JPH03269814A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁気抵抗効果素子とインダクテイブ素子とを
備えた薄膜磁気ヘッド、その製造方法、および薄膜磁気
ヘッドを用いた磁気記憶装置に関する。

［従来の技術］ 磁気ディスク装置を小型化、大容量化するためには記録
密度を高めることが重要であり、そのためには記録トラ
ックの単位長さ当たりの容量である線記録密度を高める
と同時に、半径方向の単位長さ当たりの記録トラック数
であるトラック密度を高める必要がある。このトラック
密度を高めること、つまりトラックピッチを小さくする
ためには、トラック幅を狭くすることが不可欠である。

ところで、トラック幅を狭くすると、再生時においては
、僅かなトラック位置ずれの影響が大きくなり、クロス
トークの増大等によるＳ／Ｎ比の悪化、および出力の低
下という問題を生じる。

そこで、これを解決するため、例えば、特開昭６１−２
７６１１０号公報に記載されている磁気ヘッドがある。

この磁気ヘッドは、第１０図および第１１図に示すよう
に、基板１上に、第１のシールド膜２と・第２のシール
ド膜１２とが配され、その間に絶縁膜３，６と磁気抵抗
効果素子５とリード用導体４とが形成されている。第２
のシールド膜１２の上には、絶縁膜１３を介して、第１
の磁性膜７とギャップ膜８とコイル１４と絶縁膜上５と
第２の磁性膜９とが順次積層されて形成されたインダク
ティブ素子が配されている。インダクティブ素子の上に
は、これを覆う保護膜１０が形成されている。

磁気抵抗効果素子５の両側には、リード用導体４を配し
て、実質的な再生トラック幅Ｒを狭くしている。

これに対して、第１の磁性膜７および第２の磁性膜９の
トラック幅を磁気抵抗効果素子５のトラック幅とほぼ同
じくすることにより、記録トラック幅を実質的な再生ト
ラック幅Ｒよりも大きくして、再生時における位置制御
誤差や熱膨張等によるトラックずれの影響を小さくしよ
うというものである。

しかし、この薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子５
に接続するリード用導体４により生ずる段差のため、イ
ンダクテイブ素子のギャップ界面１６が平坦にならず、
実質的な記録トラック幅Ｗは実質的な再生トラック幅Ｒ
とほとんど同じ大きさになり、クロストークの増大等に
よるＳ／Ｎ比の悪化、および再生出力の低下を実質的に
防ぐことができない。

そこで、特開昭６３−１２７４０８号公報に記載されて
いる薄膜磁気ヘッドでは、第１２図に示すように、基板
１ａを絶縁性磁性材料で形成して、第１のシールド膜を
省き、リード用導体４ａを基板１ａに埋め込むことによ
り、ギャップ界面１６ａの平坦化を図っている。

［発明が解決しようとする課題ゴ しかしながら、このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、
磁気抵抗効果素子８が、磁性材である基板１ａと接触し
ているため、再生時に、磁気抵抗効果素子８内に磁束が
あまり通らず、再生出力が低下するという問題を新たに
生じる。

これを解決するためには、基板１ａと磁気抵抗効果素子
８およびリード用導体４ａとの間に、非磁性絶縁膜を設
ければよいが、これでは、磁気抵抗効果素子８に段差が
形成されて、インダクテイブ素子のギャップ界面１６ａ
に段差が形成されてしまう。

また、基板１ａを絶縁性非磁性材料で形成しても、磁気
抵抗効果素子８のためのシールド膜が必要になって、結
局、これを設けると、ギャップ界面１．６ａに段差が形
成されてしまう。

このように、実質的な記録トラック幅を実質的な再生ト
ラック幅よりも大きくするために、リード用導体４ａを
基板１ａに埋め込むと、再生出力が低下し、この構成を
維持しつつ再生出力の低下を防ごうとすると、ギャップ
界面１６ａに段差が形成されて、実質的な記録トラック
幅を大きくすることができず、再生時におけるＳ／Ｎ比
の悪化を防ぐことができないという問題点がある。

本発明は、このような従来の問題点について着目してな
されたもので、実質的な記録トラック幅を実質的な再生
トラック幅よりも大きくすることができて、再生時にお
けるＳ／Ｎ比の悪化を防ぐことができると共に、再生出
力の低下を防ぐことができる薄膜磁気ヘッド、その製造
方法、および磁気記憶装置を提供することを目的として
いる。

［課題を解決するための手段］ 前記目的は、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティ
ブ素子とが積層されている薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記インダクテイブ素子の少なくとも記憶媒体対向面側の
ギャップ界面を平坦化するギャップ界面平坦化膜を有す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドにより、達成するこ
とができる。

前記目的ｉ±、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクテ
ィブ素子とが積層されている薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子と前記インダクティブ素子のギャ
ップ界面との間に、この間の凹凸を補う凹凸補償膜を有
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドによっても、達成
することができる。

前記ギャップ界面平坦化膜および前記凹凸補償膜は、具
体的には、前記インダクテイブ素子の一部を構成する２
つの磁性膜うち前記磁気抵抗効果素子側の磁性膜、また
は、前記磁気抵抗効果素子と前記インダクテイブ素子と
の間の絶縁膜を、エッチバックして平坦化したものであ
る。

また、前記目的は、基板上にインダクテイブ素子と磁気
抵抗効果素子とが、この順で積層されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドによっても、達成することができ
る。

ここで、前記インダクティブ素子の一部を構成する２つ
の磁性膜の記憶媒体対向面におけるトラック幅は、前記
磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の平坦部の幅より、
大きいことが好ましい。

さらに、２つの前記磁性膜の記憶媒体対向面におけるそ
れぞれのトラック幅は、ほぼ等しいことが好ましい。

［作　用］ ギャップ界面平坦化膜または凹凸補償膜を有するもので
は、インダクティブ素子のギャップ界面が平坦に形成さ
れる。また、磁気抵抗効果素子よりも先にインダクティ
ブ素子を平坦な基板上に設けたものでも、インダクティ
ブ素子のギャップ界面は平坦に形成される。磁気抵抗効
果素子は、少なくとも、このトラック幅方向の平坦部の
幅を。

インダクティブ素子を構成する磁性膜の記憶媒体対向面
におけるトラック幅より、狭くすることで、実質的な再
生トラック幅を実質的な記録トラック幅より狭くするこ
とができ、クロストークの増大等によるＳ／Ｎ比の悪化
、および再生出力の低下を防ぐことができる。

この効果について詳細に説明すると、記録時には、ギャ
ップ界面が平坦化されているため、磁気媒体上の磁化パ
ターンは、インダクティブ素子の磁性膜のほぼ全トラッ
ク幅（実質的な記録トラック幅）に対応した幅で、直線
状に形成される。

一方、再生時には、磁気抵抗効果素子の平坦部（実質的
な再生トラック幅）で、記録された信号が読み取られる
。磁気抵抗効果素子の平坦部、つまり信号を読み取る幅
は、インダクティブ素子のギャップ界面が平坦化されて
いるため、直線状の磁化パターンの幅よりも、狭い。

したがって、再生時に、位置制御の誤差および熱膨張な
どによりトラックずれが生じたとしても、出力低下を起
こさず、Ｓ／Ｎ比の悪化も防ぐことができる。

また１本発明に係る構成では、従来技術のように、基板
を絶縁性磁性材で形成して、シールド膜を省き、この上
に直接磁気抵抗効果素子を形成するといった、磁気抵抗
効果素子の形成に対して、特別な規制を受けないので、
磁気抵抗効果素子に隣接させて非磁性材を形成すること
もでき、再生時に、磁気抵抗効果素子内に磁束があまり
通らず、再生出力が低下するという問題は生じない。

（以下余白） ［実施例］ 以下、本発明の各種実施例について第１図〜第９図を用
いて説明する。なお、各種実施例を説明するにつき、同
一の部位については、同一の符号を付し、重複した説明
を省略する。

第１の実施例について、第１図〜第３図に基づき説明す
る。

第１図〜第３図に示すように、基板２ｏ上に、シールド
膜２１を形成し、所定の形状にエツチングする（ステッ
プ１０１）。

次に、絶縁膜２２を形成しくステップ１０２）、その上
に、リード用導体２３．２３を形成して、その端部が絶
縁膜２２に対して傾斜するように。

エツチングする（ステップ１０３）。

磁気抵抗効果素子２６を形成する磁気抵抗効果膜とバイ
アス膜とを、絶縁膜２２およびリード用導体２３．２３
の上に、形成して（ステップ１０４．１０５）＋磁気抵
抗効果素子２６が、絶縁膜２２と、リード用導体２３，
２３の端部傾斜面２４，２４およびリード用導体２３．
２３の平坦面２５，２５の一部のみに、形成されるよう
、エツチングする（ステップ１０６）。

磁気抵抗効果素子２６は、絶縁膜２２と、リード用導体
２３，２３の端部傾斜面２４，２４および平坦面２５．
２５上に形成されるので、絶縁膜２２に接触している中
央平坦部２７と、リード用導体２３の端部傾斜面２４に
接触している傾斜部２８と、リード用導体２３の平坦面
２５に接触している両側平坦部２９とが形成される。な
お、中央平坦部２７のトラック幅方向の幅は、６μｍに
形成されている。

磁気抵抗効果素子２６と接触するリード用導体２４の端
部は、端部傾斜面２４が形成されているので、端部が急
激に切れているものに比べて、電気的接続性を高くする
ことができる。

ここで、磁気抵抗効果素子２６の膜厚は概略０゜０２〜
０．１μｍ程度であるが、リード用導体２３の膜厚は電
気抵抗を下げるために、磁気抵抗効果素子２６に対し、
かなりの厚さを要求される。そのため、磁気抵抗効果素
子２６の上にリード用導体２３を仮りに形成した場合、
膜厚の厚いリード用導体２３をエツチングする際に、磁
気抵抗効果素子２６を傷つける恐れが大きい。特に、ト
ラック幅の精度を上げやすい反応性スパッタエッチなど
のドライエツチングにおいては、磁気抵抗効果素子２６
の取扱いが困難となりやすい。本実施例においては予め
リード用導体２３を形成しているため、磁気抵抗効果素
子２６が傷付く可能性を非常に小さくすることができる
。

磁気抵抗効果素子２６上に絶縁膜３０を形成する（ステ
ップ１０７）。

絶縁膜３０上には、記録時における一方、の磁気ポール
を形成すると共に磁気抵抗効果素子２６の磁気シールド
を形成する第１の磁性膜３１を形成する（ステップ１０
８）。

この第１の磁性膜３１は、磁気抵抗効果素子２６上に形
成されているので、磁気抵抗効果素子２６の中央平坦部
２７、傾斜部２８、両側平坦部２９に沿った段差が形成
される。この段差を無くすために、第１の磁性膜３１に
平坦化処理を施す（ステップ１０９）。平坦化処理は、
段差を有する第１の磁性膜３１上にノボラック樹脂等を
塗布し、これが硬化した後、ノボラック樹脂等が無くな
るまで、エッチバックすることにより、行う。

この平坦化をより完全にするためには、ノボラック樹脂
の熱処理条件や樹脂のエツチング速度等に考慮する必要
がある。また、エッチバックを行った後に局部的に凹部
が形成されている場合には、そこにホトレジストを埋め
込んで、再度エッチバックするとよい。

平坦になった第１の磁性膜３１の面は、ギャップ界面３
２を形成する。

平坦化処理された第１の磁性膜３１を、そのトラック幅
が磁気抵抗効果素子２６のトラック幅とほぼ同じになる
ようにエツチングする（ステップ１１０）。

第２図に示すように、第１の磁性膜３１のギャップ界面
３２上に、ギャップ膜３３、コイル３４、絶縁膜３５、
第２の磁性膜３６、保護膜３７を順次積層して行く（ス
テップ１１５，１１６゜１１７．１１８）。第２の磁性
１１ｉ３６のトラック幅は、１０μｍに形成する。なお
、本実施例では。

第１の磁性膜３１とギャップ膜３３とコイル３４と絶縁
膜３５と第２の磁性膜３６とで、インダクテイブ素子３
８を形成している。

基板２０上には、このように、磁気抵抗効果素子２６や
インダクティブ素子３８等を複数形成する。そして、基
板２０を切断して、第４図に示すような、磁気抵抗効果
素子２６やインダクティブ素子３８等が形成されている
磁気ヘッドスライダ−４０を切り出す。切り出した磁気
ヘッドスライダ−４０の端面に機械加工を施して、磁気
ヘッド４１を完成する。

この磁気ヘッド４１は、第５図に示すような複数の磁気
ディスク４２，４２．・・・が搭載されている磁気ディ
スク装置に設けられる。

複数の磁気ディスク４２，４２．・・・は、スピンドル
４５に固定されている。スピンドル４５は、これを回転
させるモータ４６に接続されている。

磁気ディスク装置には、磁気ヘッド４１を磁気ディスク
４２の半径方向に移動させるリニア型のキャリッジ４３
が設けられている。キャリッジ４３には、磁気ディスク
４２方向に伸びる複数のアーム４４，４４．・・が設け
られており、このアーム４４の一端に磁気ヘッド４１が
設けられている。

記録再生時における作用について説明する。

記録時には、コイル３４に所望の信号電流を流すことに
より、第１の磁性膜３１と第２の磁性膜３６との間に記
録磁界が発生し、磁気ディスク４２が磁化されて所望の
信号が記録される。このとき、インダクティブ素子３８
のギャップ界面３２は平坦に形成されているので、磁気
ヘッド４１の実質的な記録トラック幅は、第１の磁性膜
３１と第２の磁性膜３６とのうち、トラック幅が短い第
２の磁性膜３６の全トラック幅（２１０μｍ）となる。

磁気ディスク４２には、第２の磁性膜３６の全トラック
幅、つまり、実質的な記録トラック幅Ｒ（＝１０μｏ＋
）で、磁化パターンが直線状に記録される。

再生時には、磁気抵抗効果素子２６の中央平坦部２７の
トラック幅方向の幅（＝６μ閣）が、実質的な再生トラ
ック幅Ｒとなって、磁気ディスク４２に記録されている
信号が読み取られる。実質的な再生トラック幅が、磁気
抵抗素子２６の中央平坦部２７のみに限定されるのは、
この両側に傾斜部２８が形成されているため、磁気ディ
スク４２に信号が記録されている磁化パターンの方向（
トラックの長手方向に対して直角な方向）対して、傾斜
部２８で信号を読み取る方向（トラックの長手方向に対
して斜めの方向）が異なっているからである。

したがって、実質的な再生トラック幅Ｒを実質的な記録
トラック１１１Ｗよりも小さくすることができるので、
クロストークの増大等によるＳｌＮ比の悪化、および再
生出力の低下を防ぐことができる。

なお、本実施例において、絶縁膜３０を平坦化処理した
後、単に第１の磁性膜３１を形成してもよいようである
が、本実施例のように、第１の磁性膜３１が、記録時に
おける一方の磁気ボールとしての機能と磁気抵抗効果素
子２６の磁気シールドとしての機能とを兼ね備えている
場合には、絶縁膜３０は、単にリード用導体２３と磁気
抵抗効果素子２６とを電気的に結縁するのみならず、磁
気抵抗効果素子２６を通る磁束が第１の磁性膜３１を通
って磁気媒体に戻る時の磁路の一部も形成するため、絶
縁膜３０の膜厚は一定である必要があり、膜厚が不均一
になる平坦化処理を絶縁膜３０に対して施すことはでき
ない。

次に、磁気抵抗素子２６の中央平坦部２７のトラック幅
と、磁性膜３１，３６のトラック幅とを変えて、その時
の出力特性の変化について試験を行ったので、これにつ
いて第６図に基づき説明する。なお、同図において、縦
軸は出力を、横軸は磁気ディスクのトラックピッチ幅を
表している。

本発明に係る磁気ヘッドの再生出力は、再生出力特性曲
線Ａに示すように、トラックピッチ幅が１０ｐｏ＋以下
になっても、急激に低下しないが、従来の磁気ヘッドの
再生出力は、再生出力特性曲線Ａ。に示すように、トラ
ックピッチ幅が１０ＡＬ１１以下になると、急激に低下
する。

また、本発明に係る磁気ヘッドのクロストークによる出
力は、クロストーク出力特性曲線Ｂに示すように、トラ
ックピッチ幅が１０μｍ以下になっても、急激に増加し
ないが、従来の磁気ヘッドのクロスストークによる出力
は、クロスストーク出力特性曲線Ｂ、に示すように、ト
ラックピッチ幅が１０ＡＬ−以下になると、急激に増加
する。

これは、本発明に係る磁気ヘッドが、実質的な再生トラ
ック幅よりも実質的な記録トラック幅の方が、確実に大
きいため、トラックピッチ幅が小さくなってもトラック
ずれによる影響が小さくなるからである。

従来の磁気ヘッドの出力低下を防ぐためには、トラック
ピッチ幅に近い記録トラック幅を採用すれば良いが、こ
れではクロストークは更に大きくなる。本発明に係る磁
気ヘッドでは、クロストークを小さくすることができる
ので、記録トラック幅をトラックピッチ幅の近くまで拡
げることができ、再生出力をより大きくすることができ
る。

なお、磁気ディスクのトラックピッチ幅が１０μ厘に対
応する磁気抵抗素子２６の中央平坦部２７のトラック幅
と磁性膜３１，３６のトラック幅とは、それぞれ、約６
μｍと約１０μ量であり、この寸法よりも小さいときに
１本発明による以上の作用が顕著に現れる。

したがって、本発明に係る磁気ヘッドは、トラックピッ
チ幅が小さくても、トラックずれによる影響を少なくす
ることができて、Ｓ／Ｎ比の悪化を防ぐことができると
共に、比較的大きな再生出力を確保することができるの
で、高密度記録を実現することができる。

次に、第１の実施例の変形例について第７図に基づき説
明する。

本変形例は、第１の磁性膜３１ａ、ギャップ膜３３ａ、
第２の磁性膜３６ａにおける記録媒体対向面のトラック
幅を、すべてほぼ一致させ、これらの幅を実質的な記録
トラック＋１ｗとしたもので、その他の構成は、第１の
実施例と全く同じである。

本実施例では、磁気ポールとなる第１の磁性膜３１ａと
第２の磁性膜３６ａとにおける記録媒体対向面のトラッ
ク幅がほぼ一致しているので、記録磁界のにじみを減少
させることができ、Ｓ／Ｎ比をよくすることができる。

本変形例および第１の実施例で、さらに、Ｓ／Ｎ比をよ
くするには、磁気抵抗効果素子２６の両側平坦部２９を
取り除くことにより実現することができる。

第１の実施例および本変形例は、第１の磁性膜３１．３
１ａが磁気ポールとしての機能と磁気シールドとしての
機能とを兼ね備えているものであるが、第１の磁性膜を
磁気ポールとしての機能のみを持たせ、磁気シールドと
しての機能を別途設けたシールド膜により実現している
ものに対して、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドを第２
の実施例として、第３図および第８図に基づき、次に、
説明する。

本実施例は、第１の実施例と同様に、磁気抵抗効果素子
２６の上に、＃！縁膜３０を形成した（ステップ１０７
）後、磁気抵抗効果素子２６の磁気シールドの機能を有
するシールド膜４ｏを形成する（ステップ１１１）。

シールド膜４ｏの上に、絶縁膜４１を形成しくステップ
１１２）、これを前述した平坦化処理と同様の方法で、
平坦化にする　（ステップ１１３）。

そして、第１の磁性膜４２を形成した後（ステップ１１
４）、第１の実施例と同様に、ギャップ膜３３、図示さ
れていないコイルおよび絶縁膜。

第２の磁性膜３６、保護膜３７を順次積層して行く（ス
テップ１１５，１１６，１１７，１１８）。

本実施例においても、絶縁膜４１の平坦化により、イン
ダクティブ素子４３のギャップ界面が平坦になり、実質
的な再生トラック幅Ｒを実質的な記録トラック＊Ｗより
も小さくすることができるので、クロストークの増大等
によるＳ／Ｎ比の悪化、および再生出力の低下を防ぐこ
とができる。

次に、薄膜磁気ヘッドの第３の実施例について第９図に
基づき説明する。

本実施例は、第１の磁性膜４２、ギャップ膜３３、図示
されていないコイルおよび絶縁膜、第２の磁性膜３６か
ら成るインダクティブ素子４３を磁気抵抗効果素子２６
を設ける前に５基板２０上に形成したものである。

インダクティブ素子４３を形成した後、絶縁膜４４を形
成する。磁気抵抗効果素子２６は、前述したように、非
常に薄いので、これを形成する面に凹凸がある場合には
、変形してしまい、再生感度が低下する。したがって、
インダクティブ素子４３と磁気抵抗効果素子２６との間
の膜に対して、平坦化処理を施す必要がある。そこで、
本実施例では、インダクティブ素子４３上に形成する絶
縁膜４４に対して、平坦化処理を施している。

本実施例においても、平坦な基板２ｏ上に直接インダク
ティブ素子４３を形成するので、インダクティブ素子４
３のギャップ界面は平坦に形成され、実質的な再生トラ
ックＩｔ＠Ｒを実質的な記録トラック幅Ｗよりも小さく
することができて、クロストークの増大等にょるＳ／Ｎ
比の悪化を防ぐことができる。さらに、本実施例では、
熱影響を受けやすい磁気抵抗効果素子２６を後から形成
することができるので、製造時における磁気抵抗効果素
子２６の熱影響を小さくすることができ、磁気抵抗効果
素子２６の特性を良好に保つことができる。

なお、以上の各種実施例の薄膜磁気ヘッドは、前述した
磁気ディスク装置のみならず、磁気テープ装置など、磁
気ヘッドを用いて記録再生を行うものであれば、いかな
るものに用いてもよい。

［発明の効果］ 本発明によれば、インダクティブ素子のギャップ界面が
平坦になり、磁気抵抗効果素子を形成に対して特に規制
を受けないので、実質的な記録トラック幅を実質的な再
生トラック幅よりも大きくすることができ、再生時にお
けるＳ／Ｎ比を良くすることができると共に、再生出力
を大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は第１の実施例を示しており、第（図は
記録媒体側から見た薄膜磁気ヘットの要部正面図、第２
図は第１図における■−■線断面図、第３図は薄膜磁気
ヘッドの製造工程図、第４図は薄膜磁気ヘッドの全体斜
視図、第５図は磁気ディスク装置の全体断面図、第６図
は再生出力特性とクロストーク出力特性とを示すグラフ
、第７図は記録媒体側から見た第１の実施例の変形例の
薄膜磁気ヘッドの要部正面図、第８図は記録媒体側から
見た第２の実施例の薄膜磁気ヘッドの要部正面図、第９
図は記録媒体側から見た第３の実施例の薄膜磁気ヘッド
の要部正面図、第１０図および第１１図は従来の薄膜磁
気ヘッドを示しており、第１Ｏ図は記録媒体側から見た
薄膜磁気ヘッドの要部正面図、第１１図は第１０図にお
ける夏−Ｘ線断面図、第１２図はさらに他の従来の薄膜
磁気ヘッドで、記録媒体側から見た薄膜磁気ヘッドの要
部正面図である。 ２０・・・基板、２１．４０・・・シールド膜、２２゜
３０．４１，４４・・・絶縁膜、２３・・・リード用導
体。 ２６・・・磁気抵抗効果素子、３１、３−１　ａ　、　
４２・・・第１の磁性膜、３２・・・ギャップ界面、３
３゜３３　ａ−ギャップ膜、３６，３６ａ・・・第２の
磁性膜、３８．４３・・・インダクティブ素子、４１・
・・薄膜磁気ヘッド、４２・・・磁気ディスク。 第１図 ｆ−１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティブ素子と
   が積層されている薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記インダクティブ素子の少なくとも記憶媒体対向面側
   のギャップ界面を平坦化するギャップ界面平坦化膜を有
   することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティブ素子と
   が積層されている薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子と前記インダクティブ素子のギャ
   ップ界面との間に、この間の凹凸を補う凹凸補償膜を有
   することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ３、基板上にインダクティブ素子と磁気抵抗効果素子と
   が、この順で積層されていることを特徴とする薄膜磁気
   ヘッド。 ４、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティブ素子と
   が、この順で積層されている薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記インダクティブ素子の一部を構成する２つの磁性膜
   のうち、前記磁気抵抗効果素子側の磁性膜により、前記
   インダクティブ素子の少なくとも記憶媒体対向面側のギ
   ャップ界面が、平坦化されていることを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。 ５、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティブ素子と
   が、この順で積層されている薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子と前記インダクティブ素子との間
   に絶縁膜を配し、該絶縁膜により、前記インダクティブ
   素子の少なくとも記憶媒体対後面側のギャップ界面が平
   坦化されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ６、前記インダクティブ素子の一部を構成する２つの磁
   性膜の記憶媒体対向面におけるトラック幅が、前記磁気
   抵抗効果素子のトラック幅方向の平坦部の幅より、大き
   いことを特徴とする請求項１、２、３、４または５記載
   の薄膜磁気ヘッド。 ７、前記磁性膜の記憶媒体対向面におけるトラック幅が
   、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の
   薄膜磁気ヘッド。 ８、前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の平坦部の
   幅が、６μｍ以下であることを特徴とする請求項５また
   は６記載の薄膜磁気ヘッド。 ９、前記インダクティブ素子の一部を構成する２つの磁
   性膜の記録媒体対向面におけるそれぞれのトラック幅が
   、ほぼ等しいことを特徴とする請求項１、２、３、４、
   ５、６、７または８記載の薄膜磁気ヘッド。 １０、請求項１、２、３、４、５、６、７、８または９
   記載の薄膜磁気ヘッドと、 磁気記憶媒体を前記薄膜磁気ヘッドに対して、相対的に
   移動させる移動手段とを備えていることを特徴とする磁
   気記憶装置。 １１、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティブ素子
   とを、この順で積層する薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
   いて、 前記インダクティブ素子の一部を構成する２つの磁性膜
   のうち、前記磁気抵抗効果素子側の磁性膜を形成した後
   、該磁性膜をエッチバックして、ギャップ界面を平坦に
   してから、ギャップ膜を形成することを特徴とする薄膜
   磁気ヘッドの製造方法。 １２、基板上に磁気抵抗効果素子とインダクティブ素子
   とを、この順で積層する薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
   いて、 前記磁気抵抗効果素子を形成した後、絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜をエッチバックして、該絶縁膜のインダクテ
   ィブ素子側の面を平坦化し、 平坦化された前記絶縁膜上にインダクティブ素子を形成
   することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 １３、基板上に、インダクティブ素子と磁気抵抗効果素
   子とをこの順で形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。 １４、前記基板上に前記磁気抵抗効果素子を形成する前
   に、前記磁気抵抗効果素子に接続させる導体を形成する
   ことを特徴とする請求項１１、１２または１３記載の薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。 １５、トラックピッチが、１０μｍ以下に形成されてい
   ることを特徴とする磁気ディスク。