JPS63181107A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特にイオン
ビームエツチング法を用いるのに好適な薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの構造の一例を表わした
ものであり、第２図（ａ）は磁気コア部の側断面図、第
２図（ｂ）は磁気コア先端部の正断面図、第２図（ｃ）
は磁気コア中央部の正断面図を示している。基板２１の
上には下部磁性膜となるパーマロイ膜２２が形成されて
おり、後から形成される上部磁性膜としてのパーマロイ
膜２３と共に磁気回路を構成している。先端部２４にお
いては、アルミナ膜を用いたギャップ材２５を２枚のパ
ーマロイ膜２２．２３間に介在して磁気ギャップを形成
し、このギャップを用いて記録媒体に対する書き込み及
び読み出しを行なう。一方、磁気コア中央部２８におい
ては導体コイル２６が磁気回路と交差するように設けて
あり、この導体コイル２６は、パーマロイ膜２２及び２
３と有機樹脂膜２７により絶縁されている。

１．さて、下部磁性膜は特にその先端部を高い寸法精度
で形成する必要があるため、従来は、ホトレジストをマ
スクにしたイオンビームエツチング法でパターニングす
る事が多かった。この従来法による薄膜磁気ヘッドの製
造プロセスの一部を第３図に模式的に示す第３図は、磁
気コア先端部と中央部の正断面図を表わしている。まず
、第３図（ａ）に示すように、基板３１上に下部磁性膜
３２を成模した後、ホトレジスト３３を形成する。

次いでイオンビームエツチング法により、第３図（ｂ）
に示すように磁気コア形状のパターンを形成する。この
時、ホトレジスト３３の側面のテーバ角度の値が大きい
ほど下部磁性膜３２の側面のテーバ角度の値も大きくな
る１次いで第３図（ｃ）に示すようにホトレジスト３３
を除去した後、第３図（ｄ）に示すようにギャップ材３
４、有機樹脂膜３５及び導体コイル３６を形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来法は、ホトレジストとして寸法形成精度の良い
ポジ型ホトレジストを用いる事が多く特に）ノボラック
系樹脂を主成分とするものが一般に用いられてきた。し
かしながら、このホトレジスト“′トはパターン側面の
テーバ角度が大きくなるという特徴があり加熱処理によ
って多少流動化するものの、テーバ角度の値は６０度よ
り大きくなってしまう事がわかった。また、このホトレ
ジストパターンをマスクにしてイオンビームエツチング
法を適用すると、上述のように磁気コア側面のテーバ角
度が約６０度と大きくなってしまい、下部磁性膜の段差
が急峻になってしまう事もわかった。

したがって、下部磁性膜の上に有機樹脂膜や導体コイル
を形成する際に、この急峻な段差が原因となって膜のつ
きまわりが悪くなったり、導体コイルが段切れしたりす
る問題が生じていた。

本発明の目的は、上記問題点を克服し、高い信頼性を有
する薄膜磁気ヘッドを得るための下部磁性膜形成方法を
提供する事にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、ポジ型ホトレジストのうちで、ポリ゛ζメチ
ルイソプロペニルケトン（以下ＰＭＩＰＫとｉｆ、　　
’ −略す）を主成分とするものは、遠紫外光を吸収す本発
明は、また、ＰＭＩＰＫを主成分とするホトレジストは
、遠紫外光を吸収しなければ、加熱処理しても少ししか
流動せず、パターンの寸法精度が悪くならない点にも着
目してなされたものである。

さらに本発明は、イオンビームエツチング後の下部磁性
膜の側面のテーバ角度の値は、マスクとして用いるホト
レジストの側面のテーバ角度の値によって異なり、ホト
レジスト側面のテーバ角度を小さくすれば、ゆるやかな
段差を有する下部磁性膜パターンが得られる事を考慮し
てなされたものである。

本発明の目的は、ＰＭＩＰＫを主成分とするホトレジス
トを用いて下部磁性膜形状のパターンを形成した後、下
部磁性膜先端部を除いた部分のホトレジストに遠紫外光
を照射し、しかる後に加熱パターニングする必要がある
ため、該部分のみ光が透過しないように作られたホトマ
スクを用いて、遠紫外光を照射しなければならない。ま
た、遠紫外光照射後の加熱処理温度・時間については、
１００〜２００℃で２０〜１２０分間処理するのが望ま
しい。

〔作用〕

上記手法を適用すると、下部磁性膜先端部を除いた部分
のすなわち導体コイルを形成する部分のホトレジストは
、遠紫外光照射によって分子量が減少しているため、加
熱処理すると大きく流動してパターン側面のテーバ角度
が１０〜４０度となるのに対し、下部磁性膜先端部のホ
トレジストは。

遠紫外光照射されていないために、加熱処理後もパター
ン側面のテーバ角度は約６０度と大きく、そのため高い
寸法精度を保つことができる。したがって、このような
ホトレジストパターンをマスクにしてイオンビームエツ
チングを施すと、下部磁性膜パターンの側面のテーバ角
度が先端部では大きくなり、先端以外の部分では／ＪＳ
さくなる。これによって、下部磁性膜パターンのうちで
、先端部は高精度に加工できるのに対し、先端以外の部
分は比較的ゆるやかな段差を形成するため、その上に有
機樹脂膜や導体コイルを形成する際に、膜のつきまわり
が悪くなったり、導体コイルが段切れしたりする問題が
生じなくなる。また、先端以外の部分は高い寸法精度で
加工する必要が無いので、側面のテーバ角度が小さくて
も問題ない。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は１本発明による薄膜磁気ヘッドの製造プロセスの一
部を模式的に示したものであり、それぞれ磁気コア先端
部と中央部の正断面図を表わしている。

まず、第１図（ａ）に示すように、セラミック基板１１
上に下部磁性膜１２としてのパーマロイ膜をスパッタリ
ング法により形成した後、ＰＭＩＰＫを主成分とするホ
トレジストを用いてパターン１３を形成した。次いでホ
トマスクを用いて、・　磁気コア中央部のホトレジスト
のみに遠紫外光を□゛、、照射後、１２０℃で３０分間
加熱処理して。

、１： ′第１図（ｂ）に示すような断面形状を持つホトレジス
トパターン１３を得た１次にアルゴンイオンを用いたイ
オンビームエツチング法により、第１図（ｃ）に示すよ
うな下部磁性膜パターン１２を得た。エツチング後の磁
性膜側面のテーパ角度は、磁気コア中央部では２５度、
磁気コア先端部では６３度となった。そして、第１図（
ｄ）に示すように、ホトレジストを除去した後、第１図
（ｅ）に示すように、ギャップ材１４としてのアルミナ
膜、絶縁膜１５としてのポリイミド樹脂膜及び導体コイ
ル１６としての銅パターンを形成した。磁気コア中央部
においては、下部磁性膜パターン１２の側面のテーパ角
度が小さいため、導体コイル１６が容易に形成でき１段
切れ等は起こらなかった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、先端部の高い寸法精度を保持ながら、
中央部にゆるやかな段差を持つ下部磁性膜パターンが形
成できるので、特に導体コイルの段差のり上げ部分にお
ける信頼性の高い薄膜磁気ヘッドが実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例としてのプロセスを示す正断
面図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの側断面図、第３
図は従来法によるプロセスを示す正断面図である。 １１・・・基板、１２・・・下部磁性膜、１３・・・ホ
トレジスト、１４・・・ギャップ材、１５・・・有機栃
脂膜、１６・・・導体コイル。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、下部磁性膜パターンの側面テーパ角度を、該パター
   ン先端部に比べて該パターン先端以外の部分において小
   さくする事を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。