JPH0845068A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 裏打ち層と垂直磁気記録層とを備えた磁気記
録媒体に関し、スパイク雑音の発生を防止するととも
に、記録密度を上げる。 【構成】 非磁性基体２１と、軟磁性体からなる裏打ち
層２２と、磁気記録層２５とを有する磁気記録媒体にお
いて、裏打ち層２２上に間隔をあけて複数の同心円状の
帯状の反強磁性層24ａ〜24ｃが形成されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体及びその
製造方法に関し、より詳しくは、裏打ち層と垂直磁気記
録層とを備えた磁気記録媒体及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの処理情報量の増大
に伴い、外部記憶装置として用いられる磁気ディスクの
小型化かつ大容量化が要望されている。磁気記録層の磁
化方式として水平磁化方式と垂直磁化方式とがある。垂
直磁化方式では厚さ方向に磁化を残留させるため、自己
減磁界が少なく、損失の少ない高密度記録が可能にな
る。

【０００３】図１０（ａ）は垂直磁化方式の磁気ディス
クの斜視図で、図１０（ｂ）は半径方向（放射方向）に
切断したときの磁気ディスクの断面図である。ディスク
基板１上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の軟磁性膜から
なる裏打ち層２と、ＣｏＣｒＴａ等の垂直磁化膜からな
る磁気記録層３とが積層されている。図１０（ｃ）の場
合、裏打ち層２は半径方向に磁化容易軸を有するものと
する。

【０００４】裏打ち層２は高透磁率を有するため、図１
０（ｂ）に示すように、不図示の磁気ヘッドから磁気記
録層３を通過した磁力線は裏打ち層２を水平かつ円周方
向に通過して再び磁気ヘッドに帰還する。このように、
裏打ち層２は主磁極から発生する磁界の強度を高めるな
ど、記録効率や再生効率を向上させる役目を果たしてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、裏打ち層２を
有する磁気ヘッドでは記録信号や再生信号にスパイク雑
音がのり、記録データが消去されたり、再生の忠実度が
阻害されてしまう。このようなスパイク雑音は、図１０
（ｃ）に示すように、裏打ち層２に生じている磁壁４の
上方を磁気ヘッドの磁極が通過したときに生ずることが
わかった。

【０００６】そこで、図１１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、裏打ち層２の全面に反強磁性層５を形成して、反強
磁性層５と裏打ち層２の界面に生ずる交換相互作用によ
り、図１１（ｃ）に示すように、裏打ち層２の磁気スピ
ンを一定の方向に揃え、磁壁の発生を抑制するようにし
ている。図１１（ｃ）の場合、半径方向に磁化容易軸を
有している。

【０００７】しかし、裏打ち層２と磁気記録層３の間に
反強磁性層５を挟むことにより、再生出力が低下する。
ところで、非磁性層を挟んだ場合も、再生出力が低下
し、かつ記録特性（例えば、記録密度特性）が低下する
ことが本願発明者の調査により判明した。同様に反強磁
性層５を挟んだ場合にも、記録特性が低下するという問
題が生じる。

【０００８】本発明は、上記問題点を解決するために創
作されたものであり、スパイク雑音の発生を防止すると
ともに、記録特性の向上を図ることができる磁気記録媒
体及びその製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、非
磁性基体と、軟磁性体からなる裏打ち層と、磁気記録層
とを有する磁気記録媒体において、前記裏打ち層上に間
隔をあけて複数の同心円状の帯状の反強磁性層が形成さ
れてなり、または裏打ち層を分離する複数の同心円状の
帯状の反強磁性層を有することを特徴とする磁気記録媒
体によって達成され、第２に、前記反強磁性層は周方向
に又は放射方向に磁気異方性を有することを特徴とする
磁気記録媒体によって達成され、第３に、前記反強磁性
層は記録を行わないガードバンド領域に形成されている
ことを特徴とする磁気記録媒体によって達成され、第４
に、非磁性基体と、軟磁性体からなる裏打ち層と、磁気
記録層とを有する磁気記録媒体において、前記裏打ち層
を分離する複数の同心円状の帯状の硬磁性層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって達成され、第５
に、前記裏打ち層及び前記硬磁性層は放射方向の磁化容
易軸を有し、放射方向に磁化されていることを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成され、第６に、非磁性基体
上に軟磁性層を形成する工程と、前記軟磁性層上に耐エ
ッチング性マスクを形成し、前記耐エッチング性マスク
に基づいて前記軟磁性層をエッチングして複数の同心円
状の帯状の溝を形成する工程と、前記耐エッチング性マ
スクを残したまま、反強磁性膜を堆積する工程と、前記
耐エッチング性マスクを除去することにより前記反強磁
性膜を選択的に除去し、前記溝内に前記反強磁性層を形
成する工程と、前記軟磁性層及び前記反強磁性層を被覆
して磁気記録層を形成する工程とを有することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法によって達成され、第７
に、非磁性基体上に硬磁性膜を形成する工程と、前記硬
磁性膜をパターニングして複数の同心円状の帯状の硬磁
性層を形成する工程と、前記硬磁性層及び前記非磁性基
体を被覆して軟磁性膜を形成する工程と、前記軟磁性膜
を研磨して前記硬磁性層間に残し、前記硬磁性層により
分離された軟磁性層を形成する工程と、前記軟磁性層及
び前記硬磁性層を被覆して磁気記録層を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によ
って達成され、第８に、上記硬磁性層を形成する工程の
後、放射方向に磁場を印加して前記硬磁性層を磁化する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達成
される。

【００１０】

【作用】ところで、軟磁性体と反強磁性体の界面では交
換相互作用により、磁気スピンが一定方向に揃うという
効果がよく知られている。しかし、本願発明者の調査に
より、強磁性体や軟磁性体以外の層が裏打ち層と磁気記
録層間に挟まれると、再生出力が低下するため、記録特
性を向上させることができないことがわかった。

【００１１】本発明の磁気記録媒体においては、軟磁性
体からなる裏打ち層上に間隔をあけて複数の同心円状の
帯状の反強磁性層が形成されてなり、又は裏打ち層を分
離する複数の同心円状の帯状の反強磁性層を有する。即
ち、反強磁性層を裏打ち層全面ではなく間隔をあけて、
例えば、記録を行わないガードバンド領域に形成してい
る。従って、記録領域の磁気記録層と裏打ち層間には他
の層が介在しないため、再生出力が向上し、これによ
り、記録特性の向上を図ることが出来る。

【００１２】しかも、反強磁性層を裏打ち層全面ではな
く間隔をあけて形成しても、反強磁性層が形成されてい
ない裏打ち層に交換相互作用を有効に及ぼすことができ
る。即ち、反強磁性層下の或いは反強磁性層に隣接する
裏打ち層の磁気スピンが交換相互作用により揃うととも
に、その磁気スピンの磁化方向が順次より離れた裏打ち
層の磁気スピンにも及ぶため、裏打ち層のすべての磁気
スピンが一定方向に揃う。これにより、磁壁の発生を抑
制することができる。

【００１３】更に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
ように、裏打ち層に溝を形成し、そこに反強磁性層を埋
め込むことにより、磁気記録層の表面を平坦化すること
ができる。従って、記録・再生を行う際に、磁気ヘッド
と磁気記録媒体表面とをより接近させることができるた
め、スペーシングロスを低減することができる。

【００１４】また、本発明の別の磁気記録媒体において
は、裏打ち層を分離する複数の同心円状の帯状の硬磁性
層を有する。硬磁性層は永久磁石と同じように高い保磁
力を有するため、常時、一定方向の磁力線を発生してい
る。このため、硬磁性層間に存在する裏打ち層の磁気ス
ピンの方向は、硬磁性層の磁力線の方向に揃う。

【００１５】特に、磁気記録媒体の円周方向に記録磁
場、或いは再生磁場を印加する場合、半径方向（放射方
向）に裏打ち層の磁化容易軸を向けるように硬磁性層を
磁化しておくことにより、裏打ち層の円周方向の透磁率
を一層高め、記録・再生効率を高めることができる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。 （１）本発明に到った経過 以下に示す本願発明者の調査により、強磁性体や軟磁性
体以外の層が裏打ち層と磁気記録層間に挟まれると、磁
気記録密度が低下することがわかった。

【００１７】実験に用いた試料を図２（ｂ）に示す。図
２（ｂ）において、円板状のＡｌ板からなるディスク基
板１１上に形成された裏打ち層１２と磁気記録層１４と
の間に強磁性体や軟磁性体以外のＴｉ層１３を介在させ
ている。形成が容易なため、反強磁性体層や硬磁性体層
の代わりにＴｉ層１３が用いられた。調査はＴｉ層１３
の膜厚に対する記録密度特性Ｄ₅₀の依存性について行っ
た。記録密度特性Ｄ₅₀は密度１のときの再生出力に対し
て再生出力が１／２に低下するときの密度を表す。

【００１８】調査結果を図２（ａ）に示す。図２（ａ）
の縦軸は記録密度特性Ｄ₅₀（単位：ｋＦＣＬ）を表し、
横軸はＴｉ層１３の膜厚（ｎｍ）を表す。ここで、ＦＣ
Ｌは、Flux Charge per Inchの略である。図２（ａ）に
よれば、記録密度特性Ｄ₅₀はＴｉ層１３の膜厚が厚くな
るにつれて小さくなり、Ｔｉ層１３の膜厚２０ｎｍのと
き、Ｔｉ層１３を介在させない場合に比較して約９２／
１０７×１００％程度にまで低下する。

【００１９】以上により、裏打ち層１２と磁気記録層１
４間に強磁性体や軟磁性体以外の層を介在させないこと
が記録密度特性（記録特性）の向上にとって望ましい。 （２）本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体及びそ
の製造方法についての説明 図１（ａ）は、本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒
体について示す斜視図であり、図１（ｂ）は半径方向
（放射方向）の断面図であり、図１（ｃ）は上面図であ
る。

【００２０】図１（ａ），（ｂ）に示すように、円板状
のＡｌ板からなるディスク基板２１上に膜厚１００ｎｍ
のパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の軟磁性膜からなる裏打ち
層２２が形成されている。また、裏打ち層２２には約２
μｍの間隔をあけて同心円状の帯状の溝23ａ〜23ｃが形
成され、その溝23ａ〜23ｃ内に反強磁性層24ａ〜24ｃが
埋め込まれている。溝23ａ〜23ｃは幅約１μｍ、深さ２
０ｎｍとなっている。

【００２１】更に、反強磁性層24ａ〜24ｃ及び裏打ち層
２２を被覆してＣｏＣｒＴａ等の垂直磁化膜からなる磁
気記録層２３が形成されている。反強磁性層24ａ〜24ｃ
が形成された領域は記録を行わないガードバンド領域と
なっている。また、反強磁性層24ａ〜24ｃは、図１
（ｃ）に示すように、半径方向（放射方向）に磁気異方
性を有し、裏打ち層２２も同じ方向に磁気スピンが揃っ
ている。

【００２２】以上のように、本発明の第１の実施例に係
る磁気記録媒体においては、反強磁性層24ａ〜24ｃを裏
打ち層２２全面ではなく間隔をあけて形成し、また、反
強磁性層24ａ〜24ｃが形成された領域は記録を行わない
ガードバンド領域となっている。従って、ガードバンド
領域以外の領域、即ち記録領域の磁気記録層２５と裏打
ち層２２間には他の層が介在しないため、再生出力が向
上し、これにより、記録密度の向上を図ることが出来
る。

【００２３】しかも、反強磁性層24ａ〜24ｃの形成され
ていない領域の裏打ち層２２にも交換相互作用を有効に
及ぼすことができる。即ち、反強磁性層24ａ〜24ｃ下の
或いは反強磁性層24ａ〜24ｃに隣接する裏打ち層２３の
磁気スピンが交換相互作用により揃うとともに、その磁
気スピンの磁化方向が順次より離れた裏打ち層２２の磁
気スピンにも及ぶため、すべての磁気スピンが一定方向
に揃う。これにより、磁壁の発生を抑制することができ
る。

【００２４】従って、実施例の磁気記録媒体ではスパイ
ク雑音の発生を防止するとともに、記録密度を上げるこ
とができる。次に上記の磁気記録媒体に記録を行う場合
について図９を参照しながら説明する。図９は磁気記録
装置の断面図である。図９に示すように、磁気記録媒体
の記録箇所の真上に磁気ヘッドを移動する。このとき、
主磁極４１とリターン４４が円周方向で前後に並ぶよう
に配置する。

【００２５】次いで、記録・再生用コイル４２に電流を
流すと磁気ヘッドの主磁極４１から磁力線が発生する。
その磁力線は磁気ヘッドから僅かの間隔をあけて存在す
る磁気記録層２５に入り、磁気記録層２５を磁化して、
情報を記録する。磁気記録層２５を通過した磁力線は裏
打ち層２２に入る。裏打ち層２２に入った磁力線は裏打
ち層２２が半径方向に磁化容易軸を有しており、円周方
向の透磁率が高くなっているため、裏打ち層２２を水平
かつ円周方向に通過する。このとき、裏打ち層２２には
磁壁が発生していないので、スパイクノイズが発生せ
ず、忠実に情報が記録される。

【００２６】裏打ち層２２を通過した磁力線は磁気ヘッ
ドのリターン４４に向かって磁気記録層２５を通過し、
再び磁気ヘッドのリターン４４に帰還する。次に、本発
明の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法について図３
（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。図３（ａ）〜
（ｄ）は磁気記録媒体の断面図を示す。

【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、円板状の
Ａｌ基板２１の上に膜厚約１００ｎｍのＮｉＦｅ膜（裏
打ち層）２２をスパッタ法により形成する。このとき、
半径方向（放射方向）に磁場をかけながら成膜する。次
いで、図３（ｂ）に示すように、ＮｉＦｅ膜２２上にレ
ジスト膜を形成した後、露光・現像により間隔１μｍで
複数の円周に沿う幅２μｍの帯状のレジストマスク（耐
エッチング性マスク）２６を形成する。

【００２８】次に、レジストマスク２６をマスクとして
アルゴンガスを用いたイオンミリングによりＮｉＦｅ膜
２２をエッチングし、幅約１μｍ、深さ約２０ｎｍの複
数の円周に沿う溝23ａ，23ｂを形成する。次いで、減圧
状態を保持し、レジストマスク２６を残したまま、膜厚
約２０ｎｍのＦｅＭｎ膜２４を形成する。このとき、半
径方向（放射方向）に磁場をかけながら成膜する。

【００２９】次に、レジストマスク２６を除去する（リ
フトオフする）ことにより、レジストマスク２６上のＦ
ｅＭｎ膜２４もともに除去して溝23ａ，23ｂ内にＦｅＭ
ｎ膜24ａ，24ｂを残す。これにより、間隔２μｍで複数
の同心円状の幅約１μｍの反強磁性層24ａ，24ｂが形成
される。次いで、裏打ち層２２及び反強磁性層24ａ，24
ｂを被覆して膜厚約１００ｎｍのＣｏＣｒＴａ膜からな
る磁気記録層２５を形成する。

【００３０】なお、その後必要により、磁気記録層２５
の表面を保護する保護層や潤滑層を形成してもよい。以
上のように、本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体
の製造方法によれば、裏打ち層２２に溝23ａ，23ｂを形
成し、そこに反強磁性層24ａ，24ｂを埋め込んでいるの
で、磁気記録層２５の表面を平坦化することができる。

【００３１】従って、記録・再生を行う際に、磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体表面とをより接近させることができる
ため、スペーシングロスを低減することができる。な
お、上記の実施例では１トラックあたり１つの反強磁性
層24ａ，24ｂが形成されているが、数トラックあたり１
つの反強磁性層が形成されてもよい。また、ＮｉＦｅ膜
２２及びＦｅＭｎ膜２４を形成する際に、放射方向に磁
場をかけているが、周方向に磁場をかけてもよい。この
場合、磁気ヘッドからの印加磁場は周方向に直角の放射
方向にかける方が高い透磁率が得られ、記録・再生効率
上好ましい。更に、少なくともＦｅＭｎ膜２４を形成す
る際に、磁場を印加してもよい。

【００３２】また、裏打ち層２２に溝23ａ，23ｂを形成
し、そこに反強磁性層24ａ，24ｂを埋め込んでいるが、
図４（ａ）に示すように、裏打ち層２２を加工しない
で、直接その上に反強磁性層24ｄ，24ｅを形成してもよ
い。更に、図４（ｂ）に示すように、裏打ち層２２を貫
通する溝23ｄ，23ｅを形成し、その溝23ｄ，23ｅ内に反
強磁性層24ｆ，24ｇを埋め込んでもよい。この場合、デ
ィスク基板２１上に非磁性体のＣｒ層２７等を形成し、
直接反強磁性層24ｆ，24ｇがディスク基板２１に接触し
ないようにすることが好ましい。 （３）本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体につい
ての説明 図５（ａ）は、本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒
体について示す斜視図であり、図５（ｂ）は半径方向
（放射方向）の断面図であり、図５（ｃ）は上面図であ
る。

【００３３】図５（ａ），（ｂ）に示すように、円板状
のＡｌ板からなるディスク基板３１上に膜厚約２００ｎ
ｍのＣｒ膜からなる非磁性層３２と、膜厚約２００ｎｍ
のパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の軟磁性膜からなる裏打ち
層３３とが積層されている。なお、ディスク基板３１と
非磁性層３２とが非磁性基体を構成する。また、裏打ち
層３３には約１０〜２０μｍの間隔をあけて、裏打ち層
３３を分離する同心円状の幅約５μｍの帯状のＣｏＣｒ
膜からなる膜厚約２００ｎｍの硬磁性層34ａ，34ｂが形
成されている。

【００３４】更に、硬磁性層34ａ，34ｂ及び裏打ち層３
３を被覆してＣｏＣｒＴａ等の垂直磁化膜からなる磁気
記録層３５が形成されている。硬磁性層34ａ，34ｂは、
図５（ｃ）に示すように、半径方向（放射方向）に磁化
容易軸を有する。硬磁性層34ａ，34ｂは永久磁石と同じ
ように高い保磁力を有するため、常時、一定方向の磁力
線を発生している。このため、硬磁性層34ａ，34ｂ間に
存在する裏打ち層３３の磁気スピンの方向は、硬磁性層
34ａ，34ｂの磁力線の方向に揃っている。

【００３５】以上のように、本発明の第２の実施例に係
る磁気記録媒体においては、裏打ち層３３を分離する複
数の同心円状の帯状の硬磁性層34ａ，34ｂを有する。従
って、硬磁性層34ａ，34ｂの磁化により裏打ち層３３の
磁気スピンの方向は硬磁性層34ａ，34ｂの磁力線の方向
に揃い、磁壁は発生しない。また、硬磁性層34ａ，34ｂ
の形成領域以外では裏打ち層３３と磁気記録層３６は直
接接している。

【００３６】従って、スパイク雑音の発生を防止すると
ともに、記録密度を上げることができる。次に、本発明
の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法について図６
（ａ）〜（ｃ），図７（ａ），（ｂ）を参照しながら説
明する。図６（ａ）〜（ｃ），図７（ａ），（ｂ）は磁
気記録媒体の断面図を示す。

【００３７】まず、図６（ａ）に示すように、円板状の
Ａｌ基板３１の上に膜厚約２００ｎｍのＣｒ膜３２をス
パッタ法により形成し、更に減圧状態を保持したまま、
Ｃｒ膜３２上に膜厚約２００ｎｍのＣｏＣｒ膜３４をス
パッタ法により形成する。このとき、半径方向（放射方
向）に磁場Ｈをかけながら成膜する。図８にその様子を
図示する。磁石３７により半径方向外向きに向かう１ｋ
Ｏｅ以上の磁場が印加される。

【００３８】次いで、ＣｏＣｒ膜３４上にレジスト膜を
形成した後、露光・現像により間隔１０〜２０μｍで複
数の円周に沿う幅５μｍの帯状のレジストマスク（耐エ
ッチング性マスク）３６を形成する。次に、図６（ｂ）
に示すように、レジストマスク３６をマスクとしてアル
ゴンガスを用いたイオンミリングによりＣｏＣｒ膜３４
をエッチングし、除去して、間隔１０〜２０μｍで複数
の円周に沿う幅約５μｍの帯状の硬磁性層34ａ，34ｂを
形成する。

【００３９】次いで、レジストマスク３６を除去した
後、図６（ｃ）に示すように、膜厚約３００ｎｍのＮｉ
Ｆｅ膜３３をメッキ法により形成する。このとき、半径
方向（放射方向）に磁場をかけながら成膜する。次に、
図７（ａ）に示すように、硬磁性層34ａ，34ｂの上面と
ＮｉＦｅ膜３３の上面とが一致するまでＮｉＦｅ膜３３
を研磨することにより、硬磁性層34ａ，34ｂ間のＣｒ膜
３２上に裏打ち層３３を形成する。

【００４０】次いで、裏打ち層３３及び硬磁性層34ａ，
34ｂを被覆して垂直磁化が可能な膜厚約１００ｎｍのＣ
ｏＣｒＴａ膜からなる磁気記録層３５を形成する。以上
のように、本発明の実施例に係る磁気記録媒体の製造方
法によれば、硬磁性層34ａ，34ｂの間に裏打ち層３３を
埋め込んでいるので、磁気記録層３５の表面を平坦化す
ることができる。

【００４１】従って、記録・再生を行う際に、磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体表面とをより接近させることができる
ため、スペーシングロスを低減することができる。な
お、上記の実施例ではＣｏＣｒ膜３４及びＮｉＦｅ膜３
３を形成する際に、磁場をかけているが、少なくともＣ
ｏＣｒ膜３４を形成する際に、磁場を印加してもよい。

【００４２】更に、ＣｏＣｒ膜３４を除去し、その除去
跡に裏打ち層３３を埋め込んでいるが、逆に裏打ち層３
３を除去した後、その除去跡にＣｏＣｒ膜等の硬磁性層
を埋め込んでもよい。

【００４３】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体においては、軟磁
性体からなる裏打ち層上に間隔をあけて複数の同心円状
の帯状の反強磁性層が形成されてなり、又は裏打ち層を
分離する複数の同心円状の帯状の反強磁性層を有してい
る。従って、反強磁性層の形成されていない領域を記録
領域とすることで、記録領域の磁気記録層と裏打ち層間
には他の層が介在しないため、再生出力が向上し、これ
により、記録特性の向上を図ることが出来る。

【００４４】しかも、反強磁性層の形成されていない領
域の裏打ち層にも交換相互作用を有効に及ぼすことがで
きるため、磁壁の発生を抑制することができ、これによ
り、スパイクノイズの発生を防止することができる。更
に、本発明の磁気記録媒体の製造方法のように、裏打ち
層に溝を形成し、そこに反強磁性層を埋め込むことによ
り、磁気記録層の表面を平坦化することができる。これ
により、記録・再生を行う際に、磁気ヘッドと磁気記録
媒体表面とをより接近させることができるため、スペー
シングロスを低減することができる。

【００４５】また、本発明の別の磁気記録媒体によれ
ば、裏打ち層を分離する複数の同心円状の帯状の硬磁性
層を有しているため、硬磁性層間に埋め込まれた裏打ち
層の磁気スピンの方向は、硬磁性層の磁力線の方向に揃
う。これにより、裏打ち層での磁壁の発生を抑制するこ
とができるため、スパイクノイズの発生を防止すること
ができる。

【００４６】特に、円周方向に記録磁場、或いは再生磁
場を印加する場合、半径方向（放射方向）に裏打ち層の
磁化容易軸を向けるように硬磁性層を磁化しておくこと
で、裏打ち層の円周方向の透磁率を一層高め、記録・再
生効率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体につ
いて示す斜視図、断面図及び上面図である。

【図２】本発明の作用・効果を説明する特性図及び実験
に用いた磁気記録媒体の断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製
造方法について示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る他の磁気記録媒体
について示す断面図である。

【図５】本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体につ
いて示す斜視図、断面図及び上面図である。

【図６】本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体の製
造方法について示す断面図（その１）である。

【図７】本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体の製
造方法について示す断面図（その２）である。

【図８】本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体の製
造方法について示す断面図（その３）である。

【図９】本発明の実施例に係る磁気記録装置について示
す断面図である。

【図１０】従来例に係る磁気記録媒体について示す斜視
図、断面図及び上面図である。

【図１１】他の従来例に係る磁気記録媒体について示す
斜視図、断面図及び上面図である。

【符号の説明】

１１，２１，３１ ディスク基板、 １２，２２，３３ 軟磁性層、 １３ Ｔｉ層、 １４，２５，３５ 磁気記録層、 23ａ〜23ｅ 溝、 24ａ〜24ｇ 反強磁性層、 ２６，３６ レジストマスク、 ２７，３２ Ｃｒ層、 34ａ，34ｂ 硬磁性層、 ３７ 磁石、 ４１ 主磁極、 ４２ 記録・再生コイル、 ４３ ガラス溝、 ４４ リターン。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基体と、軟磁性体からなる裏打ち
   層と、磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、 前記裏打ち層上に間隔をあけて複数の同心円状の帯状の
   反強磁性層が形成されてなることを特徴とする磁気記録
   媒体。
2. 【請求項２】 前記反強磁性層は、前記裏打ち層に形成
   された溝内に埋め込まれていることを特徴とする請求項
   １記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 非磁性基体と、軟磁性体からなる裏打ち
   層と、磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、 前記裏打ち層を分離する複数の同心円状の帯状の反強磁
   性層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記反強磁性層は円周方向又は半径方向
   に磁気異方性を有することを特徴とする請求項１乃至請
   求項３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記反強磁性層は記録を行わないガード
   バンド領域に形成されていることを特徴とする請求項１
   乃至請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 非磁性基体と、軟磁性体からなる裏打ち
   層と、磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、 前記裏打ち層を分離する複数の同心円状の帯状の硬磁性
   層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 前記裏打ち層及び前記硬磁性層は放射方
   向の磁化容易軸を有し、かつ放射方向に磁化されている
   ことを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記磁気記録層は厚さ方向に磁化容易軸
   を有する垂直磁化膜からなることを特徴とする請求項１
   乃至請求項７のいずれかに記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 非磁性基体上に軟磁性層を形成する工程
   と、 前記軟磁性層上に耐エッチング性マスクを形成し、前記
   耐エッチング性マスクに基づいて前記軟磁性層をエッチ
   ングして複数の同心円状の帯状の溝を形成する工程と、 前記耐エッチング性マスクを残したまま、反強磁性膜を
   堆積する工程と、 前記耐エッチング性マスクを除去することにより前記反
   強磁性膜を選択的に除去し、前記溝内に前記反強磁性層
   を形成する工程と、 前記軟磁性層及び前記反強磁性層を被覆して磁気記録層
   を形成する工程とを有することを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。
10. 【請求項１０】 非磁性基体上に反強磁性膜を形成する
    工程と、 前記反強磁性膜をパターニングして複数の同心円状の帯
    状の反強磁性層を形成する工程と、 前記非磁性基体及び前記反強磁性層を被覆して軟磁性膜
    を形成する工程と、 前記軟磁性膜を研磨して前記反強磁性層間の前記非磁性
    基体上に残し、前記反強磁性層により分離された軟磁性
    層を形成する工程と、 前記軟磁性層及び前記反強磁性層を被覆して磁気記録層
    を形成する工程とを有することを特徴とする磁気記録媒
    体の製造方法。
11. 【請求項１１】 非磁性基体上に硬磁性膜を形成する工
    程と、 前記硬磁性膜をパターニングして複数の同心円状の帯状
    の硬磁性層を形成する工程と、 前記硬磁性層及び前記非磁性基体を被覆して軟磁性膜を
    形成する工程と、 前記軟磁性膜を研磨して前記硬磁性層間の前記非磁性基
    体上に残し、前記硬磁性層により分離された軟磁性層を
    形成する工程と、 前記軟磁性層及び前記硬磁性層を被覆して磁気記録層を
    形成する工程とを有することを特徴とする磁気記録媒体
    の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記硬磁性膜を形成する工程、或いは
    前記軟磁性層を形成する工程を半径方向に磁場を印加し
    ながら行い、前記硬磁性膜或いは前記硬磁性層を磁化す
    ることを特徴とする請求項１１記載の磁気記録媒体の製
    造方法。
13. 【請求項１３】 前記硬磁性層を形成する工程の後、放
    射方向に磁場を印加して前記硬磁性層を磁化することを
    特徴とする請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法。