JPS62164290A - 磁気バブルメモリ素子形成方法 - Google Patents

磁気バブルメモリ素子形成方法

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JPS62164290A
JPS62164290A JP61004211A JP421186A JPS62164290A JP S62164290 A JPS62164290 A JP S62164290A JP 61004211 A JP61004211 A JP 61004211A JP 421186 A JP421186 A JP 421186A JP S62164290 A JPS62164290 A JP S62164290A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
permalloy
transfer path
magnetic bubble
bubble memory
memory element
Prior art date
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Pending
Application number
JP61004211A
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English (en)
Inventor
Niwaji Majima
庭司 間島
Tsutomu Miyashita
勉 宮下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62164290A publication Critical patent/JPS62164290A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 イオン注入転送路とパーマロイ転送路とを有するハイブ
リッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法であってパー
マロイ転送路形成後、化学エツチングによりイオン注入
転送路に残っていたパーマロイ残りを除去することによ
り歩留りの向」−を可能とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入転送路とパーマロイ転送路とを有す
るハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法に関
するものである。
従来、磁気バブルメモリ素子のバブル転送路にはパーマ
ロイ等の軟磁性薄膜パターンが用いられていたが、最近
では記憶密度の高密度化に伴い、パターン間にギヤツブ
を有さす形成が容易なイオン注入転送路が有利とされて
いる。しかしイオン注入だけではゲート等の機能部の形
成が困難なため、機能部等にはパーマロイ方式を用い、
情報蓄積部であるマイナ一部にはイオン注入方式を用い
るハイブリッド方式が一番実現性があり、現在この方式
による高密度化が進められている。
〔従来の技術〕
第2図は従来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の
形成方法を説明するための図である。図により説明する
と、まず第2図aに示すように基板1上に形成されたバ
ブル結晶2にマスク材(A u )等を蒸着し、その上
にレジス]・パターン形成後エツチングしてマスクパタ
ーン3を形成する。次に第211bに示すようにイオン
4を注入してイオン注入層5を形成することによりイオ
ン注入転送路が形成される。次いで第2図Cに示すよう
にマスクパターン3を除去し、Sin、等のスペーサ層
6、機能部用の導体パターン7、樹脂絶縁層8を形成す
る。次いで第2図dの如くパーマロイの蒸着、レジスト
パターンの形成、イオンミーリングによりパーマロイパ
ターン9を形成して完成する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来の形成方法では、バブル転送路の形成工程がイ
オン注入とパーマロイとの2回が必要なためゴミ等によ
る転送路の欠陥の発生率が従来のパーマロイ転送路のほ
ぼ2倍になるという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて、簡単な方法で歩留り向
上が可能な磁気バブルメモリ素子を提供することを目的
としている。
〔問題点を解決するための手段〕
このため本発明においては、マイナ部の大部分をイオン
注入転送で形成し、機能部を含むメジャー部をパーマロ
イ転送路で形成するハイブリッド型磁気バブルメモリ素
子の形成方法において、パーマロイ転送路形成後、イオ
ン注入転送路上にプロセス中のゴミ等によって残ったパ
ーマロイ残りを化学エツチングにより除去することを特
徴としている。
〔作 用〕
イオン注入転送路形成後、パーマロイ転送路を形成する
とき、前記イオン注入転送路−トに残留したパーマロイ
残りを化学エツチングして除去することにより歩留りの
向上が可能となる。
〔実施例〕
第1図は本発明の詳細な説明するための図であり、a及
びbはその工程を示す図である。同図において、IOは
基板、11はバブル結晶、l2はイオン注入領域、I3
はスペーサ、14ば導体パターン、15は樹脂絶縁層、
16はパーマロイパターンである。
前述した第2図の従来の磁気バブルメモリ素子形成方法
では、最終工程のパーマロイをイオンミーリングにより
エツチングしたときに第1図aのようにマイナ一部(イ
オン注入部)にゴミ17等によりパーマロイ膜がエツチ
ングされずパーマロイ残り18が生ずる。
本発明は上記のパーマロイ残り18を除去するために、
先ず第1図aに示すようにメジャー部をi/シスト19
で覆い、次いでエツチング液として例えばHNO3+F
eC1a等を用いて化学エツチングを行なった後、レジ
スト19を除去して第1図すの如くエツチング残りのな
い素子を得るのである。
本実施例によればパターン欠陥による不良マイナはほぼ
イオン注入工程で決定されるので不良率は従来の約1/
2(パーマロイ方式と同等)となる。
〔発明の効果〕
以上述べてきたように、本発明によれば極めて簡単な方
法で磁気バブルメモリ素子の歩留り率を向上することが
でき、実用的には極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の詳細な説明するための図、第2図は従
来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法を
説明するための図である。 第1図において、 10は基板、 11はバブル結晶、 12はイオン注入領域、 13はスペーサ、 14は導体パターン、 15は樹脂絶縁層、 1Gはパーマロイパターン、 17はゴミ1 .1日はパーマロイ残り、 19はレジストである。 本発明の詳細な説明するための図 第1図 10・・基板 1]・・・バブル結晶 12・・・イオン注入領域 ]3・スペーサ 14・・導体パターン 1’3.=樹脂絶縁層 18・・・ぐ−マロイ残り 19・・・レノスト 2・・・バブル結晶    7・・・導体パターン3・
・マスク・ぐターン    8・・、樹脂絶縁層4、、
−(オン       9・・・バーマロイノ、ON 
 75・・・イオン注入領域

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マイナ部の大部分をイオン注入転送路で形成し、機
    能部を含むメジャー部をパーマロイ転送路で形成するハ
    イブリッド型磁気バブルメモリ素子の形成方法において
    、 パーマロイ転送路形成後、イオン注入転送路上にプロセ
    ス中のゴミ等によって残ったパーマロイ残りを化学エッ
    チングにより除去することを特徴とする磁気バブルメモ
    リ素子形成方法。
JP61004211A 1986-01-14 1986-01-14 磁気バブルメモリ素子形成方法 Pending JPS62164290A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278535A (ja) * 1989-04-19 1990-11-14 Canon Inc 光学的情報記録媒体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278535A (ja) * 1989-04-19 1990-11-14 Canon Inc 光学的情報記録媒体

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