JPS62164290A - 磁気バブルメモリ素子形成方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子形成方法Info
- Publication number
- JPS62164290A JPS62164290A JP61004211A JP421186A JPS62164290A JP S62164290 A JPS62164290 A JP S62164290A JP 61004211 A JP61004211 A JP 61004211A JP 421186 A JP421186 A JP 421186A JP S62164290 A JPS62164290 A JP S62164290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permalloy
- transfer path
- magnetic bubble
- bubble memory
- memory element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
イオン注入転送路とパーマロイ転送路とを有するハイブ
リッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法であってパー
マロイ転送路形成後、化学エツチングによりイオン注入
転送路に残っていたパーマロイ残りを除去することによ
り歩留りの向」−を可能とする。
リッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法であってパー
マロイ転送路形成後、化学エツチングによりイオン注入
転送路に残っていたパーマロイ残りを除去することによ
り歩留りの向」−を可能とする。
本発明はイオン注入転送路とパーマロイ転送路とを有す
るハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法に関
するものである。
るハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法に関
するものである。
従来、磁気バブルメモリ素子のバブル転送路にはパーマ
ロイ等の軟磁性薄膜パターンが用いられていたが、最近
では記憶密度の高密度化に伴い、パターン間にギヤツブ
を有さす形成が容易なイオン注入転送路が有利とされて
いる。しかしイオン注入だけではゲート等の機能部の形
成が困難なため、機能部等にはパーマロイ方式を用い、
情報蓄積部であるマイナ一部にはイオン注入方式を用い
るハイブリッド方式が一番実現性があり、現在この方式
による高密度化が進められている。
ロイ等の軟磁性薄膜パターンが用いられていたが、最近
では記憶密度の高密度化に伴い、パターン間にギヤツブ
を有さす形成が容易なイオン注入転送路が有利とされて
いる。しかしイオン注入だけではゲート等の機能部の形
成が困難なため、機能部等にはパーマロイ方式を用い、
情報蓄積部であるマイナ一部にはイオン注入方式を用い
るハイブリッド方式が一番実現性があり、現在この方式
による高密度化が進められている。
第２図は従来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の
形成方法を説明するための図である。図により説明する
と、まず第２図ａに示すように基板１上に形成されたバ
ブル結晶２にマスク材（Ａ ｕ ）等を蒸着し、その上
にレジス］・パターン形成後エツチングしてマスクパタ
ーン３を形成する。次に第２１１ｂに示すようにイオン
４を注入してイオン注入層５を形成することによりイオ
ン注入転送路が形成される。次いで第２図Ｃに示すよう
にマスクパターン３を除去し、Ｓｉｎ、等のスペーサ層
６、機能部用の導体パターン７、樹脂絶縁層８を形成す
る。次いで第２図ｄの如くパーマロイの蒸着、レジスト
パターンの形成、イオンミーリングによりパーマロイパ
ターン９を形成して完成する。
形成方法を説明するための図である。図により説明する
と、まず第２図ａに示すように基板１上に形成されたバ
ブル結晶２にマスク材（Ａ ｕ ）等を蒸着し、その上
にレジス］・パターン形成後エツチングしてマスクパタ
ーン３を形成する。次に第２１１ｂに示すようにイオン
４を注入してイオン注入層５を形成することによりイオ
ン注入転送路が形成される。次いで第２図Ｃに示すよう
にマスクパターン３を除去し、Ｓｉｎ、等のスペーサ層
６、機能部用の導体パターン７、樹脂絶縁層８を形成す
る。次いで第２図ｄの如くパーマロイの蒸着、レジスト
パターンの形成、イオンミーリングによりパーマロイパ
ターン９を形成して完成する。
上記従来の形成方法では、バブル転送路の形成工程がイ
オン注入とパーマロイとの２回が必要なためゴミ等によ
る転送路の欠陥の発生率が従来のパーマロイ転送路のほ
ぼ２倍になるという欠点があった。
オン注入とパーマロイとの２回が必要なためゴミ等によ
る転送路の欠陥の発生率が従来のパーマロイ転送路のほ
ぼ２倍になるという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて、簡単な方法で歩留り向
上が可能な磁気バブルメモリ素子を提供することを目的
としている。
上が可能な磁気バブルメモリ素子を提供することを目的
としている。
このため本発明においては、マイナ部の大部分をイオン
注入転送で形成し、機能部を含むメジャー部をパーマロ
イ転送路で形成するハイブリッド型磁気バブルメモリ素
子の形成方法において、パーマロイ転送路形成後、イオ
ン注入転送路上にプロセス中のゴミ等によって残ったパ
ーマロイ残りを化学エツチングにより除去することを特
徴としている。
注入転送で形成し、機能部を含むメジャー部をパーマロ
イ転送路で形成するハイブリッド型磁気バブルメモリ素
子の形成方法において、パーマロイ転送路形成後、イオ
ン注入転送路上にプロセス中のゴミ等によって残ったパ
ーマロイ残りを化学エツチングにより除去することを特
徴としている。
イオン注入転送路形成後、パーマロイ転送路を形成する
とき、前記イオン注入転送路−トに残留したパーマロイ
残りを化学エツチングして除去することにより歩留りの
向上が可能となる。
とき、前記イオン注入転送路−トに残留したパーマロイ
残りを化学エツチングして除去することにより歩留りの
向上が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図であり、ａ及
びｂはその工程を示す図である。同図において、ＩＯは
基板、１１はバブル結晶、ｌ２はイオン注入領域、Ｉ３
はスペーサ、１４ば導体パターン、１５は樹脂絶縁層、
１６はパーマロイパターンである。
びｂはその工程を示す図である。同図において、ＩＯは
基板、１１はバブル結晶、ｌ２はイオン注入領域、Ｉ３
はスペーサ、１４ば導体パターン、１５は樹脂絶縁層、
１６はパーマロイパターンである。
前述した第２図の従来の磁気バブルメモリ素子形成方法
では、最終工程のパーマロイをイオンミーリングにより
エツチングしたときに第１図ａのようにマイナ一部（イ
オン注入部）にゴミ１７等によりパーマロイ膜がエツチ
ングされずパーマロイ残り１８が生ずる。
では、最終工程のパーマロイをイオンミーリングにより
エツチングしたときに第１図ａのようにマイナ一部（イ
オン注入部）にゴミ１７等によりパーマロイ膜がエツチ
ングされずパーマロイ残り１８が生ずる。
本発明は上記のパーマロイ残り１８を除去するために、
先ず第１図ａに示すようにメジャー部をｉ／シスト１９
で覆い、次いでエツチング液として例えばＨＮＯ３＋Ｆ
ｅＣ１ａ等を用いて化学エツチングを行なった後、レジ
スト１９を除去して第１図すの如くエツチング残りのな
い素子を得るのである。
先ず第１図ａに示すようにメジャー部をｉ／シスト１９
で覆い、次いでエツチング液として例えばＨＮＯ３＋Ｆ
ｅＣ１ａ等を用いて化学エツチングを行なった後、レジ
スト１９を除去して第１図すの如くエツチング残りのな
い素子を得るのである。
本実施例によればパターン欠陥による不良マイナはほぼ
イオン注入工程で決定されるので不良率は従来の約１／
２（パーマロイ方式と同等）となる。
イオン注入工程で決定されるので不良率は従来の約１／
２（パーマロイ方式と同等）となる。
以上述べてきたように、本発明によれば極めて簡単な方
法で磁気バブルメモリ素子の歩留り率を向上することが
でき、実用的には極めて有用である。
法で磁気バブルメモリ素子の歩留り率を向上することが
でき、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は従
来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法を
説明するための図である。 第１図において、 １０は基板、 １１はバブル結晶、 １２はイオン注入領域、 １３はスペーサ、 １４は導体パターン、 １５は樹脂絶縁層、 １Ｇはパーマロイパターン、 １７はゴミ１ ．１日はパーマロイ残り、 １９はレジストである。 本発明の詳細な説明するための図 第１図 １０・・基板 １］・・・バブル結晶 １２・・・イオン注入領域 ］３・スペーサ １４・・導体パターン １’３．＝樹脂絶縁層 １８・・・ぐ−マロイ残り １９・・・レノスト ２・・・バブル結晶 ７・・・導体パターン３・
・マスク・ぐターン ８・・、樹脂絶縁層４、、
−（オン ９・・・バーマロイノ、ＯＮ
７５・・・イオン注入領域
来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法を
説明するための図である。 第１図において、 １０は基板、 １１はバブル結晶、 １２はイオン注入領域、 １３はスペーサ、 １４は導体パターン、 １５は樹脂絶縁層、 １Ｇはパーマロイパターン、 １７はゴミ１ ．１日はパーマロイ残り、 １９はレジストである。 本発明の詳細な説明するための図 第１図 １０・・基板 １］・・・バブル結晶 １２・・・イオン注入領域 ］３・スペーサ １４・・導体パターン １’３．＝樹脂絶縁層 １８・・・ぐ−マロイ残り １９・・・レノスト ２・・・バブル結晶 ７・・・導体パターン３・
・マスク・ぐターン ８・・、樹脂絶縁層４、、
−（オン ９・・・バーマロイノ、ＯＮ
７５・・・イオン注入領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マイナ部の大部分をイオン注入転送路で形成し、機
能部を含むメジャー部をパーマロイ転送路で形成するハ
イブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法において
、 パーマロイ転送路形成後、イオン注入転送路上にプロセ
ス中のゴミ等によって残ったパーマロイ残りを化学エッ
チングにより除去することを特徴とする磁気バブルメモ
リ素子形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61004211A JPS62164290A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 磁気バブルメモリ素子形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61004211A JPS62164290A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 磁気バブルメモリ素子形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164290A true JPS62164290A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11578293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61004211A Pending JPS62164290A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 磁気バブルメモリ素子形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164290A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278535A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Canon Inc | 光学的情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP61004211A patent/JPS62164290A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278535A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Canon Inc | 光学的情報記録媒体 |
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