JPS6134639Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6134639Y2 JPS6134639Y2 JP1982112871U JP11287182U JPS6134639Y2 JP S6134639 Y2 JPS6134639 Y2 JP S6134639Y2 JP 1982112871 U JP1982112871 U JP 1982112871U JP 11287182 U JP11287182 U JP 11287182U JP S6134639 Y2 JPS6134639 Y2 JP S6134639Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- conductor pattern
- memory device
- stretching
- detector
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
(1) 考案の技術分野
本考案は電子計算装置またはその端末機等に使
用される磁気バブルメモリデバイスに関し、特に
そのバブル検出器に関するものである。
用される磁気バブルメモリデバイスに関し、特に
そのバブル検出器に関するものである。
(2) 技術の背景
従来、磁気バブルメモリデバイスにおいてはそ
のバブル転送路を軟磁性のパーマロイ薄膜により
形成していたが、その製造過程のホトリソグラフ
イ工程において寸法精度に限度があるため、最近
はイオン注入法により転送路を形成し、記憶密度
を高度化する方法が用いられて来ている。このイ
オン注入バブルデバイスは第１図の平面図及び第
２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネツト（GGG）基板１の上に液相エピ
タキシアル成長させた磁性ガーネツトの薄膜２に
対し、パターン３以外の領域４に水素、ネオン、
ヘリウム等のイオンを注入したものである。この
ようにパターン３を形成した素子はイオンが注入
された領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面
内方向と一致し、パターン３の磁化容易軸方向は
矢印ｂの如くもとのままの面内方向と垂直であ
る。従つてバブル５は回転磁界によつてパターン
３の周縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。
のバブル転送路を軟磁性のパーマロイ薄膜により
形成していたが、その製造過程のホトリソグラフ
イ工程において寸法精度に限度があるため、最近
はイオン注入法により転送路を形成し、記憶密度
を高度化する方法が用いられて来ている。このイ
オン注入バブルデバイスは第１図の平面図及び第
２図の断面図に示す如くガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネツト（GGG）基板１の上に液相エピ
タキシアル成長させた磁性ガーネツトの薄膜２に
対し、パターン３以外の領域４に水素、ネオン、
ヘリウム等のイオンを注入したものである。この
ようにパターン３を形成した素子はイオンが注入
された領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面
内方向と一致し、パターン３の磁化容易軸方向は
矢印ｂの如くもとのままの面内方向と垂直であ
る。従つてバブル５は回転磁界によつてパターン
３の周縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。
このようなバブルメモリデバイスにおいては次
の如きバブル検出器が用いられている。
の如きバブル検出器が用いられている。
(3) 従来技術と問題点
第３図は従来のバブル検出器を説明するための
図であり、ａはバブル検出器の構造、ｂはそのコ
ンダクタパターンに印加するパルス電流の波形図
をそれぞれ示している。
図であり、ａはバブル検出器の構造、ｂはそのコ
ンダクタパターンに印加するパルス電流の波形図
をそれぞれ示している。
このバブル検出器は、バブル転送路６のカスプ
６ａを囲むヘアピンループを形成したコンダクタ
パターン７とコンダクタパターンの中央に配置さ
れたパーマロイ薄膜にて形成されたバブル検出素
子８より構成されている。この検出器のバブル検
出動作は、バブルが転送路６上を転送され、カス
プ６ａに入つたとき、コンダクタパターン７にｂ
図の如き電流を印加する。時刻t1からt2まではバ
イアス磁界を弱める方向の電流であり、このため
バブルは伸長してストライプ磁区になる。このと
きバブル検出素子８はその磁気抵抗効果によりバ
ブルの存在を検出する。次に時刻t3において、バ
イアス磁界を強める方向に電流を流しバブルを縮
少または消滅せしめるのである。このような従来
のバブル検出器は両極性の電源が必要であるとい
う欠点があつた。
６ａを囲むヘアピンループを形成したコンダクタ
パターン７とコンダクタパターンの中央に配置さ
れたパーマロイ薄膜にて形成されたバブル検出素
子８より構成されている。この検出器のバブル検
出動作は、バブルが転送路６上を転送され、カス
プ６ａに入つたとき、コンダクタパターン７にｂ
図の如き電流を印加する。時刻t1からt2まではバ
イアス磁界を弱める方向の電流であり、このため
バブルは伸長してストライプ磁区になる。このと
きバブル検出素子８はその磁気抵抗効果によりバ
ブルの存在を検出する。次に時刻t3において、バ
イアス磁界を強める方向に電流を流しバブルを縮
少または消滅せしめるのである。このような従来
のバブル検出器は両極性の電源が必要であるとい
う欠点があつた。
(4) 考案の目的
本考案は上記従来の欠点に鑑み、両極性の電源
を必要としないバブル検出器を有するバブルメモ
リデバイスを提供することを目的とするものであ
る。
を必要としないバブル検出器を有するバブルメモ
リデバイスを提供することを目的とするものであ
る。
(5) 考案の構成
そしてこの目的は本考案によれば、ストレツチ
用のコンダクタパターンにパルス電流を流してバ
ブル磁区を伸長させるバブルメモリデバイスにお
いて、ストレツチ用コンダクタパターンの周囲に
ストライプ磁区を縮少あるいは消滅させるための
コンダクタパターンを配設したことを特徴とする
バブルメモリデバイスを提供することによつて達
成される。
用のコンダクタパターンにパルス電流を流してバ
ブル磁区を伸長させるバブルメモリデバイスにお
いて、ストレツチ用コンダクタパターンの周囲に
ストライプ磁区を縮少あるいは消滅させるための
コンダクタパターンを配設したことを特徴とする
バブルメモリデバイスを提供することによつて達
成される。
(6) 考案の実施例
以下本考案実施例を図面によつて詳述する。
第４図は本考案によるバブルメモリデバイスを
説明するための図であり、ａは要部の説明図、ｂ
はそのコンダクタパターンに印加するパルス電流
の波形図をそれぞれ示す。同図はバブル検出器を
示すものであり、バブル転送路９のカスプ９ａを
囲むヘアピンループを形成したストレツチ用コン
ダクタパターン１０と、該コンダクタパターンの
２本のパターンの中央にパーマロイ薄膜にて形成
されたバブル検出素子１１とによる構成は第３図
に示した従来例と同様であり、本考案の特徴はス
トレツチ用コンダクタパターン１０の周囲に更に
ヘアピンループ状のコンダクタパターン１２を設
けたことである。
説明するための図であり、ａは要部の説明図、ｂ
はそのコンダクタパターンに印加するパルス電流
の波形図をそれぞれ示す。同図はバブル検出器を
示すものであり、バブル転送路９のカスプ９ａを
囲むヘアピンループを形成したストレツチ用コン
ダクタパターン１０と、該コンダクタパターンの
２本のパターンの中央にパーマロイ薄膜にて形成
されたバブル検出素子１１とによる構成は第３図
に示した従来例と同様であり、本考案の特徴はス
トレツチ用コンダクタパターン１０の周囲に更に
ヘアピンループ状のコンダクタパターン１２を設
けたことである。
このように構成された本実施例は、バブルが回
転磁界により転送路９に沿つて転送され、カスプ
９ａに来るタイミングでストレツチ用コンダクタ
パターン１０にその内部の磁界が低くなるように
ｂ図のＡで示すパルス電流を印加する。その結果
バブルは伸長してストライプ磁区となり、検出素
子１１によつて検知される。その後コンダクタパ
ターン１２にその内部の磁界が高くなるように、
ｂ図のパルスＡと同極性のパルスＢを反対方向に
印加する。その結果ストライプ磁区は縮少してバ
ブル磁区になるか、あるいは消滅させられる。
転磁界により転送路９に沿つて転送され、カスプ
９ａに来るタイミングでストレツチ用コンダクタ
パターン１０にその内部の磁界が低くなるように
ｂ図のＡで示すパルス電流を印加する。その結果
バブルは伸長してストライプ磁区となり、検出素
子１１によつて検知される。その後コンダクタパ
ターン１２にその内部の磁界が高くなるように、
ｂ図のパルスＡと同極性のパルスＢを反対方向に
印加する。その結果ストライプ磁区は縮少してバ
ブル磁区になるか、あるいは消滅させられる。
なお本実施例は容易に考えられるように外側の
コンダクタパターン１２でバブルを伸長させ内側
のコンダクタパターン１０でバブルを消滅させる
ように使用することもできる。
コンダクタパターン１２でバブルを伸長させ内側
のコンダクタパターン１０でバブルを消滅させる
ように使用することもできる。
(7) 考案の効果
以上詳細に説明したように本考案のバブルメモ
リデバイスはバブル検出器において、バブルスト
レツチ用のコンダクタパターンの他にストライプ
磁区を縮少または消滅するためのコンダクタパタ
ーンを設けた簡単な構成により、単極電源を用い
ることを可能とし、これにより周辺回路が簡単化
され、コストダウンに寄与するといつた効果大な
るものである。
リデバイスはバブル検出器において、バブルスト
レツチ用のコンダクタパターンの他にストライプ
磁区を縮少または消滅するためのコンダクタパタ
ーンを設けた簡単な構成により、単極電源を用い
ることを可能とし、これにより周辺回路が簡単化
され、コストダウンに寄与するといつた効果大な
るものである。
第１図は従来のイオン注入バブルデバイスを説
明するための図、第２図は第１図の−線にお
ける断面図、第３図は従来のバブルメモリデバイ
スのバブル検出器を説明するための図、第４図は
本考案によるバブルメモリデバイスを説明するた
めの図である。 図面において、９はバブル転送路、１０および
１２はコンダクタパターン、１１はバブル検出素
子をそれぞれ示す。
明するための図、第２図は第１図の−線にお
ける断面図、第３図は従来のバブルメモリデバイ
スのバブル検出器を説明するための図、第４図は
本考案によるバブルメモリデバイスを説明するた
めの図である。 図面において、９はバブル転送路、１０および
１２はコンダクタパターン、１１はバブル検出素
子をそれぞれ示す。
Claims (1)
- ストレツチ用のコンダクタパターンに電流を流
してバブル磁区を伸長させるバブルメモリデバイ
スにおいて、ストレツチ用コンダクタパターンの
周囲にストライプ磁区を縮少あるいは消滅させる
ためのコンダクタパターンを配設したことを特徴
とするバブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982112871U JPS5920499U (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982112871U JPS5920499U (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920499U JPS5920499U (ja) | 1984-02-07 |
| JPS6134639Y2 true JPS6134639Y2 (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=30261496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982112871U Granted JPS5920499U (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920499U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6040113B2 (ja) * | 1982-09-03 | 1985-09-09 | 電子計算機基本技術研究組合 | 磁気バブル素子 |
| JPH04216762A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Natl House Ind Co Ltd | 階段構造 |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP1982112871U patent/JPS5920499U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5920499U (ja) | 1984-02-07 |
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