KR970071478A - 스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 - Google Patents
스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970071478A KR970071478A KR1019960076673A KR19960076673A KR970071478A KR 970071478 A KR970071478 A KR 970071478A KR 1019960076673 A KR1019960076673 A KR 1019960076673A KR 19960076673 A KR19960076673 A KR 19960076673A KR 970071478 A KR970071478 A KR 970071478A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- spin valve
- magnetization
- valve element
- antiferromagnetic
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract 55
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B19/04—Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
스핀밸브형 자기헤드는, 제1의 자화자유층과 제1의 자화고정층과 제1의 비자성중간층으로서 분리한 구조를 가지는 제1의 스핀밸브 소자와, 제2의 자화자유층과 제2의 자화고정층을 제2의 비자성중간층으로서 분리한 구조를 가지는 제2의 스핀밸브 소자를 가지고, 더구나, 제1의 자화고정층과 제2의 자화고정층은 각각 반평행으로 자화되고, 제1 및 제2의 자유층은 외부자계에 의하여 회전가능케 자화되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예의 자기기록장치의 재생전용의 자기헤드에서의 스핀밸브 충구성과 회로 접속상태를 도시한 분해사시도, 제4도는 본 발명의 제1실시예의 재생전용의 자기헤드의 스핀밸브 소자와 전극과의 접속상태의 제1예를 도시한 사시도.
Claims (24)
- 제1의 자화자유층과 제1의 방향으로 자회된 제1의 자화고정층을 제1의 비자성중간층으로 분리한 구조를 가지는 제1의 스핀밸브 소자와, 제1의 스핀밸브 소자상에 직접 또는 절연층을 통하여 형성되고, 더우기 제2의 자화자유층과 제2의 방향으로 자화된 제2의 자화고정층을 제2의 비자성중간층으로서 분리한 구조를 가지고, 그 제2의 방향과 전기 제1의 방향은 서로 반평행인 제2의 스핀밸브 소자와, 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자에 접속된 복수의 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제1항에 있어서, 전기 제1의 방향과 전기 제2의 방향은, 매체대향면에 수직한 방향인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 복수의 전기 자극은, 전기 제1의 스핀밸브 소자위와 전기 제2의 스판밸브 소자상중의 자기기록매체대향면에 수직 방향으로 또는 그 자기 기록매체대향면에 평행방향으로 서로 간격을 두어 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제3항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자 및 전기 제2의 스핀밸브 소자중 자기기록매체와의 대향면을 덮는 도전막 또는 그 대향면의 표면에 형성된 도전층에 의하여 전기 전극중 하나가 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제3항에 전기 제1의 스핀밸브 소자 및 전기 제2의 스핀밸브 소자중 자기 기록매체에 가까운 측에 접속된 전기 전극에는, 그 자기기록매체와 같은 전위가 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제5항에 있어서, 전기 자기기록매체 가까운 측에 접속된 전기 자극은, 전기 제1의 스핀밸브소자 및 전기 제2의 스핀밸브 소자를 끼우는 자기 실드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제2항, 제3항, 제4항, 제5항 또는 제6항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자, 전기 제2스핀밸브 소자에는 전기 자기기록매체와의 대향면에 대하여 평행 또는 수직으로 센스전류를 흘리는 전류원이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제1항에 있어서, 전기 제1의 자화자유층과 전기 제2의 자화자유층의 각각의 자화 방향은 자기기록매체대향면에 대하여 대략 평행으로, 서로 평행 또는 반평행으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제1항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자의 제1의 자화고정층은, 제1의 반강자성층에 접하고 그 제1의 반강자성층에 의해서 전기 제1의 방향의 자화가 고정되어 있어서, 전기 제2의 스핀밸브 소자의 제2의 자화고정층은, 제2의 반강자성층에 접하고, 그 제2의 반강자성층에 의해서 전기 제2의 방향의 자화가 고정되고, 전기 제1의 반강자성층과 전기 제2의 반강자성층은 전기 절연층에 의해서 자기적으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제1항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자의 제1의 자화고정층은, 제1의 경질자성층에 접하고, 그 제1의 경질자성층에 의하여 전기 제1의 방향의 자화가 고정되어 있어서, 전기 제2의 경질자성층에 의해서 전기 제2의 방향의 자화가 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제1항에 있어서, 전기 제1의 스핀밸브 소자의 제1의 자화고정층은 제1의 경질자성재료로서 형성되고, 전기 제2의 스핀밸브소자의 제2의 자화고정층은 제2의 경질자성재로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과헤드.
- 제1의 자화자유층과 제1의 방향으로 자회된 제1의 자화고정층을 제1의 비자성중간층으로 분리한 구조를 가지는 제1의 스핀밸브 소자와, 전기 제1의 스핀밸브 소자상에 직접 또는 절연층을 통하여 형성되고, 또한 전기 제1의 방향에 대하여 반평행으로 자화된 제2의 자화고정층과 외부자계에 의하여 회전가능한 제2의 자화자유층을 제2의 비자성중간층으로 분리한 구조를 가지는 제2의 스핀밸브 소자와, 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자에 접속된 복수의 전극을 가지는 재생용자기헤드와, 기록용자기헤드와, 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자의 각각에 정정류를 공급하는 전류공급원과, 외부신호자계에 의해서 전기 제1의 스핀밸브 소자와 전기 제2의 스핀밸브 소자의 출력을 차동검출하는 회로를 가지는 자기기록재생장치.
- 하지층상에, 제1의 자화자유층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화고정층과 제1의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 제1의 반강자성층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기 비자성절연층상에 제2의 자화자유층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화고정층과 제2의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제2의 반강자성층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제1의 반강자성층 까지를 제1의 스핀밸브 소자로 하고, 전기 제2의 자화자유층에서 전기 제2의 반강자성층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 하지층상에, 제1의 반강자성층과 제1의 자화고정층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화자유층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기 비자성절연층상에, 제2의 자화자유층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화고정층과 제2의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제2의 반강자성층 까지를 패터닝하여, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제1의자화자유층까지를 제1의 스핀밸브소자로 하고, 전기 제2의 자화자유층에서 전기 제2의 반강자성층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 하지층상에, 제1의 자화자유층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화고정층과 제1의 반강자성층을 이 순서로 형성하는 공정과, 제1의 반강자성층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기비자성절연층상에 제2의 반강자성층과 제2의 자화고정층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화자유층과를 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제2의 자유층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제1의 반강자성층까지를 제1의 스핀밸브 소자로 하고, 전기 제2의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 제2의 스핀밸브소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 하지층상에, 제1의 반강자성층과 제1의 자화고정층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화자유층과를 이 순서로 형성하는 공정과, 제1의 자화자유층상에 비자성절연층을 형성하는 공정과, 전기 비자성절연층상에 제2의 반강자성층과 제2의 자화고정층과 제2의 비자성중간층과 제2의 자화자유층을 이 순서로 형성하는 공정과, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 반강자성층에서 전기 제1의 자화자유층까지를 제1의 스핀밸브를 소자로 하고, 전기 제2의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 제1의 반강자성층과 전기 제2의 반강자성층의 적어도 한쪽을 도전재료로서 형성하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 하지층상에, 제1의 자화자유층과 제1의 비자성중간층과 제1의 자화고정층과 절연성이 제1의 반강자성층을 형성하는 공정과, 전기 제1의 반강자성층상에, 절연성의 제2의 반강자성층과 제2의 자화고정층과 제2의 비자성성중간층과를 제2의 자화자유층을 형성하는 공정과, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 패터닝하여, 전기 제1의 자화자유층에서 전기 제1의 반강자성층까지를 제1의 스핀밸브 소자로 하고, 전기 제2의 반강자성층에서 전기 제2의 자화자유층까지를 제2의 스핀밸브 소자로 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제18항에 있어서, 전기 제1의 반강자성층을 구성하는 절연재, 또는 전기 제2의 반강자성층을 구성하는 절연재는, NiO, CoO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 제1바양의 자계중에서, 제1의 온도로 가열하면서 전기 제1의 자화고정층과 제1의 반강자성막을 진공중에서 성막하는 공정과, 전기 제1의 방향과는 다른 제2의 방향의 자계중에서, 전기 제1의 온도보다 낮은 온도로 가열하면서 전기 제1의 반강자성막보다 블로킹 온도가 낮은 재료로서 전기 제2의 반강자성과 제2의 자화고정층을 성막하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제1의 자화자유층과 상기 제1의 비자성중간층과 상기 제1의 자화고정층을 성막한 후에, 제1의 방향의 자계중에서 상기 제1의 고정층을 자화시키는 열처리를 행한는 공정과, 상기 제2의 자화자유층과 상기 제2의 비자성중간층과 상기 제2의 자화고정층을 성막한 후에, 제1의 방향과는 다른 제2방향의 자계중에서 상기 제1의 온도보다 낮은 온도로 상기 제2의 고정층을 자화시키는 열처리를 행하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 블로킹 온도가 높은 제1의 재료로서 상기 제1의 반강자성층을 성막하고, 블로킹 온도의 낮은 제2의 재료로서 상기 제2의 반강자성층을 성막한 후에, 제1방향의 자계중에서 상기 제1의 반가자성층이 교환상호작용을 생기게 하는 제1의 온도로 가열하는 공정과, 상기 제1의 방향과는 다른 제2의 방향이 자계중에서, 제1의 온도보다 낮은 상기 제2반강자성층이 교환상호작용을 생기게 하는 온도로 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제1의 반강자성층의 대신에 제1의 경질자성층을, 상기 제2의 반강자성층의 대신에 제2의 경질자성층을 사용하는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제1의 경질자성층은, 상기 제2의 경질자성층 보다 보자력이 큰 재료로서 형성되고, 상기 제1의 경질자성층은 상기 제2의 경질자성층보다 약한 자계를 사용하여 자화되는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 헤드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-82238 | 1996-04-04 | ||
JP96-082238 | 1996-04-04 | ||
JP8082238A JPH09274710A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | スピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970071478A true KR970071478A (ko) | 1997-11-07 |
KR100254324B1 KR100254324B1 (ko) | 2000-05-01 |
Family
ID=13768840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960076673A KR100254324B1 (ko) | 1996-04-04 | 1996-12-30 | 스핀밸브 자기저항효과헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5859753A (ko) |
EP (1) | EP0800161A3 (ko) |
JP (1) | JPH09274710A (ko) |
KR (1) | KR100254324B1 (ko) |
CN (2) | CN1074152C (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100436952B1 (ko) * | 2000-08-04 | 2004-06-23 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 자기저항 효과 소자, 자기 헤드, 자기 기록 장치, 및메모리 소자 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6690553B2 (en) * | 1996-08-26 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect device, magnetic head therewith, magnetic recording/reproducing head, and magnetic storing apparatus |
US5859754A (en) * | 1997-04-03 | 1999-01-12 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive transducer having a common magnetic bias using assertive and complementary signals |
JP3528511B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2004-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
JP2000113421A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド |
US6185079B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor |
US6556388B1 (en) * | 1998-11-20 | 2003-04-29 | Seagate Technology Llc | Differential VGMR sensor |
US6801411B1 (en) * | 1999-02-10 | 2004-10-05 | Western Digital (Fremont), Inc. | Dual stripe spin valve sensor without antiferromagnetic pinning layer |
DE19924756A1 (de) * | 1999-05-29 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Magnetoresistives Element |
US6291087B1 (en) | 1999-06-21 | 2001-09-18 | Headway Technologies, Inc. | Magnetoresistive (MR) sensor element with enhanced resistivity sensitivity and enhanced magnetic exchange bias |
US6308400B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-10-30 | Headway Technologies, Inc. | Method for achieving anti-parallel exchange coupling with one biased layer having low coercivity |
US6295718B1 (en) | 1999-08-16 | 2001-10-02 | Headway Technologies, Inc. | Method for fabricating a non-parallel magnetically biased multiple magnetoresistive (MR) layer magnetoresistive (MR) sensor element |
US6129957A (en) * | 1999-10-12 | 2000-10-10 | Headway Technologies, Inc. | Method of forming a second antiferromagnetic exchange-coupling layer for magnetoresistive (MR) and giant MR (GMR) applications |
US6381105B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-04-30 | Read-Rite Corporation | Hybrid dual spin valve sensor and method for making same |
US6456465B1 (en) | 1999-11-09 | 2002-09-24 | Read-Rite Corporation | Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield |
US6643103B1 (en) * | 2000-01-05 | 2003-11-04 | Seagate Technology Llc | Very high linear resolution CPP differential dual spin valve magnetoresistive head |
US6473275B1 (en) * | 2000-06-06 | 2002-10-29 | International Business Machines Corporation | Dual hybrid magnetic tunnel junction/giant magnetoresistive sensor |
US6822814B2 (en) | 2000-11-10 | 2004-11-23 | Jpmorgan Chase Bank, As Collateral Agent | Write head collision detection using MR read element in disc drives |
JP3760095B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2006-03-29 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 2素子型再生センサ、垂直磁気記録再生用薄膜磁気ヘッド及び垂直磁気記録再生装置 |
US6470566B2 (en) | 2001-01-03 | 2002-10-29 | International Business Machines Corporation | ESD protection during GMR head fabrication |
US6633461B2 (en) | 2001-03-20 | 2003-10-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Dual tunnel junction sensor antiferromagnetic layer between pinned layers |
JP3729498B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2005-12-21 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
US7093347B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-08-22 | Seagate Technology Llc | Method of making a current-perpendicular to the plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor |
CN100392421C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-06-04 | 中国科学院物理研究所 | 用于电流过载保护器的开关型磁场传感器 |
CN100452471C (zh) * | 2005-09-27 | 2009-01-14 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法 |
TWI449067B (zh) * | 2011-06-01 | 2014-08-11 | Voltafield Technology Corp | 自旋閥磁阻感測器 |
CN105096963B (zh) * | 2014-04-25 | 2018-06-26 | 华为技术有限公司 | 写装置及磁性存储器 |
US10777248B1 (en) * | 2019-06-24 | 2020-09-15 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat assisted perpendicular spin transfer torque MRAM memory cell |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6323217A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-30 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
JP2725977B2 (ja) * | 1992-08-28 | 1998-03-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム |
US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
US5569544A (en) * | 1992-11-16 | 1996-10-29 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate layers of less than 30 angstroms formed of alloys having immiscible components |
US5576915A (en) * | 1993-03-15 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof |
JPH0721530A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド |
JPH0745884A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
JP2743806B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-04-22 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
DE69511145T2 (de) * | 1994-03-09 | 2000-02-03 | Eastman Kodak Co | Magnetoresistiver Wiedergabekopf mit doppeltem Spin-Ventilelement |
US5442508A (en) * | 1994-05-25 | 1995-08-15 | Eastman Kodak Company | Giant magnetoresistive reproduce head having dual magnetoresistive sensor |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8082238A patent/JPH09274710A/ja active Pending
- 1996-12-16 US US08/766,940 patent/US5859753A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-17 EP EP96120220A patent/EP0800161A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-30 KR KR1019960076673A patent/KR100254324B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-01-10 CN CN97102019A patent/CN1074152C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-13 CN CN01111296A patent/CN1343969A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100436952B1 (ko) * | 2000-08-04 | 2004-06-23 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 자기저항 효과 소자, 자기 헤드, 자기 기록 장치, 및메모리 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100254324B1 (ko) | 2000-05-01 |
CN1074152C (zh) | 2001-10-31 |
JPH09274710A (ja) | 1997-10-21 |
CN1343969A (zh) | 2002-04-10 |
CN1161531A (zh) | 1997-10-08 |
EP0800161A3 (en) | 1998-07-01 |
US5859753A (en) | 1999-01-12 |
EP0800161A2 (en) | 1997-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970071478A (ko) | 스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 | |
RU2585578C2 (ru) | Элемент магнитной памяти | |
US6865109B2 (en) | Magnetic random access memory having flux closure for the free layer and spin transfer write mechanism | |
KR970063046A (ko) | 자기저항 효과 헤드 | |
JP3210192B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
WO2004013861A3 (en) | Magnetic element utilizing spin transfer and an mram device using the magnetic element | |
US7366009B2 (en) | Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction | |
JPH10162326A (ja) | 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ | |
JP2003188358A5 (ko) | ||
JP4147118B2 (ja) | 3端子型磁気ヘッドとそれを搭載した磁気記録再生装置 | |
JP5092464B2 (ja) | 磁壁移動検出端子を有する磁壁移動型磁気記録素子 | |
TW200414191A (en) | Antiferromagnetically coupled bi-layer sensor for magnetic random access memory | |
JP2000512763A (ja) | ホイートストンブリッジを備える磁界センサ | |
JPH0589435A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
JP2000113666A (ja) | 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ | |
KR100952919B1 (ko) | 수직 자화 터널 접합을 이용한 고용량 엠램 | |
JP2009283094A (ja) | 磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 | |
US5721654A (en) | Magnetometric sensor magnetically isolated two regions formed of spin-polarized material and magnetic head using the same | |
JPH11259824A (ja) | 磁気記録再生装置及びそれに用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JP3013031B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗センサ | |
JP2003031773A (ja) | 磁気メモリ素子及びその記録方法、並びにその磁気メモリ素子を用いたメモリ | |
JPS58166527A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
JPS6029917A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 | |
JPH06203333A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
JPH09306160A (ja) | 磁気メモリ素子および情報記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030123 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |