CN105096963B - 写装置及磁性存储器 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，写装置包括：第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，第一信息存储区与信息缓存区之间存在第一区域，第二信息存储区和信息缓存区之间存在第二区域，第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料构成，第一区域和第二区域采用第二磁性材料构成，第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能；第一信息存储区，用于向信息缓存区写入第一数据；第二信息存储区，用于向信息缓存区中写入第二数据；信息缓存区，用于缓存从第一信息存储区或第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。能够保证磁性存储器的写入的稳定性。

Description

写装置及磁性存储器
技术领域
本发明实施例涉及存储技术，尤其涉及一种写装置及磁性存储器。
背景技术
磁畴是指磁性材料在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域，这些区域内部都包含大量原子，这些原子的磁矩都像许多个小磁铁般整齐排列，由于相邻的不同区域之间原子磁矩排列的方向不同，因此各磁畴之间的交界会形成磁畴壁。磁性存储器是通过施加到该磁性材料上的电源产生的电流或磁场推移磁畴壁所在的位置，以此将原子磁矩排列的方向推移到待写入的磁畴中来记录信息的存储设备，其中，原子磁矩排列的方向与其内部电子的自旋方向相关联，原子磁矩是其内部所有电子集合的轨道磁矩、自旋磁矩和核磁矩的矢量和。
近年来，利用电源来推移磁畴壁进行写入的相关理论与实验陆续提出并发展成熟，使得磁性存储器的存储速度超过传统的闪存芯片以及硬盘的存储速度，受到市场的广泛关注。但是现有技术中，由于磁畴壁并不能稳定的固定在一处，而是很容易在电源的驱动下移动，这样会导致在电源驱动下向写入磁畴的数据不能够稳定钉扎在这个磁畴中，可能会移动到其他磁畴中，而一旦移动到与该数据的电子自旋方向相反的其他磁畴中，会导致已经写入其他磁畴的数据抵消，限制了写入的稳定性。
发明内容
本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，能够保证磁性存储器的的写入操作的稳定性。
第一方面，本发明实施例提供一种写装置，包括：
用于对利用磁畴存储信息的磁性存储器进行写操作，包括第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，其中：
所述第一驱动端口的一端与所述第一信息存储区连接，所述第一驱动端口的另一端用于连接电源；
所述第二驱动端口的一端与所述第二信息存储区连接，所述第二驱动端口的另一端用于连接所述电源；
所述第一信息存储区与所述信息缓存区之间存在第一区域，所述第二信息存储区和所述信息缓存区之间存在第二区域，所述第一信息存储区、所述第二信息存储区和所述信息缓存区采用第一磁性材料构成，所述第一区域和所述第二区域采用第二磁性材料构成，所述第一磁性材料与所述第二磁性材料不同，所述第一磁性材料的磁能高于所述第二磁性材料的磁能；
所述第一信息存储区，用于在所述第一驱动端口受到所述电源的驱动时，向所述信息缓存区写入第一数据，所述第一数据由具有第一自旋方向的电子集合来表示；
所述第二信息存储区，用于在所述第二驱动端口受到所述电源的驱动时，向所述信息缓存区中写入第二数据，所述第二数据由具有第二自旋方向的电子集合来表示，其中，所述第一自旋方向与所述第二自旋方向相反；
所述信息缓存区，用于缓存从所述第一信息存储区或所述第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入所述磁性存储器的一个磁畴中。
在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述第一磁性材料为铁、钴或镍中的至少一种；所述第二磁性材料为铁、钴或镍中的至少一种。
第二方面，本发明实施例提供一种磁性存储器，包括：磁性存储轨道、电源以及上述的写装置；
所述磁性存储轨道包括多个磁畴，所述磁畴用于记录所述写装置写入的数据；
所述电源，分别与所述写装置以及所述磁性存储轨道连接，用于对所述磁性存储轨道和所述写装置进行驱动控制；
其中，所述写装置的信息缓存区与所述磁性存储轨道中的一个磁畴大小相同，所述写装置的信息缓存区设置在所述磁性存储轨道的相邻的两个磁畴壁之间，所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直配合，所述写装置用于将信息缓存区中的数据写入所述磁性存储轨道的磁畴中。
在第一种可能的实现方式中，根据第二方面，
所述磁性存储轨道为U型轨道；
所述写装置的信息缓存区设置在所述磁性存储轨道的底部轨道相邻的两个磁畴壁之间，其中，所述磁畴壁用于分隔相邻的两个磁畴。
在第二种可能的实现方式中，结合第二方面和第一种可能实现的方式，所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直配合包括：
若所述磁性存储轨道的磁畴移动方向沿X轴方向移动，则所述写装置的所述信息缓存区的数据写入方向为Y轴方向，其中，所述X轴与Y轴在水平方向上相互垂直。
在第三种可能的实现方式中，结合第二方面和第一种可能实现的方式，所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直配合包括：
若所述磁性存储轨道的磁畴移动方向沿X轴方向移动，则所述写装置的所述信息缓存区的数据写入方向为Z轴方向，其中，所述X轴与Z轴在竖直方向上相互垂直。
本发明实施例提供的写装置及磁性存储器。通过在写装置的第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料，在第一信息存储区与信息缓存区之间的第一区域，和第二信息存储区和信息缓存区之间的第二区域采用第二磁性材料，且第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能，使得第一信息存储区与信息缓存区之间的第一磁畴壁能够稳定钉扎磁能较低的第一区域，信息缓存区与第二信息存储区之间的第二磁畴壁也稳定钉扎磁能较低的第二区域。由于第一磁畴壁和第二磁畴壁都钉扎磁能较低的区域，因此不能随意移动。在电源驱动下向通过信息缓存区写入磁畴的第一数据或第二数据也能够稳定钉扎在这个磁畴中，而不会移动到其他磁畴中，不会抵消已经写入其他磁畴的数据，因此保证了写入的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种写装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种磁性存储器的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种磁性存储器的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的再一种磁性存储器的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
需要说明的是，写装置是用于为磁性存储器写入信息的装置。写装置中应该包括存储有待写入的信息的信息存储区，与将待写入信息缓存并写入磁能存储器的信息缓存区其中，该信息缓存区应与磁性存储轨道中的一个磁畴大小相同。当写装置和磁性存储轨道受到电源驱动时，可以将写装置的信息存储区中的电子推入信息缓存区中，由于原子的磁矩都像许多个小磁铁般整齐排列并有一定的自旋方向，且，原子磁矩是其内部所有电子集合的轨道磁矩、自旋磁矩和核磁矩的矢量和，因此信息存储区中记录了电子集合的自旋方向的数据信息，如，X轴的正方向，则相当于记录了1，X轴的负方向则相当于记录了0。然后将信息缓存区中的数据写入磁性存储轨道的磁畴中即可完成磁性存储器的写入。
图1为本发明实施例提供的一种写装置的结构示意图，如图1所示，写装置10包括：第一驱动端口101，第二驱动端口102，第一信息存储区103，信息缓存区104和第二信息存储区105。
第一驱动端口101的一端与第一信息存储区103连接，第一驱动端口101的另一端用于连接电源；第二驱动端口102的一端与第二信息存储区连接105，第二驱动端口102的另一端用于连接电源。
第一信息存储区103与信息缓存区104之间存在第一区域B1，第二信息存储区105和信息缓存区104之间存在第二区域B2，第一信息存储区103、第二信息存储区105和信息缓存区104采用第一磁性材料构成，第一区域B1和第二区域B2采用第二磁性材料构成，第一磁性材料与第二磁性材料不同，第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能。
需要说明的是，磁性材料可以是铁、钴或镍中的至少一种，如可以是铁、钴或镍，也可以是钴镍的混合物，铁钴镍的混合物等等。进一步地，第一磁性材料可以是铁，钴或镍中的至少一种，第二磁性材料也可以是铁，钴或镍中的至少一种，但是第一磁性材料与第二磁性材料为不同的磁性材料，且，第一磁性材料的磁能需要高于第二磁性材料的磁能。
第一信息存储区103，用于在第一驱动端口101受到电源的驱动时，向信息缓存区104写入第一数据，第一数据由具有第一自旋方向的电子集合来表示。
进一步地，第一驱动端口101受到电源的驱动时，在电源提供的电流脉冲驱动下第一信息存储区103中具有第一自旋方向的电子集合，而由于信息缓存区104中没有统一自旋方向的电子集合，因此，通过第一信息存储区103对信息缓存区104作用，使得该信息缓存区104中的电子集合方向统一为第一自旋方向。在本发明实施例中可以用第一自旋方向表示第一数据，例如第一数据可以为“0”。根据这种方式，可以将第一将数据写入信息缓存区104。
第二信息存储区105，用于在第二驱动端口102受到电源的驱动时，向信息缓存区104中写入第二数据，第二数据由具有第二自旋方向的电子集合来表示，其中，自旋方向为原子的磁矩的排列方向。第一自旋方向与第二自旋方向相反。
进一步地，第二驱动端口102受到电源的驱动时，在电源提供的电流脉冲驱动下第二信息存储区105中具有第二自旋方向的电子集合，而由于信息缓存区104中没有统一自旋方向的电子集合，因此，通过第二信息存储区105对信息缓存区104作用，使得该信息缓存区104中的电子集合方向统一为第二自旋方向。在本发明实施例中可以用第二自旋方向表示第二数据，例如第二数据可以为“1”。根据这种方式，可以将第二将数据写入信息缓存区104。
需要说明的是，在本发明实施例中，并不对第一数据和第二数据的数值进行限制，第一数据也可以为“1”，第二数据也可以为“0”，只要第一数据和第二数据不同即可。
可以理解的是，当需要写入第一数据的时候，可以通过电源驱动第一信息存储区103向信息缓存区104写入第一数据，当需要写入第二数据的时候，可以通过电源驱动第二信息存储区105向信息缓存区104写入第二数据。
信息缓存区104，用于缓存从第一信息存储区103或第二信息存储区105写入的数据，并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。
需要说明的是，信息缓存区104能够缓存的信息和磁性存储器的一个磁畴能够写入的信息大小相同，如信息缓存区104的缓存大小为10M，磁性存储器的一个磁畴能够写入的信息大小也为10M。
在本发明实施例中，当磁性存储轨道中的磁畴可以在电源的驱动下移动到与信息缓存区104重合的位置。在第一信息存储器103或第二信息存储区105受到电源的驱动下将数据写入信息缓存区104后，所述写装置在所述电源的驱动下可以将数据继续推入与所述信息缓存区104重合的所述磁性存储器的一个磁畴中。当该磁畴中写入数据后，该磁畴在电源脉冲的驱动下继续向前移动。按照这种方式，后续的磁畴依次被推动到与所述信息缓存区104重合的位置，写入装置依次将不同的数据写入所述磁性存储器的不同磁畴中。
进一步地，第一自旋方向与第二自旋方向相反，例如：若第一自旋方向为水平方向上X轴的正方向，则第二自旋方向为X轴的负方向；若第一自旋方向为水平方向上Y轴的正方向，则第二自旋方向为Y轴的负方向；若第一自旋方向为竖直方向上Z轴的正方向，则第二自旋方向为Z轴的负方向。其中，X轴与Y轴为水平方向上相互垂直的轴，X轴与Z轴为竖直方向上相互垂直的轴。在本发明实施例中，可以将X轴的正方向标识为M1，X轴的负方向标识为M2，Y轴的正方向标识为M3，Y轴的负方向标识为M4，Z轴的正方向标识为M5，Z轴的负方向标识为M6。
本发明实施例提供的写装置10的第一自旋方向可以不相同，如写装置10的第一自旋方向可以为M1该写装置10的第二自旋方向则为M2，写装置10的第一自旋方向还可以是M4，第二自旋方向为M3，或者，写装置10的第一自旋方向还可以为M5，第二自旋方向为M6等等。
进一步地，信息缓存区与第一信息存储区的夹角还可以为钝角、平角或是锐角；信息缓存区与第二信息存储区的夹角还可以为钝角、平角或是锐角，并不以图1所示的平角情况为限定。
本发明实施例提供的写装置。由于第一磁性材料与第二磁性材料不同，且第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能，因此，第一信息存储区103和信息缓存区104之间存在的磁畴壁是处于磁能较低的位置即第一区域B1处，第二信息存储区105和信息缓存区104之间存在的磁畴壁是处于磁能较低的位置即第二区域B2处，在电源驱动下向写入信息缓存区104的第一数据或第二数据也能够稳定钉扎在信息缓存区104当前的磁畴中，而不会移动到其他磁畴中，不会抵消已经写入其他磁畴的数据，因此保证了写入的稳定性。
图2为本发明实施例提供的一种磁性存储器的结构示意图，如图2所示，一种磁性存储器1，包括：图1提供的写装置10、磁性存储轨道20和电源30，其中，写装置10的结构如上述实施例所述，在此不再赘述。
需要说明的是，本发明实施例提出的磁性存储器1的磁性存储轨道20为可供储存信息的可移动轨道。磁性存储轨道20包括多个磁畴201，磁畴201用于记录写装置10写入的数据。磁畴201可供静止初始态时记录数据，并可在电源作用下沿磁性存储轨道20移动，如，当电源驱动时，磁畴存储轨道20上的存储向右依序移位，即磁性存储轨道20上的一个磁畴201被写装置10的信息缓存区104写满后，在电源的作用下，沿磁畴存储轨道20移动到右边相邻位置上，而同时左边相邻位置上的磁畴也在该电源的作用下沿磁畴存储轨道20移动到信息缓存区104可写入的位置上，以此类推。
电源30，分别与写装置10以及磁性存储轨道20连接，用于对磁性存储轨道20和写装置10进行驱动控制。
进一步地，可以用一个电源30对磁性存储轨道20进行驱动控制，再用一个电源30对写装置10进行驱动控制。或者也可以仅设置一个电源30，该电源30与磁性存储轨道20连接，且与写装置10的第一驱动端口101连接，与写装置10的第二驱动端口102连接，这样一个电源30就可以用于对磁性存储轨道20进行驱动控制，对写装置10的第一信息存储区103进行驱动控制，还对写装置10的第二信息存储区105进行驱动控制，从而节省电源30。
其中，写装置10的信息缓存区104与磁性存储轨道20中的一个磁畴201大小相同，写装置10的信息缓存区104设置在磁性存储轨道20的相邻的两个磁畴壁之间，信息缓存区104的数据写入方向(如图2所示的Y方向)与磁性存储轨道20的磁畴201移动方向(如图2所示的X方向)垂直配合，写装置20用于将信息缓存区104中的数据写入磁性存储轨道20的磁畴201中。
进一步地，磁性存储轨道20可以为U型轨道，本实施例仅用U型轨道进行举例说明，其他的形状如直线型轨道均在保护范围之内，不以此做任何限定。
写装置10的信息缓存区104设置在磁性存储轨道20的底部相邻的两个磁畴壁之间，其中，磁畴壁用于分隔相邻的两个磁畴。每个磁畴壁在电源的作用下进行沿磁性存储轨道20移动，以将已写满的目标磁畴推出信息缓存区104写入的位置，将下一个待写入的磁畴推入信息缓存区104写入的位置。其中，磁畴201的数据写入方法与写装置10写入信息缓存区104的方法相同。
举例来说，如图2所示，若磁性存储轨道20的磁畴201移动方向沿X轴方向移动，则写装置10的信息缓存区104的数据写入方向为Y轴方向，其中，X轴与Y轴为水平方向上相互垂直的轴，即当写装置10的第一信息存储区103和第二信息存储区105与信息缓存区104均为平角时，该写装置10与底部轨道沿水平方向垂直。
图3为本发明实施例提供的另一种磁性存储器的结构示意图，图3与图2的区别在于写装置40的第一信息存储区103和第二信息存储区105相对与磁畴存储轨道20的位置不同，如图3所示，若磁性存储轨道20的磁畴201移动方向沿X轴方向移动，则写装置40的信息缓存区404的数据写入方向为Z轴方向，其中，X轴与Z轴为竖直方向上相互垂直的轴。
需要说明的是，图2和图3提供的磁性存储器都使用了图1提供的写装置10进行写入，因此，都可以提高写入的稳定性。
图4为本发明实施例提供的再一种磁性存储器的结构示意图，如图4所示，图4与图2、图3的区别在于磁性存储器1分别包括图2和图3提高的两种写装置，分别记作第一写装置10和第二写装置40，第一写装置10包括：第一信息存储区103，信息缓存区104和第二信息存储区105。第二写装置40包括：第一信息存储区403，信息缓存区404和第二信息存储区405，第一写装置10与第二写装置40延磁性存储轨道20的方向并行设置。
举例来说，第一写装置10的信息缓存区104与磁性存储轨道20在水平方向垂直配合，第一写装置10用于将第一写装置10的信息缓存区104中的数据写入磁性存储轨道20的磁畴中。
需要说明的是，如图4所示，写装置10的信息缓存区104设置在磁性存储轨道20的底部轨道上任意两个磁畴壁之间，写装置40的信息缓存区404设置在磁性存储轨道20的底部轨道上与信息缓存区104相邻位置，但图4这种位置关系仅用于举例，其他方案均在保护范围之内，如写装置10与写装置40位置可以互换，信息缓存区104可以不与信息缓存区404相邻设置等等。
举例来说，第一写装置10和第二写装置40均可以写入M1、M2、M3、M4、M5和M6方向的磁畴，如，在电源的驱动下，第一写装置10可向磁性存储轨道20的底部轨道中信息缓存区104写入平行于X轴方向的数据，即写入M1方向的第一数据或M2方向的第二数据，同时，写装置40可向磁性存储轨道20的底部轨道中信息缓存区404写入平行于Z轴方向的数据，即写入M5方向的第一数据或M6方向的第二数据。在下一次电流脉冲驱动下，原信息缓存区104的目标磁畴移动到信息缓存区404作为目标磁畴，写入平行于Z轴的方向的数据，这样可以在一个目标磁畴中写入平行于X轴和Z轴的数据，增加写入的数据量。
需要说明的是，上述写入方向仅用于举例说明，其他的方向写入均在保护范围之内。
进一步地，磁性存储器1包括3个乃至更多个写装置时，均可以将写装置的信息缓存区设置在磁性存储轨道上任意两个磁畴壁之间，可以相邻设置也可以不相邻设置，在此不再赘述。
需要说明的是，图3～图4提供的磁性存储器均可以使用一个电源进行驱动，也可以使用多个电源，电源在图3～图4中未表示。
本发明实施例提供的磁性存储器。由于使用了本实施例提供的写装置，因此能够保证磁性存储器的的写入操作的稳定性。而且，如果本实施例的磁性存储器采用两个乃至多个写装置进行写入，则可以在保证有效写入的同时提高写入效率。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种写装置，用于对利用磁畴存储信息的磁性存储器进行写操作，其特征在于，包括第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，其中：
所述第一驱动端口的一端与所述第一信息存储区连接，所述第一驱动端口的另一端用于连接电源；
所述第二驱动端口的一端与所述第二信息存储区连接，所述第二驱动端口的另一端用于连接所述电源；
所述第一信息存储区与所述信息缓存区之间存在第一区域，所述第二信息存储区和所述信息缓存区之间存在第二区域，所述第一信息存储区、所述第二信息存储区和所述信息缓存区采用第一磁性材料构成，所述第一区域和所述第二区域采用第二磁性材料构成，所述第一磁性材料与所述第二磁性材料不同，所述第一磁性材料的磁能高于所述第二磁性材料的磁能；
所述第一信息存储区，用于在所述第一驱动端口受到所述电源的驱动时，向所述信息缓存区写入第一数据，所述第一数据由具有第一自旋方向的电子集合来表示；
所述第二信息存储区，用于在所述第二驱动端口受到所述电源的驱动时，向所述信息缓存区中写入第二数据，所述第二数据由具有第二自旋方向的电子集合来表示，其中，所述第一自旋方向与所述第二自旋方向相反；
所述信息缓存区，用于缓存从所述第一信息存储区或所述第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入所述磁性存储器的一个磁畴中。
2.根据权利要求1所述的写装置，其特征在于，
所述第一磁性材料包括下述磁性材料中的至少一种磁性材料：铁、钴和镍；所述第二磁性材料包括下述磁性材料中的至少一种磁性材料：铁、钴和镍。
3.根据权利要求1或2所述的写装置，其特征在于，
所述信息缓存区与所述第一信息存储区的夹角为钝角、平角或锐角；
所述信息缓存区与所述第二信息存储区的夹角为钝角、平角或锐角。
4.一种磁性存储器，其特征在于，包括：磁性存储轨道、电源以及如权利要求1～3中任一项所述的写装置；
所述磁性存储轨道包括多个磁畴，所述磁畴用于记录所述写装置写入的数据；
所述电源，分别与所述写装置以及所述磁性存储轨道连接，用于对所述磁性存储轨道和所述写装置进行驱动控制；
其中，所述写装置的信息缓存区与所述磁性存储轨道中的一个磁畴大小相同，所述写装置的信息缓存区设置在所述磁性存储轨道的相邻的两个磁畴壁之间，所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直，所述写装置用于将信息缓存区中的数据写入所述磁性存储轨道的磁畴中。
5.根据权利要求4所述的磁性存储器，其特征在于，
所述磁性存储轨道为U型轨道；
所述写装置的信息缓存区设置在所述磁性存储轨道的底部轨道相邻的两个磁畴壁之间，其中，所述磁畴壁用于分隔相邻的两个磁畴。
6.根据权利要求5所述的磁性存储器，其特征在于，所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直包括：
若所述磁性存储轨道的磁畴移动方向沿X轴方向移动，则所述写装置的所述信息缓存区的数据写入方向为Y轴方向，其中，所述X轴与Y轴在水平方向上相互垂直。
7.根据权利要求5所述的磁性存储器，其特征在于，所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直包括：
若所述磁性存储轨道的磁畴移动方向沿X轴方向移动，则所述写装置的所述信息缓存区的数据写入方向为Z轴方向，其中，所述X轴与Z轴在竖直方向上相互垂直。
8.根据权利要求4-7任意一项所述的磁性存储器，其特征在于，
所述磁性存储器包括至少两个所述写装置，其中，所述至少两个所述写装置包括第一写装置和第二写装置，所述第一写装置与所述第二写装置延所述磁性存储轨道的方向并行设置。
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