JPH01159885A - バブル磁区検出器 - Google Patents
バブル磁区検出器Info
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- JPH01159885A JPH01159885A JP62317588A JP31758887A JPH01159885A JP H01159885 A JPH01159885 A JP H01159885A JP 62317588 A JP62317588 A JP 62317588A JP 31758887 A JP31758887 A JP 31758887A JP H01159885 A JPH01159885 A JP H01159885A
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- bubble
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バブルメモ
リ素子のバブル磁区検出器に関し、ストレッチ式バブル
磁区検出器のバブル消去パルスを不要として制御回路の
簡略化、低消費電力化を可能とすることを目的とし、 バブルストレッチ用ヘアピン型コンダクタと、バブル検
出用軟磁性薄膜ディテクタを具備し、磁気バブル結晶上
に形成されたバブル磁区検出器において、上記軟磁性薄
膜ディテクタの下の磁気バブル結晶の膜厚を他の部分よ
りも薄くするように構成する。
リ素子のバブル磁区検出器に関し、ストレッチ式バブル
磁区検出器のバブル消去パルスを不要として制御回路の
簡略化、低消費電力化を可能とすることを目的とし、 バブルストレッチ用ヘアピン型コンダクタと、バブル検
出用軟磁性薄膜ディテクタを具備し、磁気バブル結晶上
に形成されたバブル磁区検出器において、上記軟磁性薄
膜ディテクタの下の磁気バブル結晶の膜厚を他の部分よ
りも薄くするように構成する。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子のバブル磁区検出器に関する。
ブルメモリ素子のバブル磁区検出器に関する。
磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネットの単結晶基板（ＧＧＧ）の上に液相エピ
タキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バ
ブル結晶）を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄
膜を用いたハーフディスク型又は非対称シェブロン型等
のパターンを行列させたバブル転送路、またはイオン注
入法によりコンテイギユアスデイスク型又はスネーク型
等のイオン注入バブル転送路を形成したものであり、バ
ブル発生器により情報に従って発生させたバブルを転送
路に導き、そのパターンの所定の位置にバブルがある場
合を”１”、ない場合を”０”として情報を記憶するよ
うになっている。
ム・ガーネットの単結晶基板（ＧＧＧ）の上に液相エピ
タキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バ
ブル結晶）を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄
膜を用いたハーフディスク型又は非対称シェブロン型等
のパターンを行列させたバブル転送路、またはイオン注
入法によりコンテイギユアスデイスク型又はスネーク型
等のイオン注入バブル転送路を形成したものであり、バ
ブル発生器により情報に従って発生させたバブルを転送
路に導き、そのパターンの所定の位置にバブルがある場
合を”１”、ない場合を”０”として情報を記憶するよ
うになっている。
このような磁気バブルメモリ素子では高密度化が進むに
つれて高密度化が可能なイオン注入素子が主流となりつ
つある。またこの場合の情報再生用のバブル検出におい
ては、ヘアピン型などのコンダクタにパルス電流を印加
してバブルをストライプさせ、薄膜パーマロイの検出器
を用い、その磁気抵抗効果を利用して検知するカレント
ストレッチ方式が主流となる。
つれて高密度化が可能なイオン注入素子が主流となりつ
つある。またこの場合の情報再生用のバブル検出におい
ては、ヘアピン型などのコンダクタにパルス電流を印加
してバブルをストライプさせ、薄膜パーマロイの検出器
を用い、その磁気抵抗効果を利用して検知するカレント
ストレッチ方式が主流となる。
第２図は従来のカレントストレッチ方式のバブル磁区検
出器を示す図であり、ａは平面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線
における断面図である。これはＧＧＧ基板１上に形成さ
れた磁気バブル結晶２にイオン注入してイオン注入バブ
ル転送路３を形成し、その上に第１のスペーサ４を介し
て軟磁性薄膜ディテクタ５を形成し、その上には第２の
スペーサ６を介し、折り返し部がバブル転送路のカスプ
Ａに位置し且つ薄膜ディテクタ５を挟むようにしてヘア
ピン型コンダクタ７を形成したものである。
出器を示す図であり、ａは平面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線
における断面図である。これはＧＧＧ基板１上に形成さ
れた磁気バブル結晶２にイオン注入してイオン注入バブ
ル転送路３を形成し、その上に第１のスペーサ４を介し
て軟磁性薄膜ディテクタ５を形成し、その上には第２の
スペーサ６を介し、折り返し部がバブル転送路のカスプ
Ａに位置し且つ薄膜ディテクタ５を挟むようにしてヘア
ピン型コンダクタ７を形成したものである。
その動作は、バブル転送路３をバブルが転送されカスプ
Ａに来たとき、ヘアピン型コンダクタフに第３図に示す
ようなストレッチパルスＢとデイストレッチパルスＣと
を有する二極パルスを流し、ストレッチパルスＢでバブ
ルを引伸ばし、薄膜ディテクタ５で検知した後、デイス
トレッチパルスＣでバブルを元に戻すか、消去するよう
になっている。
Ａに来たとき、ヘアピン型コンダクタフに第３図に示す
ようなストレッチパルスＢとデイストレッチパルスＣと
を有する二極パルスを流し、ストレッチパルスＢでバブ
ルを引伸ばし、薄膜ディテクタ５で検知した後、デイス
トレッチパルスＣでバブルを元に戻すか、消去するよう
になっている。
上記従来のカレントストレッチ式バブル磁区検出器では
、ヘアピン型コンダクタフに流すパルスにストレッチパ
ルスＢとその逆向きのデイストレッチパルスＣを用い、
検出したバブルを消去する操作が必要であり、回路が複
雑になるという問題があった。
、ヘアピン型コンダクタフに流すパルスにストレッチパ
ルスＢとその逆向きのデイストレッチパルスＣを用い、
検出したバブルを消去する操作が必要であり、回路が複
雑になるという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、バブル消去用の操作を必要
としないバブル磁区検出器を提供することを目的とする
ものである。
としないバブル磁区検出器を提供することを目的とする
ものである。
上記目的は、バブルストレッチ用ヘアピン型コンダクタ
７と、バブル検出用軟磁性薄膜ディテクタ５を具備し、
バブル結晶２上に形成されたバブル磁区検出器において
、上記軟磁性薄膜ディテクタ５の下の磁気バブル結晶２
の膜厚を他の部分よりも薄クシたことを特徴とするバブ
ル磁区検出器によって形成される。
７と、バブル検出用軟磁性薄膜ディテクタ５を具備し、
バブル結晶２上に形成されたバブル磁区検出器において
、上記軟磁性薄膜ディテクタ５の下の磁気バブル結晶２
の膜厚を他の部分よりも薄クシたことを特徴とするバブ
ル磁区検出器によって形成される。
一般的に自由バブルの消減磁界Ｈｏは次の式で表される
。
。
この弐において、ｈを小さくするとＨｏが小さくなる。
従って、検出部分の消減磁界を磁気バブルメモリ素子の
動作マージンの下限より小さくなるようにｈを決めてお
けばバブル検出後、ヘアピン型コンダクタの電流を切れ
ばバブルは自然消滅する。これにより消去する操作は不
要となる。
動作マージンの下限より小さくなるようにｈを決めてお
けばバブル検出後、ヘアピン型コンダクタの電流を切れ
ばバブルは自然消滅する。これにより消去する操作は不
要となる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。本実施例は
同図に示すように、ＧＧＧ基板１上に第１表に示す特性
の磁気バブル結晶を形成し、軟磁性薄膜ディテクタ５が
形成される部分８を２２００人エツチングして膜厚を薄
クシた後、これにイオン注入バブル転送路３を形成し、
その上に第１のスペーサ４を介して軟磁性薄膜ディテク
タ５を形成し、さらにその上に第２のスペーサ６を介し
てヘアピン型コンダクタ７を形成したものである。なお
ヘアピン型コンダクタ７が、その折り返し部をイオン注
入バブル転送路のカスプＡに位置し、且つ軟磁性薄膜デ
イ子りタ５を２線間に挟むようにしていることは第２図
の従来例と同様である。
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。本実施例は
同図に示すように、ＧＧＧ基板１上に第１表に示す特性
の磁気バブル結晶を形成し、軟磁性薄膜ディテクタ５が
形成される部分８を２２００人エツチングして膜厚を薄
クシた後、これにイオン注入バブル転送路３を形成し、
その上に第１のスペーサ４を介して軟磁性薄膜ディテク
タ５を形成し、さらにその上に第２のスペーサ６を介し
てヘアピン型コンダクタ７を形成したものである。なお
ヘアピン型コンダクタ７が、その折り返し部をイオン注
入バブル転送路のカスプＡに位置し、且つ軟磁性薄膜デ
イ子りタ５を２線間に挟むようにしていることは第２図
の従来例と同様である。
このように構成された本実施例において、イオン注入転
送路の動作マージンの下限は約４４００ｅである。また
軟磁性薄膜ディテクタ５の下の膜厚を薄くした部分８の
磁気バブル結晶の消減磁界ＨＯは前出の弐（１）に従っ
て計算すると、”’ ４３３０ｅ となる。これは動作マージンの下限値４４００ｓよりも
低いため、ストレッチ電流を切ると自然にバブルは消滅
することになる。従ってデイストレッチパルスが不要と
なりバブル制御回路が簡単になる。
送路の動作マージンの下限は約４４００ｅである。また
軟磁性薄膜ディテクタ５の下の膜厚を薄くした部分８の
磁気バブル結晶の消減磁界ＨＯは前出の弐（１）に従っ
て計算すると、”’ ４３３０ｅ となる。これは動作マージンの下限値４４００ｓよりも
低いため、ストレッチ電流を切ると自然にバブルは消滅
することになる。従ってデイストレッチパルスが不要と
なりバブル制御回路が簡単になる。
以上説明した様に、本発明によれば、軟磁性薄膜ディテ
クタの下の部分の磁気バブル結晶の膜厚を他の部分より
薄くシ、消減磁界を小さくすることにより、バブル検出
後にバブルを自然消滅させることができ、消去操作が不
要となり、制御回路の簡略化、低消費電力化が可能なバ
ブル磁区検出器を提供することができる。
クタの下の部分の磁気バブル結晶の膜厚を他の部分より
薄くシ、消減磁界を小さくすることにより、バブル検出
後にバブルを自然消滅させることができ、消去操作が不
要となり、制御回路の簡略化、低消費電力化が可能なバ
ブル磁区検出器を提供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来のカレントストレッチ方式のバブル磁区検
出器を示す図、 第３図はコンダクタに流すパルスの形状を示す図である
。 図において、 １はＧ Ｇ Ｇ基板、 ２は磁気バブル結晶、 ３はイオン注入バブル転送路、 ４は第１のスペーサ、 ５は軟磁性薄膜ディテクタ、 ６は第２のスペーサ、 ７はヘアピン型コンダクタ、 ８は結晶を薄くした部分 を示す。
出器を示す図、 第３図はコンダクタに流すパルスの形状を示す図である
。 図において、 １はＧ Ｇ Ｇ基板、 ２は磁気バブル結晶、 ３はイオン注入バブル転送路、 ４は第１のスペーサ、 ５は軟磁性薄膜ディテクタ、 ６は第２のスペーサ、 ７はヘアピン型コンダクタ、 ８は結晶を薄くした部分 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、バブルストレッチ用ヘアピン型コンダクタ（７）と
、バブル検出用軟磁性薄膜ディテクタ（５）を具備し、
磁気バブル結晶（２）上に形成されたバブル磁区検出器
において、 上記軟磁性薄膜ディテクタ（５）の下の磁気バブル結晶
（２）の膜厚を他の部分よりも薄くしたことを 特徴とするバブル磁区検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317588A JPH01159885A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | バブル磁区検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317588A JPH01159885A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | バブル磁区検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159885A true JPH01159885A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18089906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317588A Pending JPH01159885A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | バブル磁区検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01159885A (ja) |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62317588A patent/JPH01159885A/ja active Pending
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