JPS5891583A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5891583A JPS5891583A JP56189111A JP18911181A JPS5891583A JP S5891583 A JPS5891583 A JP S5891583A JP 56189111 A JP56189111 A JP 56189111A JP 18911181 A JP18911181 A JP 18911181A JP S5891583 A JPS5891583 A JP S5891583A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- turn
- drive
- pattern
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明はイオン注入法で作成された磁気バブルメモリ素
子に関するものである。
子に関するものである。
（２）技術の背景
最近、磁気バブルメモリにおいて、そのバブル転送路を
イオン注入法により形成し、記憶密度を１高度化する方
法が開発されている。この方法は、第１図の平面図およ
び第２図の断面図に示す如くガドリニウム９ガリウム・
ガーネｙ ） （ＧＧＧ ）基板ｌＯ上に液相エピタキ
シャル成長させて磁性ガーネットの薄膜２を形成し、こ
の薄膜２に対し、２・中ターフ３以外の部分に水素、ネ
オン、ヘリウム郷のイオン全注入したものである。この
ようにノ譬ターン３を形成した素子はイオンが注入され
た部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と□
一致し、Δターン部分３の磁化容易軸方向は矢印すの如
くもとのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５
は回転磁界によって／譬ターン３０周縁に沿って矢印−
の如く転送される。そしてこの７４ターン３は円形や四
角形を一部分が重たるように列状に配列し良形状である
ため、従来のギヤラグを必要とするノ譬−マロイパター
ンに比し寸法精度が緩くとも良く、従りてΔターンが小
さくでき高密度化が実現される。
イオン注入法により形成し、記憶密度を１高度化する方
法が開発されている。この方法は、第１図の平面図およ
び第２図の断面図に示す如くガドリニウム９ガリウム・
ガーネｙ ） （ＧＧＧ ）基板ｌＯ上に液相エピタキ
シャル成長させて磁性ガーネットの薄膜２を形成し、こ
の薄膜２に対し、２・中ターフ３以外の部分に水素、ネ
オン、ヘリウム郷のイオン全注入したものである。この
ようにノ譬ターン３を形成した素子はイオンが注入され
た部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と□
一致し、Δターン部分３の磁化容易軸方向は矢印すの如
くもとのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５
は回転磁界によって／譬ターン３０周縁に沿って矢印−
の如く転送される。そしてこの７４ターン３は円形や四
角形を一部分が重たるように列状に配列し良形状である
ため、従来のギヤラグを必要とするノ譬−マロイパター
ンに比し寸法精度が緩くとも良く、従りてΔターンが小
さくでき高密度化が実現される。
（３）従来技術と問題点
上記のようなイオン注入法によるバブルメモリ素子にお
いては駆動Δターンの駆動力が従来のパーマロイ／母タ
ーンよりも小さいという欠点があり、比較的強い駆動力
を必要とするファンクシ冒ンの設計が困難であった。こ
のためこのよう表箇所では・々−マロイΔターンを用い
ることが考釆られたがＩ４−マロイノ４ターンの駆動力
が強いため、／り一マロイノヤターンカライオン注入ノ
４ターンへのバブルの受は渡し時に／９−マロイノ４タ
ーンにバブルがからみつき、バブルの受は渡しが困難に
々るという問題があった。
いては駆動Δターンの駆動力が従来のパーマロイ／母タ
ーンよりも小さいという欠点があり、比較的強い駆動力
を必要とするファンクシ冒ンの設計が困難であった。こ
のためこのよう表箇所では・々−マロイΔターンを用い
ることが考釆られたがＩ４−マロイノ４ターンの駆動力
が強いため、／り一マロイノヤターンカライオン注入ノ
４ターンへのバブルの受は渡し時に／９−マロイノ４タ
ーンにバブルがからみつき、バブルの受は渡しが困難に
々るという問題があった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入によるバブ
ルの駆動ノ４ターンとΔ−マロイによル駆動・リーンの
接続をバブルの特性を劣化することなく行なった磁気バ
ブルメモリ素子を提供すること金目的とするものである
。
ルの駆動ノ４ターンとΔ−マロイによル駆動・リーンの
接続をバブルの特性を劣化することなく行なった磁気バ
ブルメモリ素子を提供すること金目的とするものである
。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、イオン注入法で作成
された第１のパゾル駆動Δターンと、Δ−マロイ等の強
磁性体を用いて前記第１の駆動・ダターンに一部を重ね
て作成され九第２のバブル駆動ノ々ターンとをもち、第
１の駆動Ｉ々ターンより第２の駆動パターンへ、又はそ
の逆方向へバブルを転送する磁気／４プルメモリ素子に
おいて、第１の駆動／ｌターンと第２の駆動パターンの
バブル受は渡し部分圧おける第２の駆動ｐ４ターンにそ
の駆動力を徐々に変化せしめる手段を設けたことを特徴
とする磁気バブルメモリ素子を提供−することによって
達成される・ （６）発明の実施例 以下本褪明実施例會図面によって詳述する。
された第１のパゾル駆動Δターンと、Δ−マロイ等の強
磁性体を用いて前記第１の駆動・ダターンに一部を重ね
て作成され九第２のバブル駆動ノ々ターンとをもち、第
１の駆動Ｉ々ターンより第２の駆動パターンへ、又はそ
の逆方向へバブルを転送する磁気／４プルメモリ素子に
おいて、第１の駆動／ｌターンと第２の駆動パターンの
バブル受は渡し部分圧おける第２の駆動ｐ４ターンにそ
の駆動力を徐々に変化せしめる手段を設けたことを特徴
とする磁気バブルメモリ素子を提供−することによって
達成される・ （６）発明の実施例 以下本褪明実施例會図面によって詳述する。
第３図及び第４図は本発明による磁気ノ櫂プルメモリ素
子の構造を示す図であり第３図は平面図、第４図は第３
図のＩＩ／−Ｍ線における断面図をそれぞれ示す。
子の構造を示す図であり第３図は平面図、第４図は第３
図のＩＩ／−Ｍ線における断面図をそれぞれ示す。
同図はブロックレデリケー）？−）部分１示したもので
あり、６は磁性ｆ−ネ、）の薄膜、７は該薄膜にイオン
注入法によってマイナールーグとして形成された／々ゾ
ル駆動パターン、８は絶縁層、９は導体ノリーン、１０
はスペーサ、１１は樹脂層、１２はイオン注入によって
形成されたノリーンの上に重ねて形成された／ｆ−マロ
イノ４ターン、１３はＩ帯−マロイによりて形成された
メジャーラインである。そして本実施例の特徴は第４図
の断面図に示す如くスペーサ１０及び樹脂層１１によっ
て／々−マロイ／臂ターン１２を傾斜’Ｋｔ％ Ｎｆル
の受は渡し部のＡ点に向って磁性ガーネット薄膜６の表
面からの距離を徐々に増加せしめたことである。なお樹
脂層１ｉｔ−用いた理由はスペーサ１０が５１０２等の
ス・譬、夕によシ形成される場合の急激な段差Ｂ部を埋
めて緩やか表傾斜とするためである。
あり、６は磁性ｆ−ネ、）の薄膜、７は該薄膜にイオン
注入法によってマイナールーグとして形成された／々ゾ
ル駆動パターン、８は絶縁層、９は導体ノリーン、１０
はスペーサ、１１は樹脂層、１２はイオン注入によって
形成されたノリーンの上に重ねて形成された／ｆ−マロ
イノ４ターン、１３はＩ帯−マロイによりて形成された
メジャーラインである。そして本実施例の特徴は第４図
の断面図に示す如くスペーサ１０及び樹脂層１１によっ
て／々−マロイ／臂ターン１２を傾斜’Ｋｔ％ Ｎｆル
の受は渡し部のＡ点に向って磁性ガーネット薄膜６の表
面からの距離を徐々に増加せしめたことである。なお樹
脂層１ｉｔ−用いた理由はスペーサ１０が５１０２等の
ス・譬、夕によシ形成される場合の急激な段差Ｂ部を埋
めて緩やか表傾斜とするためである。
このように形成された本実施例はバブルが矢印ｐ方向に
向りて駆動されるとき・臂−マロイ・譬ターン１２と磁
性ガーネット薄膜６の表面との距離が徐々に増大するた
め・臂−マロイパターンの駆動力は低下し、イオン注入
法によって形成され九駆動パターン７へのバブルの受は
渡しを円滑に行なうことができる。またバブルが矢印ｐ
方向と反対方向に駆動されるときも、Δ−マロイｄター
ン１２の駆動力が徐々に増加するためイオン注入法によ
って形成された・臂ターン７からのバブルの受は渡しは
円滑に行なわれる拳 第５図は他の実施例の構造を示す図であり、第４図と同
じ部分の断面図を示す、。
向りて駆動されるとき・臂−マロイ・譬ターン１２と磁
性ガーネット薄膜６の表面との距離が徐々に増大するた
め・臂−マロイパターンの駆動力は低下し、イオン注入
法によって形成され九駆動パターン７へのバブルの受は
渡しを円滑に行なうことができる。またバブルが矢印ｐ
方向と反対方向に駆動されるときも、Δ−マロイｄター
ン１２の駆動力が徐々に増加するためイオン注入法によ
って形成された・臂ターン７からのバブルの受は渡しは
円滑に行なわれる拳 第５図は他の実施例の構造を示す図であり、第４図と同
じ部分の断面図を示す、。
同図において６，７は磁性ガーネット薄膜及びイオン注
入法によシ形成された駆動ノ譬ターン、８は絶縁層、９
は導体Δターン、１０はス（−サ、１２はΔ−！ロイ／
４ターンである０本実施例の特徴は磁性ガーネット薄膜
６の表面と平行に形成された８１０２又は樹脂によるス
４−サ１０又は１１の上に）−−マロイ・臂ターン１２
が形成され、この・母−！ロイＩす―ン１２がバブルの
受は渡し部Ａ点く向って徐々に薄く形成されていること
である。
入法によシ形成された駆動ノ譬ターン、８は絶縁層、９
は導体Δターン、１０はス（−サ、１２はΔ−！ロイ／
４ターンである０本実施例の特徴は磁性ガーネット薄膜
６の表面と平行に形成された８１０２又は樹脂によるス
４−サ１０又は１１の上に）−−マロイ・臂ターン１２
が形成され、この・母−！ロイＩす―ン１２がバブルの
受は渡し部Ａ点く向って徐々に薄く形成されていること
である。
このように形成された本実施例はバブルの受は渡し部Ａ
点に向って／４−マロイ／ダターン１２が除徐に薄くな
っているため、その駆動力は徐々に減少し、イオン注入
法によって形成された駆動・ｆター ン７ ヘ又ハ骸Δ
ターン７から／４−マロイパターン１２へのバブル受は
渡しを円滑に行なうことができる。
点に向って／４−マロイ／ダターン１２が除徐に薄くな
っているため、その駆動力は徐々に減少し、イオン注入
法によって形成された駆動・ｆター ン７ ヘ又ハ骸Δ
ターン７から／４−マロイパターン１２へのバブル受は
渡しを円滑に行なうことができる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バブルメモ
リ素子は、イオン注入法により形成されたバブル駆動パ
ターンと、その上に形成され九Δ−マロイ／ｆターンと
のバブル受は渡し部分において、／譬−マロイパターン
の駆動力を徐々に減小せしめる手段を設けることによシ
、・ヤプルの受は渡しを円滑に行なうことを可能とし、
磁気バブルメモリの信頼性向上に寄与するといり九効果
大なるものである。
リ素子は、イオン注入法により形成されたバブル駆動パ
ターンと、その上に形成され九Δ−マロイ／ｆターンと
のバブル受は渡し部分において、／譬−マロイパターン
の駆動力を徐々に減小せしめる手段を設けることによシ
、・ヤプルの受は渡しを円滑に行なうことを可能とし、
磁気バブルメモリの信頼性向上に寄与するといり九効果
大なるものである。
第１図及び第２図はイオン注入法による磁気・寸ゾルメ
モリ素子を説明する図であり、第１図は平面図、第２図
は第１図のｔｔ−ｎ線における断面図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリ素子の！ロックレグリケー）ｒ
−）部分を示す平面図、第４図は第３図のＭ−ｍＶ線に
おける断面図、第５図は他の実施例の断面図である。 図面に於いて、６は磁性ガーネット薄膜、７はイオン注
入法によるバブル駆動パターン（第１（Ｄ駆動・す―ン
）、８は絶縁層、９は導体パターン、１０はスペーサ、
１１拡樹脂層、１２は／４−マロイ／９ターン（第２の
駆動・々ターン）？それぞれ示す・ 鳩１図 ｍ２図 、４ 第３図 第４図 壷 第５ｒＭ
モリ素子を説明する図であり、第１図は平面図、第２図
は第１図のｔｔ−ｎ線における断面図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリ素子の！ロックレグリケー）ｒ
−）部分を示す平面図、第４図は第３図のＭ−ｍＶ線に
おける断面図、第５図は他の実施例の断面図である。 図面に於いて、６は磁性ガーネット薄膜、７はイオン注
入法によるバブル駆動パターン（第１（Ｄ駆動・す―ン
）、８は絶縁層、９は導体パターン、１０はスペーサ、
１１拡樹脂層、１２は／４−マロイ／９ターン（第２の
駆動・々ターン）？それぞれ示す・ 鳩１図 ｍ２図 、４ 第３図 第４図 壷 第５ｒＭ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン注入法で作成された第１のバブル駆動・す―
ンと、Δ−マロイ等の強磁性体を用い前記第１の駆動／
母ターンに一部を重ねて作成された第２のバブル駆動Δ
ターンとをもち、＠１の駆動ノ臂ターンより第２の駆動
／４ターンへ又はその逆方向へ・バブルが伝播する磁気
・櫂プルメモリ素子において、第１の駆動ノ４ターンと
第２の駆動／ｆターンのバブル受は渡し部分における第
２の駆動／４ターンにその駆動力を徐々に変化せしめる
手段を設けたことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２、特許請求の範囲Ｊ１１項記載の磁気バブルメモリ素
子において、第２の駆動／４ターンの駆動力１徐々に変
化させ手段として、骸ｄターンと第１０駆動／４ターン
との間にスペーサを設け、該スペーサをバブルの受は渡
し部へ向りて徐々に厚さが大となるように形成したこと
１−特徴とする磁気バブルメモリ素子・ ３、特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子
において、第２の駆動／４ターンの駆動力を徐々に変化
せしめる手段として、該・譬ターンの厚さをバブル受は
渡し部に向って徐々に薄くなるようく形成したことを特
徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189111A JPS5891583A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189111A JPS5891583A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891583A true JPS5891583A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS613025B2 JPS613025B2 (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=16235550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189111A Granted JPS5891583A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891583A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607682A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56189111A patent/JPS5891583A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607682A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS622386B2 (ja) * | 1983-06-27 | 1987-01-19 | Fujitsu Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS613025B2 (ja) | 1986-01-29 |
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