 대향면에 대하여 평행 또는 수직으로 센스전류를 흘리는 전류원이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  8. 제1항에 있어서, 전기 제1의 자화자유층과 전기 제2의 자화자유층의 각각의 자화 방향은 자기기록매체대향면에 대하여 대략 평행으로, 서로 평행 또는 반평행으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  9. 제1항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자의 제1의 자화고정층은, 제1의 반강자성층에 접하고 그 제1의 반강자성층에 의해서 전기 제1의 방향의 자화가 고정되어 있어서, 전기 제2의 스핀밸브 소자의 제2의 자화고정층은, 제2의 반강자성층에 접하고, 그 제2의 반강자성층에 의해서 전기 제2의 방향의 자화가 고정되고, 전기 제1의 반강자성층과 전기 제2의 반강자성층은 전기 절연층에 의해서 자기적으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  10. 제1항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자의 제1의 자화고정층은, 제1의 경질자성층에 접하고, 그 제1의 경질자성층에 의하여 전기 제1의 방향의 자화가 고정되어 있어서, 전기 제2의 경질자성층에 의해서 전기 제2의 방향의 자화가 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  11. 제1항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자의 제1의 자화고정층은 제1의 경질자성재료로서 형성되고, 전기 제2의 스핀밸브소자의 제2의 자화고정층은 제2의 경질자성재로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
  12. 제1의 자화자유층과 제1의 방향으로 자회된 제1의 자화고정층을 제1의 비자성중간층으로 분리한 구조를 가지는 제1의 스핀밸브 소자와, 전기 제1의 스핀밸브 소자상에 직접 또는 절연층을 통하여 형성되고, 또한 전기 제1의 방향에 대하여 반평행으로 자화된 제2의 자화고정층과 외부자계에 의하여 회전가능한 제2의 자화자유층을 제2의 비자성중간층으로 분리한 구조를 가지는 제2의 스핀밸브 소자와, 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자에 접속된 복수의 전극을 가지는 재생용자기헤드와, 기록용자기헤드와, 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자의 각각에 정정류를 공급하는 전류공급원과, 외부신호자계에 의해서 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자의 출력을 차동검출하는 회로를 가지는 자기기록재생장치.
  13. 하지층상에, 제1의 자화자유층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화고정층과 제1의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 제1의 반강자성층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기 비자성절연층상에 제2의 자화자유층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화고정층과 제2의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제2의 반강자성층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제1의 반강자성층 까지를 제1의 스핀밸브 소자로 하고, 전기 제2의 자화자유층에서 전기 제2의 반강자성층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  14. 하지층상에, 제1의 반강자성층과 제1의 자화고정층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화자유층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기 비자성절연층상에, 제2의 자화자유층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화고정층과 제2의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제2의 반강자성층 까지를 패터닝하여, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제1의자화자유층까지를 제1의 스핀밸브소자로 하고, 전기 제2의 자화자유층에서 전기 제2의 반강자성층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  15. 하지층상에, 제1의 자화자유층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화고정층과 제1의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 제1의 반강자성층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기비자성절연층상에 제2의 반강자성층과 제2의 자화고정층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화자유층과를 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제2의 자유층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제1의 반강자성층까지를 제1의 스핀밸브 소자로 하고, 전기 제2의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 제2의 스핀밸브소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  16. 하지층상에, 제1의 반강자성층과 제1의 자화고정층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화자유층과를 이 순서로 형성하는 공정과, 제1의 자화자유층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기 비자성절연층상에 제2의 반강자성층과 제2의 자화고정층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화자유층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제1의 자화자유층까지를 제1의 스핀밸브를 소자로 하고, 전기 제2의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 제1의 반강자성층과 전기 제2의 반강자성층의 적어도 한쪽을 도전재료로서 형성하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  18. 하지층상에, 제1의 자화자유층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화고정층과 절연성이 제1의 반강자성층을 형성하는 공정과, 전기 제1의 반강자성층상에, 절연성의 제2의 반강자성층과 제2의 자화고정층과 제2의 비자성성중간층과를 제2의 자화자유층을 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제1의 반강자성층까지를 제1의 스핀밸브 소자로 하고, 전기 제2의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 전기 제1의 반강자성층을 구성하는 절연재, 또는 전기 제2의 반강자성층을 구성하는 절연재는, NiO, CoO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  20. 제13항에 있어서, 제1바양의 자계중에서, 제1의 온도로 가열하면서 전기 제1의 자화고정층과 제1의 반강자성막을 진공중에서 성막하는 공정과, 전기 제1의 방향과는 다른 제2의 방향의 자계중에서, 전기 제1의 온도보다 낮은 온도로 가열하면서 전기 제1의 반강자성막보다 블로킹 온도가 낮은 재료로서 전기 제2의 반강자성과 제2의 자화고정층을 성막하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  21. 제13항에 있어서, 상기 제1의 자화자유층과 상기 제1의 비자성중간층과 상기 제1의 자화고정층을 성막한 후에, 제1의 방향의 자계중에서 상기 제1의 고정층을 자화시키는 열처리를 행한는 공정과, 상기 제2의 자화자유층과 상기 제2의 비자성중간층과 상기 제2의 자화고정층을 성막한 후에, 제1의 방향과는 다른 제2방향의 자계중에서 상기 제1의 온도보다 낮은 온도로 상기 제2의 고정층을 자화시키는 열처리를 행하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  22. 제13항에 있어서, 블로킹 온도가 높은 제1의 재료로서 상기 제1의 반강자성층을 성막하고, 블로킹 온도의 낮은 제2의 재료로서 상기 제2의 반강자성층을 성막한 후에, 제1방향의 자계중에서 상기 제1의 반가자성층이 교환상호작용을 생기게 하는 제1의 온도로 가열하는 공정과, 상기 제1의 방향과는 다른 제2의 방향이 자계중에서, 제1의 온도보다 낮은 상기 제2반강자성층이 교환상호작용을 생기게 하는 온도로 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  23. 제13항에 있어서, 상기 제1의 반강자성층의 대신에 제1의 경질자성층을, 상기 제2의 반강자성층의 대신에 제2의 경질자성층을 사용하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제1의 경질자성층은, 상기 제2의 경질자성층 보다 보자력이 큰 재료로서 형성되고, 상기 제1의 경질자성층은 상기 제2의 경질자성층보다 약한 자계를 사용하여 자화되는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960076673A 1996-04-04 1996-12-30 스핀밸브 자기저항효과헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 KR100254324B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-82238 1996-04-04
JP96-082238 1996-04-04
JP8082238A JPH09274710A (ja) 1996-04-04 1996-04-04 スピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970071478A true KR970071478A (ko) 1997-11-07
KR100254324B1 KR100254324B1 (ko) 2000-05-01

Family

ID=13768840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960076673A KR100254324B1 (ko) 1996-04-04 1996-12-30 스핀밸브 자기저항효과헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5859753A (ko)
EP (1) EP0800161A3 (ko)
JP (1) JPH09274710A (ko)
KR (1) KR100254324B1 (ko)
CN (2) CN1074152C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436952B1 (ko) * 2000-08-04 2004-06-23 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 자기저항 효과 소자, 자기 헤드, 자기 기록 장치, 및메모리 소자

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690553B2 (en) * 1996-08-26 2004-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect device, magnetic head therewith, magnetic recording/reproducing head, and magnetic storing apparatus
US5859754A (en) * 1997-04-03 1999-01-12 Read-Rite Corporation Magnetoresistive transducer having a common magnetic bias using assertive and complementary signals
JP3528511B2 (ja) * 1997-04-14 2004-05-17 松下電器産業株式会社 薄膜磁気ヘッド
JP2000113421A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Hitachi Ltd 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド
US6185079B1 (en) * 1998-11-09 2001-02-06 International Business Machines Corporation Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor
US6556388B1 (en) * 1998-11-20 2003-04-29 Seagate Technology Llc Differential VGMR sensor
US6801411B1 (en) * 1999-02-10 2004-10-05 Western Digital (Fremont), Inc. Dual stripe spin valve sensor without antiferromagnetic pinning layer
DE19924756A1 (de) * 1999-05-29 2000-11-30 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistives Element
US6291087B1 (en) 1999-06-21 2001-09-18 Headway Technologies, Inc. Magnetoresistive (MR) sensor element with enhanced resistivity sensitivity and enhanced magnetic exchange bias
US6308400B1 (en) 1999-08-06 2001-10-30 Headway Technologies, Inc. Method for achieving anti-parallel exchange coupling with one biased layer having low coercivity
US6295718B1 (en) 1999-08-16 2001-10-02 Headway Technologies, Inc. Method for fabricating a non-parallel magnetically biased multiple magnetoresistive (MR) layer magnetoresistive (MR) sensor element
US6129957A (en) * 1999-10-12 2000-10-10 Headway Technologies, Inc. Method of forming a second antiferromagnetic exchange-coupling layer for magnetoresistive (MR) and giant MR (GMR) applications
US6381105B1 (en) 1999-10-22 2002-04-30 Read-Rite Corporation Hybrid dual spin valve sensor and method for making same
US6456465B1 (en) 1999-11-09 2002-09-24 Read-Rite Corporation Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield
US6643103B1 (en) * 2000-01-05 2003-11-04 Seagate Technology Llc Very high linear resolution CPP differential dual spin valve magnetoresistive head
US6473275B1 (en) * 2000-06-06 2002-10-29 International Business Machines Corporation Dual hybrid magnetic tunnel junction/giant magnetoresistive sensor
US6822814B2 (en) 2000-11-10 2004-11-23 Jpmorgan Chase Bank, As Collateral Agent Write head collision detection using MR read element in disc drives
JP3760095B2 (ja) * 2000-12-14 2006-03-29 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 2素子型再生センサ、垂直磁気記録再生用薄膜磁気ヘッド及び垂直磁気記録再生装置
US6470566B2 (en) 2001-01-03 2002-10-29 International Business Machines Corporation ESD protection during GMR head fabrication
US6633461B2 (en) 2001-03-20 2003-10-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Dual tunnel junction sensor antiferromagnetic layer between pinned layers
JP3729498B2 (ja) * 2003-02-26 2005-12-21 株式会社東芝 磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置
US7093347B2 (en) * 2003-12-05 2006-08-22 Seagate Technology Llc Method of making a current-perpendicular to the plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor
CN100392421C (zh) * 2004-11-10 2008-06-04 中国科学院物理研究所 用于电流过载保护器的开关型磁场传感器
CN100452471C (zh) * 2005-09-27 2009-01-14 中国科学院物理研究所 一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
TWI449067B (zh) * 2011-06-01 2014-08-11 Voltafield Technology Corp 自旋閥磁阻感測器
CN105096963B (zh) * 2014-04-25 2018-06-26 华为技术有限公司 写装置及磁性存储器
US10777248B1 (en) * 2019-06-24 2020-09-15 Western Digital Technologies, Inc. Heat assisted perpendicular spin transfer torque MRAM memory cell

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6323217A (ja) * 1986-07-15 1988-01-30 Sony Corp 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
JP2725977B2 (ja) * 1992-08-28 1998-03-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5569544A (en) * 1992-11-16 1996-10-29 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate layers of less than 30 angstroms formed of alloys having immiscible components
US5576915A (en) * 1993-03-15 1996-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof
JPH0721530A (ja) * 1993-06-30 1995-01-24 Toshiba Corp 磁気抵抗効果型ヘッド
JPH0745884A (ja) * 1993-07-28 1995-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
JP2743806B2 (ja) * 1993-12-28 1998-04-22 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜およびその製造方法
DE69511145T2 (de) * 1994-03-09 2000-02-03 Eastman Kodak Co Magnetoresistiver Wiedergabekopf mit doppeltem Spin-Ventilelement
US5442508A (en) * 1994-05-25 1995-08-15 Eastman Kodak Company Giant magnetoresistive reproduce head having dual magnetoresistive sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436952B1 (ko) * 2000-08-04 2004-06-23 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 자기저항 효과 소자, 자기 헤드, 자기 기록 장치, 및메모리 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR100254324B1 (ko) 2000-05-01
CN1074152C (zh) 2001-10-31
JPH09274710A (ja) 1997-10-21
CN1343969A (zh) 2002-04-10
CN1161531A (zh) 1997-10-08
EP0800161A3 (en) 1998-07-01
US5859753A (en) 1999-01-12
EP0800161A2 (en) 1997-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970071478A (ko) 스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치
RU2585578C2 (ru) Элемент магнитной памяти
US6865109B2 (en) Magnetic random access memory having flux closure for the free layer and spin transfer write mechanism
KR970063046A (ko) 자기저항 효과 헤드
JP3210192B2 (ja) 磁気検出素子
WO2004013861A3 (en) Magnetic element utilizing spin transfer and an mram device using the magnetic element
US7366009B2 (en) Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction
JPH10162326A (ja) 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
JP2003188358A5 (ko)
JP4147118B2 (ja) 3端子型磁気ヘッドとそれを搭載した磁気記録再生装置
JP5092464B2 (ja) 磁壁移動検出端子を有する磁壁移動型磁気記録素子
TW200414191A (en) Antiferromagnetically coupled bi-layer sensor for magnetic random access memory
JP2000512763A (ja) ホイートストンブリッジを備える磁界センサ
JPH0589435A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
JP2000113666A (ja) 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
KR100952919B1 (ko) 수직 자화 터널 접합을 이용한 고용량 엠램
JP2009283094A (ja) 磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置
US5721654A (en) Magnetometric sensor magnetically isolated two regions formed of spin-polarized material and magnetic head using the same
JPH11259824A (ja) 磁気記録再生装置及びそれに用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP3013031B2 (ja) 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗センサ
JP2003031773A (ja) 磁気メモリ素子及びその記録方法、並びにその磁気メモリ素子を用いたメモリ
JPS58166527A (ja) 磁気抵抗効果ヘツド
JPS6029917A (ja) 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
JPH06203333A (ja) 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
JPH09306160A (ja) 磁気メモリ素子および情報記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030123

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee