JPS63153788A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS63153788A JPS63153788A JP30011386A JP30011386A JPS63153788A JP S63153788 A JPS63153788 A JP S63153788A JP 30011386 A JP30011386 A JP 30011386A JP 30011386 A JP30011386 A JP 30011386A JP S63153788 A JPS63153788 A JP S63153788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- bubble
- permalloy
- ion
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 8
- 241000047703 Nonion Species 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
イオン注入転送路とパーマロイ転送路を有するハイブリ
ッド型の磁気バブルメモリ素子であって、転送路形成用
のイオン注入層下のフリーバブルストライプアウト磁界
よりパーマロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフリ
ーバブルストライプアラ）［界を大きくすることにより
両転送路の接続部での転送特性を改善可能とする。
ッド型の磁気バブルメモリ素子であって、転送路形成用
のイオン注入層下のフリーバブルストライプアウト磁界
よりパーマロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフリ
ーバブルストライプアラ）［界を大きくすることにより
両転送路の接続部での転送特性を改善可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子に関するものである。
ブルメモリ素子に関するものである。
磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル
成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶）
を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いた
ハーフデスク型又は非対称シェブロン等のパターンを行
列させたバブル転送路を形成したものであり、バブル発
生器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導
き、そのパターンにバブルがある場合を“１″、ない場
合を“０″として情報を記憶させている。また情報の読
み出しは、バブルをバブル磁区伸長器によって引伸ばし
、ストライプ磁区とした後、磁気抵抗効果を利用した°
検出器により電気信号として取出し、バブルの有無を検
出するようになっている。
ム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル
成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶）
を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いた
ハーフデスク型又は非対称シェブロン等のパターンを行
列させたバブル転送路を形成したものであり、バブル発
生器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導
き、そのパターンにバブルがある場合を“１″、ない場
合を“０″として情報を記憶させている。また情報の読
み出しは、バブルをバブル磁区伸長器によって引伸ばし
、ストライプ磁区とした後、磁気抵抗効果を利用した°
検出器により電気信号として取出し、バブルの有無を検
出するようになっている。
このような磁気バブルメモリ素子は高密度化の一途をた
どっており、使用される転送パターンが微小化されて来
ている。このため軟磁性薄膜の転送パターンはそのギャ
ップが１μｍ以下となり光りソグラフィ技術では形成が
困難となって来ている。
どっており、使用される転送パターンが微小化されて来
ている。このため軟磁性薄膜の転送パターンはそのギャ
ップが１μｍ以下となり光りソグラフィ技術では形成が
困難となって来ている。
このため寸法精度が多少緩くとも良いイオン注入法によ
る転送路の形成が考えられているが、バブル駆動力の関
係からゲート部には従来のパーマロイパターンを用い、
情報格納部にはイオン注入転送路を用いるハイブリッド
型の素子が開発されている。
る転送路の形成が考えられているが、バブル駆動力の関
係からゲート部には従来のパーマロイパターンを用い、
情報格納部にはイオン注入転送路を用いるハイブリッド
型の素子が開発されている。
従来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子は、第３図
にその断面図を示すように、バブル結晶１にイオン注入
によってイオン注入転送路用イオン注入層２を形成し、
さらにハードバブル抑制層３を形成し、その上に第１ス
ペーサ層４、導体パターン５、第２スペーサ層６、軟磁
性薄膜のパーマロイ転送パターン７、パッシベーション
膜８を順次形成したものである。
にその断面図を示すように、バブル結晶１にイオン注入
によってイオン注入転送路用イオン注入層２を形成し、
さらにハードバブル抑制層３を形成し、その上に第１ス
ペーサ層４、導体パターン５、第２スペーサ層６、軟磁
性薄膜のパーマロイ転送パターン７、パッシベーション
膜８を順次形成したものである。
上記従来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子では、
イオン注入領域と非イオン注入領域との境界に大きなポ
テンシャルが生ずるため、イオン注入転送路とパーマロ
イ転送路の接続部でのバブル転送特性が十分でないとい
う欠点があった。
イオン注入領域と非イオン注入領域との境界に大きなポ
テンシャルが生ずるため、イオン注入転送路とパーマロ
イ転送路の接続部でのバブル転送特性が十分でないとい
う欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、イオ
ン注入転送路とパーマロイ転送路との接続部における転
送特性が改善されたハイブリッド型磁気バブルメモリ素
子を提供することを目的としている。
ン注入転送路とパーマロイ転送路との接続部における転
送特性が改善されたハイブリッド型磁気バブルメモリ素
子を提供することを目的としている。
このため本発明においては、イオン注入転送路とパーマ
ロイ転送路の両方式の転送路を具備するハイブリッド型
磁気バブルメモリ素子において、転送路形成のイオン注
入層下のフリーバブルストライプアウト磁界よりパーマ
ロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフリーバブルス
トライプアウト磁界が大きいことを特徴としている。
ロイ転送路の両方式の転送路を具備するハイブリッド型
磁気バブルメモリ素子において、転送路形成のイオン注
入層下のフリーバブルストライプアウト磁界よりパーマ
ロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフリーバブルス
トライプアウト磁界が大きいことを特徴としている。
イオン注入層下のフリーバブルストライプアウト磁界よ
りパーマロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフリー
バブルストライプアウト磁界が大きいことによりイオン
注入領域と非イオン注入領域との境界部に生じるポテン
シャルが小さくなるため、イオン注入転送路とパーマロ
イ転送路との接続部における転送特性の改善が可能とな
る。
りパーマロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフリー
バブルストライプアウト磁界が大きいことによりイオン
注入領域と非イオン注入領域との境界部に生じるポテン
シャルが小さくなるため、イオン注入転送路とパーマロ
イ転送路との接続部における転送特性の改善が可能とな
る。
第１表は本発明の実施例のイオン注入転送路形成用と、
パーマロイ転送路側のハードバブル抑制層形成用のイオ
ン注入条件を従来例と比較して示したものである。
パーマロイ転送路側のハードバブル抑制層形成用のイオ
ン注入条件を従来例と比較して示したものである。
第 １ 表
（但し両者共５ｉＯｚ膜形成後３５０℃で２時間の熱処
理を行う） このように形成された本実施例はイオン注入転送路形成
用のイオン注入層下のフリーバブルストライプアウト磁
界よりパーマロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフ
リーバブルストライプアウト磁界の方が大きくなる。
理を行う） このように形成された本実施例はイオン注入転送路形成
用のイオン注入層下のフリーバブルストライプアウト磁
界よりパーマロイ転送路側のハードバブル抑制層下のフ
リーバブルストライプアウト磁界の方が大きくなる。
第１図は第１表の場合のイオン注入転送路用イオン注入
領域と非注入領域との境界部におけるポテンシャルを示
したものである。同図において曲線Ａ（実線）で本実施
例を、曲線Ｂ（点線）で従来例を示している。図に示す
ようにイオン注入境界部ではイオン注入側にポテンシャ
ルの谷があり、非注入側に山が存在する。そして非イオ
ン注入領域（パーマロイ転送路側）のフリーバブルスト
ラ゛イブアウト磁界を大きくした本実施例では、ポテン
シャルが小さくなっている。
領域と非注入領域との境界部におけるポテンシャルを示
したものである。同図において曲線Ａ（実線）で本実施
例を、曲線Ｂ（点線）で従来例を示している。図に示す
ようにイオン注入境界部ではイオン注入側にポテンシャ
ルの谷があり、非注入側に山が存在する。そして非イオ
ン注入領域（パーマロイ転送路側）のフリーバブルスト
ラ゛イブアウト磁界を大きくした本実施例では、ポテン
シャルが小さくなっている。
第２図は本実施例の効果を説明する図であり、同図は直
径１４μｍのパーマロイディスクパターンによるバブル
のイオン注入境界通過マージンを示している。図におい
て曲線Ａは本実施例ではＨ，”’ −Ｈ，１１＝＋３０
ｅ 、曲線Ｂは従来例でＨｚ ”’ Ｈ！ ”−−５
０ｅの場合（但しＨ，Ｉｌｌ！は非イオン注入側のスト
ライプ磁界、Ｈ，ＩＩはイオン注入領域のストライプ磁
界）である。同図より本実施例は従来例に比しバイアス
マージンの上限が改善されていることがわかる。
径１４μｍのパーマロイディスクパターンによるバブル
のイオン注入境界通過マージンを示している。図におい
て曲線Ａは本実施例ではＨ，”’ −Ｈ，１１＝＋３０
ｅ 、曲線Ｂは従来例でＨｚ ”’ Ｈ！ ”−−５
０ｅの場合（但しＨ，Ｉｌｌ！は非イオン注入側のスト
ライプ磁界、Ｈ，ＩＩはイオン注入領域のストライプ磁
界）である。同図より本実施例は従来例に比しバイアス
マージンの上限が改善されていることがわかる。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
構成でハイブリッド型磁気バブルメモリ素子のイオン注
入転送路とパーマロイ転送路との接続部における転送特
性を改善することができ実用的には極めて有用である。
構成でハイブリッド型磁気バブルメモリ素子のイオン注
入転送路とパーマロイ転送路との接続部における転送特
性を改善することができ実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の実施例のイオン注入領域と非イオン注
入領域との境界におけるポテンシャルを従来例と比較し
て示す図、 第２図は本発明の詳細な説明するための図、第３図は従
来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子を示す断面図
である。 第３図において、 １はバブル結晶、 ２は転送路用イオン注入層、 ３はハードバブル抑制層、 ４は第１スペーサ層、 ５は導体パターン、 ６は第２スペーサ層、 ７はパーマロイ転送パターン、 ８はパンシベーシッン膜である。 （ＩＩ ） （）（８５）、 ＩＩＨ
ＢＳ −、Ｈｚ＜ Ｈｚ 本発明の実施例のイオン注入領域と非イオン注入領域と
の境界におけるポテンシャルを従来例と比較して示す図
第１図 駆動磁界（Ｏｅ） 本発明の詳細な説明するための図 第２図
入領域との境界におけるポテンシャルを従来例と比較し
て示す図、 第２図は本発明の詳細な説明するための図、第３図は従
来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子を示す断面図
である。 第３図において、 １はバブル結晶、 ２は転送路用イオン注入層、 ３はハードバブル抑制層、 ４は第１スペーサ層、 ５は導体パターン、 ６は第２スペーサ層、 ７はパーマロイ転送パターン、 ８はパンシベーシッン膜である。 （ＩＩ ） （）（８５）、 ＩＩＨ
ＢＳ −、Ｈｚ＜ Ｈｚ 本発明の実施例のイオン注入領域と非イオン注入領域と
の境界におけるポテンシャルを従来例と比較して示す図
第１図 駆動磁界（Ｏｅ） 本発明の詳細な説明するための図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン注入転送路とパーマロイ転送路の両方式の転
送路を具備するハイブリッド型磁気バブルメモリ素子に
おいて、 転送路形成のイオン注入層下のフリーバブルストライプ
アウト磁界よりパーマロイ転送路側のハードバブル抑制
層下のフリーバブルストライプアウト磁界が大きいこと
を特徴とした磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011386A JPS63153788A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011386A JPS63153788A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153788A true JPS63153788A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17880876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30011386A Pending JPS63153788A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153788A (ja) |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30011386A patent/JPS63153788A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63153788A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| US4601013A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| US4525808A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| JPS58166527A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| Park et al. | New drive line shape for reflective magnetooptic spatial light modulator | |
| JPS60171690A (ja) | 磁気バブル記憶素子 | |
| JPS63195818A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US4578775A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS5867006A (ja) | 積層垂直磁化膜 | |
| JPS6040109B2 (ja) | カレントストレッチバブル検出法 | |
| JPH01144288A (ja) | 磁区位置及びブロッホライン位置の安定化方法 | |
| JPS59227079A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6238586A (ja) | 磁気バブル転送路 | |
| JPS60167189A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS59227082A (ja) | イオン注入バブルデバイス | |
| JPH01159885A (ja) | バブル磁区検出器 | |
| JPS58108086A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JPS60133517A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS62214579A (ja) | ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH04113578A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6259394B2 (ja) | ||
| JPS63153790A (ja) | 磁気バブルメモリ素子の作製方法 | |
| JPH01105385A (ja) | イオン注入バブルデバイス用バブル発生器 | |
| JPS63119092A (ja) | 磁性メモリ素子 | |
| JPS62202394A (ja) | 磁気バブルメモリ |