JPH01128214A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH01128214A JPH01128214A JP28586587A JP28586587A JPH01128214A JP H01128214 A JPH01128214 A JP H01128214A JP 28586587 A JP28586587 A JP 28586587A JP 28586587 A JP28586587 A JP 28586587A JP H01128214 A JPH01128214 A JP H01128214A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 20
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は薄膜磁気ヘッド、特に電磁気変換特性に優れ
た薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
た薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来の技術
通常の磁気ヘッドの構造は第３図（ａ）に示すように、
非磁性のセラミック基板１上に、下部磁性層２、磁気ギ
ャップ３、絶縁層４、導体コイル５、絶縁層６、上部磁
性層７及び保護層８の順に積層して構成されている。
非磁性のセラミック基板１上に、下部磁性層２、磁気ギ
ャップ３、絶縁層４、導体コイル５、絶縁層６、上部磁
性層７及び保護層８の順に積層して構成されている。
絶縁層６は導体コイル間や、磁性層と導体コイルの間の
絶縁以外に磁性層や導体コイルの段差を小さくすること
を目的としている。
絶縁以外に磁性層や導体コイルの段差を小さくすること
を目的としている。
絶縁層として、例えば、ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉ、ｃａｌ
Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉ−ｎ ｖｏｌ、
２３． Ｐ２５８４ （１９８０）に示されている
ようにノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストを用いた
場合、ポジ型ホトレジストをスピンコード等の方法によ
って全面に塗布した後、絶縁層として残る部分以外への
紫外線の照射を行い、アルカリ水溶液で現像することに
よって絶縁層のパターンが形成される。絶縁層のホトレ
ジストパターンは以後の工程を経た後も安定して存在す
る必要があるために約２００Ｃで焼成される。
Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉ−ｎ ｖｏｌ、
２３． Ｐ２５８４ （１９８０）に示されている
ようにノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストを用いた
場合、ポジ型ホトレジストをスピンコード等の方法によ
って全面に塗布した後、絶縁層として残る部分以外への
紫外線の照射を行い、アルカリ水溶液で現像することに
よって絶縁層のパターンが形成される。絶縁層のホトレ
ジストパターンは以後の工程を経た後も安定して存在す
る必要があるために約２００Ｃで焼成される。
ところが、このようにして形成したホトレジストの絶縁
層はホトレジストのスピンコードによっては、絶縁層に
よる段差解消は充分ではなく５その後の焼成によっても
ホトレジスト中のノボラック樹脂と感光基のクロスリン
クが進行し硬化するためにホトレジストの流動があまり
おこらず、絶縁層の上層に起伏が残るようになる。
層はホトレジストのスピンコードによっては、絶縁層に
よる段差解消は充分ではなく５その後の焼成によっても
ホトレジスト中のノボラック樹脂と感光基のクロスリン
クが進行し硬化するためにホトレジストの流動があまり
おこらず、絶縁層の上層に起伏が残るようになる。
一方、絶縁層として、例えば、 Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ。
ｓ。
ＶＯｌ、６１．Ｎ［１８、１５Ａｐｒｉｌ、Ｐ４１５７
（１９８７）に示されているように、ポリイミド樹脂
（ＰＩＱ）やその他の有機材料薄膜あるいはＳ１０．Ｓ
ｉＯ２，Ａ７？２０ａ等の無機材料薄膜をパターニング
し、その上にホトレジストを全面に塗布した後１反応性
イオンエツチングやイオンミリング等の方法によって絶
縁層の平坦化のだめのエツチングを行い導体コイルの段
差を解消するエツチング法もあるが、前記のポジ型ホト
レジストを用いる場合に比べて工程数が多くなるという
欠点があった。
（１９８７）に示されているように、ポリイミド樹脂
（ＰＩＱ）やその他の有機材料薄膜あるいはＳ１０．Ｓ
ｉＯ２，Ａ７？２０ａ等の無機材料薄膜をパターニング
し、その上にホトレジストを全面に塗布した後１反応性
イオンエツチングやイオンミリング等の方法によって絶
縁層の平坦化のだめのエツチングを行い導体コイルの段
差を解消するエツチング法もあるが、前記のポジ型ホト
レジストを用いる場合に比べて工程数が多くなるという
欠点があった。
発明が解決しようとする問題点
導体コイル上に形成する絶縁層の表層は、導体コイルの
段差を充分に解消することができず、その上部に母性層
を形成した場合は、第３図（ａ）に示したように上部磁
性層７にうね９を発生する。そのために透磁率をはじめ
とする磁気特性が劣化し、出力が低下する。また第３図
（ｂ）に示したように絶縁層６の上に更に導体コイル９
を形成する場合には、ホトレジストの塗布、露光、現像
工程を経てホトレジストのパターンを形成した後、選択
めっき或いはエツチングを行うが、ホトレジストへ露光
の際、凹凸の激しい表面上で光が乱反射し、ホトレジス
トの解像度が劣化するために導体コイルの短絡（第３図
（ｂ）においてＳは短絡点である）や断線等が発生し、
その密度の向上が置部であった。
段差を充分に解消することができず、その上部に母性層
を形成した場合は、第３図（ａ）に示したように上部磁
性層７にうね９を発生する。そのために透磁率をはじめ
とする磁気特性が劣化し、出力が低下する。また第３図
（ｂ）に示したように絶縁層６の上に更に導体コイル９
を形成する場合には、ホトレジストの塗布、露光、現像
工程を経てホトレジストのパターンを形成した後、選択
めっき或いはエツチングを行うが、ホトレジストへ露光
の際、凹凸の激しい表面上で光が乱反射し、ホトレジス
トの解像度が劣化するために導体コイルの短絡（第３図
（ｂ）においてＳは短絡点である）や断線等が発生し、
その密度の向上が置部であった。
なお第３図（ａ）において、ｈは絶縁層の端部と浮上面
との距離すなわちスロートハイドを示す。
との距離すなわちスロートハイドを示す。
問題点を解決するだめの手段及び作用
この発明の目的は、少ない工程数で導体コイルの段差解
消性に優れた絶縁層を形成することによって、出力を向
上した薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある
。
消性に優れた絶縁層を形成することによって、出力を向
上した薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある
。
本発明者は上記の目的を達成すべく種々研究の結果、下
記に述べるような知見を得て本発明に到ったのである。
記に述べるような知見を得て本発明に到ったのである。
すなわち、絶縁層としてノボラック樹脂系のポジ型ホト
レジスト材料を用いた場合、焼成前に感光基の光化学反
応が終了しているとガラス転移温度が低下し、焼成後の
導体コイル段差解消性が向上するのに対し、焼成前に未
反応感光基が残留していると、焼成中にノボラック系樹
脂と感光基のクロスリンクを起しその粘度が下がらず１
段差解消性が前者に比べて悪くなるという基礎事実があ
る（参考文献： Ａ 、 ５ｃｈｉｌｔｚ ｅｔ ａｌ
、Ｊ。
レジスト材料を用いた場合、焼成前に感光基の光化学反
応が終了しているとガラス転移温度が低下し、焼成後の
導体コイル段差解消性が向上するのに対し、焼成前に未
反応感光基が残留していると、焼成中にノボラック系樹
脂と感光基のクロスリンクを起しその粘度が下がらず１
段差解消性が前者に比べて悪くなるという基礎事実があ
る（参考文献： Ａ 、 ５ｃｈｉｌｔｚ ｅｔ ａｌ
、Ｊ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、Ｖｏｌ、１３４ 、
Ｎｎ１Ｐ１９０−１９４ ） 。
Ｎｎ１Ｐ１９０−１９４ ） 。
上記事実を応用して、段差解消性の必要な部分だけのホ
トレジストの感光基の光化学反応を完了させた後、絶縁
層の焼成を行うようにすれば段差解消性に優れた絶縁層
の形成が可能であることを見出したのである。
トレジストの感光基の光化学反応を完了させた後、絶縁
層の焼成を行うようにすれば段差解消性に優れた絶縁層
の形成が可能であることを見出したのである。
したがって本発明は。
非磁性の基板上に、第１の磁性層、磁気ギャップ、導体
コイル、絶縁層及び第２の磁性層を有する薄膜磁気ヘッ
ドの絶縁層を焼成する方法において、絶縁層をパターニ
ングし、外周部を除き導体コイルを含む領域である中央
部分のみを露光した後、焼成することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法である。
コイル、絶縁層及び第２の磁性層を有する薄膜磁気ヘッ
ドの絶縁層を焼成する方法において、絶縁層をパターニ
ングし、外周部を除き導体コイルを含む領域である中央
部分のみを露光した後、焼成することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法である。
第４図は、通常の露光処理において、焼成前の絶縁層中
の未反応感光基残留率係と１２０〜２００Ｃの温度で焼
成後の絶縁層のステップつまり段差の大きさとの関係を
示したグラフであって、ノボラック系ポジ型ホトレジス
ト材料の感光基の光化学反応が進み未反応感光基残留率
が少ない程、焼成後の段差が小さくなることを示してい
る。
の未反応感光基残留率係と１２０〜２００Ｃの温度で焼
成後の絶縁層のステップつまり段差の大きさとの関係を
示したグラフであって、ノボラック系ポジ型ホトレジス
ト材料の感光基の光化学反応が進み未反応感光基残留率
が少ない程、焼成後の段差が小さくなることを示してい
る。
また、第５図は同じく未反応感光基残留率係と絶縁層の
外形寸法との関係を示したグラフであって、光化学反応
が進むと絶縁層の外周部が延びてその外形寸法が大きく
なることを示している。
外形寸法との関係を示したグラフであって、光化学反応
が進むと絶縁層の外周部が延びてその外形寸法が大きく
なることを示している。
したがって、前述のように段差解消性の必要な部分だけ
を露光処理した後、絶縁層の焼成を行うことによって、
絶縁層の外形寸法を変えることなく、絶縁層の段差を解
消しうるのである。
を露光処理した後、絶縁層の焼成を行うことによって、
絶縁層の外形寸法を変えることなく、絶縁層の段差を解
消しうるのである。
以下、実施例及び比較例により説明する。
実施例１
本発明の製造工程を示す第１図に基づいて、導体コイル
上の絶縁層について説明するが１図面の数字は前記第３
図に用いたものと同じである。導体コイル５のパターニ
ングを終了した後、ノボラツク樹脂系のポジ型ホトレジ
スト材料、例えばシプレー社Ｓ−１４００−３７または
ヘキスト社ＡＺ１３７５の塗布を行う。次いで絶縁層と
なる部分以外への紫外光の露光、アルカリ水溶液による
現像を行ない第１図（ａ）のような絶縁層６のパターン
を形成する。
上の絶縁層について説明するが１図面の数字は前記第３
図に用いたものと同じである。導体コイル５のパターニ
ングを終了した後、ノボラツク樹脂系のポジ型ホトレジ
スト材料、例えばシプレー社Ｓ−１４００−３７または
ヘキスト社ＡＺ１３７５の塗布を行う。次いで絶縁層と
なる部分以外への紫外光の露光、アルカリ水溶液による
現像を行ない第１図（ａ）のような絶縁層６のパターン
を形成する。
現像終了後、第１図（ｂ）に示したように、絶縁層の外
周部数μｍを除いた導体コイルを含む領域を紫外光で露
光する。
周部数μｍを除いた導体コイルを含む領域を紫外光で露
光する。
次に、２００Ｕに保った温風循環炉で２時間焼成する。
その結果、紫外光の照射を受け、焼成前にポジ型ホトレ
ジストに含まれる感光基の光化学反応が完了した領域の
絶縁層は流動し、導体コイル段差を解消する。この時、
絶縁層外周部の光の照射を受けていない領域によって絶
縁層中央部が外側へ流動するのがせき止められ、第１図
（Ｃ）に示すように、導体コイルの段差が解消され１寸
法精度のよい絶縁層６′が形成される。この上に、第２
の磁性膜を形成した場合、出力を１０チ向上した薄膜磁
気ヘッドを作成することができた。
ジストに含まれる感光基の光化学反応が完了した領域の
絶縁層は流動し、導体コイル段差を解消する。この時、
絶縁層外周部の光の照射を受けていない領域によって絶
縁層中央部が外側へ流動するのがせき止められ、第１図
（Ｃ）に示すように、導体コイルの段差が解消され１寸
法精度のよい絶縁層６′が形成される。この上に、第２
の磁性膜を形成した場合、出力を１０チ向上した薄膜磁
気ヘッドを作成することができた。
実施例２
実施例１に示した方法で第１図（ｃ）のように平坦化し
た絶縁層６′上に導体コイルを形成した場合、巾及び間
隔が１．５μｍ、厚さ３μｍという微細パターンを形成
することができた。
た絶縁層６′上に導体コイルを形成した場合、巾及び間
隔が１．５μｍ、厚さ３μｍという微細パターンを形成
することができた。
比較例
比較例を第２図に基づいて説明する。すなわち。
絶縁層６のパター；フグ後の紫外光照射を、第２図（ａ
）に示すように５絶縁層６の全域にわたって行った場合
について述べる。このような処理を経てレジストの焼成
を行うと、第２図（ｂ）に示すように。
）に示すように５絶縁層６の全域にわたって行った場合
について述べる。このような処理を経てレジストの焼成
を行うと、第２図（ｂ）に示すように。
絶縁層６“の外周部のレジストも流動し、絶縁層の外形
寸法が変化する。そのために絶縁層の端部と浮上面との
距離であるスロートハイ）ｈ（第３図（ａ）参照）の制
御が困難になり、ヘット゛出力、オーバーライド特性等
が安定して得られなかった。
寸法が変化する。そのために絶縁層の端部と浮上面との
距離であるスロートハイ）ｈ（第３図（ａ）参照）の制
御が困難になり、ヘット゛出力、オーバーライド特性等
が安定して得られなかった。
巾４μｍ１間隔３μｍ、高さ３μｍの１０ターンの導体
コイルを有する薄膜磁気ヘッドを作成し、絶縁層による
段差解消性（表面粗さ）、スロートハイド制御性及びヘ
ソＭ出力等について、絶縁層のパターン形成後露光を行
なわない従来法と本発明法とを比較した結果をまとめる
と第１表の如くである。
コイルを有する薄膜磁気ヘッドを作成し、絶縁層による
段差解消性（表面粗さ）、スロートハイド制御性及びヘ
ソＭ出力等について、絶縁層のパターン形成後露光を行
なわない従来法と本発明法とを比較した結果をまとめる
と第１表の如くである。
上表の各項目について、○印は満足すべき状況、Δ印は
不充分な状況であることを示す。
不充分な状況であることを示す。
発明の効果
・本発明の方法によれば、上部磁性層のうねりがないた
めに上部磁性層の場所による組成変動がなく、不要な応
力がかからないので磁気ヘッド出力を向上させることが
でき、また多層の導体コイルを有する場合は、導体コイ
ルの密度を上げることによって磁気ヘッド出力を向上さ
せうる等の効果がある。
めに上部磁性層の場所による組成変動がなく、不要な応
力がかからないので磁気ヘッド出力を向上させることが
でき、また多層の導体コイルを有する場合は、導体コイ
ルの密度を上げることによって磁気ヘッド出力を向上さ
せうる等の効果がある。
第１図は本発明の製造工程を示す図で、（ａ）は絶線層
のパターン形成後、（ｂ）は導体コイルを含む領域の露
光、（Ｃ）は絶縁層焼成後の状態を示す図である。第２
図は比較例の製造工程を示す図で、（ａ）は絶縁層のパ
ターニング後、絶縁層全域にわたっての露光、（ｂ）は
焼成後の絶縁層の形状を示す図である。 第３図（ａ）は通常の製造工程によって形成される薄膜
磁気ヘッドの構造を示す断面図５同（ｂ）は（ａ）図の
の絶縁層６の上に更に導体コイルを形成する場合の構造
を示す断面図である。 第４図及び第５図は絶縁層の未反応感光基残留率と、絶
縁層焼成後のステップの大きさ及び外形寸法変化量との
関係を示すグラフである。 １：非磁性セラミック基板 ２，７：磁性層３：磁気ギ
ャップ ４．６．１０ ：絶縁層５．９：導体コイル
８：保護層 ｈニスロートハイド Ｓ：導体コイルの短絡点第２図 紫外光 第３図 第４図 第５図 未反応感光基残留率（％）
のパターン形成後、（ｂ）は導体コイルを含む領域の露
光、（Ｃ）は絶縁層焼成後の状態を示す図である。第２
図は比較例の製造工程を示す図で、（ａ）は絶縁層のパ
ターニング後、絶縁層全域にわたっての露光、（ｂ）は
焼成後の絶縁層の形状を示す図である。 第３図（ａ）は通常の製造工程によって形成される薄膜
磁気ヘッドの構造を示す断面図５同（ｂ）は（ａ）図の
の絶縁層６の上に更に導体コイルを形成する場合の構造
を示す断面図である。 第４図及び第５図は絶縁層の未反応感光基残留率と、絶
縁層焼成後のステップの大きさ及び外形寸法変化量との
関係を示すグラフである。 １：非磁性セラミック基板 ２，７：磁性層３：磁気ギ
ャップ ４．６．１０ ：絶縁層５．９：導体コイル
８：保護層 ｈニスロートハイド Ｓ：導体コイルの短絡点第２図 紫外光 第３図 第４図 第５図 未反応感光基残留率（％）
Claims (1)
- 非磁性の基板上に、第１の磁性層、磁気ギャップ、導体
コイル、絶縁層及び第２の磁性層を順次積層して成る薄
膜磁気ヘッドの絶縁層を焼成する方法において、絶縁層
をパターニングし、外周部を除き導体コイルを含む領域
である中央部分のみを露光した後、焼成することを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28586587A JPH01128214A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28586587A JPH01128214A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128214A true JPH01128214A (ja) | 1989-05-19 |
Family
ID=17697041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28586587A Pending JPH01128214A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5598291A (en) * | 1993-09-24 | 1997-01-28 | Ebara Corporation | Polygon mirror mounting structure |
| JP2009129534A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Headway Technologies Inc | 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP28586587A patent/JPH01128214A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5598291A (en) * | 1993-09-24 | 1997-01-28 | Ebara Corporation | Polygon mirror mounting structure |
| JP2009129534A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Headway Technologies Inc | 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US7933094B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-04-26 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording having a shield that includes a part recessed from medium facing surface |
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