JPH0668461A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は垂直磁化記録方式の磁気ディスク装
置に用いる高透磁率な軟磁性層上に垂直記録層を積層し
た垂直磁気記録媒体に関し、高透磁率な軟磁性層の本来
の機能を低下させることなく、該軟磁性層への外部から
の浮遊磁界の侵入を抑制し、対応する垂直磁気ヘッドの
主磁極先端への磁界集中による垂直記録層の記録磁化の
減磁、或いは消磁透磁率を防止することを目的とする。 【構成】 非磁性なディスク基板12上に、高透磁率な軟
磁性層13と垂直記録層16とを積層してなる磁気記録媒体
において、前記軟磁性層13が配設された非磁性基板12上
の最内周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一方に、該
軟磁性層13に隣接して軟磁性層13の1/10以下の透磁率を
有する磁性層14と軟磁性の漏洩磁場遮断層15とを並設し
た構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は垂直磁化記録方式の磁気
ディスク装置等に用いる垂直磁気記録媒体に係り、特に
信頼性の向上を図った垂直磁気記録媒体の構造に関する
ものである。

【０００２】近年、コンピュータシステムにおける情報
処理量の増大により、磁気ディスク装置での記録情報も
増加し、より小型で大容量化が進められ、高密度記録化
が要求されている。これに伴って従来の水平磁化記録方
式に比べて遙に高密度記録が可能な垂直磁化記録方式が
開発され、垂直磁化記録方式の媒体として高透磁率な軟
磁性層上に垂直記録層を積層した二層膜構造の垂直磁気
記録媒体が提案され、実用化が進められている。

【０００３】このような垂直磁気記録媒体では、高透磁
率な軟磁性層の存在により、該軟磁性層に外部から漏洩
してくる浮遊磁界が吸収され易く、その吸収された浮遊
磁界が対応する垂直磁気ヘッドの主磁極に集中し、その
磁界集中により記録・再生を阻害する傾向にある、この
ため、そのような外部漏洩磁界の影響を防止した信頼性
の良い高性能な媒体構造が必要とされている。

【０００４】

【従来の技術】従来の二層膜構造の垂直磁気記録媒体１
は図９に示すように、表面にNiＰめっき処理、或いはア
ルマイト処理を施したアルミニウム円板、またはガラス
円板等からなる非磁性のディスク基板２上に、例えば１
μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層（軟磁
性裏打ち層とも称する）３と、該軟磁性層３の膜厚方向
に垂直な磁化容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜か
らなる垂直記録層４とが順に積層された構成からなって
いる。

【０００５】そしてかかる構成の垂直磁気記録媒体１に
対して情報の記録・再生を行う垂直磁気ヘッドからの記
録磁界は垂直記録層４を垂直に磁化した後、その直下の
前記軟磁性層３を水平に通過して再び垂直記録層４を垂
直に通り該垂直磁気ヘッドへ帰還する磁気回路により記
録される。また、既に記録された垂直記録層４からの漏
洩する記録磁界により垂直磁気ヘッドの主磁極が磁化さ
れ、それと鎖交するコイルに生じる電圧を再生信号とし
て出力することによって再生を行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記垂直磁
気記録媒体１における高透磁率な軟磁性層３は、上記の
ように記録・再生時の垂直磁気ヘッドの一部の機能を担
っており、垂直磁気ヘッドの主磁極からの記録磁界の強
度を高めるなど、記録・再生効率を向上させる役割を果
たしている。

【０００７】しかしながら、その軟磁性層３の存在によ
り、逆にこの記録媒体１に対向する垂直磁気ヘッドの主
磁極先端に記録磁界と無関係な外部から漏洩してくる浮
遊磁界までが必然的に集中し、これが強い磁界となって
対向する垂直記録層４を磁化するという現象が生じる。

【０００８】この浮遊磁界の発生源は、磁気ディスク装
置内の主にディスク回転用モータ、ヘッド位置制御用の
ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）などであり、いずれも前
記記録媒体１と接近した外周側部、スピンドルを通じた
媒体内周部などの位置に配置されており、通常、これら
の部分から漏洩してくる浮遊磁界は記録磁界の数千分の
一程度と微弱なものであるが、この微弱な浮遊磁界も前
記軟磁性層３の広い領域に吸収されて対向する垂直磁気
ヘッドの主磁極先端に集中することで、垂直記録層４の
磁化情報を減磁、或いは消磁するほどにまで異常に高め
られる。

【０００９】また、この現象は記録再生効率が高くなる
ほど強くなり、前記軟磁性層３の存在が浮遊磁界による
磁化情報を消失させる危険性を高めている。従って、集
中によって磁界強度が高められた浮遊磁界により前記垂
直記録層４の磁化情報を減磁させたり、その磁界強度が
著しく高くなると消去（消磁）させてしまうという大き
な欠点があった。

【００１０】そこでこのような問題を解決する媒体構造
として Ni-Fe膜からなる高透磁率な軟磁性層を、空間
（空気）により複数のセクタ形状、或いは同心円状に複
数に分割し、その分割により磁気的に分離された軟磁性
層上にCoCrからなる垂直記録層を積層状に設けた構造の
垂直磁気記録媒体が提案されている。

【００１１】しかし、そのような媒体構造では、分割さ
れた各軟磁性層に吸収される浮遊磁界はその吸収領域の
大きさに比例して小さくなり、垂直磁気ヘッドの主磁極
先端に集中する浮遊磁界も磁化情報に影響を及ぼさない
程度に低減することは可能であるが、前記軟磁性層を空
間（空気）により複数に分割（磁気的に分離）、特にト
ラック毎に小さく分割（磁気的に分離）すると、高透磁
率の軟磁性層としての本来の機能、効果が弱まって記録
再生効率が低下するという問題があった。

【００１２】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、高
透磁率な軟磁性層の本来の機能を低下させることなく、
該軟磁性層に吸収される浮遊磁界を抑制し、対応する垂
直磁気ヘッドの主磁極先端への磁界集中による垂直記録
層の記録磁化の減磁、或いは消磁等を防止した新規な垂
直磁気記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、請求項１の発明では、非磁性基板上に、
高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる磁気
記録媒体において、前記軟磁性層が配設された非磁性基
板上の最内周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一方
に、該軟磁性層に隣接して軟磁性層の1/10以下の透磁率
を有する磁性層と軟磁性の漏洩磁場遮断層とを並設した
構成とする。

【００１４】また、請求項２の発明では、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
磁気記録媒体において、前記非磁性基板上の高透磁率な
軟磁性層は複数のセクタ形状に分割され、その各分割領
域内に該軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を
設けた構成とする。

【００１５】また、請求項３の発明では、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
磁気記録媒体において、前記非磁性基板上の高透磁率な
軟磁性層は同心円状で複数に分割され、その各分割領域
内に該軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を設
けた構成とする。

【００１６】更に、請求項４の発明では、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
磁気記録媒体において、前記軟磁性層が配設された非磁
性基板上の最内周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一
方に、該軟磁性層に隣接して軟磁性層の1/10以下の透磁
率を有する磁性層と軟磁性の漏洩磁場遮断層とを並設
し、かつ該軟磁性層を複数のセクタ形状に分割、若しく
は同心円状で複数に分割し、その各分割領域内に該軟磁
性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を設けた構成と
する。

【００１７】更に、請求項５の発明では、非磁性基板上
に、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層してなる
磁気記録媒体において、前記軟磁性層が配設された非磁
性基板上の最内周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一
方に、該軟磁性層に隣接して軟磁性層の1/10以下の透磁
率を有する磁性層と軟磁性の漏洩磁場遮断層とを並設
し、かつ該軟磁性層を複数のセクタ形状に分割すると共
に、それら分割されたセクタ形状の軟磁性層を更に同心
円状で複数に分割し、それらの分割した領域内に該軟磁
性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を設けた構成と
する。

【００１８】

【作用】本発明の垂直磁気記録媒体では、軟磁性層が配
設された非磁性基板上の最内周縁端部と最外周縁端部の
何れか一方、或いは最内周縁端部と最外周縁端部に、該
軟磁性層を取り囲むようにその軟磁性層の1/10以下の透
磁率を有する磁性層と軟磁性の漏洩磁場遮断層とをリン
グ状に並設し、その漏洩磁場遮断層及び磁性層を含む軟
磁性層上に垂直記録層を積層した媒体構成とすることに
より、当該記録媒体の内周側面、または外周側面、或い
は内、外周側面から軟磁性層へ侵入する浮遊磁界は前記
軟磁性層の1/10以下の透磁率を有し、かつ磁気抵抗が10
倍程度大きい磁性層を通過することができず、その周囲
にリング状に設けた漏洩磁場遮断層を通って浮遊磁界発
生源へ帰還するループが形成されるので前記軟磁性層へ
の侵入を効果的に阻止することができる。

【００１９】その結果、かかる構成の垂直磁気記録媒体
に対向する垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の
集中が解消され、対応する垂直記録層の磁化情報の減
磁、或いは消磁等を防止することができる。

【００２０】また、非磁性基板上に複数のセクタ形状に
分割された高透磁率な軟磁性層、若しくは同心円状で複
数に分割された高透磁率な軟磁性層と、その各分割領域
内に該軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を設
け、それらの表面に垂直記録層を積層した媒体構成とす
ることにより、当該記録媒体の内、外周側面から前記の
ように分割された各軟磁性層に吸収される浮遊磁界は、
その各軟磁性層間への浮遊磁界を通さない前記磁性層の
介在により小さくなる。

【００２１】その結果、前記浮遊磁界が垂直磁気ヘッド
の主磁極先端に集中しても垂直記録層の磁化情報に悪影
響を及ぼさない程度に抑制されると共に、各軟磁性層間
に介在した前記磁性層は、浮遊磁界よりも1000倍以上大
きい記録信号磁界に対しては磁気抵抗が前記高透磁率な
軟磁性層よりも10倍程度高くても磁束の流路として機能
させることが可能となり、高透磁率な軟磁性層の分割に
よる記録再生効率の低下を防止することができる。

【００２２】また、前記軟磁性層が配設された非磁性基
板上の最内周縁端部と最外周縁端部の何れか一方、或い
は最内周縁端部と最外周縁端部に、該軟磁性層を取り囲
むようにその軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁性
層と軟磁性の漏洩磁場遮断層とをリング状に並設し、か
つ該軟磁性層を複数のセクタ形状に分割する、若しくは
同心円状で複数に分割し、その各分割領域内に該軟磁性
層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を設け、それらの
表面に垂直記録層を積層した媒体構成とすることによ
り、前記媒体の内周側面、または外周側面、或いは内、
外周側面から分割された各軟磁性層へ侵入する浮遊磁界
は、前記磁性層を通過できずに、その周囲にリング状に
設けた漏洩磁場遮断層を通って浮遊磁界発生源へ帰還す
るループが形成されるので前記軟磁性層への侵入を効果
的に阻止することができる。

【００２３】そして、より強い浮遊磁界がリング状に設
けた漏洩磁場遮断層及び前記磁性層を越えて分割した各
軟磁性層に侵入しても、各軟磁性層間に前記磁性層が介
在されているため、各軟磁性層に吸収される浮遊磁界は
小さくなり、その浮遊磁界が垂直磁気ヘッドの主磁極先
端に集中しても垂直記録層の磁化情報に悪影響を及ぼさ
ない程度に抑制されると共に、各軟磁性層間に介在した
前記磁性層は、浮遊磁界よりも1000倍以上大きい記録・
再生時の信号磁界の流路として機能させることが可能と
なり、高透磁率な軟磁性層の分割による記録再生効率の
低下を防止することができる。

【００２４】更に、軟磁性層が配設された非磁性基板上
の最内周縁端部と最外周縁端部の何れか一方、或いは最
内周縁端部と最外周縁端部に、該軟磁性層に隣接して軟
磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層と軟磁性の漏
洩磁場遮断層とを並設し、かつ該軟磁性層を複数のセク
タ形状に分割すると共に、それら分割されたセクタ形状
の軟磁性層を更に同心円状で複数に分割し、それらの各
分割領域内に該軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁
性層を設け、それらの表面に垂直記録層を積層した媒体
構成とすることにより、前記媒体の内周側面、または外
周側面、或いは内、外周側面から分割された各軟磁性層
へ侵入する浮遊磁界は、前記磁性層を通過できずに、そ
の周囲にリング状に設けた漏洩磁場遮断層を通って浮遊
磁界発生源へ帰還するループが形成されるので前記軟磁
性層への侵入を効果的に阻止することができる。

【００２５】しかも、より強い浮遊磁界がリング状に設
けた漏洩磁場遮断層及び前記磁性層を越えて分割した各
軟磁性層に侵入しても、各軟磁性層間に前記磁性層が介
在され、より小さく分割された各軟磁性層に吸収される
浮遊磁界は更に小さくなり、その浮遊磁界が垂直磁気ヘ
ッドの主磁極先端に集中しても垂直記録層の磁化情報に
悪影響を及ぼさない程度に抑制されると共に、各軟磁性
層間に介在した前記磁性層は、浮遊磁界よりも1000倍以
上大きい記録・再生時の信号磁界の流路として機能させ
ることが可能となり、高透磁率な軟磁性層の分割による
記録再生効率の低下を防止することができる。

【００２６】

【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
第１実施例を示す要部断面斜視図である。

【００２７】図において、12はNiＰめっき表面処理を施
したアルミニウム円板、またはガラス円板等からなる非
磁性のディスク基板であり、該ディスク基板12上に１μ
ｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層（透磁率
μ＝2000〜3000) 13と、そのディスク基板12上の最内周
縁端部と最外周縁端部の何れか一方、本実施例では最内
周縁端部に該軟磁性層13を取り囲むように１μｍの膜厚
で例えば数μｍ幅のNiFe膜からなる前記軟磁性層13の1/
10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200 ) を有する磁性層14を
介して１μｍの膜厚で数100 μｍ〜１mm幅のNiFe膜から
なるリング状の漏洩磁場遮断層15を設け、その漏洩磁場
遮断層15及び低透磁率な磁性層14を含む軟磁性層13上
に、更に該軟磁性層13面に垂直な磁化容易軸を有する0.
15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記録層16が積層状に
配設されている。

【００２８】従って、このような構成の垂直磁気記録媒
体11に対して、例えば比較的接近した位置にあるディス
ク回転用モータ等から漏洩し、当該垂直磁気記録媒体11
の内周側面より前記軟磁性層13へ侵入する浮遊磁界は、
前記低透磁率で、かつ磁気抵抗が10倍程度大きい磁性層
14で遮られ、その周囲に設けたリング状の漏洩磁場遮断
層15を通って再び浮遊磁界発生源へ帰還するループを形
成するために前記軟磁性層13への侵入を阻止することが
できる。

【００２９】よって、該垂直磁気記録媒体11と対向する
垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解消
され、従来のような対応する垂直記録層16の磁化情報を
減磁、或いは消磁する等の障害を防止することが可能と
なる。

【００３０】なお、このような構成の垂直磁気記録媒体
11を製造する一実施例としては、図２(a) に示すように
例えばNiＰめっき表面処理を施したアルミニウム円板等
からなる非磁性のディスク基板12上にレジスト膜を塗着
し、該レジスト膜をフォトリソグラフィ工程によりパタ
ーニングして該ディスク基板12上の最内周縁端部におけ
る漏洩磁場遮断層の形状予定領域と軟磁性層の形状予定
領域にレジストマスク21を形成する。

【００３１】次に、そのレジストマスク21を含むディス
ク基板12上に、例えば供給電力パワー密度を 5.5Ｗ／cm
² ，スパッタガス圧を５mTorr ，基板温度を 100℃とす
るスパッタ条件によるスパッタリング法により１μｍの
膜厚のNiFe膜を被着した後、前記レジストマスク21を有
機溶剤等で溶解除去することにより図２(b) に示すよう
に低透磁率 (μ＝ 100〜200)な磁性層14を形成する。

【００３２】次に図２(c) に示すように前記低透磁率な
磁性層14を含むディスク基板12上に基板温度のみを室温
とする前記スパッタ条件によるスパッタリング法により
１μｍの膜厚のNiFe膜22を被着した後、図２(d) に示す
ように該磁性層14及びNiFe膜22の表面を一旦、同一平面
に研摩工程等により平坦化して高透磁率（μ＝2000〜30
00) な軟磁性層13と漏洩磁場遮断層15を形成する。

【００３３】次に、前記漏洩磁場遮断層15及び磁性層14
を含む軟磁性層13上に更に該軟磁性層13面に垂直な磁化
容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記
録層16を、例えば供給電力パワー密度を 5.5Ｗ／cm² ，
スパッタガス圧を５mTorr ，基板温度を 200℃とするス
パッタ条件によるスパッタリング法等により被着形成す
ることにより、図１に示す所望の垂直磁気記録媒体11を
得ることができる。

【００３４】なお、前記NiFe膜からなる低透磁率な磁性
層14をスパッタリング法により形成する場合、例えばFe
に対するNiの組成比を変えたターゲットを用いる、或い
は基板温度を高くすることなどの条件により形成するこ
とができる。

【００３５】図３は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
２実施例を示す要部断面斜視図であり、図１と同等部分
には同一符号を付している。この図で示す実施例が図１
で示す実施例と異なる点は、非磁性なディスク基板12上
に１μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層
（透磁率μ＝2000〜3000) 32と、そのディスク基板12上
の最内周縁端部と最外周縁端部に該軟磁性層32を取り囲
むように１μｍの膜厚で例えば数μｍ幅のNiFe膜からな
る前記軟磁性層32の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200
) を有する磁性層33a と33b をそれぞれ介して１μｍ
の膜厚で数100 μｍ〜１mmの幅のNiFe膜からなるリング
状の漏洩磁場遮断層34a と34b を配設し、その漏洩磁場
遮断層34a と34b 及び低透磁率な磁性層33a と33b 上を
含む軟磁性層32上に、更に該軟磁性層32面に垂直な磁化
容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記
録層16を積層状に配設した点である。

【００３６】このような構成の垂直磁気記録媒体31によ
っても、前記図１の実施例と同様に比較的接近した位置
にあるディスク回転用モータとヘッド位置決め用のボイ
スコイルモータ（ＶＣＭ）等から漏洩する浮遊磁界は、
前記磁性層33a と33b で遮られ、その内、外周部を取り
囲むように設けたリング状の漏洩磁場遮断層34a と34b
を通って再び前記浮遊磁界発生源にリターンする磁界ル
ープが形成されるため、前記軟磁性層32への侵入を効果
的に阻止することができる。

【００３７】従って、当該垂直磁気記録媒体31と対向す
る垂直磁気ヘッドの主磁極先端への浮遊磁界の集中が解
消され、従来のような対応する垂直記録層16の磁化情報
を減磁、或いは消磁する等の障害を防止することが可能
となる。

【００３８】図４は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
３実施例を示す要部断面斜視図である。本実施例では、
NiＰめっき表面処理を施したアルミニウム円板、または
ガラス円板等からなる非磁性なディスク基板12上に、例
えば１μｍの膜厚のNiFe膜からなる高透磁率（μ＝2000
〜3000) な軟磁性層42が配設されている。該軟磁性層42
はその記録トラック方向に沿って所定間隔毎に該トラッ
ク方向と直交する方向に図示しない数μｍ幅の分割溝に
より複数のセクタ形状の軟磁性層部分42a,42b,42c,・・
・に分離されている。

【００３９】また、各分割溝内には前記軟磁性層42の1/
10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200 )を有する１μｍの膜
厚のNiFe膜からなる磁性層43がそれぞれ埋設され、その
低透磁率な各磁性層43上を含む複数の軟磁性層部分42a,
42b,42c,・・・上に、更に該軟磁性層42面に垂直な磁化
容易軸を有する0.15μｍの膜厚のCoCr膜からなる垂直記
録層16が積層状に配設されている。

【００４０】従って、このような構成の垂直磁気記録媒
体41に対して比較的接近した位置にあるヘッド位置決め
用のボイスコイルモータ及びディスク回転用モータ等か
ら漏洩する浮遊磁界は、前記磁性層43により分離された
複数のセクタ形状の軟磁性層部分42a,42b,42c,・・・に
吸収されるが、その個々の例えば軟磁性層部分42a に吸
収される浮遊磁界は各軟磁性層部分42a,42b,42c , ・・
・間に前記低透磁率で磁気抵抗が10倍程度大きく、浮遊
磁界を通さない磁性層43の介在により小さくなる。

【００４１】このため、前記浮遊磁界が当該垂直磁気記
録媒体41と対向する垂直磁気ヘッドの主磁極先端に集中
しても垂直記録層16の磁化情報に悪影響を及ぼすことが
なく、しかも各軟磁性層部分42a,42b,42c,・・・間に介
在した前記磁性層43は、浮遊磁界の1000倍以上大きい記
録信号磁界に対して、前記軟磁性層42の1/10以下の透磁
率 (μ＝ 100〜200 ) を有し、磁気抵抗が10倍程度高く
ても磁束の流路として機能するので高透磁率な軟磁性層
42の分割による記録再生効率の低下を防止することが可
能となる。

【００４２】図５は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
４実施例を示す要部断面斜視図であり、図４と同等部分
には同一符号を付している。この図で示す実施例が図４
で示す第３実施例と異なる点は、非磁性なディスク基板
12上に配設された、例えば１μｍの膜厚のNiFe膜からな
る高透磁率（μ＝2000〜3000) な軟磁性層52が、その半
径方向において複数の記録トラック幅に相当する所定幅
毎に図示しない数μｍ幅の分割溝により複数の同心円状
の軟磁性層部分52a,52b,52c に分離され、その各分割溝
内には前記軟磁性層52の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜
200 ) を有する１μｍの膜厚のNiFe膜からなる磁性層53
がそれぞれ埋設されている点である。

【００４３】このような実施例の媒体構成によっても、
図４による実施例と同様に個々の同心円状の軟磁性層部
分52a,52b,52c に吸収される浮遊磁界は小さくなるた
め、その浮遊磁界が当該垂直磁気記録媒体51と対向する
垂直磁気ヘッドの主磁極先端に集中しても垂直記録層16
の磁化情報に悪影響を及ぼすことがなく、しかも各軟磁
性層部分52a,52b,52c 間に介在した前記磁性層53は、浮
遊磁界の1000倍以上大きい記録信号磁界に対して、前記
軟磁性層52の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200) を有
し、磁気抵抗が10倍程度高くても磁束の流路として機能
するので高透磁率な軟磁性層52の分割による記録再生効
率の低下を防止することが可能となる。

【００４４】なお、この第４実施例の変形例として、前
記非磁性なディスク基板上に配設されたNiFe膜からなる
高透磁率な軟磁性層を、その半径方向において記録トラ
ック幅に相当する所定幅毎に数μｍ幅の分割溝により複
数の同心円状の軟磁性層部分に分離し、その各分割溝内
に前記軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する１μｍの膜
厚のNiFe膜からなる磁性層をそれぞれ埋設した構成とす
ることによっても、前記図４による第３実施例と同様な
効果が得られる。

【００４５】図６は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
５実施例を示す要部断面斜視図であり、図３と同等部分
には同一符号を付している。この図で示す実施例が図３
で示す第２実施例と異なる点は、非磁性なディスク基板
12上に、その最内周部と最外周部とを後述する高透磁率
な軟磁性層62の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200 ) を
有する１μｍの膜厚で例えば数μｍ幅のNiFe膜からなる
磁性層33a と33b をそれぞれ介して１μｍの膜厚で数10
0 μｍ〜１ｍｍの幅のNiFe膜からなるリング状の漏洩磁
場遮断層34a と34b により取り囲まれた状態に配設され
た高透磁率 (μ＝ 2000 〜3000) な軟磁性層62が、その
記録トラック方向に沿って所定間隔毎に該トラック方向
と直交する方向に図示しない数μｍ幅の分割溝により複
数のセクタ形状の軟磁性層部分62a,62b,62c,・・・に分
離されている。

【００４６】そして、その各分割溝内に前記軟磁性層62
の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200 ) を有する１μｍ
の膜厚のNiFe膜からなる磁性層63がそれぞれ埋設されて
いる点である。

【００４７】このような構成の垂直磁気記録媒体61によ
っても、前記図３の実施例と同様に浮遊磁界の前記複数
のセクタ形状の軟磁性層部分62a,62b,62c,・・・への侵
入が阻止され、また強い浮遊磁界の一部が前記漏洩磁場
遮断層34a, 34b及び低透磁率な磁性層33a, 33bを乗り越
えて前記複数のセクタ形状の軟磁性層部分62a,62b,62c,
・・・に侵入しても、個々のセクタ形状の例えば軟磁性
層部分62a に吸収される浮遊磁界は小さくなり対向する
垂直磁気ヘッドの主磁極先端に集中しても垂直記録層16
の磁化情報に悪影響が及ぶことはない。

【００４８】しかも、各軟磁性層部分62a,62b,62c,・・
・ 間に介在した前記低透磁率な磁性層33a,33b,63は、
記録信号磁界の流路として機能するので高透磁率な軟磁
性層62の分割による記録再生効率の低下も防止すること
が可能となる。

【００４９】図７は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
６実施例を示す要部断面斜視図であり、図６と同等部分
には同一符号を付している。この図で示す実施例が図６
で示す第５実施例と異なる点は、非磁性なディスク基板
12上に、その最内周部と最外周部とを後述する高透磁率
な軟磁性層72の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200 ) を
有する１μｍの膜厚で例えば数μｍ幅のNiFe膜からなる
磁性層33a と33b をそれぞれ介して１μｍの膜厚で数10
0 μｍ〜１ｍｍの幅のNiFe膜からなるリング状の漏洩磁
場遮断層34a と34b により取り囲まれた状態に配設され
た高透磁率 (μ＝ 2000 〜3000) な軟磁性層72が、その
半径方向において複数の記録トラック幅に相当する所定
幅毎 (または記録トラック幅に相当する所定幅毎) に図
示しない数μｍ幅の分割溝により複数の同心円状の軟磁
性層部分72a,72b,72c に分離され、その各分割溝内に前
記軟磁性層72の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜200 ) を
有する１μｍの膜厚のNiFe膜からなる磁性層73がそれぞ
れ埋設されている点である。

【００５０】このような構成の垂直磁気記録媒体71によ
っても、前記図６の実施例と同様に浮遊磁界の前記複数
の同心円状の軟磁性層部分72a,72b,72c,・・・への侵入
が阻止され、また強い浮遊磁界の一部が前記漏洩磁場遮
断層34a, 34b及び低透磁率な磁性層33a,33b,73を乗り越
えて前記複数の同心円状の軟磁性層部分72a,72b,72c,・
・・に侵入しても、個々の同心円状の例えば軟磁性層部
分72a に吸収される浮遊磁界は小さくなり対向する垂直
磁気ヘッドの主磁極先端に集中しても垂直記録層16の磁
化情報に悪影響が及ぶことはない。

【００５１】しかも、各軟磁性層部分72a,72b,72c,・・
・ 間に介在した前記低透磁率な磁性層73は、記録信号
磁界の流路として機能するので高透磁率な軟磁性層72の
分割による記録再生効率の低下も防止することが可能と
なる。

【００５２】更に、図８は本発明に係る垂直磁気記録媒
体の第７実施例を示す要部断面斜視図であり、図６と同
等部分には同一符号を付している。この図で示す実施例
が図６で示す第５実施例と異なる点は、非磁性なディス
ク基板12上に、その最内周部と最外周部とを後述する高
透磁率な軟磁性層82の1/10以下の透磁率 (μ＝ 100〜20
0 ) を有する１μｍの膜厚で例えば数μｍ幅のNiFe膜か
らなる磁性層33a と33b をそれぞれ介して１μｍの膜厚
で数100 μｍ〜１ｍｍの幅のNiFe膜からなるリング状の
漏洩磁場遮断層34a と34b により取り囲まれた状態に配
設された高透磁率 (μ＝ 2000 〜3000) な軟磁性層82
は、その記録トラック方向に沿って所定間隔毎に該トラ
ック方向と直交する方向に図示しない数μｍ幅の分割溝
により複数のセクタ形状に分割され、それら分割された
複数のセクタ形状は更に半径方向において複数の記録ト
ラック幅に相当する所定幅毎 (または記録トラック幅に
相当する所定幅毎) に図示しない数μｍ幅の分割溝によ
り複数の同心円状に分割されている。

【００５３】また、その分割された複数の軟磁性層部分
821 間の各分割溝内に前記軟磁性層82の1/10以下の透磁
率 (μ＝ 100〜200 ) を有する１μｍの膜厚のNiFe膜か
らなる磁性層83がそれぞれ埋設されている点である。

【００５４】このような構成の垂直磁気記録媒体81によ
っても、前記図６の実施例と同様に浮遊磁界の前記複数
の軟磁性層部分821 への侵入が阻止され、また強い浮遊
磁界の一部が前記漏洩磁場遮断層34a, 34b及び低透磁率
な磁性層33a,33b,83を乗り越えて前記複数の軟磁性層部
分821 に侵入しても、個々の軟磁性層部分821 に吸収さ
れる浮遊磁界は極めて小さくなるので対向する垂直磁気
ヘッドの主磁極先端に集中しても垂直記録層16の磁化情
報に悪影響が及ぶことはない。

【００５５】しかも、各軟磁性層部分821 間に介在した
前記低透磁率な磁性層83は、記録信号磁界の流路として
機能するので高透磁率な軟磁性層82の分割による記録再
生効率の低下も防止することが可能となる。

【００５６】なお、以上の実施例ではNiFe膜からなる高
透磁率な軟磁性層、低透磁率な磁性層等の成膜方法とし
てスパッタリング法を用いた場合の例について説明した
が、めっき法等により成膜するようにしてもよく、ま
た、前記高透磁率な軟磁性層、低透磁率な磁性層として
はNiFe膜に限定されるものではなく、NiFe膜以外の磁性
膜も適用可能である。更に、必要に応じて垂直記録層上
に保護膜や潤滑膜を設けることはいうまでもない。

【００５７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体によれば、高透磁率な軟磁性層
の内周部と外周部の何れか一方、または内、外周部を該
軟磁性層の1/10以下の透磁率を有する磁性層を介して軟
磁性の漏洩磁場遮断層により取り囲んだ構成、または高
透磁率な軟磁性層を複数のセクタ形状、若しくは同心円
状で複数に分割し、その分割領域内に前記軟磁性層の1/
10以下の透磁率を有する磁性層を埋設した構成、更には
前記低透磁率な磁性層を介して軟磁性の漏洩磁場遮断層
により取り囲まれた高透磁率な軟磁性層を幾つかの領域
に分割し、その分割領域内に前記軟磁性層の1/10以下の
透磁率を有する磁性層を埋設した構成とすることによ
り、当該垂直磁気記録媒体の周囲に漏洩してくる浮遊磁
界の高透磁率な軟磁性層への侵入が、前記低透磁率な磁
性層及び軟磁性の漏洩磁場遮断層により効果的に阻止す
ることができる。

【００５８】また、内、外周部からの浮遊磁界の一部が
幾つかに分割された高透磁率な各軟磁性層部分に吸収さ
れても、その吸収された浮遊磁界は非常に小さく、対向
する垂直磁気ヘッドの主磁極先端に集中する磁界強度は
微弱となり、従来のような磁界集中による垂直記録層の
磁化情報を減磁、或いは消磁する等の障害を容易に防止
することが可能となる優れた利点を有し、信頼性が向上
するなど、性能の良い垂直磁気記録媒体を得ることがで
きる。

【００５９】従って、ディスク基板と記録層との間に高
透磁率な軟磁性層を介在した各種の磁気記録媒体に適用
して実用上極めて有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体の第１実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図２】 本発明の第１実施例の垂直磁気記録媒の製造
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。

【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体の第２実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体の第３実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図５】 本発明の垂直磁気記録媒体の第４実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図６】 本発明の垂直磁気記録媒体の第５実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図７】 本発明の垂直磁気記録媒体の第６実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図８】 本発明の垂直磁気記録媒体の第７実施例を示
す要部断面斜視図である。

【図９】 従来の垂直磁気記録媒体を説明するための要
部断面斜視図である。

【符号の説明】

１１，３１，４１，５１，６１，７１，８１ 垂直磁
気記録媒体 １２ ディスク基板 １３，３２，４２，５２，６２ 軟磁性層 １４，３３ａ，３３ｂ，４３，５３, ６３，７３，８３
磁性層 １５，３４ａ，３４ｂ 漏洩磁場遮断層 １６ 垂直記録層 ２１ レジストマスク ２２ NiFe膜 ４２ａ〜４２ｃ，５２ａ〜５２ｃ，６２ａ〜６２ｃ
軟磁性層部分 ７２ａ〜７２ｃ，８２１ 軟磁性層部分

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板(12)上に、高透磁率な軟磁性
   層(13)と垂直記録層(16)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(13)が配設された非磁性基板(12)上の最内
   周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一方に、該軟磁性
   層(13)に隣接して軟磁性層(13)の1/10以下の透磁率を有
   する磁性層(14)と軟磁性の漏洩磁場遮断層(15)とを並設
   したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 非磁性基板(12)上に、高透磁率な軟磁性
   層(42)と垂直記録層(16)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記非磁性基板(12)上の高透磁率な軟磁性層(42)は複数
   のセクタ形状に分割され、その各分割領域内に該軟磁性
   層(42)の1/10以下の透磁率を有する磁性層(43)を設けた
   ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 非磁性基板(12)上に、高透磁率な軟磁性
   層(52)と垂直記録層(16)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記非磁性基板(12)上の高透磁率な軟磁性層(52)は同心
   円状で複数に分割され、その各分割領域内に該軟磁性層
   (52)の1/10以下の透磁率を有する磁性層(53)を設けたこ
   とを特徴とする垂直磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 非磁性基板(12)上に、高透磁率な軟磁性
   層(62)と垂直記録層(16)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(62)が配設された非磁性基板(12)上の最内
   周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一方に、該軟磁性
   層(62)に隣接して軟磁性層(62)の1/10以下の透磁率を有
   する磁性層(33a, 33b)と軟磁性の漏洩磁場遮断層(34a,
   34b)とを並設し、かつ該軟磁性層(62)を複数のセクタ形
   状に分割、若しくは同心円状で複数に分割し、その各分
   割領域内に該軟磁性層(62)の1/10以下の透磁率を有する
   磁性層(63)を設けたことを特徴とする垂直磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 非磁性基板(12)上に、高透磁率な軟磁性
   層(82)と垂直記録層(16)とを積層してなる磁気記録媒体
   において、 前記軟磁性層(82)が配設された非磁性基板(12)上の最内
   周縁端部と最外周縁端部の少なくとも一方に、該軟磁性
   層(82)に隣接して軟磁性層(82)の1/10以下の透磁率を有
   する磁性層(33a, 33b)と軟磁性の漏洩磁場遮断層(34a,
   34b)とを並設し、かつ該軟磁性層(82)を複数のセクタ形
   状に分割すると共に、それら分割されたセクタ形状の軟
   磁性層を更に同心円状で複数に分割し、それらの分割し
   た領域内に該軟磁性層(82)の1/10以下の透磁率を有する
   磁性層(83)を設けたことを特徴とする垂直磁気記録媒
   体。