JPH065571B2 - 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法Info
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- JPH065571B2 JPH065571B2 JP61090750A JP9075086A JPH065571B2 JP H065571 B2 JPH065571 B2 JP H065571B2 JP 61090750 A JP61090750 A JP 61090750A JP 9075086 A JP9075086 A JP 9075086A JP H065571 B2 JPH065571 B2 JP H065571B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気記憶媒体に書込まれた磁気的情報を、所
謂、磁気抵抗効果を利用して、読み出しを行なう磁気抵
抗効果素子（以下、MR素子と呼ぶ）を用いた磁気抵抗効
果ヘッド（以下、MRヘッドと呼ぶ）に関するものであ
る。
謂、磁気抵抗効果を利用して、読み出しを行なう磁気抵
抗効果素子（以下、MR素子と呼ぶ）を用いた磁気抵抗効
果ヘッド（以下、MRヘッドと呼ぶ）に関するものであ
る。
尚、以下の説明では煩雑さを避ける為、磁気シールド層
等本発明と直接関係の無いMRヘッドの構成要素は省略し
て説明する。
等本発明と直接関係の無いMRヘッドの構成要素は省略し
て説明する。
（従来の技術） 周知の通り強磁性合金薄膜より成るMR素子は、信号磁界
に対する再生感度が高く、しかも磁束応答型である為、
信号出力が相対速度に依存せず、高周波領域まで一定の
出力が得られるなど優れた特徴を具備している。その
為、磁気記録の分野では、前述した如き優れた特徴を持
つMR素子を高記録密度再生用ヘッド、所謂MRヘッドとし
て使用することが考えられており、種々の検討が活発に
行なわれている。
に対する再生感度が高く、しかも磁束応答型である為、
信号出力が相対速度に依存せず、高周波領域まで一定の
出力が得られるなど優れた特徴を具備している。その
為、磁気記録の分野では、前述した如き優れた特徴を持
つMR素子を高記録密度再生用ヘッド、所謂MRヘッドとし
て使用することが考えられており、種々の検討が活発に
行なわれている。
この様なMRヘッドとして第２図に示した如き構造を有す
るヨーク・タイプMRヘッドは、MR素子の高い再生効率し
高い信頼性を有している為注目されている。すなわち、
前述のヨーク・タイプMRヘッドにおいては第２図に示し
た通りMR素子３は、媒体対向面であるギャップ部からリ
セスして形成される為、高透磁率軟磁性ヨークの無いMR
ヘッドと異なり媒体対向面にMR素子３の端部が露出せ
ず、MR素子３の腐食等による信頼性の低下が抑制され
る。又、媒体とMR素子３との接触によるスパイク・ノイ
ズも低減出来、この意味でも信頼性の高いMRヘッドが実
現される。
るヨーク・タイプMRヘッドは、MR素子の高い再生効率し
高い信頼性を有している為注目されている。すなわち、
前述のヨーク・タイプMRヘッドにおいては第２図に示し
た通りMR素子３は、媒体対向面であるギャップ部からリ
セスして形成される為、高透磁率軟磁性ヨークの無いMR
ヘッドと異なり媒体対向面にMR素子３の端部が露出せ
ず、MR素子３の腐食等による信頼性の低下が抑制され
る。又、媒体とMR素子３との接触によるスパイク・ノイ
ズも低減出来、この意味でも信頼性の高いMRヘッドが実
現される。
（発明が解決しようとする問題点） ところで、この様なヨーク・タイプMRヘッドにおいて
は、高い再生効率を実現する為、媒体からの漏洩磁束を
ヨーク４を通じて効率良くMR素子３に流入させることが
必要であり、その為ヨーク４とMR素子３との間の絶縁層
の厚み（第２図中tで表示）を可能な限り小さく設定す
ることが求められていた。
は、高い再生効率を実現する為、媒体からの漏洩磁束を
ヨーク４を通じて効率良くMR素子３に流入させることが
必要であり、その為ヨーク４とMR素子３との間の絶縁層
の厚み（第２図中tで表示）を可能な限り小さく設定す
ることが求められていた。
しかし、前述の絶縁層を薄くすることは、ヨーク４を形
成するエッチング加工のオーバーエッチングの許容範囲
の低下をもたらし、エッチング時に、MR素子３上の絶縁
層が除去されMR素子３が損傷を受けMRヘッドの製造プロ
セス上大きな問題点となっていた。
成するエッチング加工のオーバーエッチングの許容範囲
の低下をもたらし、エッチング時に、MR素子３上の絶縁
層が除去されMR素子３が損傷を受けMRヘッドの製造プロ
セス上大きな問題点となっていた。
又、第２図で示した如きヨーク・タイプMRヘッドにおい
てはヨーク４は必ずMR素子３の段差（実際には、バイア
ス印加用導体層等による段差も、これに相乗される）を
経験する為、段差部でヨーク４の磁気特性（特に透磁
率）が劣化し、MRヘッドの再生効率が低下するという欠
点もあった。
てはヨーク４は必ずMR素子３の段差（実際には、バイア
ス印加用導体層等による段差も、これに相乗される）を
経験する為、段差部でヨーク４の磁気特性（特に透磁
率）が劣化し、MRヘッドの再生効率が低下するという欠
点もあった。
本発明は上記の問題点を解決したヨーク・タイプMRヘッ
ドを提供することを目的とする。
ドを提供することを目的とする。
（問題点を解決する為の手段） 本発明のヨーク・タイプMRヘッドは、高透磁率軟磁性ヨ
ークと非磁性、非導電性の有機物層とMR素子とが、この
順序で積層されている構造を有するものである。ここ
で、前記有機物層は前記ローク形成後、回転塗布され所
定形状にパターン化された後全面に紫外線を照射して加
熱硬化して形成される。
ークと非磁性、非導電性の有機物層とMR素子とが、この
順序で積層されている構造を有するものである。ここ
で、前記有機物層は前記ローク形成後、回転塗布され所
定形状にパターン化された後全面に紫外線を照射して加
熱硬化して形成される。
（作用） 本発明によるヨーク・タイプMRヘッドにおいては従来の
ヘッドと異なりヨーク形成後にMR素子が形成される為、
ヨーク形成時にMR素子が損傷を受けることは原理的に生
じ得ない。又、ヨークとMR素子との間の絶縁層として有
機物を用い、しかも、有機物の熱硬化工程の前工程とし
て紫外線照射工程を導入することにより有機物層に光化
学反応を起こさせて加熱時の有機物の流動性を高める製
造プロセスを取ることにより、ヨークは、前記有機物層
によりほぼ完全に埋込まれ平坦化された構造となってい
る。従って、ヨークとMR素子との間の絶縁層の厚み（図
２中tで表示）を薄くでき、しかもMR素子の経験を段差
が殆ど無く高い再生効率が実現される。
ヘッドと異なりヨーク形成後にMR素子が形成される為、
ヨーク形成時にMR素子が損傷を受けることは原理的に生
じ得ない。又、ヨークとMR素子との間の絶縁層として有
機物を用い、しかも、有機物の熱硬化工程の前工程とし
て紫外線照射工程を導入することにより有機物層に光化
学反応を起こさせて加熱時の有機物の流動性を高める製
造プロセスを取ることにより、ヨークは、前記有機物層
によりほぼ完全に埋込まれ平坦化された構造となってい
る。従って、ヨークとMR素子との間の絶縁層の厚み（図
２中tで表示）を薄くでき、しかもMR素子の経験を段差
が殆ど無く高い再生効率が実現される。
（実施例） 以下、図面を用いて本発明を説明する。第１図は本発明
によるヨーク・タイプMRヘッドの構造を示す概略断面図
である。
によるヨーク・タイプMRヘッドの構造を示す概略断面図
である。
第１図において、Mn-Zn系のフェライト基板１上にギャ
ップとなる絶縁層２が形成される。この絶縁層２の成膜
はスパッタリング法を用い膜厚は3000Åである。又、材
質はSiO2である。
ップとなる絶縁層２が形成される。この絶縁層２の成膜
はスパッタリング法を用い膜厚は3000Åである。又、材
質はSiO2である。
ついで、膜厚１μｍのCo90Zr10（重量比）膜をスパッタ
リング法で成膜し、300℃の温度で２時間、480Oeの回転
磁場中でアニール処理し、イオンエッチング法で加工し
てヨーク４を形成した。
リング法で成膜し、300℃の温度で２時間、480Oeの回転
磁場中でアニール処理し、イオンエッチング法で加工し
てヨーク４を形成した。
ついで、ノボラック系樹脂を主成分とする有機物（例え
ば、シプレー社製AZフォトレジスト）を回転塗布し、通
常の光学露光によりパターン化した。その後、有機物パ
ターン全面に紫外線を照射した後、275℃で約２時間加
熱処理を行なって熱硬化させて有機物層５を形成した。
この工程により、有機物層５によりヨーク４はほぼ完全
に埋込まれて平坦化され、有機物層５の形成後のヨーク
４による段差は100〜110Åに減少した。
ば、シプレー社製AZフォトレジスト）を回転塗布し、通
常の光学露光によりパターン化した。その後、有機物パ
ターン全面に紫外線を照射した後、275℃で約２時間加
熱処理を行なって熱硬化させて有機物層５を形成した。
この工程により、有機物層５によりヨーク４はほぼ完全
に埋込まれて平坦化され、有機物層５の形成後のヨーク
４による段差は100〜110Åに減少した。
その後、前記有機物層５の上に、Ni81.5Fe18.5（重量
比）の組成を有し、膜厚400ÅのMR素子３を形成してヨ
ーク・タイプMRヘッドを試作した。
比）の組成を有し、膜厚400ÅのMR素子３を形成してヨ
ーク・タイプMRヘッドを試作した。
次に、有機物層５の形成方法について、第３図を用いて
更に説明する。尚、以下においては有機物として、先程
と同様ノボラック樹脂系のフォトレジストを用いた例に
ついて述べる。
更に説明する。尚、以下においては有機物として、先程
と同様ノボラック樹脂系のフォトレジストを用いた例に
ついて述べる。
第３図においてフェライト基板１上にヨーク４を形成し
た後（第３図(a)）、フォトレジスト６を1000rpm〜2000
rpmで回転塗布する（第３図(b)）。その後、光学露光に
よりパターン化する（第３図(c)）。ついで300mJ／cm2
の照射量で350nm〜450nmの紫外線を60秒間基板全面に照
射する（第３図(d)）。ついで275℃で約２時間の加熱処
理を行ないフォトレジスト６を流動硬化させて有機物層
が形成される（第３図(e)）。
た後（第３図(a)）、フォトレジスト６を1000rpm〜2000
rpmで回転塗布する（第３図(b)）。その後、光学露光に
よりパターン化する（第３図(c)）。ついで300mJ／cm2
の照射量で350nm〜450nmの紫外線を60秒間基板全面に照
射する（第３図(d)）。ついで275℃で約２時間の加熱処
理を行ないフォトレジスト６を流動硬化させて有機物層
が形成される（第３図(e)）。
この様な工程により前述した様にヨーク４はほぼ完全に
前記有機物層に埋めこまれて平坦化され、ヨーク４によ
る段差は約100Åに減少した。
前記有機物層に埋めこまれて平坦化され、ヨーク４によ
る段差は約100Åに減少した。
尚、第３図においては単層のファトレジスト層を用いた
が、第４図に示した如く、フォトレジスト６を塗布後、
ヨーク４上のフォトレジストを露光・現像して除去し、
ヨーク間のみにフォトレジスト６を残存させ（第４図
(a)）、その後第４図(b)に示した通り同種あるいは別種
のフォトレジスト７を回転塗布し（第４図(b)）、以下
第３図(d)以降の工程を行なっても良い。
が、第４図に示した如く、フォトレジスト６を塗布後、
ヨーク４上のフォトレジストを露光・現像して除去し、
ヨーク間のみにフォトレジスト６を残存させ（第４図
(a)）、その後第４図(b)に示した通り同種あるいは別種
のフォトレジスト７を回転塗布し（第４図(b)）、以下
第３図(d)以降の工程を行なっても良い。
この場合、工程は若干複雑となるが、単層のフォトレジ
ストを用いて場合一層平坦化することが可能で、膜厚１
μｍのヨークの場合、ヨークによる段差は50Å以下とな
った。
ストを用いて場合一層平坦化することが可能で、膜厚１
μｍのヨークの場合、ヨークによる段差は50Å以下とな
った。
この様な、本発明によるヨーク・タイプMRヘッドにおい
ては、ヨーク４がMR素子３に先立って加工・形成される
為、ヨーク４の加工時にMR素子３に損傷を与える恐れは
全く無く、MRヘッド製造プロセスにおける良品率は飛躍
的に向上した。
ては、ヨーク４がMR素子３に先立って加工・形成される
為、ヨーク４の加工時にMR素子３に損傷を与える恐れは
全く無く、MRヘッド製造プロセスにおける良品率は飛躍
的に向上した。
又、ヨーク４自身による段差は有機物層５（本実施例で
はノボラック系樹脂を主成分とするフォトレジスト）
を、前記ヨーク４とMR素子３との絶縁層として用い、紫
外線照射工程を経てから熱硬化させることにより、１μ
ｍ程度の膜厚のヨークに対して100Å以下の平坦化実現
されMR素子３への影響は殆ど無く、MR素子３の段差（実
際にはバイアス用導体層等の段差も加算される）を経験
しない為、ヨーク４の磁気特性の低下が抑制されこの意
味でも高い再生効率が得られた。
はノボラック系樹脂を主成分とするフォトレジスト）
を、前記ヨーク４とMR素子３との絶縁層として用い、紫
外線照射工程を経てから熱硬化させることにより、１μ
ｍ程度の膜厚のヨークに対して100Å以下の平坦化実現
されMR素子３への影響は殆ど無く、MR素子３の段差（実
際にはバイアス用導体層等の段差も加算される）を経験
しない為、ヨーク４の磁気特性の低下が抑制されこの意
味でも高い再生効率が得られた。
尚、以上の説明ではノボラック系樹脂を主成分とするフ
ォトレジストを有機物として用いる例についてのみ説明
したが、他の有機物を用いても本発明の意図するところ
は何ら損なわれないことは勿論である。
ォトレジストを有機物として用いる例についてのみ説明
したが、他の有機物を用いても本発明の意図するところ
は何ら損なわれないことは勿論である。
又、有機物の塗布工程、パターン化工程、紫外線照射工
程及び加熱処理による熱硬化工程の諸条件は使用する有
機物の種類、濃度等、あるいはヨークの膜厚により適
宜、選択決定されるべきものであり本発明を規定するも
のではないことは明らかである。尚、有機物層は機械的
強度が無機物に比較して小さい為、第１図に示した通り
ギャップ側の媒体対向面に露出させない様にパターン化
することが信頼性の観点から望ましい。
程及び加熱処理による熱硬化工程の諸条件は使用する有
機物の種類、濃度等、あるいはヨークの膜厚により適
宜、選択決定されるべきものであり本発明を規定するも
のではないことは明らかである。尚、有機物層は機械的
強度が無機物に比較して小さい為、第１図に示した通り
ギャップ側の媒体対向面に露出させない様にパターン化
することが信頼性の観点から望ましい。
（発明の効果） 以上述べた様に、本発明によるヨーク・タイプMRヘッド
においては、ヨーク形成後にMR素子が形成される構造で
ある為、従来例の様にヨーク形成時にMR素子が損傷を受
けることが全く起こり得ずMRヘッド製造時の良品率が大
幅に向上する。
においては、ヨーク形成後にMR素子が形成される構造で
ある為、従来例の様にヨーク形成時にMR素子が損傷を受
けることが全く起こり得ずMRヘッド製造時の良品率が大
幅に向上する。
又、ヨークMR素子による段差（実際にはバイアス印加用
導体等の段差も加算される）を経験せず、ヨークの磁気
特性の低下が抑制され、更に、ヨーク自身による段差は
ヨークとMR素子間の絶縁物として有機物を用いることに
より殆ど完全に平坦化される為にMR素子に悪影響を及ぼ
さない。従って、MR素子の高い再生効率が維持され、本
発明の持つ工業的価値は極めて大きい。
導体等の段差も加算される）を経験せず、ヨークの磁気
特性の低下が抑制され、更に、ヨーク自身による段差は
ヨークとMR素子間の絶縁物として有機物を用いることに
より殆ど完全に平坦化される為にMR素子に悪影響を及ぼ
さない。従って、MR素子の高い再生効率が維持され、本
発明の持つ工業的価値は極めて大きい。
第１図は本発明によるヨークタイプMRヘッドの概略断面
図、第２図は従来例、第3,4図は本発明による有機物層
の形成方法を示す図である。図において１…フェライト
基板、２…絶縁層、３…MR素子、４…ヨーク、５…有機
物層、6,7…フォトレジスト。
図、第２図は従来例、第3,4図は本発明による有機物層
の形成方法を示す図である。図において１…フェライト
基板、２…絶縁層、３…MR素子、４…ヨーク、５…有機
物層、6,7…フォトレジスト。
Claims (3)
- 【請求項１】磁性基板を一方のヨークとし、２つに分断
された一対の高透磁率軟磁性膜パターンを他方のヨーク
とし、両ヨーク間にギャップを形成する絶縁層をはさん
だ構成の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記高透磁率軟
磁性ヨークと、有機物層とMR素子がこの順序で積層さ
れ、且つ前記有機物層が少なくとも前記分断された高透
磁率軟磁性ヨークとMR素子が両者のオーバーラップ部分
で前記有機物層を介して積層されており、しかも前記有
機物が少なくとも前記高透磁率軟磁性ヨークの分断部分
を充填且つ平坦化している構造を有することを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】有機物層はヨーク上とヨーク間に形成され
ている特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項３】磁気抵抗効果ヘッドの製造工程において、
高透磁率軟磁性薄膜を基板上に成膜する工程、あと工程
で磁気抵抗効果素子が積層されるべき領域を少なくとも
除去するように前記高透磁率軟磁性薄膜を加工して一対
のヨークパターンを形成する工程、ヨークパターン形成
後有機物を基板全面に塗布する工程、前記ヨークパター
ンの磁気抵抗効果素子が積層されるべき領域を少なくと
も被覆するように有機物をパターン化する工程、パター
ン化された有機物層に紫外線を照射する工程、加熱処理
により有機物層を熱硬化する工程、磁気抵抗効果素子を
ヨークパターンの形成時に磁気抵抗効果素子を積層する
べく高透磁率軟磁性薄膜を除去加工した領域に形成する
工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090750A JPH065571B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090750A JPH065571B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246115A JPS62246115A (ja) | 1987-10-27 |
| JPH065571B2 true JPH065571B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=14007275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090750A Expired - Fee Related JPH065571B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 磁気抵抗効果ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065571B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600549B1 (en) * | 1992-12-01 | 1999-05-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head and head obtained by the method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107122A (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090750A patent/JPH065571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107122A (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62246115A (ja) | 1987-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |