JPS6134634Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は検出機能を向上した磁気バブルメモリ
パツケージの構造に関する。

(b) 技術の背景 磁気バブルメモリ（以下バブルメモリ）はガー
ネツト型の結晶構造をもつ磁性結晶からなるチツ
プ面上に高透磁率材料（パーマロイ）を用いてバ
ブル転送路をまた導電材料（アルミ・銅合金或は
金）を用いて発生回路、ゲート回路などを作り、
このチツプ面に垂直にバイアス磁界を印加するこ
とにより生ずる円筒状のバブル磁区をこのチツプ
面に対して平行に加えて駆動磁界（回転磁界）に
よつて転送せしめ、バブル情報の蓄積検出などを
行うメモリである。

かゝる構造のバブルメモリにおいて、バブル保
持のために垂直に加えられるバイアス磁界はバブ
ル情報の不揮発性を保つために永久磁石板を用い
てチツプを上下より挾持する構造がとられてい
る。

こゝで実際のメモリ構成では永久磁石板とチツ
プ面との相対位置は平行ではなく、スタートスト
ツプ性能を良くするため僅か傾けて作られてい
る。この理由を述べると次のようになる。すなわ
ちメモリチツプを搭載した基板を取り囲んでＸコ
イルおよびＹコイルよりなる駆動コイルが設けら
れ、これによりチツプ面に平行な駆動磁界が作ら
れており、この駆動磁界によつてバブルの転送が
行われている。こゝで駆動磁界が零となつた場
合、転送パターンの或る位置にまで転送されてき
て停止したバブルはそのまゝの状態では安定して
存在せず転送パターン内の磁気的安定点まで移動
して落ちつく性質がある。

この移動現象は次のバブルの駆動段階において
誤動作の原因となるため、バブルのスタートおよ
びストツプ動作を確実に停止位置より行わせるた
めに実際のメモリにおいては水平方向の駆動磁界
が零となつた場合でも一定方向に僅かの水平磁界
を与えておく必要がある。それで通常チツプ面を
磁石面に対して傾けるか或は磁石面をチツプ面に
対し傾けるかして両者の間に傾きをもたせこれに
より水平磁界成分を生じさせている。

第１図はチツプ面を磁石面に対して傾けたパツ
ケージの実施例でバブルメモリのチツプ１は絶縁
基板２の中央凹部に搭載されており、一方チツプ
の導体回路への配線は数多く並列にパツケージに
設けられているリード端子３により絶縁基板上の
印刷配線を通じてなされている。またチツプ１を
中心としてＸコイル４とＹコイル５とが絶縁基板
２を用いて巻回されている。またＸコイル４およ
びＹコイル５からなる駆動コイルの上下にはバイ
アス磁界を与えるための永久磁石６とこの磁束密
度分布を均一にするための整磁板７とが設けられ
ており、更にこれら全体を磁気シールドケース８
に収納されている。このようなバブルメモリパツ
ケージにおいてバブルのスタート・ストツプ動作
を正しく行わせるためこの場合チツプ１を搭載し
た絶縁基板２は磁石６に対して僅か傾けて設け、
チツプ１に水平方向磁界（以下ホールド磁界）を
与えている。

本考案はホールド磁界の附与構造についてのも
ので、第１図のチツプ１と磁石６および整磁板７
との関係は第２図のような略図で表わすことがで
きる。

本考案はホールド磁界の分布を変えた整磁板を
使用した磁石バブルメモリパツケージに関するも
のである。

(c) 従来技術と問題点 バブルメモリチツプにホールド磁界を与える方
法としては第２図に示したようにチツプ１を磁石
６および整磁板７に対して傾ける以外に第３図に
示すように整磁板７のみを傾ける方法もあり、こ
の場合整磁板７は厚さを徐々に変えて角度を持た
せた形状をしている。さて、バブルメモリパツケ
ージは従来は第２図のようにチツプ面を傾ける方
法が多くとられていた。この主な理由としてはチ
ツプ面或は整磁板の傾斜角を１度未満の微少角で
あり、このような傾斜角をもつ整磁板を作るより
もチツプ面を傾ける機構の方が容易なことによ
る。然し乍ら最近は加工技術が進歩して１度未満
の指定された傾斜角をもつ整磁板が得られれるよ
うになり第３図の構成のパツケージも使用される
ようになつた。

さてバブルメモリデバイスにおいて使用されて
いる検出器には磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗素
子が用いられている。こゝで磁気抵抗効果は電流
と同一の方向に設定された磁化容易軸がバブル磁
区からの浮遊磁界によつて電流と直角な方向に回
転した時に生ずる抵抗値変化を利用したものであ
る。

然し乍らバイアス磁界の水平方向成分であるホ
ールド磁界によつて磁化容易軸が影響を受け部分
的に回転している場合はバブル磁区の検出機能が
Ｓ／Ｎ比の変化あるいは検出電流の増減という形
で現われることになる。然し今までこのようなホ
ールド磁界の影響について任意に制御する方法は
構じられていなかつた。

(d) 考案の目的 本考案の検出部におけるホールド磁界効果を最
適に設定することにより高い検出感度を得ること
を目的とする。

(e) 考案の構成 本考案はチツプの検出部には伝播部とは異なる
最適ホールド磁界が加はるように整磁板の一部を
チツプ面と平行にあるいは逆に傾斜を大きくする
ことからなつている。第４図第５図及び第６図は
本考案を実施した断面図また第７図、第８図及び
第９図Ａ及びＢは本考案に係る整磁板の斜視図で
ある。すなわちバブル転送が行われる書き込みメ
ジヤライン、マイナループおよび読み出しメジヤ
ラインからなる主要回路に対する部分９の整磁板
と検出部に対向する部分１０はさらに異なる傾斜
をもつよう形成されている。こゝで検出部とは読
み出しメジヤラインに沿つて転送されてきたバブ
ルがストレツチパターンにより引き伸ばされて検
出素子に到り、その後ガードレールに吸収される
検出回路の内、ストレツチパターンの半ば以後の
領域を指しこの領域はパターン設計により異るが
全領域の５〜20％に互つている。

第１０図、第１１図及び第１２図は本考案に
かゝる第７図、第８図および第９図に示した整磁
板を用いた各々のパツケージの磁界分布を示すも
ので縦軸にはバイアス磁界およびホールド磁界の
磁界値を、横軸にはチツプ寸法をとつてある。図
においてACは第４図、第５図及び第６図と対照
した場合のチツプ寸法、BCは検出部領域の寸法
を示している。図においてバイアス磁界１１は使
用する磁性ガーネツトにより異るが170〜200Oe
の値をまたホールド磁界１２は２〜5Oeの値を示
しているが検出部領域BCについては第４図の構
造をとることによりホールド磁界１２の影響は現
われるていない。さらに第５図の構造をとること
によりホールド磁界は増加させることが出来る。
また第６図の構造をとることにより、伝播部と異
なる方向にホールド磁界を印加させることが出来
る。

(f) 考案の効果 本考案は検出素子に対するホールド磁界の効果
を最適にせしめることを目的としてなされるもの
で整磁板の形状を変えて検出部にホールド磁界最
適な方向大きさで印加できるパツケージ構造をと
ることにより、従来と比べて検出感度を高めるこ
とができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリパツケージの
断面図、第２図と第３図はホールド磁界印加のた
めの従来構造の説明図、第４図、第５図および第
６図は本考案にかゝるホールド磁界印加構造、第
７図、第８図および第９図のＡ，Ｂはこれに用い
る整磁板の斜視図また第１０図、第１１図および
第１２図は本考案を実施した第７図、第８図およ
び第９図に示したパツケージの磁界分布図であ
る。 図において１は磁気バブルメモリチツプ、２は
基板、６は磁石、７は整磁板、９は主要転送路に
対する部分、１０は検出部に対向する部分、１１
はバイアス磁界、１２はホールド磁界。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 磁気バブルメモリチツプを搭載した基板を挿ん
   で平行に設けられている磁石板と組み合わされ、
   該チツプ面に対して不平行に構成されてホールド
   磁界を形成している整磁板において、磁気バブル
   メモリチツプの検出部に対応する該整磁板の一部
   が異なる傾斜角度を形成することを特徴とする磁
   気バブルメモリパツケージ。