SU640367A1 - Запоминающее устройство на магнитных доменах - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к вычислительной технике, преимущественно к запоминающим устройствам.

Известны запоминающие устройства на цилиндрическнх магнитных доменах (ЦМД) 1, 2. Эти устройства содержат магнитоплепочпыс аппликации продвижени , управл ющие аппликации и коммутационную разводку, нанесенные на магнитоодноосный доменосодержащий материал, например, феррит - гранат, магнитную систему из посто нны .х магнитов с магнитопроводамп дл  создани  условий существовани  цилиндрических магнитных доменов и электромагнитных кат)П1ек, дл  создани  вращающегос  магнитного пол  продвижени  ЦМД, расположенных нод углом 90° относительно друг друга, подключенных к источникам переменного тока. Внутри электромагнитных катушек параллельно их осевой плоскости расположен магнитоодноосный доменосодержащий материал (кристалл ). Такие устройства требуют больших энергозатрат, так как необходимо создавать вращающеес  магнитное поле в бoльшoмJ объеме, кроме того, изготовление катущек нетехнологично, так как этот процесс не поддаетс  групповой обработке, а также из-за того, что требуютс  сборочные операции .

Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  запоминающее устройство на магнитных доменах 3.

Оно содержит магнитоодноосный доменосодержащий кристалл с расположенными на нем магнитоилсночными аппликаци ми продвижени , аппликаци ми упраилени , источники тока и источник магнитного пол  уиравлени . Однако дл  изготовлени  такого устройства необходимы операции высокоточной сборки, т. е. они нетсхиологичны и малонадежны.

Целью изобретени   вл етс  попьпнепие надежности устройства.

Дл  этого источник магнитного пол  уиравлени  выполнен в виде сло  немагнитного диэлектрика, нанесенного на доменосодержащий кристалл, на слой немагнитного диэлектрика нанесен слой тонкой провод щей иленки с контактными площадками, размещенными за иределами зоны магиитопленочных продвигающих и управл ющих аппликаций, а к каждой наре контактных площадок подключены электрически разп занные источники тока.

Claims (3)

1. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - схема управле 1и  иродвижением доменов; на фиг. 3 - схема подключени  ировод щей пленки к источникам тока; на фиг. 4 - временна  диаграмма протекани  тока через нровод щую пленку. На магнитоодноосный доменосодержащш кристалл 1, выращенный энитаксиально на немагнитном материале, например, гадолинийгаллневом гранате 2, нанесен слой 3 коммутационной разводки, в котором сформированы элементы источника магнитного пол  управлени  4. На слой 3 коммутационной разводки нанесен слой магнитного материала 5, в котором сформированы магннтопленочные аннликации Т-образной 6 и /-образной 7 конфигурации, далее нанесен слой немагнитного диэлектрика 8 и слой провод щей пленки с контактными площадками 9, подключаемый к источникам тока 10 - по оси X к 11 - по оси Y соответствующими щинами 12 и 13. Дл  обеспечени  управлени  магнитными доменами 14 при использовании магнитопленочных анпликаций необходимо перемагннчнвать магнитонленочные анпликаций 6 и 7 носледовательно (показано на фиг. 2). Неремагничивание осуществл етс  магнитным полем Ну в плоскости, перпендикул рной оси легкого намагничивани  доменосодержащего кристалла, параллельной плоскости сло  магнитопленочных аппликаций 5. Магнитный домен 14 имеет нолюса, расположенные в противоположных сторонах по оси легкой намагниченности (фиг. 2,а), магнитный домен в виде цилиндра устойчиво существует в магнитоодноосном материале, например, феррит-гранате, при наличии магнитного пол  смещени  Ясы, нанравленного параллельно оси легкой намагниченности. Ноле смещени  /-/см может создаватьс , например , посто нными магнитами. Магнитное поле управлени  Ну, направленное параллельно /-образной аппликации 7 по оси X, намагничивает ее, создава  прит гивающий нолюс у одного своего конца (фиг. 26), у которого фиксируетс  магнитный домен 14 (позици  /). Г1ри переключении магнитного пол  управлени  Ну в положение , показанное на фиг. 2в, перемагничиваютс  магнитопленочные аппликации, и магнитный домен переходит к новому прит гивающему полюсу (позици  И)-. Нри иолол :ении вектора магнитного пол  управлени  Ну, показанном на фиг. 2г, магнитный домен 14 переходит в позицию III, так как создаютс  прит гивающие полюса, как показано на фиг. 2,г. Когда вектор магнитного пол  Ну переключен в направлении, показанном па фиг. 2д, образуетс  нова  система полюсов иа магнитопленочных аппликаци х , и магнитный домен 14 нереходит в позицию IV. Нри еще одном переключении вектора магнитного нол  управлени  Ну (фиг. 2е) создаетс  система полюсов, тождественна  показанной на фиг. 26, магнитный домен 14 переходит в позицию /, но уже на другой /-образный элемент, т. е. магнитный домен 14 при последовательном переключении магнитного нол  управлени  Ну, вызвавшего последовательное неремаг и1чивапие аппликаций 6 и 7 и св занное с этим последовательное иеремещение прит гивающего полюса, передвигаетс  вслед за перемещением прит гивающего полюса и движетс  по доменопродвигающей структуре . Магнитное ноле управлени  Ну создаетс  электрическим током в слое нровод щего материала 9. Нротекающий по слою 9 ток / создает вокруг него магнитное поле Ну, конфигураци  которого при разных направлени х тока показана на фиг. За и 36. Это магнитное поле (направление вектора Ну показано на фиг. За и 36 дл  нижней стороны сло  9) намагничивает магиитопленочные аппликации. Смена направлени  тока вызывает смену направлени  вектора магнитного нол  унравлени  Ну, что позвол ет вызвать неремещение магнитных доменов нри переключении направлений тока, соответствующих переключению вектора Ну на фиг. 2. Носледовательность подключени  источников тока 10 и 11 показана на временной диаграмме (фиг. 4). Исключение электрической св зи между провод щим полем 9 и коммутационной разводкой осуществл етс  слоем немагнитного диэлектрика 8. Источники тока 10 и 11 также электрически разв заны. Нредлагаемое устройство позвол ет при его изготовлеиии исиользовать металлическую плоскую плепку, нанесенную, например , иапылением на кристалл доменосодержащего материала, в качестве узла, создающего магнитное поле управлени . Это позвол ет повысить технологичность изготовлени  такого устройства, так как исключаютс  операции по изготовлению и сборке катушек управлени  и повышаетс  надежность устройства. Кроме того, носкольку металлическа  провод ща  пленка дл  создани  пол  управлени  наноситс  в непосредственной близости от магнитопленочных аппликаций (зазор может составл ть не более 1 мкм), требуютс  более низкие энергозатраты дл  перемагничивани  магнитопленочных аппликаций . Формула изобретени  . Запоминающее устройство на магнитных доменах, содержащее магнитоодноосный доменосодержащий кристалл с расположенными на нем магнитопленочными аппликаци ми продвижени , аппликаци ми унравлени , источники тока и источник магнитного пол  управлени , отличающеес 

   тем, что, с целью повышени  надежности устройства, источник магнитного пол  управлени  выполнен в виде сло  немагнитного диэлектрика, нанесенного на доменосодержащий кристалл, на слой немагнитного диэлектрика нанесен слой тонкой провод щей пленки с контактными площадками, размещенными за пределами зоны магнитопленочных продвигающих и управл ющих аппликаций, а к каждой паре контактных

   W

   площадок подключены электрически разв занные источники тока.

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3702991, кл. G НС 11/14,5/04,16.01.73.
2. 2.Патент США № 3711841, кл. G НС 11/14, 19/00, 14.11.72.
3. 3.IEEE Mrans. МАС-11, № 5, р. 1151 - 1153, 1975.

   а

   Ч-

   JfM

   I IV Ш П

   «

   Фиг2

   а)

   .-..

   Т