JPS59227082A - イオン注入バブルデバイス - Google Patents
イオン注入バブルデバイスInfo
- Publication number
- JPS59227082A JPS59227082A JP58099441A JP9944183A JPS59227082A JP S59227082 A JPS59227082 A JP S59227082A JP 58099441 A JP58099441 A JP 58099441A JP 9944183 A JP9944183 A JP 9944183A JP S59227082 A JPS59227082 A JP S59227082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implanting
- bubble
- transfer
- ion
- ion implantation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置又はその端末機等の記憶装置とし
て用いられる磁気バブルメモリデバイスに関し、特にイ
オン注入バブルデバイスに関するものである。
て用いられる磁気バブルメモリデバイスに関し、特にイ
オン注入バブルデバイスに関するものである。
技術の背景
磁気バブルメモリ装置は、不揮発性、高記憶密度、低消
費電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く
含まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有
し、大容量メモリとして将来が期待されている。
費電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く
含まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有
し、大容量メモリとして将来が期待されている。
このような磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の増
加、装置の小型化要求などによシ記憶密度の向上が求め
られている。このため最近、バブル転送路をイオン注入
法によ多形成して記憶密度を高度化する方法が開発され
ている。
加、装置の小型化要求などによシ記憶密度の向上が求め
られている。このため最近、バブル転送路をイオン注入
法によ多形成して記憶密度を高度化する方法が開発され
ている。
この方法は、第１図ａの平面図及び第１図すの断面図に
示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板１
の上にバブル用結晶となる磁性薄膜２を液相エピタキシ
ャル成長法によ多形成し、この磁性薄膜２に対し、ツヤ
ターン３以外の領域４に水素、ネオン、ヘリウム等のイ
オンを注入したものである。このようにしてパターン３
を形成した素子はイオンを注入された領域４の磁化容易
軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パターン領域
３の磁化容易軸方向は矢印すの如くもとのままで面内方
向と垂直である。従ってバイアス磁界及び回転磁界を印
加することによシバプル５はパターン３の周縁に沿って
矢印Ｃの如く転送される。
示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板１
の上にバブル用結晶となる磁性薄膜２を液相エピタキシ
ャル成長法によ多形成し、この磁性薄膜２に対し、ツヤ
ターン３以外の領域４に水素、ネオン、ヘリウム等のイ
オンを注入したものである。このようにしてパターン３
を形成した素子はイオンを注入された領域４の磁化容易
軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パターン領域
３の磁化容易軸方向は矢印すの如くもとのままで面内方
向と垂直である。従ってバイアス磁界及び回転磁界を印
加することによシバプル５はパターン３の周縁に沿って
矢印Ｃの如く転送される。
そしてこのノ？ターン３は円形や４角形をその一部が重
なるようにして列状に並べた形状であシ、従来のパーマ
ロイパターンの如くギャップを必要としないため寸法精
度が緩くとも良く、従ってパターンが小さくでき高密度
化が実現される。
なるようにして列状に並べた形状であシ、従来のパーマ
ロイパターンの如くギャップを必要としないため寸法精
度が緩くとも良く、従ってパターンが小さくでき高密度
化が実現される。
このイオン注入法によるパターンは第２図に示す如く連
接ディスクパターン３に回転磁界を印加するとバブルは
当然ディスクパターン３の周縁に沿って移動するが、こ
のよう々磁性薄膜にはストライプ・アウトされやすい軸
が３方向（１２ｉ〕。
接ディスクパターン３に回転磁界を印加するとバブルは
当然ディスクパターン３の周縁に沿って移動するが、こ
のよう々磁性薄膜にはストライプ・アウトされやすい軸
が３方向（１２ｉ〕。
＋ｊｒ２）、 〔２ｉｉ）に１２０°の間隔をなして存
在し、これら１２００の間隔をなす容易磁化軸に対し上
記連接ディスクパターン３の方向が図に示す関係位置に
よってスーツや−・トラックＳと、パッド・トラックｂ
と、グツド・トラックｇの３通９のバブル移動通路がで
きる。
在し、これら１２００の間隔をなす容易磁化軸に対し上
記連接ディスクパターン３の方向が図に示す関係位置に
よってスーツや−・トラックＳと、パッド・トラックｂ
と、グツド・トラックｇの３通９のバブル移動通路がで
きる。
従来技術と問題点
第３図は従来の標準型の転送路を示す図である。
同図において、６，７，８はディスクツ４ターンで主に
Ｎｅ イオノが浅く注入されている。９，１０はイオ
ン注入層で一般にはＮｅ 、Ｈｅ 、Ｈ２イオン等
の多重イオン注入法で形成され、注入層９゜１、０の膜
厚、格子歪、誘起異方性磁界は一様である。バブル結晶
である磁性薄膜の容易磁化軸方向Ｃ丁−１２１と転送路
６，７．８の方向を図の如く同一方向とし、回転磁界Ｈ
Ｄを印加すると、バブル１１．１２は矢印の如く転送さ
れる。このような転送路を用いたイオン注入バブルデバ
イスは、高密度化のため転送路のセルサイズ（図におけ
るＰＸＤ）が小さくなると前述の容易軸の３回対称性に
原因して、転送路６，７間、７，８間での相互作用が大
きくなり転送特性が劣化するという問題が生ずる。
Ｎｅ イオノが浅く注入されている。９，１０はイオ
ン注入層で一般にはＮｅ 、Ｈｅ 、Ｈ２イオン等
の多重イオン注入法で形成され、注入層９゜１、０の膜
厚、格子歪、誘起異方性磁界は一様である。バブル結晶
である磁性薄膜の容易磁化軸方向Ｃ丁−１２１と転送路
６，７．８の方向を図の如く同一方向とし、回転磁界Ｈ
Ｄを印加すると、バブル１１．１２は矢印の如く転送さ
れる。このような転送路を用いたイオン注入バブルデバ
イスは、高密度化のため転送路のセルサイズ（図におけ
るＰＸＤ）が小さくなると前述の容易軸の３回対称性に
原因して、転送路６，７間、７，８間での相互作用が大
きくなり転送特性が劣化するという問題が生ずる。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、転送路間の相互作用
を低減したイオン注入バブルデバイスを提供することを
目的とするものである。
を低減したイオン注入バブルデバイスを提供することを
目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、イオン注入によって
できるチャージドウオールを利用したイオン注入バブル
デバイスにおいて、各転送路のバブル転送方向に対して
その一部に相異なるイオン注入層を有することを特徴と
するイオン注入バブルデバイスを提供することによって
達成される。
できるチャージドウオールを利用したイオン注入バブル
デバイスにおいて、各転送路のバブル転送方向に対して
その一部に相異なるイオン注入層を有することを特徴と
するイオン注入バブルデバイスを提供することによって
達成される。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
第４図は本発明によるイオン注入パズルデバイスを説明
するだめの図であシ、同図において、２０゜２１．２２
はディスクパターン、２３．２４及び２５．２６はバブ
ルが転送されるイオン注入層、２７．２８はパズル、ｔ
ｊｆ２）は結晶の方向、ＨＤは回転磁界をそれぞれ示し
ている。
するだめの図であシ、同図において、２０゜２１．２２
はディスクパターン、２３．２４及び２５．２６はバブ
ルが転送されるイオン注入層、２７．２８はパズル、ｔ
ｊｆ２）は結晶の方向、ＨＤは回転磁界をそれぞれ示し
ている。
本実施例はバブル２７が転送される注入層２３゜２４と
バブル２８が転送される注入層２５．２６の膜厚、格子
歪、誘起異方性磁界の少なくとも一つを制御する手段を
示したものである。すなわち、シＬ 本実施例は先ず結晶全面に浅いイオン注入層を形成し、
次いでＡｕ 、レノスト等を用いて転送路２０゜２１．
２２を形成したのちイオン注入を行ない、次いで第５図
に示す如き、窓３０．３１を有するマスクパターンを用
いてイオン注入あるいはエツチングによシ第４図に示し
たイオン注入層２３゜２４と２５．２６との膜厚、格子
歪、誘起異方性磁界の少なくとも一つを制御するように
したものである。
バブル２８が転送される注入層２５．２６の膜厚、格子
歪、誘起異方性磁界の少なくとも一つを制御する手段を
示したものである。すなわち、シＬ 本実施例は先ず結晶全面に浅いイオン注入層を形成し、
次いでＡｕ 、レノスト等を用いて転送路２０゜２１．
２２を形成したのちイオン注入を行ない、次いで第５図
に示す如き、窓３０．３１を有するマスクパターンを用
いてイオン注入あるいはエツチングによシ第４図に示し
たイオン注入層２３゜２４と２５．２６との膜厚、格子
歪、誘起異方性磁界の少なくとも一つを制御するように
したものである。
このように形成された本実施例はバブル結晶の容易軸の
３回対称性から来る転送路間の相互作用による転送特性
の不一致をパズルの転送方向によって相異した条件によ
って形成されたイオン注入層によって低減することがで
きる。
３回対称性から来る転送路間の相互作用による転送特性
の不一致をパズルの転送方向によって相異した条件によ
って形成されたイオン注入層によって低減することがで
きる。
また第５図に示したマスクはその窓３０．３１が大きい
ので位置合わせの余祐度を十分にとることができる。
ので位置合わせの余祐度を十分にとることができる。
発明の効果
以上詳細に説明したように本発明のイオン注入バブルデ
バイスは転送路のバブル転送方向に対し、一部イオン注
入条件を変えたりあるいは削除してイオン注入層の膜厚
、格子歪、誘起異方性磁界の大きさやプロファイルを制
御して転送路間の相互作用を低減せしめることを可能と
したものであって、イオン注入バブルメモリの信頼性の
向上に寄与するといった効果大なるものである。
バイスは転送路のバブル転送方向に対し、一部イオン注
入条件を変えたりあるいは削除してイオン注入層の膜厚
、格子歪、誘起異方性磁界の大きさやプロファイルを制
御して転送路間の相互作用を低減せしめることを可能と
したものであって、イオン注入バブルメモリの信頼性の
向上に寄与するといった効果大なるものである。
第１図は従来のイオン注入バブルデバイスを説明するだ
めの図、第２図はその結晶方向とバブル転送路の特性と
の関係を説明するだめの図、第３図は従来の標準型の転
送路を示す図、第４図は本発明によるイオン注入バブル
デバイスを説明するだめの図、第５図はそのイオン注入
用マスクを説明するための図である。 図面において、２０，２１．２２はディスクパターン、
２３，２４，２５，２６はイオン注入層、２７．２８は
パズルをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図 （１） 第 ３図 第４図 第５図 〈１丁２〉
めの図、第２図はその結晶方向とバブル転送路の特性と
の関係を説明するだめの図、第３図は従来の標準型の転
送路を示す図、第４図は本発明によるイオン注入バブル
デバイスを説明するだめの図、第５図はそのイオン注入
用マスクを説明するための図である。 図面において、２０，２１．２２はディスクパターン、
２３，２４，２５，２６はイオン注入層、２７．２８は
パズルをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図 （１） 第 ３図 第４図 第５図 〈１丁２〉
Claims (1)
- １、イオン注入によってできるチャージドウオールを利
用したイオン注入バブルデバイスにおいて、各転送路の
・ぐプル転送方向に対してその一部に相異なるイオン注
入層を有することを特徴とするイオン注入バブルデバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099441A JPS59227082A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | イオン注入バブルデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099441A JPS59227082A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | イオン注入バブルデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227082A true JPS59227082A (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=14247486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099441A Pending JPS59227082A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | イオン注入バブルデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227082A (ja) |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58099441A patent/JPS59227082A/ja active Pending
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