JPH0817016A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0817016A JPH0817016A JP14970094A JP14970094A JPH0817016A JP H0817016 A JPH0817016 A JP H0817016A JP 14970094 A JP14970094 A JP 14970094A JP 14970094 A JP14970094 A JP 14970094A JP H0817016 A JPH0817016 A JP H0817016A
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- photoresist
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- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下部コア層、第１の絶縁層、コイル層、第２
の絶縁層、ギャップスペーサ層、上部コア層を備え、前
記第１及び／または第２の絶縁層がフォトレジストから
なる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、デプスエンド
の位置ずれ、過昇温による磁性層の特性劣化、脱ガス不
足等の問題を解決するための方法を明らかにする。 【構成】 前記下部コア層上及び／またはコイル層上に
フォトレジストを塗布し、露光、現像処理により該フォ
トレジストの平面形状を規制し、加熱処理により該フォ
トレジストの断面形状を規制し、減圧下での紫外線照射
処理により該フォトレジストを硬化させて前記第１及び
／または第２の絶縁層とする。
の絶縁層、ギャップスペーサ層、上部コア層を備え、前
記第１及び／または第２の絶縁層がフォトレジストから
なる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、デプスエンド
の位置ずれ、過昇温による磁性層の特性劣化、脱ガス不
足等の問題を解決するための方法を明らかにする。 【構成】 前記下部コア層上及び／またはコイル層上に
フォトレジストを塗布し、露光、現像処理により該フォ
トレジストの平面形状を規制し、加熱処理により該フォ
トレジストの断面形状を規制し、減圧下での紫外線照射
処理により該フォトレジストを硬化させて前記第１及び
／または第２の絶縁層とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの外部記
憶装置としてのＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）
等に用いられる磁気ヘッドの一種で、磁気コアや通電コ
イルを薄膜体で構成した薄膜磁気ヘッドに関するもので
ある。
憶装置としてのＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）
等に用いられる磁気ヘッドの一種で、磁気コアや通電コ
イルを薄膜体で構成した薄膜磁気ヘッドに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＨＤＤ等の高密度磁気記録装置に使用さ
れる磁気ヘッドとして、磁気コアや通電コイルを薄膜体
で構成した薄膜磁気ヘッドが注目されている。磁気コア
層やコイル層を備えた誘導型の薄膜磁気ヘッドは、記録
／再生兼用ヘッドとして実用に供されているが、該誘導
型薄膜磁気ヘッドを記録専用とし、磁気抵抗効果素子層
を備えた再生専用の磁気抵抗効果型ヘッドと組み合わせ
た複合型薄膜磁気ヘッドも、次世代の高密度磁気記録装
置用ヘッドとして有望である。
れる磁気ヘッドとして、磁気コアや通電コイルを薄膜体
で構成した薄膜磁気ヘッドが注目されている。磁気コア
層やコイル層を備えた誘導型の薄膜磁気ヘッドは、記録
／再生兼用ヘッドとして実用に供されているが、該誘導
型薄膜磁気ヘッドを記録専用とし、磁気抵抗効果素子層
を備えた再生専用の磁気抵抗効果型ヘッドと組み合わせ
た複合型薄膜磁気ヘッドも、次世代の高密度磁気記録装
置用ヘッドとして有望である。
【０００３】前記複合型薄膜磁気ヘッドの典型的な断面
構成を図５に示す。この複合型薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ
2Ｏ3−ＴｉＣ等からなる基板１上に、Ａｌ2Ｏ3等からな
る下地層２、Ｎｉ−Ｆｅ合金等からなる下部シールド層
３、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁層４、Ｎｉ−Ｆｅ合金等か
らなる磁気抵抗効果素子層５、Ａｕ等からなる電極層
（図示せず）、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁層６、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金等からなる上部シ−ルド層７、Ａｌ2Ｏ3等からな
る分離層８、Ｎｉ−Ｆｅ合金等からなる下部コア層９、
フォトレジスト等からなる絶縁層１０、Ｃｕ等からなる
コイル層１１、フォトレジスト等からなる絶縁層１２、
Ａｌ2Ｏ3等からなるギャップスペ−サ−層１３、Ｎｉ−
Ｆｅ合金等からなる上部コア層１４、Ａｌ2Ｏ3等からな
る保護層１５が順次形成されたものであり、前記下部シ
ールド層３から上部シールド層７までの各層によって磁
気抵抗効果型ヘッドが構成され、前記下部コア層９から
上部コア層１４までの各層によって誘導型薄膜磁気ヘッ
ドが構成されている。
構成を図５に示す。この複合型薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ
2Ｏ3−ＴｉＣ等からなる基板１上に、Ａｌ2Ｏ3等からな
る下地層２、Ｎｉ−Ｆｅ合金等からなる下部シールド層
３、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁層４、Ｎｉ−Ｆｅ合金等か
らなる磁気抵抗効果素子層５、Ａｕ等からなる電極層
（図示せず）、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁層６、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金等からなる上部シ−ルド層７、Ａｌ2Ｏ3等からな
る分離層８、Ｎｉ−Ｆｅ合金等からなる下部コア層９、
フォトレジスト等からなる絶縁層１０、Ｃｕ等からなる
コイル層１１、フォトレジスト等からなる絶縁層１２、
Ａｌ2Ｏ3等からなるギャップスペ−サ−層１３、Ｎｉ−
Ｆｅ合金等からなる上部コア層１４、Ａｌ2Ｏ3等からな
る保護層１５が順次形成されたものであり、前記下部シ
ールド層３から上部シールド層７までの各層によって磁
気抵抗効果型ヘッドが構成され、前記下部コア層９から
上部コア層１４までの各層によって誘導型薄膜磁気ヘッ
ドが構成されている。
【０００４】前記誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル層１１
の上下の絶縁層１０、１２は、商品名ＯＦＰＲ８００等
のフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィと
称される周知の選択的露光・現像処理により前記フォト
レジストを所定の平面形状に整形し、大気中あるいは不
活性ガス中で２００〜２５０℃に加熱し、硬化させるこ
とにより形成される。
の上下の絶縁層１０、１２は、商品名ＯＦＰＲ８００等
のフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィと
称される周知の選択的露光・現像処理により前記フォト
レジストを所定の平面形状に整形し、大気中あるいは不
活性ガス中で２００〜２５０℃に加熱し、硬化させるこ
とにより形成される。
【０００５】ここで、誘導型薄膜ヘッドの電磁変換効率
を高めるためには、ギャップデプスを精密に制御するこ
とが求められるが、該誘導型薄膜ヘッドのコイル層の上
下の絶縁層を形成するに当り、前述のようなフォトレジ
ストの加熱硬化処理を行うと、デプスエンドＤＥの位置
がずれることがある。
を高めるためには、ギャップデプスを精密に制御するこ
とが求められるが、該誘導型薄膜ヘッドのコイル層の上
下の絶縁層を形成するに当り、前述のようなフォトレジ
ストの加熱硬化処理を行うと、デプスエンドＤＥの位置
がずれることがある。
【０００６】また、前述のようなフォトレジストの加熱
硬化処理では、該フォトレジストの脱ガスが不十分で上
部コア層等の成膜時にガスが出てくるという問題もあ
る。
硬化処理では、該フォトレジストの脱ガスが不十分で上
部コア層等の成膜時にガスが出てくるという問題もあ
る。
【０００７】一方、高密度磁気記録用の高抗磁力媒体に
対応するため、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁気コア材とし
て高飽和磁束密度ではあるものの耐熱性に乏しいアモル
ファス合金を用いる場合や、耐熱性に乏しいＮｉ−Ｆｅ
合金からなる磁気抵抗効果素子層を備えた磁気抵抗効果
型ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドと組み合わせて用いる
場合には、誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル層の上下の絶
縁層を形成する際のフォトレジストの加熱処理温度が高
過ぎると、前記磁気コア層や磁気抵抗効果素子層の特性
が劣化するという問題もある。
対応するため、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁気コア材とし
て高飽和磁束密度ではあるものの耐熱性に乏しいアモル
ファス合金を用いる場合や、耐熱性に乏しいＮｉ−Ｆｅ
合金からなる磁気抵抗効果素子層を備えた磁気抵抗効果
型ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドと組み合わせて用いる
場合には、誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル層の上下の絶
縁層を形成する際のフォトレジストの加熱処理温度が高
過ぎると、前記磁気コア層や磁気抵抗効果素子層の特性
が劣化するという問題もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、コイル層の
上下の絶縁層がフォトレジストにて構成される誘導型薄
膜磁気ヘッドの製造工程において、前述のようなデプス
エンドの位置ずれの問題、脱ガスの問題、過昇温による
磁性層の特性劣化の問題等を解消するための方法を明ら
かにするものである。
上下の絶縁層がフォトレジストにて構成される誘導型薄
膜磁気ヘッドの製造工程において、前述のようなデプス
エンドの位置ずれの問題、脱ガスの問題、過昇温による
磁性層の特性劣化の問題等を解消するための方法を明ら
かにするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、下部コア層、第１の絶縁層、コイル
層、第２の絶縁層、ギャップスペーサ層、上部コア層を
備える薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部コ
ア層上及び／またはコイル層上にフォトレジストを塗布
し、選択的露光、現像処理により該フォトレジストの平
面形状を規制し、加熱処理により該フォトレジストの断
面形状を規制し、減圧下での紫外線照射処理により該フ
ォトレジストを硬化させて前記第１及び／または第２の
絶縁層とすることを特徴とするものである。
ッドの製造方法は、下部コア層、第１の絶縁層、コイル
層、第２の絶縁層、ギャップスペーサ層、上部コア層を
備える薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部コ
ア層上及び／またはコイル層上にフォトレジストを塗布
し、選択的露光、現像処理により該フォトレジストの平
面形状を規制し、加熱処理により該フォトレジストの断
面形状を規制し、減圧下での紫外線照射処理により該フ
ォトレジストを硬化させて前記第１及び／または第２の
絶縁層とすることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記本発明の製造方法によれば、第１及び／ま
たは第２の絶縁層をフォトレジストで形成する際の加熱
処理温度を低く設定することができるので、レジストの
軟化に伴うパターン端部の位置ずれが抑制されてデプス
エンドが正確に規制されるとともに、磁性材からなる層
の特性の劣化も抑制される。
たは第２の絶縁層をフォトレジストで形成する際の加熱
処理温度を低く設定することができるので、レジストの
軟化に伴うパターン端部の位置ずれが抑制されてデプス
エンドが正確に規制されるとともに、磁性材からなる層
の特性の劣化も抑制される。
【００１１】また、前記加熱処理の温度を適宜選択する
ことによってレジストパターン端部のテ−パ角を制御
し、その上に形成される上部コアのデプスエンド近傍部
の形状を、電磁変換効率に優れた形状とすることも可能
になる。
ことによってレジストパターン端部のテ−パ角を制御
し、その上に形成される上部コアのデプスエンド近傍部
の形状を、電磁変換効率に優れた形状とすることも可能
になる。
【００１２】さらに、減圧下での紫外線照射処理は脱ガ
スを促進する。
スを促進する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１４】本発明の対象となる薄膜磁気ヘッドの例と
しては、前記図５に示した複合型薄膜磁気ヘッドが挙げ
られる。
しては、前記図５に示した複合型薄膜磁気ヘッドが挙げ
られる。
【００１５】本発明の製造方法によれば、前記複合型薄
膜磁気ヘッドの製造工程において、磁気抵抗効果型ヘッ
ドを構成する各層に続いて、分離層８、誘導型薄膜磁気
ヘッドの下部コア層９を形成した後、図１（ａ）に示す
ように、商品名ＯＦＰＲ８００、ＡＺ１３５０、ＡＺ４
３３０等のフォトレジスト１００をスピンコート法によ
り塗布する。
膜磁気ヘッドの製造工程において、磁気抵抗効果型ヘッ
ドを構成する各層に続いて、分離層８、誘導型薄膜磁気
ヘッドの下部コア層９を形成した後、図１（ａ）に示す
ように、商品名ＯＦＰＲ８００、ＡＺ１３５０、ＡＺ４
３３０等のフォトレジスト１００をスピンコート法によ
り塗布する。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィと称される選択的露光・現像法により前記フ
ォトレジストの平面形状（パターン形状）を規制する。
図中１００ｂは、平面形状が規制された状態のフォトレ
ジストを示している。この時、レジストパターン端部の
テーパ角θ0は略９０°となる。
ソグラフィと称される選択的露光・現像法により前記フ
ォトレジストの平面形状（パターン形状）を規制する。
図中１００ｂは、平面形状が規制された状態のフォトレ
ジストを示している。この時、レジストパターン端部の
テーパ角θ0は略９０°となる。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、加熱処理
により前記フォトレジストを軟化させてテ−パー角θを
制御する。図中１００ｃは、軟化して変形した状態のフ
ォトレジストを示している。
により前記フォトレジストを軟化させてテ−パー角θを
制御する。図中１００ｃは、軟化して変形した状態のフ
ォトレジストを示している。
【００１８】この時、加熱処理温度Ｔとテーパー角θの
関係は図２のようになる。また、加熱処理温度Ｔとデプ
スエンドＤＥを規定するレジストパターン端部の位置ず
れ量Δｄの関係は図３のようになる。また、加熱処理温
度Ｔと磁気抵抗効果素子を構成する厚さ約３００ÅのＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜の保磁力Ｈｃとの関係は図４のように
なる。
関係は図２のようになる。また、加熱処理温度Ｔとデプ
スエンドＤＥを規定するレジストパターン端部の位置ず
れ量Δｄの関係は図３のようになる。また、加熱処理温
度Ｔと磁気抵抗効果素子を構成する厚さ約３００ÅのＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜の保磁力Ｈｃとの関係は図４のように
なる。
【００１９】加熱処理温度は所望のテーパー角となるよ
うに選択されるが、レジストパタ−ン端部の位置ずれを
起こさず、磁気抵抗効果素子の磁気特性にも悪影響を及
ぼさないようにするためには、１５０℃以下とすること
が望ましい。
うに選択されるが、レジストパタ−ン端部の位置ずれを
起こさず、磁気抵抗効果素子の磁気特性にも悪影響を及
ぼさないようにするためには、１５０℃以下とすること
が望ましい。
【００２０】次に、図１（ｄ）に示すように、０．０１
〜１０Ｔｏｒｒの減圧下で中心波長２２０〜３２０ｎｍ
の紫外線ＵＶを照射し、レジストを硬化させて第１の絶
縁層１０とする。紫外線照射を減圧下で行うことによ
り、厚いレジストであっても脱ガスが不十分となること
がない。
〜１０Ｔｏｒｒの減圧下で中心波長２２０〜３２０ｎｍ
の紫外線ＵＶを照射し、レジストを硬化させて第１の絶
縁層１０とする。紫外線照射を減圧下で行うことによ
り、厚いレジストであっても脱ガスが不十分となること
がない。
【００２１】ここで、前記図１（ｃ）に示した加熱処理
を減圧下で行ってもよいし、図１（ｄ）に示した外線照
射処理を加熱しながら行ってもよい。
を減圧下で行ってもよいし、図１（ｄ）に示した外線照
射処理を加熱しながら行ってもよい。
【００２２】その後、コイル層１１を形成し、前記第１
の絶縁層と同様の手法で第２の絶縁層１２を形成する。
ただし、第１絶縁層と第２絶縁層で厚さ、テーパー角等
を変える必要があれば、加熱処理温度や紫外線照射時間
等の条件も適宜変える必要がある。
の絶縁層と同様の手法で第２の絶縁層１２を形成する。
ただし、第１絶縁層と第２絶縁層で厚さ、テーパー角等
を変える必要があれば、加熱処理温度や紫外線照射時間
等の条件も適宜変える必要がある。
【００２３】さらに、前記第２絶縁層１２の上にギャッ
プスペーサ層１３、上部コア層１４、保護層１５を順次
形成すれば、前記図５に示した複合型薄膜磁気ヘッドが
得られる。
プスペーサ層１３、上部コア層１４、保護層１５を順次
形成すれば、前記図５に示した複合型薄膜磁気ヘッドが
得られる。
【００２４】なお、本発明が適用される薄膜磁気ヘッド
は、前記図５に示したとおりの複合型薄膜磁気ヘッドに
限られるものではなく、該複合型薄膜磁気ヘッドの分離
層８をなくして上部シールド層７と下部コア層９を磁性
薄膜の一体物で構成したものや、磁気抵抗効果型ヘッド
を併備しない記録／再生兼用の誘導型薄膜磁気ヘッド、
２層以上のコイル層を備えた薄膜磁気ヘッド等も、本発
明の対象となりうる。
は、前記図５に示したとおりの複合型薄膜磁気ヘッドに
限られるものではなく、該複合型薄膜磁気ヘッドの分離
層８をなくして上部シールド層７と下部コア層９を磁性
薄膜の一体物で構成したものや、磁気抵抗効果型ヘッド
を併備しない記録／再生兼用の誘導型薄膜磁気ヘッド、
２層以上のコイル層を備えた薄膜磁気ヘッド等も、本発
明の対象となりうる。
【００２５】
【発明の効果】上記本発明の製造方法によれば、第１及
び／または第２の絶縁層をフォトレジストで形成する際
の加熱処理温度を低く設定することができるので、レジ
ストの軟化に伴うパターン端部の位置ずれが抑制されて
デプスエンドが正確に規制され、その結果、ギャップデ
プスの寸法精度が向上してギャップデプスを小さくする
ことができるので、磁気ヘッドとしての電磁変換効率が
向上する。
び／または第２の絶縁層をフォトレジストで形成する際
の加熱処理温度を低く設定することができるので、レジ
ストの軟化に伴うパターン端部の位置ずれが抑制されて
デプスエンドが正確に規制され、その結果、ギャップデ
プスの寸法精度が向上してギャップデプスを小さくする
ことができるので、磁気ヘッドとしての電磁変換効率が
向上する。
【００２６】また、前記加熱処理温度が低く設定される
ことにより磁性材からなる層の特性劣化が抑制され、磁
性材の種類に関する選択の幅が拡がって高密度磁気記録
に適した磁気ヘッドが得られる。
ことにより磁性材からなる層の特性劣化が抑制され、磁
性材の種類に関する選択の幅が拡がって高密度磁気記録
に適した磁気ヘッドが得られる。
【００２７】さらに、前記加熱処理の温度を適宜選択す
ることによってレジストパターン端部のテ−パ角を制御
し、その上に形成される上部コアのデプスエンド近傍部
の形状を電磁変換効率に優れた形状とすることも可能と
なる。
ることによってレジストパターン端部のテ−パ角を制御
し、その上に形成される上部コアのデプスエンド近傍部
の形状を電磁変換効率に優れた形状とすることも可能と
なる。
【図１】本発明実施例による絶縁層形成工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図２】加熱処理温度とレジストパターン端部のテ−パ
角の関係を示す実験結果図。
角の関係を示す実験結果図。
【図３】加熱処理温度とレジストパターン端部の位置ず
れ量の関係を示す実験結果図。
れ量の関係を示す実験結果図。
【図４】加熱処理温度とＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の保磁力の
関係を示す実験結果図。
関係を示す実験結果図。
【図５】本発明の適用対象となる薄膜磁気ヘッドの断面
図。
図。
１ 基板 ２ 下地層 ３ 下部シールド層 ４ 下部シールド層上の絶縁層 ５ 磁気抵抗効果素子層 ６ 磁気抵抗効果素子層上の絶縁層 ７ 上部シールド層 ８ 分離層 ９ 下部コア層 １０ 第１絶縁層（下部コア層上の絶縁層） １１ コイル層 １２ 第２絶縁層（コイル層上の絶縁層） １３ ギャップスペーサ層 １４ 上部コア層 １５ 保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 下部コア層、第１の絶縁層、コイル層、
第２の絶縁層、ギャップスペーサ層、上部コア層を備え
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 前記下部コア層上にフォトレジストを塗布し、選択的露
光・現像処理により該フォトレジストの平面形状を規制
し、加熱処理により該フォトレジストの断面形状を規制
し、減圧下での紫外線照射処理により該フォトレジスト
を硬化させて前記第１の絶縁層とすることを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 下部コア層、第１の絶縁層、コイル層、
第２の絶縁層、ギャップスペーサ層、上部コア層を備え
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 前記コイル層上にフォトレジストを塗布し、選択的露光
・現像処理により該フォトレジストの平面形状を規制
し、加熱処理により該フォトレジストの断面形状を規制
し、減圧下での紫外線照射処理により該フォトレジスト
を硬化させて前記第２の絶縁層とすることを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記加熱処理及び紫外線照射処理を１５
０℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項１または
２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記加熱処理を減圧下で行うことを特徴
とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14970094A JPH0817016A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14970094A JPH0817016A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817016A true JPH0817016A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15480912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14970094A Pending JPH0817016A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817016A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087071A (en) * | 1998-09-11 | 2000-07-11 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for increasing thermostability of a resist through electron beam exposure |
| US7531457B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-05-12 | Touch Micro-System Technology Inc. | Method of fabricating suspended structure |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14970094A patent/JPH0817016A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087071A (en) * | 1998-09-11 | 2000-07-11 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for increasing thermostability of a resist through electron beam exposure |
| KR100505080B1 (ko) * | 1998-09-11 | 2005-07-29 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 레지스트의 처리방법 |
| US7531457B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-05-12 | Touch Micro-System Technology Inc. | Method of fabricating suspended structure |
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