JPS58100410A - イオン注入磁気バブルメモリ素子の作製法 - Google Patents
イオン注入磁気バブルメモリ素子の作製法Info
- Publication number
- JPS58100410A JPS58100410A JP56198371A JP19837181A JPS58100410A JP S58100410 A JPS58100410 A JP S58100410A JP 56198371 A JP56198371 A JP 56198371A JP 19837181 A JP19837181 A JP 19837181A JP S58100410 A JPS58100410 A JP S58100410A
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- JP
- Japan
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- ion implantation
- bubble
- ion
- conductive film
- crystal
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子計算装置の端末機等のメモリとして使用さ
れる磁気パズルメモリに関し、特にイオン注入法によシ
作成されるイオン注入磁気パプルメ篭り素子に関するも
のである。
れる磁気パズルメモリに関し、特にイオン注入法によシ
作成されるイオン注入磁気パプルメ篭り素子に関するも
のである。
（船 技術の背景
磁気パプルメ篭すを利用して情報の蓄積、論理演算等を
行う磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度及び
低消費電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要素を
全く含まない固体素子であることから非常に高い信頼性
を有している。
行う磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度及び
低消費電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要素を
全く含まない固体素子であることから非常に高い信頼性
を有している。
このような磁気パプルメ峰す装置にも最近の情報量の増
加、装置の小型化要求などにより記憶密度の増加が求め
られてい為、ところが従来の磁気バプルメ篭りに用いら
れる素子は、バブルの駆動パターンをバブル結晶上に蒸
着し九パーｉロイ等の軟磁性体膜から写真食刻により形
成してお９、そのパターンとパターン間のギャップが１
μｍｉｉ度と小さいため、寸法精度が露光の精度に制限
され、パターンを小さくして記憶密度を増加させること
が困ＭＫなって来ている。
加、装置の小型化要求などにより記憶密度の増加が求め
られてい為、ところが従来の磁気バプルメ篭りに用いら
れる素子は、バブルの駆動パターンをバブル結晶上に蒸
着し九パーｉロイ等の軟磁性体膜から写真食刻により形
成してお９、そのパターンとパターン間のギャップが１
μｍｉｉ度と小さいため、寸法精度が露光の精度に制限
され、パターンを小さくして記憶密度を増加させること
が困ＭＫなって来ている。
このため最近、イオン注入法による駆動パターンの形成
法が開発されている。この方法は第１図の平面図および
第２図の断面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・
ガーネット（ＧＧＧ）基板１の上に液相エピタキシャル
成長させて形成した磁性ガーネット等のパズル結晶２に
対し、パターン５以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパターン
墨を形成した素子は、イオンを注入された部分４０磁化
容易軸方向が矢印麿の如く面内方向と一致し、パターン
部分５の磁化害鳥軸方向は矢印すの如くもとのｔまの面
内方向と垂直である。従ってバブル磁区５は回゛転磁界
によってパターン５０周縁に沿って矢印Ｃの如く転送さ
れる。そしてこのパターンＳは円形又は角形を一部を重
ねて列状に配置した形状であシ、従来のパーマロイ等の
軟磁性体膜によるパターンの如きギャップを必要としな
い丸め寸法精度が緩くとも喪く、従ってパターンが小さ
くでき高密度化が実現される。
法が開発されている。この方法は第１図の平面図および
第２図の断面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・
ガーネット（ＧＧＧ）基板１の上に液相エピタキシャル
成長させて形成した磁性ガーネット等のパズル結晶２に
対し、パターン５以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパターン
墨を形成した素子は、イオンを注入された部分４０磁化
容易軸方向が矢印麿の如く面内方向と一致し、パターン
部分５の磁化害鳥軸方向は矢印すの如くもとのｔまの面
内方向と垂直である。従ってバブル磁区５は回゛転磁界
によってパターン５０周縁に沿って矢印Ｃの如く転送さ
れる。そしてこのパターンＳは円形又は角形を一部を重
ねて列状に配置した形状であシ、従来のパーマロイ等の
軟磁性体膜によるパターンの如きギャップを必要としな
い丸め寸法精度が緩くとも喪く、従ってパターンが小さ
くでき高密度化が実現される。
（３）従来技術と問題点
上記の如きイオン注入磁気バブルメモリ素子において、
従来のイオン注入は、バブル結晶が絶縁体であるために
イオン注入に伴ないバブル結晶の電位が上昇し、そＯ結
果注入電流の減少及び注入エネルギーの減少を生ずる。
従来のイオン注入は、バブル結晶が絶縁体であるために
イオン注入に伴ないバブル結晶の電位が上昇し、そＯ結
果注入電流の減少及び注入エネルギーの減少を生ずる。
また大口径のバブル結晶（ウェーハ）では中央部と周辺
部とでは上昇量ご位が異な夛イオン注入厚さのばらつき
を生ずる等の欠点があった。
部とでは上昇量ご位が異な夛イオン注入厚さのばらつき
を生ずる等の欠点があった。
（４） 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入が確実に行
なわれ、且つイオン注入厚さにばらつきのないイオン注
入磁気パプルメ篭り素子を得ることがで亀る素子作製法
を提供するヒとを目的とするものである。
なわれ、且つイオン注入厚さにばらつきのないイオン注
入磁気パプルメ篭り素子を得ることがで亀る素子作製法
を提供するヒとを目的とするものである。
（５） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、バブル結晶にパズル
の駆動パターンとなる部分以外の部分にイオンを注入し
て磁気パブルメ峰す素子を形成するイオン注入磁気パプ
ルメ篭り素子の作製法において、バブル結晶にはイオン
注入前に予めその表面に導体膜を形成しておき、イオン
注入時には咳導体膜を接地し良状態で行なうことを特徴
メするイオン注入磁気バプルメ峰す素子の作製法を提供
することによって達成される。
の駆動パターンとなる部分以外の部分にイオンを注入し
て磁気パブルメ峰す素子を形成するイオン注入磁気パプ
ルメ篭り素子の作製法において、バブル結晶にはイオン
注入前に予めその表面に導体膜を形成しておき、イオン
注入時には咳導体膜を接地し良状態で行なうことを特徴
メするイオン注入磁気バプルメ峰す素子の作製法を提供
することによって達成される。
１６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第５図は本発明によるイオン注入磁気バプルメ篭り素子
の作製法を説明するための図である。
の作製法を説明するための図である。
同図において６はガドリニウムＱガリウム・ガーネット
等の基板、７はその上く形成された磁性ガーネット等の
バブル結晶、８はそのバブル結晶の上に被着した導体膜
をそれぞれ示す。
等の基板、７はその上く形成された磁性ガーネット等の
バブル結晶、８はそのバブル結晶の上に被着した導体膜
をそれぞれ示す。
本発明法は図の如くバブル結晶表面に被着され先導体膜
８を導線９によって接地しておき、矢印１Ｇの如くイオ
ン注入を行なうのである。この場合、パズル結晶７への
イオン注入は導体膜８を通して行なわれることＫなるが
４１導体膜の厚さをイオンが十分透過できるように薄く
シ、また入射エネルギーを導体膜８で失なわれる分だけ
補正してやればよい。
８を導線９によって接地しておき、矢印１Ｇの如くイオ
ン注入を行なうのである。この場合、パズル結晶７への
イオン注入は導体膜８を通して行なわれることＫなるが
４１導体膜の厚さをイオンが十分透過できるように薄く
シ、また入射エネルギーを導体膜８で失なわれる分だけ
補正してやればよい。
このように導体Ｉ［８を接地してイオン注入を行なえば
バブル結晶に蓄積場れる電荷は導体膜８よ〉導線！を通
って接地されるため電位の上昇は生じない、その結果注
入電流の減小、注入エネルギーＯ減小はなく、イオン注
入は確実に行なわれ、ま九注大層の厚さのばらつきも防
止される。
バブル結晶に蓄積場れる電荷は導体膜８よ〉導線！を通
って接地されるため電位の上昇は生じない、その結果注
入電流の減小、注入エネルギーＯ減小はなく、イオン注
入は確実に行なわれ、ま九注大層の厚さのばらつきも防
止される。
第４図は他の実施例を示した図である。同図において１
１はバブル結晶を形成したウェーハであ〉斜線を施し九
部分１２は導体膜を被着した部分、白い部分１！は素子
となる部分をそれぞれ示している０本実施例は導体膜１
２を導線１４によってアースし、その状態でバブル結晶
にイオン注入を行なうのである。この場合は導体膜）２
はバブル駆動パターン形成用のマスクとなる金属膜を図
の如く残しておけば良く、従ってイオン注入は導体膜」
２のない部分に注入される。
１はバブル結晶を形成したウェーハであ〉斜線を施し九
部分１２は導体膜を被着した部分、白い部分１！は素子
となる部分をそれぞれ示している０本実施例は導体膜１
２を導線１４によってアースし、その状態でバブル結晶
にイオン注入を行なうのである。この場合は導体膜）２
はバブル駆動パターン形成用のマスクとなる金属膜を図
の如く残しておけば良く、従ってイオン注入は導体膜」
２のない部分に注入される。
このようにイオン注入を行なう本実施例は素子部分１３
に蓄積される電荷は導体膜１２を通してアースされるた
めその効果は前実施例と同様（なる。
に蓄積される電荷は導体膜１２を通してアースされるた
めその効果は前実施例と同様（なる。
なお紡実施例及び本実施例の場合の導体膜８及・び１２
はイオン注入後除去しても、あるｈは除去しなくとも何
れでも良い。
はイオン注入後除去しても、あるｈは除去しなくとも何
れでも良い。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように本発明のイオン注入磁気パズ
ルメモリ素子の作製法は、バブル結晶而に導体膜を被着
し該被膜をアースした状態でイオン注入を行なうことに
よりパズル結晶への電荷の蓄積を防止し、且つイオン注
入電流を正確に測定することが可能となるため、正確な
イオン注入ができ且つイオン注入層の厚さのばらつきの
ない磁気バブルメモリ素子の作製法を提供し得るといっ
た効果大なるものである。
ルメモリ素子の作製法は、バブル結晶而に導体膜を被着
し該被膜をアースした状態でイオン注入を行なうことに
よりパズル結晶への電荷の蓄積を防止し、且つイオン注
入電流を正確に測定することが可能となるため、正確な
イオン注入ができ且つイオン注入層の厚さのばらつきの
ない磁気バブルメモリ素子の作製法を提供し得るといっ
た効果大なるものである。
第１図および第２図はイオン注入磁気パズルメモリ素子
を説明するための図、１１１．Ｓ図は本発明によるイオ
ン注入磁気バブルメモリ素子の作製法を説明するための
図、第４図は本発明によるイオン注入磁気バブルメモリ
素子の作製法の他の実施例を説明するための図である。 図面に於いて、６はＧＧＧ基板、 ７はバブル結晶、
８．１２は導体膜、 １１はクエーハをそれぞれ
示す。 以下余白 第１図 第２図 第３図 ｎ 哀“４″−一
を説明するための図、１１１．Ｓ図は本発明によるイオ
ン注入磁気バブルメモリ素子の作製法を説明するための
図、第４図は本発明によるイオン注入磁気バブルメモリ
素子の作製法の他の実施例を説明するための図である。 図面に於いて、６はＧＧＧ基板、 ７はバブル結晶、
８．１２は導体膜、 １１はクエーハをそれぞれ
示す。 以下余白 第１図 第２図 第３図 ｎ 哀“４″−一
Claims (1)
- ｔ バブル結晶にバブルの駆動パターンとなる部分以外
の部分にイオンを注入して磁気バブルメモリ素子を形成
するイオン注入磁気バブルメモリ素子ｏｏｍ法において
、パズル結晶にはイオン注入前に予めその１１面に導体
膜を形成しておき、イオン注入時には該導体膜を接地し
た状態で行なうことを特徴とするイオン注入磁気パズル
メモリ素子の作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198371A JPS58100410A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | イオン注入磁気バブルメモリ素子の作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198371A JPS58100410A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | イオン注入磁気バブルメモリ素子の作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100410A true JPS58100410A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16389993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198371A Pending JPS58100410A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | イオン注入磁気バブルメモリ素子の作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100410A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195396A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-06 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 磁気バブル転送路形成方法 |
| US20130111719A1 (en) * | 2010-07-06 | 2013-05-09 | Soitec | Method for implanting a piezoelectric material |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56198371A patent/JPS58100410A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195396A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-06 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 磁気バブル転送路形成方法 |
| US20130111719A1 (en) * | 2010-07-06 | 2013-05-09 | Soitec | Method for implanting a piezoelectric material |
| US9991439B2 (en) * | 2010-07-06 | 2018-06-05 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Method for implanting a piezoelectric material |
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