JPS58130488A - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
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- JPS58130488A JPS58130488A JP57011636A JP1163682A JPS58130488A JP S58130488 A JPS58130488 A JP S58130488A JP 57011636 A JP57011636 A JP 57011636A JP 1163682 A JP1163682 A JP 1163682A JP S58130488 A JPS58130488 A JP S58130488A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子の製造方法に関する。
周知のように、従来の磁気バブルメモリ素子は、一般に
、パーマロイ索子とよばれるものが広く使用された。
、パーマロイ索子とよばれるものが広く使用された。
この素子は、第１図に示したように、パーマロイ（鉄−
ニッケル合金）からなる転送路（パーマロイパターン）
１を、たとえば （Ｙ８ｍＬｕＣａ）、（ＦｅＧｅ）、０８．など、磁気
バブルを保持し得る磁性膜（図示せず）上に、絶縁膜な
どを介して形成し、この転送路１に沿って、上記磁性ガ
ーネット膜内に形成された磁気バブル２を転送するもの
である。
ニッケル合金）からなる転送路（パーマロイパターン）
１を、たとえば （Ｙ８ｍＬｕＣａ）、（ＦｅＧｅ）、０８．など、磁気
バブルを保持し得る磁性膜（図示せず）上に、絶縁膜な
どを介して形成し、この転送路１に沿って、上記磁性ガ
ーネット膜内に形成された磁気バブル２を転送するもの
である。
トランスファゲート、スワップゲート、レプリケータな
どは、第２図に示すように、磁性ガーネット膜３とパー
マロイパターン１の間に絶縁膜４もしくは６を介して設
けられたコンダクタパターン５によって構成され、この
コンダクタパターン５に制御用パルス電流を印加するこ
とによって、各種機能の達成を行なうものである。
どは、第２図に示すように、磁性ガーネット膜３とパー
マロイパターン１の間に絶縁膜４もしくは６を介して設
けられたコンダクタパターン５によって構成され、この
コンダクタパターン５に制御用パルス電流を印加するこ
とによって、各種機能の達成を行なうものである。
このようなパーマロイ素子が正常に動作するためには、
上記パーマロイパターン１とコンダクタパターン５の位
置関係が非常に重要であり、そのためには、両者をホ）
ＩＪソグラフィ技術によって形成する際のマスク合わ
せ精度を高くすることが不可欠である。
上記パーマロイパターン１とコンダクタパターン５の位
置関係が非常に重要であり、そのためには、両者をホ）
ＩＪソグラフィ技術によって形成する際のマスク合わ
せ精度を高くすることが不可欠である。
一方、磁気バブルメモリ素子の高密度化、高集積化にと
もなって、パーマロイパターンのパｐ −ン幅やギャッ
プ（パターンの間隙）は著るしく小さくなっておシ、集
積密度をさらに向上させるためには、パターン幅やギャ
ップを１μｍ以下にすることが必要である。しかし、従
来のホトリソグラフィ技術を用いて、このような微細な
パーマロイパターンを、高い精度で形成することは困難
でちるため、パーマロイ素子の集積密度を飛躍的に向上
させるのは、極めて困難である。
もなって、パーマロイパターンのパｐ −ン幅やギャッ
プ（パターンの間隙）は著るしく小さくなっておシ、集
積密度をさらに向上させるためには、パターン幅やギャ
ップを１μｍ以下にすることが必要である。しかし、従
来のホトリソグラフィ技術を用いて、このような微細な
パーマロイパターンを、高い精度で形成することは困難
でちるため、パーマロイ素子の集積密度を飛躍的に向上
させるのは、極めて困難である。
やＮｅ＋などのイオンを打込み、第３図に示すように、
イオン打込み領域７と数珠状の非イオン打込み領域８を
、磁性膜３に形成したイオン打込みによる磁気バブル素
子が提案されている。
イオン打込み領域７と数珠状の非イオン打込み領域８を
、磁性膜３に形成したイオン打込みによる磁気バブル素
子が提案されている。
この素子は、上記数珠状の非イオン打込み領域８がバブ
ルの転送路のなるもので、この数珠状の転送路８に沿っ
てバブルが転送される。
ルの転送路のなるもので、この数珠状の転送路８に沿っ
てバブルが転送される。
このイオン打込み素子においては、数珠状の転送路８に
ギャップがないため、従来のパーマロイ素子にくらべて
、転送路の形成が容易であるため、集積密度の向上を達
成するためには、極めて有利であると考えられている。
ギャップがないため、従来のパーマロイ素子にくらべて
、転送路の形成が容易であるため、集積密度の向上を達
成するためには、極めて有利であると考えられている。
しかし、イオン打込み素子は、レプリケータ、トランス
ファゲート、スワップゲートなどの動作の安定性が低い
という欠点があるため、マイナールーズの転送路はイオ
ン打込み、メジャールプの転送路をパーマロイ膜によっ
て、それぞれ形成した素子（以下、複合素子）が提案さ
れている。
ファゲート、スワップゲートなどの動作の安定性が低い
という欠点があるため、マイナールーズの転送路はイオ
ン打込み、メジャールプの転送路をパーマロイ膜によっ
て、それぞれ形成した素子（以下、複合素子）が提案さ
れている。
この素子は、断面形状の一例を第４図に示したように、
イオン打込み領域７、コンダクタパターン５およびパー
マロイパターン１を、そなえているので、これらを形成
するには、マスク合わせの操作が３回必要となる。従来
のパーマロイ素子（Ｄ場合は、２回のマスク合わせによ
って形成可能であったのに対し、形成精度の低下、製作
工程の増加という障害が大きく、解決が望まれていた。
イオン打込み領域７、コンダクタパターン５およびパー
マロイパターン１を、そなえているので、これらを形成
するには、マスク合わせの操作が３回必要となる。従来
のパーマロイ素子（Ｄ場合は、２回のマスク合わせによ
って形成可能であったのに対し、形成精度の低下、製作
工程の増加という障害が大きく、解決が望まれていた。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、複合素子を
極めて容易に、かつ、高い精度で形成することのできる
磁気バブルメモリ素子の製造方法を提供することである
。
極めて容易に、かつ、高い精度で形成することのできる
磁気バブルメモリ素子の製造方法を提供することである
。
上記目的を達成するため、本発明はイオン打込み領域の
形成に必要なイオン打込みマスクとコンダクタパターン
を１枚のマスクによって同時に形成するものである。
形成に必要なイオン打込みマスクとコンダクタパターン
を１枚のマスクによって同時に形成するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
複合素子のコンダクタパターンとしては、通常、Ａ ｕ
７Ｍ Ｏ二層膜、イオン打込み用マスクとしてはＭＯ
／Ｓに層膜がそれぞれ用いられる。この場合、下層膜と
して用いられるＭＯと８１は、それぞれＡｕおよびＭＯ
と絶縁膜の接着性を良くするために、両者に間に介在さ
れる。しかし、他の材料を用い、一層膜としてコンダク
タパターンやイオン打込み用マスクを形成してもよい。
７Ｍ Ｏ二層膜、イオン打込み用マスクとしてはＭＯ
／Ｓに層膜がそれぞれ用いられる。この場合、下層膜と
して用いられるＭＯと８１は、それぞれＡｕおよびＭＯ
と絶縁膜の接着性を良くするために、両者に間に介在さ
れる。しかし、他の材料を用い、一層膜としてコンダク
タパターンやイオン打込み用マスクを形成してもよい。
コンダクタパターンの材料として、たとえばＡｕ／ＭＯ
膜が用いられるのは、エレクトロマイグレーションを防
止するためであるが、イオン打込み用マスクとしては、
ＭＯ／Ｓ１膜のみではなく、Ａ ｕ ７Ｍ ｏ膜であっ
ても効果は同じである。すなわち、イオン打込用マスク
やコンダクタパターンとしては、上記以外の材料の膜を
、適宜選択して便用できることはいうまでもない。
膜が用いられるのは、エレクトロマイグレーションを防
止するためであるが、イオン打込み用マスクとしては、
ＭＯ／Ｓ１膜のみではなく、Ａ ｕ ７Ｍ ｏ膜であっ
ても効果は同じである。すなわち、イオン打込用マスク
やコンダクタパターンとしては、上記以外の材料の膜を
、適宜選択して便用できることはいうまでもない。
また、複合素子の場合、コンダクタパターンは、パーマ
ロイ膜からなるバブル発生器、レプリケータ、トランス
ファゲートもしくはスワップゲートなどの部分で用いら
れるのみであって、イオン打込みによって形成された転
送パターンの部分には形成されない。
ロイ膜からなるバブル発生器、レプリケータ、トランス
ファゲートもしくはスワップゲートなどの部分で用いら
れるのみであって、イオン打込みによって形成された転
送パターンの部分には形成されない。
したがって、イオン打込み用マスクの材料をコンダクタ
パターンの材料と同じものに選び、１枚のマスクを用い
て、露光と現像を同時に行なえば、イオン打込み用マス
クとコンダクタパターンは同時に形成され、素子製作工
程の簡略化と歩留り向上が達成できる。
パターンの材料と同じものに選び、１枚のマスクを用い
て、露光と現像を同時に行なえば、イオン打込み用マス
クとコンダクタパターンは同時に形成され、素子製作工
程の簡略化と歩留り向上が達成できる。
実施例１
第５図は本発明の一実施例を示す工程図である。
第５図（イ）に示すように、Ａｕ／ＭＯ二層膜（３００
０Ａ／２００人）５を磁性ガーネット膜３上に被着し、
さらに周知の露光現像技術によって、ホトレジストパタ
ーン９を形成する。
０Ａ／２００人）５を磁性ガーネット膜３上に被着し、
さらに周知の露光現像技術によって、ホトレジストパタ
ーン９を形成する。
上記ホトレジストパターン９を用いてイオンシリングを
行なって、第５図（ロ）に示すように、上記Ａｕ、／Ｍ
Ｏ膜５の露光部分を除去した後、イオン打込み領域を形
成すべき部分以外の部分を、イオン打込み阻止効果の大
きいホトレジスト膜１０によって覆い、Ｎｅ”（５０Ｋ
ｅＶ、 ２Ｘ１０１ｙｃｒｎ” ）−Ｎｅ”（１８０Ｋ
ｅＶ、 ２Ｘ１０Ｉ４／ｃ−ジーＨ２” （１００Ｋｅ
Ｖ、 ４ Ｘ １０”７ｃｍ” ）の三重イオン打込
みを行なって、イオン打込み領域７を形成した。
行なって、第５図（ロ）に示すように、上記Ａｕ、／Ｍ
Ｏ膜５の露光部分を除去した後、イオン打込み領域を形
成すべき部分以外の部分を、イオン打込み阻止効果の大
きいホトレジスト膜１０によって覆い、Ｎｅ”（５０Ｋ
ｅＶ、 ２Ｘ１０１ｙｃｒｎ” ）−Ｎｅ”（１８０Ｋ
ｅＶ、 ２Ｘ１０Ｉ４／ｃ−ジーＨ２” （１００Ｋｅ
Ｖ、 ４ Ｘ １０”７ｃｍ” ）の三重イオン打込
みを行なって、イオン打込み領域７を形成した。
上記ホトレジスト膜１０を酸素プラズマによって除去し
た後、第５図（ハ）に示すように、たとえばＰＩＱ（日
立化響〒業株式会社、登録商標）などを用いて絶縁膜６
を形成する。
た後、第５図（ハ）に示すように、たとえばＰＩＱ（日
立化響〒業株式会社、登録商標）などを用いて絶縁膜６
を形成する。
ミ
パーマロイ膜を全面に被着し、イオンシリングを用いる
周知のホトエツチングによって不要部分を除去して、絶
縁膜６上にパーマロイパターン１を形成する。
周知のホトエツチングによって不要部分を除去して、絶
縁膜６上にパーマロイパターン１を形成する。
上記磁性ガーネット膜３として、直径はぼ１μｍのバブ
ルを保持できる厚さ１μｍの （ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）ａｏｔｔ膜を用い、
マイナールーズのビット周期４μｍ１メジヤラインのビ
ット周期が１６μｍのメジャライン・マイナ−ルーズの
複合素子を形成したが、回転磁界周波数２００ＫＨｚ％
面内に印加される回転磁界４００６以上という条件で、
１０％以上の動作マージンが得られ、本発明によって形
成された素子が、良好なマージンを有していることが認
められた。
ルを保持できる厚さ１μｍの （ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）ａｏｔｔ膜を用い、
マイナールーズのビット周期４μｍ１メジヤラインのビ
ット周期が１６μｍのメジャライン・マイナ−ルーズの
複合素子を形成したが、回転磁界周波数２００ＫＨｚ％
面内に印加される回転磁界４００６以上という条件で、
１０％以上の動作マージンが得られ、本発明によって形
成された素子が、良好なマージンを有していることが認
められた。
第５図（ハ）から明らかなように、□本実施例において
は、イオン打込みのマスクとして用いたＡｕ／ＭＯ膜５
が、除去されずに残っているが、素子の動作の障害とは
ならず、良好な動作マージンの得られることが確認され
た。しかし、マスクとして用いたＡＵ／ＭＯ膜５をエツ
チングによって除去してもよいことはいうまでもない。
は、イオン打込みのマスクとして用いたＡｕ／ＭＯ膜５
が、除去されずに残っているが、素子の動作の障害とは
ならず、良好な動作マージンの得られることが確認され
た。しかし、マスクとして用いたＡＵ／ＭＯ膜５をエツ
チングによって除去してもよいことはいうまでもない。
実施例２
第６図（イ）に示すように、磁性ガーネット膜３上に、
絶縁膜（ｓｉｏ、膜）４、コンダクタ膜（Ａ ｕ／Ｍ
Ｏ膜）５を積層して被着し、さらにホトレジストパター
ン９を周知の手段によって形成する。
絶縁膜（ｓｉｏ、膜）４、コンダクタ膜（Ａ ｕ／Ｍ
Ｏ膜）５を積層して被着し、さらにホトレジストパター
ン９を周知の手段によって形成する。
第６図（ロ）に示すように、上記ホトレジストパターン
９をマスクにして、コンダクタ膜５の露出部分とその下
方にある絶縁膜４をイオンシリングによって除去し、以
下、実施例１と同様にして、絶縁膜６の被着とパーマロ
イパターン１の形成を行なって、第６図（ハ）に示す断
面構造を有する素子を形成した。
９をマスクにして、コンダクタ膜５の露出部分とその下
方にある絶縁膜４をイオンシリングによって除去し、以
下、実施例１と同様にして、絶縁膜６の被着とパーマロ
イパターン１の形成を行なって、第６図（ハ）に示す断
面構造を有する素子を形成した。
本実施例によって得られた素子も、回転磁界４００ｅ以
上において、１０％以上という良好な動作マージンが得
られた。
上において、１０％以上という良好な動作マージンが得
られた。
（９）
実施例３
第７図（イ）に示すように、磁気バブルを保持し得る磁
性ガーネット膜３の表面上に、ＳｉＯ！膜４およびコン
ダクタ（Ａｌｌ／ＭＯ）膜５を積層して被着した後、イ
オン打込み用マスクとコンダクタパターンを形成するだ
めのホトレジストパターン９を、その上に形成する。
性ガーネット膜３の表面上に、ＳｉＯ！膜４およびコン
ダクタ（Ａｌｌ／ＭＯ）膜５を積層して被着した後、イ
オン打込み用マスクとコンダクタパターンを形成するだ
めのホトレジストパターン９を、その上に形成する。
上記ホトレジストパターン９をマスクに用い、イオンを
打込むべき部分以外をホトレジスト膜１０で覆い、露出
されているＡｕ／ＭＯ膜５をマスクにして、Ｎｅ”（１
５０ＫｅＶ、 ２Ｘ１０’％ｍｔ）−Ｎｅ”（２８０Ｋ
ｅＶ、 ２Ｘ１０”４／６ｎ”）−Ｈ； （１３（Ｋｅ
ｙ、 ４Ｘ １０’／ｚ” ） （Ｄ 三重イオン打込
みを行ない、イオン打込み層７を形成した。
打込むべき部分以外をホトレジスト膜１０で覆い、露出
されているＡｕ／ＭＯ膜５をマスクにして、Ｎｅ”（１
５０ＫｅＶ、 ２Ｘ１０’％ｍｔ）−Ｎｅ”（２８０Ｋ
ｅＶ、 ２Ｘ１０”４／６ｎ”）−Ｈ； （１３（Ｋｅ
ｙ、 ４Ｘ １０’／ｚ” ） （Ｄ 三重イオン打込
みを行ない、イオン打込み層７を形成した。
以下、実施例１と同様に処理し、第７図（ハ）に示す断
面構造を持った素子を形成した。
面構造を持った素子を形成した。
本実施例において得られた素子も、回転磁界４００ｅで
１０％以上の動作マージンが得られ、良好な特性を有し
ていることが認められた。
１０％以上の動作マージンが得られ、良好な特性を有し
ていることが認められた。
（１０）
上記説明から明らかなように、本発明によれば、イオン
打込み用マスクとコンダクタパターンの形成を１枚のホ
トレジストマスクで同時に形成できるので、従来の方法
よシホトレジストマスクが１枚少なくてよく、その結果
、ホトレジスト塗布、露光現像の工程が節減されるはか
シでなく、マスク合わせにともなう誤差も減少する。
打込み用マスクとコンダクタパターンの形成を１枚のホ
トレジストマスクで同時に形成できるので、従来の方法
よシホトレジストマスクが１枚少なくてよく、その結果
、ホトレジスト塗布、露光現像の工程が節減されるはか
シでなく、マスク合わせにともなう誤差も減少する。
したがって、本発明によれば、複合素子製造における工
程の簡略化と歩留シ向上を、同時に達成することができ
、得られる利益は極めて大きい。
程の簡略化と歩留シ向上を、同時に達成することができ
、得られる利益は極めて大きい。
第１図および第２図は、従来のパーマロイ素子の平面お
よび断面図を説明するための図、第３図および第４図は
従来のイオン打込み素子の平面および断面構造を説明す
るための図、第５図乃至第７図は、それぞれ本発明の異
なる実施例を示す工程図である。 １・・・パーマロイパターン、２・・・磁気バブル、３
・・・磁性ガーネット膜、４，６・・・絶縁膜、訃・・
コンダクタ膜、７・・・イオン打込み領域、８・・・転
送路、９゜（１１） １０・・・ホトレジスト膜。 代理人 弁理士 薄田利幸 （１２） ■ １ 図 ■ Ｚ 図 Ｚ ３ 図 烹４図 嘉 ５ 図
よび断面図を説明するための図、第３図および第４図は
従来のイオン打込み素子の平面および断面構造を説明す
るための図、第５図乃至第７図は、それぞれ本発明の異
なる実施例を示す工程図である。 １・・・パーマロイパターン、２・・・磁気バブル、３
・・・磁性ガーネット膜、４，６・・・絶縁膜、訃・・
コンダクタ膜、７・・・イオン打込み領域、８・・・転
送路、９゜（１１） １０・・・ホトレジスト膜。 代理人 弁理士 薄田利幸 （１２） ■ １ 図 ■ Ｚ 図 Ｚ ３ 図 烹４図 嘉 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記工程を含む磁気バブルメモリ素子の製造方法。 （１）磁気バブルを保持し得る磁性膜上にコンダクタ膜
を被着する工程。 （２）上記コンダクタ膜上に所望の形状を有するホトレ
ジストパターンを形成した後、上記コンダクタ膜の露出
された部分を除去する工程。 （３） コンダクタパターンを形成すべき部分をホト
レジスト膜で覆い、露出されている上記コンダクタ膜を
マスクに用いて上記磁性膜にイオン打込みする工程。 ２、上記工程（１）において、上記コンダクタ膜は上記
磁性膜上に絶縁膜を被着した後に被着される特許請求の
範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ３、上記工程（１）において、上記コンダクタ膜は上記
磁性ガーネット膜上に絶縁膜を被着した後に被着され、
かつ、上記工程（２）において、上記露出されたコンダ
クタ膜の下方にある上記絶縁膜も除去される特許請求の
範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57011636A JPS58130488A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
| US06/462,229 US4510231A (en) | 1982-01-29 | 1983-01-31 | Method for manufacturing a magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57011636A JPS58130488A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130488A true JPS58130488A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11783427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57011636A Pending JPS58130488A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4510231A (ja) |
| JP (1) | JPS58130488A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4556597A (en) * | 1983-08-22 | 1985-12-03 | International Business Machines Corporation | Ion doped servo pattern for magnetic recording disk |
| US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
| JP3003796B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4098917A (en) * | 1976-09-08 | 1978-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing a patterned metal layer on a substrate employing metal mask and ion milling |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP57011636A patent/JPS58130488A/ja active Pending
-
1983
- 1983-01-31 US US06/462,229 patent/US4510231A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4510231A (en) | 1985-04-09 |
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