JPS6246967B2 - - Google Patents
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- JPS6246967B2 JPS6246967B2 JP11225879A JP11225879A JPS6246967B2 JP S6246967 B2 JPS6246967 B2 JP S6246967B2 JP 11225879 A JP11225879 A JP 11225879A JP 11225879 A JP11225879 A JP 11225879A JP S6246967 B2 JPS6246967 B2 JP S6246967B2
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- Japan
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- pattern
- metal mask
- ion implantation
- crystal substrate
- film
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属マスクのパターンによりイオン注
入を行ないその上に多層パターンを形成する際の
位置合せと表面の平面化を何れも良くした磁気バ
ブル装置の製造方法に関するものである。
入を行ないその上に多層パターンを形成する際の
位置合せと表面の平面化を何れも良くした磁気バ
ブル装置の製造方法に関するものである。
最近、バブルメモリの高密度化に関連し、イオ
ン注入技術の導入による新しい転送回路パターン
の形成方法が提案された。すなわち、第１図ａは
従来多用されている転送回路パターンの１例であ
り、磁気バブル用結晶基板上にパーマロイ等によ
るハーフデイスク形の複数の転送パターンが配列
されている。この場合リソグラフイ技術による最
小制限寸法Ｗは磁気バブル径ｄに対しＷ＝２／３ｄで あり、従つて図示のパターン端部や間隔はこの寸
法Ｗで制限され、最小の磁気バブル径はこの1.5
倍位である。これに対し同図ｂはイオン注入法に
よるパターン形成法の１例である。すなわち、円
形を連接した形状のパターンに金属マスクを被せ
てイオン注入を行ないこのパターン以外の結晶基
板面にイオン打込層を形成する。このような構成
でバイアス、回転磁界を与えて磁気バブルを駆動
すると、磁気バブルは円形連接パターンの外周に
沿つて転送される。この場合のパターンの最小制
限寸法と磁気バブル径ｄの関係はＷ＝2dとな
り、たとえば図示の円形パターン端部の寸法Ｗに
対し磁気バブルの径を半分程度まで減少させても
よいから、磁気バブルを微小化することができ、
バブルメモリの高密度化が可能となる。
ン注入技術の導入による新しい転送回路パターン
の形成方法が提案された。すなわち、第１図ａは
従来多用されている転送回路パターンの１例であ
り、磁気バブル用結晶基板上にパーマロイ等によ
るハーフデイスク形の複数の転送パターンが配列
されている。この場合リソグラフイ技術による最
小制限寸法Ｗは磁気バブル径ｄに対しＷ＝２／３ｄで あり、従つて図示のパターン端部や間隔はこの寸
法Ｗで制限され、最小の磁気バブル径はこの1.5
倍位である。これに対し同図ｂはイオン注入法に
よるパターン形成法の１例である。すなわち、円
形を連接した形状のパターンに金属マスクを被せ
てイオン注入を行ないこのパターン以外の結晶基
板面にイオン打込層を形成する。このような構成
でバイアス、回転磁界を与えて磁気バブルを駆動
すると、磁気バブルは円形連接パターンの外周に
沿つて転送される。この場合のパターンの最小制
限寸法と磁気バブル径ｄの関係はＷ＝2dとな
り、たとえば図示の円形パターン端部の寸法Ｗに
対し磁気バブルの径を半分程度まで減少させても
よいから、磁気バブルを微小化することができ、
バブルメモリの高密度化が可能となる。
このようにして、金属マスクを被せた円形連接
パターン以外の結晶基板面にイオン注入を行なつ
た後、金属マスクをすべて取除くか、または金属
マスクをそのまま残して、その上にスペーサを介
して多層パターンを形成する。しかし金属マスク
をすべて取除くと多層パターンの表面の平面化は
良好となるが、多層パターン形成の際の位置合せ
が困難となる。また金属マスクをそのままにして
おくと、多層パターンの表面に段差が生じ平面化
が悪くなる。このような段差が生じると形成パタ
ーンにばらつきを生じ段差部での磁極に不同を生
じ制御動作を不安定にするおそれがある。
パターン以外の結晶基板面にイオン注入を行なつ
た後、金属マスクをすべて取除くか、または金属
マスクをそのまま残して、その上にスペーサを介
して多層パターンを形成する。しかし金属マスク
をすべて取除くと多層パターンの表面の平面化は
良好となるが、多層パターン形成の際の位置合せ
が困難となる。また金属マスクをそのままにして
おくと、多層パターンの表面に段差が生じ平面化
が悪くなる。このような段差が生じると形成パタ
ーンにばらつきを生じ段差部での磁極に不同を生
じ制御動作を不安定にするおそれがある。
本発明の目的はイオン注入法による転送回路パ
ターンの上に多層パターンを形成する際の位置合
せと表面の平面化を何れも良くした磁気バブル装
置の製造方法を提供することである。
ターンの上に多層パターンを形成する際の位置合
せと表面の平面化を何れも良くした磁気バブル装
置の製造方法を提供することである。
前記目的を達成するため、本発明の磁気バブル
装置の製造方法は磁気バブル用結晶基板上に異な
る金属の薄い下層膜と厚い上層膜より成る金属マ
スクによりパターンを形成し、イオン注入法を用
いて前記パターン以外の結晶基板にイオン打込層
を形成した後、前記金属マスクの上層膜のみを選
択エツチングにより除去し、その上に前記パター
ンに対して位置合せして多層パターンを形成する
ことを特徴とするものである。
装置の製造方法は磁気バブル用結晶基板上に異な
る金属の薄い下層膜と厚い上層膜より成る金属マ
スクによりパターンを形成し、イオン注入法を用
いて前記パターン以外の結晶基板にイオン打込層
を形成した後、前記金属マスクの上層膜のみを選
択エツチングにより除去し、その上に前記パター
ンに対して位置合せして多層パターンを形成する
ことを特徴とするものである。
以下本発明を実施例につき詳述する。
第２図ａ〜ｃは本発明の製造方法の手順を示す
説明図である。
説明図である。
同図ａにおいて、磁気バブル用結晶基板、たと
えばGGG等の液相成長エピタキシヤル結晶
（LPE）１の表面に通常のパターン形成方法によ
り、第１図ｂに示す転送回路パターンを２種の金
属を重ねたマスクにより形成する。すなわち、下
層膜は結晶基板上に厚さ500Å程度のチタン
（Ti）膜２を被着し、上層膜は5000〜7500Å程度
の金（Au）膜３を被着してパターン形成する。
そして、全面にイオンビーム４を注入し、前記パ
ターン以外の結晶基板１上にイオン打込層５を形
成する。この際上層膜３はイオンを最も有効に防
ぐ材質と厚さを有することが必要で金（Au）な
らば5000Å以上の厚さを必要とする。しかし、イ
オン注入が終ればこの役目は終り、これを残すと
多層パターン形成時段差の原因となる。そこで同
図ｂに示すように、位置合せに必要な最小限の厚
さを有する下層膜２のみを残して上層膜３をエツ
チング除去する。この際金のエツチング溶液は下
層膜２のチタン（Ti）を侵さない選択エツチン
グ性を有することが必要である。さらに、この下
層膜２は金やLPE膜と密着性が良く、転送のマー
ジンに影響を与えないことが必要である。すなわ
ち、磁歪による歪みが小さく抵抗が適当に高く渦
電流を小さくすることが望ましい。
えばGGG等の液相成長エピタキシヤル結晶
（LPE）１の表面に通常のパターン形成方法によ
り、第１図ｂに示す転送回路パターンを２種の金
属を重ねたマスクにより形成する。すなわち、下
層膜は結晶基板上に厚さ500Å程度のチタン
（Ti）膜２を被着し、上層膜は5000〜7500Å程度
の金（Au）膜３を被着してパターン形成する。
そして、全面にイオンビーム４を注入し、前記パ
ターン以外の結晶基板１上にイオン打込層５を形
成する。この際上層膜３はイオンを最も有効に防
ぐ材質と厚さを有することが必要で金（Au）な
らば5000Å以上の厚さを必要とする。しかし、イ
オン注入が終ればこの役目は終り、これを残すと
多層パターン形成時段差の原因となる。そこで同
図ｂに示すように、位置合せに必要な最小限の厚
さを有する下層膜２のみを残して上層膜３をエツ
チング除去する。この際金のエツチング溶液は下
層膜２のチタン（Ti）を侵さない選択エツチン
グ性を有することが必要である。さらに、この下
層膜２は金やLPE膜と密着性が良く、転送のマー
ジンに影響を与えないことが必要である。すなわ
ち、磁歪による歪みが小さく抵抗が適当に高く渦
電流を小さくすることが望ましい。
第３図は磁気バブル径ｄに対し6dの大きさの
円形連接パターン（温度30℃）を用い、厚い上層
膜が厚さ7500Åの金（Au）、下層膜が厚さ500Å
のチタン（Ti）の場合の回転磁界Hr―バイアス
磁界ＨBのマージン曲線を示したものである。こ
の場合には図示のように、Tiのみ付けた場合、
Ti―Auを付けた場合は何れも金属マスクのない
場合と大差がないことを示している。これに対し
クローム（Cr）等の他の金属のみを付けた場合
は金属マスクのない場合と比較して相当の影響を
与えることが確認されたので、ここではチタン
（Ti）を採用した。
円形連接パターン（温度30℃）を用い、厚い上層
膜が厚さ7500Åの金（Au）、下層膜が厚さ500Å
のチタン（Ti）の場合の回転磁界Hr―バイアス
磁界ＨBのマージン曲線を示したものである。こ
の場合には図示のように、Tiのみ付けた場合、
Ti―Auを付けた場合は何れも金属マスクのない
場合と大差がないことを示している。これに対し
クローム（Cr）等の他の金属のみを付けた場合
は金属マスクのない場合と比較して相当の影響を
与えることが確認されたので、ここではチタン
（Ti）を採用した。
次に、第２図ｃに示すように、同図ｂの構成の
上にスペーサとなる絶縁膜（SiO2）６を被着し、
その上にたとえばゲート用材料７の金（Au）膜
を蒸着し、ホトレジスト８を塗布して導電パター
ンの位置合せを行なう。この場合、わずかの段差
しか生じないが導電パターンと円形連接パターン
２との相対位置合せをすることは十分可能であ
る。段差は金属マスクの下層膜２のみにより発生
し、しかも多層パターンの形成で弱められるから
殆ど特性に影響を及ぼさないこととなる。
上にスペーサとなる絶縁膜（SiO2）６を被着し、
その上にたとえばゲート用材料７の金（Au）膜
を蒸着し、ホトレジスト８を塗布して導電パター
ンの位置合せを行なう。この場合、わずかの段差
しか生じないが導電パターンと円形連接パターン
２との相対位置合せをすることは十分可能であ
る。段差は金属マスクの下層膜２のみにより発生
し、しかも多層パターンの形成で弱められるから
殆ど特性に影響を及ぼさないこととなる。
以上説明したように、本発明によれば、上下２
層膜とした金属マスクのパターンによりイオン注
入を行ない、次に下層膜のみを残し、上層膜をエ
ツチング除去した後、多層パターンを形成するよ
うにしたものであり、これにより位置合せに支障
なくかつ表面の平面化を損うことがないから良好
な特性を維持することができる。
層膜とした金属マスクのパターンによりイオン注
入を行ない、次に下層膜のみを残し、上層膜をエ
ツチング除去した後、多層パターンを形成するよ
うにしたものであり、これにより位置合せに支障
なくかつ表面の平面化を損うことがないから良好
な特性を維持することができる。
第１図ａ，ｂはそれぞれ従来と本発明の転送回
路パターンの形成方法の説明図、第２図ａ〜ｃは
本発明の製造方法の手順説明図、第３図は第２図
の要部の特性図であり、図中、１はバブル結晶基
板、２は金属マスクの下層膜、３は同上層膜、４
はイオンビーム、５はイオン打込層、６は絶縁
層、７はゲート材料層、８はホトレジストを示
す。
路パターンの形成方法の説明図、第２図ａ〜ｃは
本発明の製造方法の手順説明図、第３図は第２図
の要部の特性図であり、図中、１はバブル結晶基
板、２は金属マスクの下層膜、３は同上層膜、４
はイオンビーム、５はイオン打込層、６は絶縁
層、７はゲート材料層、８はホトレジストを示
す。
Claims (1)
- １ 磁気バブル用結晶基板上に異なる金属の薄い
下層膜と厚い上層膜より成る金属マスクによりパ
ターンを形成し、イオン注入法を用いて前記パタ
ーン以外の結晶基板にイオン打込層を形成した
後、前記金属マスクの上層膜のみを選択エツチン
グにより除去し、その上に前記パターンに対し位
置合せして多層パターンを形成することを特徴と
する磁気バブル装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225879A JPS5636120A (en) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | Manufacture of magnetic bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225879A JPS5636120A (en) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | Manufacture of magnetic bubble device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5636120A JPS5636120A (en) | 1981-04-09 |
| JPS6246967B2 true JPS6246967B2 (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=14582195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11225879A Granted JPS5636120A (en) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | Manufacture of magnetic bubble device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5636120A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5716956U (ja) * | 1980-06-30 | 1982-01-28 |
-
1979
- 1979-09-01 JP JP11225879A patent/JPS5636120A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5636120A (en) | 1981-04-09 |
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