JPS6020234Y2 - 磁気バブルメモリパツケ−ジ - Google Patents

磁気バブルメモリパツケ−ジ

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Publication number
JPS6020234Y2
JPS6020234Y2 JP9724778U JP9724778U JPS6020234Y2 JP S6020234 Y2 JPS6020234 Y2 JP S6020234Y2 JP 9724778 U JP9724778 U JP 9724778U JP 9724778 U JP9724778 U JP 9724778U JP S6020234 Y2 JPS6020234 Y2 JP S6020234Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetic field
magnetic bubble
memory package
bubble memory
Prior art date
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Expired
Application number
JP9724778U
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English (en)
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JPS5515648U (ja
Inventor
研悟 野涯
誠一 岩佐
Original Assignee
富士通株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
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Publication of JPS5515648U publication Critical patent/JPS5515648U/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は磁気バブルメモリパッケージにおいて特に磁気
バブル転送用回転磁界及びバイアス磁界を発生せしめる
磁場形成手段の改良に係る磁気バブルメモリパッケージ
に関するものである。
磁気バブルとは希土類のオルソフェライトや鉄ガーネッ
トなど均質薄膜に形威される円形単一磁区である。
この薄膜は平面に垂直な方向に磁化容易軸を持つ1軸異
方性であり、平面垂直方向のバイアス磁界を制御するこ
とにより、バイアス磁界方向に磁化した薄膜の中にバイ
アス磁界と逆方向に磁化した円形単一磁区即ち磁気バブ
ルを形威させることが可能である。
この円形単一磁区の半径はこの薄膜の磁気的な特性、膜
の厚さ、バイアス磁極の強さなどによって規定される。
この磁気バブルは平面方向の磁界強度傾斜により平面内
を移動させることが可能である。
例えば、第1図に示すように磁気バブル膜面iにT形パ
ターン2、■形パターン3の強磁性薄膜を近接させ、膜
平面内で回転する磁界5,6゜7.8を与えると強磁性
のT、 I型パターン2゜3は第1図、イ99ロ、ハ
二に示すように磁極を形威し、この磁極に吸引されて磁
気バブル4は第1図イ9口、ハ、二に示すように移動す
る。
一般に垂直方向のバイアス磁界は永久磁石により供給さ
れ、また平面方向の回転磁界は直交する2組のソレノイ
ドコイルに90°位相をを違えた一定周波数の交番電流
を供給することにより生じさせることが知られている。
このように、磁気バブルを転送することにより、このデ
ィバイスは記憶素子をはじめ、種々の情報処理機能素子
として使用しうろことは知られている。
一般に磁気バブルを駆動する平面内回転磁界を付与する
ソレノイドコイルとしては第2図に示すような構成が知
られている。
第2図イに於いて磁気バブルチップ20を塔載した基板
19にコイル10.11、が直交して巻かれており、コ
イル10.11に位相差90°の一定周波数の交番電流
を流すことにより、基板19の面内に回転磁界が発生す
る。
基板19のには磁気バブルチップ20と外部回路を接続
するために接続端子12が設けられ、そこより外部回路
へ引出線の接続が可能である。
第2図口はバイアス磁界を付加するためバイアスマグネ
ット16を第2図イに追加した図である。
以上のような構成が磁場形成手段に使われるが、コイル
について磁界の強さは(1)基板19をはさんだコイル
間距離の小さい方がよい。
(2)コイルの巻数の多い方が磁界が大きく良いがしか
しインダクタンスが大きくなり周波数が高くなると実効
低抗が増えるので具合が悪い等があり、従ってコイル間
距離を小さくシ、かつインダクタンスを少なくするのが
望ましい。
又磁気バブル素子を用いた記憶装置の大きな特徴の1つ
に、ビット密度が大きいことがあり、大容量の記憶装置
でも小さい面積の磁性薄膜で構成できる。
しかし記憶装置として考える場合に、さらに小型かつ安
価に構成することが要求される。
この要求を満すためには次のような問題がある。
例えば、現状バブル径3μでバブルメモリパッケージの
大きさ30rran X 30屈のものがバブル径1.
5μになった場合同一容量でもチップの大きさが約17
4となるバブルメモリパッケージの大きさは20閣×2
一位になり、これに巻かれるコイルは非常に小さくなり
、コイルを巻くこと自体が大変である。
現状でもインダクタンスを下げる関係で、ハネカムコイ
ル巻きが行われ製作が容易でない。
本考案の目的は以上のような問題点を解決し、さらに形
状を小型化しかつ安価に構成した磁気バブルメモリパッ
ケージを提供するにある。
本考案の特徴は磁気バブルメモリパッケージに於いて、
磁場形成手段を導電性マグネットの材料で構成し、かつ
導電性マグネットにより磁気バブルチップの垂直磁界を
与えるとともに該導電性マグネットに電流を付与するこ
とにより磁気バブルチップの水平磁界を与える構成とし
、バイアスマグネットと駆動コイルを1本化にして、駆
動コイルが不必要になり形状が非常に小さくなり、かつ
安価な磁気バブルメモリパッケージを実現している。
本考案を図面により説明すると、第3図は本考案の磁気
バブルメモリパッケージの一実施例略!図である。
第3図に於いて13a、bはX側導電性マグネットで、
導体14t)により各々が接続され外側コイルを形威し
、導線17bによって外部の信号発生手段と接続される
15a、bはY側溝電性マグネットで導体14aにより
各々が接続イされ内側コイルを形威し導線17aによっ
て信号発生手段と接続される。
なお導電性マグネット13aと15a、13bと15b
とは直交している。
さらに13aと15a、13bと15bは絶縁体(マイ
ラー、セラミック等)18a、bにより絶縁されている
19は磁気バブルメモリチップを塔載した基板で、内側
のY側溝電性マグネット15b上におき、バブルメモリ
の一辺に端子部2を設は端子部2より外部回路を接続さ
れる構造によっている。
13.15はバイアスマグネットで磁気バブルを保持す
る垂直磁場を印加するものであり、本考案では導電性マ
グネットの材料で構成して、かっ−2枚の導電性マグネ
ット13a、13b及1J15a、15bを直列に導体
により接続し1巻コイルを形威し、駆動コイルを不必要
としバイアスマグネット兼用コイルとした。
磁気バブルメモリチップ基板19に導電性マグ1ネツト
13及び15により構成されたバイアスマグネット兼用
コイルが直交し巻かれているので、この2つのコイルに
位相差90°の一定周波数の交番電流を流すことにより
磁気バブルメモリチップ基板19の面上内に、第3図で
示す+x、 十y。
−X、 −Yの方向に磁界ができ回転磁界を発生する。
それを端子部20より外部回路へ引出し可能にしている
なお本考案の実施例では導体14が図では導体幅が狭く
なっているが、この幅にこだわらず幅広のケーブルであ
ってもよいのは当然である。
以上実施例により本考案を説明したが、本考案によれば
磁気バブルメモリパッケージに於いて、バイアスマグネ
ットを導電性マグネットの材料で構成して、かつ2枚の
導電性マグネットを直列に導体により接続して1巻コイ
ルを形成してバイアスマグネットと駆動コイルを兼用し
た。
その結果従来バイアスマグネットと駆動コイルとを別々
に設は形状が大きかったものが駆動コイルが不必要とな
り形状が非常に小さくなった。
又コイルが不用となったので、従来コイル巻きカ大変で
あった点が解消されると共に、コイル線径分の4倍の大
きさだけ形状が縮小でき小型化がはかれ、かつコイル間
の距離(コイル径)も小さくなるので磁界の効率を上げ
ることが可能である。
またコイル部品の省略に伴う価格の低減も期待できる。
本考案は上述の実施例の他に、X側導電性マグネット1
3b及びY側溝電性マグネット15aを除去し、X側溝
電性マグネッ)13aとY側導電性マグネット15bの
みによっても同様の効果が得られる。
又、イメージ効果を利用するため、導電性マグネット1
3b、15bを除去し、導体の非磁性体を設けることも
可能であり、更に小型化が可能となる。
この場合、非磁性板は導電性マグネットと電気的に接続
しない。
更に、導電性マグネットとして細長い片を並列に多数並
設したものでもよく、本考案は上述の実施例に限られな
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は磁気バブルを転送する方法の説明図、第2図イ
は従来の磁気バブルメモリパッケージの斜視図、第2図
口は従来の磁気バブルメモリパッケージの断面図、第3
図は本考案の一実施例磁気バブルメモリパッケージの斜
視図を示す。 図中、9は基板、10.11はコイル、12は外部引出
用端子、13.15は導電性マグネット、14は導体、
17は導線、18は絶縁体、19は磁気バブルメモリチ
ップ20はバブルチップ、21は端子部、16はバイア
スマグネットを示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 磁気バブルチップと、該磁気バブルチップに磁場を付与
    する磁場形成手段ととを備える磁気バブルメモリパッケ
    ージにおいて、該磁場形成手段は導電性マグネットによ
    り該磁気バブルチップの垂直磁界を与えるとともに該導
    電性マグネットに電流を付与することにより該磁気バブ
    ルチップの水平磁界を与えることを特徴とする磁気バブ
    ルメモリパッケージ。
JP9724778U 1978-07-14 1978-07-14 磁気バブルメモリパツケ−ジ Expired JPS6020234Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9724778U JPS6020234Y2 (ja) 1978-07-14 1978-07-14 磁気バブルメモリパツケ−ジ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9724778U JPS6020234Y2 (ja) 1978-07-14 1978-07-14 磁気バブルメモリパツケ−ジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5515648U JPS5515648U (ja) 1980-01-31
JPS6020234Y2 true JPS6020234Y2 (ja) 1985-06-17

Family

ID=29031895

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9724778U Expired JPS6020234Y2 (ja) 1978-07-14 1978-07-14 磁気バブルメモリパツケ−ジ

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57127483U (ja) * 1981-02-02 1982-08-09
JPS58157978U (ja) * 1982-04-15 1983-10-21 株式会社荏原電産 端子列の短絡具
JPS5979983U (ja) * 1982-11-22 1984-05-30 ト−マス・アンド・ベツツ・コ−ポレ−シヨン 平面デイスプレイの導体リ−ド接続用部材
JPH0435353U (ja) * 1990-07-19 1992-03-24

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JPS5515648U (ja) 1980-01-31

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