JPS61276110A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS61276110A JPS61276110A JP11708285A JP11708285A JPS61276110A JP S61276110 A JPS61276110 A JP S61276110A JP 11708285 A JP11708285 A JP 11708285A JP 11708285 A JP11708285 A JP 11708285A JP S61276110 A JPS61276110 A JP S61276110A
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- Japan
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- track
- magnetic
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- magnetic disk
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果型
磁気（以下ＭＲと記す）ヘッドに関する。
磁気（以下ＭＲと記す）ヘッドに関する。
磁気ディスク装置の小型大容量化には記録密度、すなわ
ち記録媒体単位面積当りの記録容量の向上が不可欠であ
る。磁気ディスク装置の記録密度は磁気ディスクの円周
方向に走る記録トラックの単位長さ当シの容量である線
記録密度と、磁気ディスクの半径方向の単位長さ当シの
トラック数であるトラック密度とにより定義される。こ
のうち、線記録密度に関しては半導体集積回路と同様の
フォトリングラフィ技術を使用した誘導型薄膜ヘッドが
実用化しており、記録密度の向上に寄与している。もう
一方のトラック密度の向上にはまず記録トラック幅の狭
小化が不可欠な条件であり、これに伴い磁気ヘッドのコ
ア幅も狭小かつ高精度に製造する必要がある。ここでも
フォトリングラフィ技術を使用した上記の誘導型薄膜ヘ
ッドは機械加工による従来のフェライトヘッドに較べ狭
小なコア幅を高精度に製造することができ、トラック密
度向上に寄与している。さらに最近では再生感度の高い
凧ヘッドも実用化され、トラック幅の狭小化に伴う出力
電圧の低下が避けられるようになった０ トラック密度の向上を阻む他の要因としては磁気へ、・
ドを所定のトラック上に位置決めする際に発生する位置
決め誤差の問題がある。トラック位置決め誤差（以下オ
フトラックと称する）に起因′ する記録再生系のＳ
／Ｎ比悪化のメカニズムは以下の２つに大別できる。ま
ず第１は第５図に模式的に示すオフトラックに伴う隣接
トラ、り間のクロストークノイズによるもの（以下オフ
トラッククロストーク特性と称する）で、トラックピッ
チｔ１、トラック幅ｔｗで書かれだｎトラックにヘッド
を位置決めする際、そのオフトラックを生じたためｎ＋
１トラックに接近し、この結果ｎ＋１トラックの信号Ｎ
ｎ＋、がノイズとなるものである。第２は第６図に示す
位置ずれを伴う重ね書き特性（以下オフトラックオーバ
ーライド特性）によるものである。オフトラックオーバ
ーライドは、まず、ｎトラックに最初の信号Ｎｎが記録
された後、本信号が不要となりＳｎを重ね書きするがこ
の際εのオフトラックを生じて書き込まれた場合に発生
する。
ち記録媒体単位面積当りの記録容量の向上が不可欠であ
る。磁気ディスク装置の記録密度は磁気ディスクの円周
方向に走る記録トラックの単位長さ当シの容量である線
記録密度と、磁気ディスクの半径方向の単位長さ当シの
トラック数であるトラック密度とにより定義される。こ
のうち、線記録密度に関しては半導体集積回路と同様の
フォトリングラフィ技術を使用した誘導型薄膜ヘッドが
実用化しており、記録密度の向上に寄与している。もう
一方のトラック密度の向上にはまず記録トラック幅の狭
小化が不可欠な条件であり、これに伴い磁気ヘッドのコ
ア幅も狭小かつ高精度に製造する必要がある。ここでも
フォトリングラフィ技術を使用した上記の誘導型薄膜ヘ
ッドは機械加工による従来のフェライトヘッドに較べ狭
小なコア幅を高精度に製造することができ、トラック密
度向上に寄与している。さらに最近では再生感度の高い
凧ヘッドも実用化され、トラック幅の狭小化に伴う出力
電圧の低下が避けられるようになった０ トラック密度の向上を阻む他の要因としては磁気へ、・
ドを所定のトラック上に位置決めする際に発生する位置
決め誤差の問題がある。トラック位置決め誤差（以下オ
フトラックと称する）に起因′ する記録再生系のＳ
／Ｎ比悪化のメカニズムは以下の２つに大別できる。ま
ず第１は第５図に模式的に示すオフトラックに伴う隣接
トラ、り間のクロストークノイズによるもの（以下オフ
トラッククロストーク特性と称する）で、トラックピッ
チｔ１、トラック幅ｔｗで書かれだｎトラックにヘッド
を位置決めする際、そのオフトラックを生じたためｎ＋
１トラックに接近し、この結果ｎ＋１トラックの信号Ｎ
ｎ＋、がノイズとなるものである。第２は第６図に示す
位置ずれを伴う重ね書き特性（以下オフトラックオーバ
ーライド特性）によるものである。オフトラックオーバ
ーライドは、まず、ｎトラックに最初の信号Ｎｎが記録
された後、本信号が不要となりＳｎを重ね書きするがこ
の際εのオフトラックを生じて書き込まれた場合に発生
する。
次にＳｎを読む際にε二〇であれば、オフトラックによ
る消し残り成分ＮｎεとＳｎの９重ね書きで消去しきれ
なかった成分ＮｎｏＷの和がノイズとして働く。
る消し残り成分ＮｎεとＳｎの９重ね書きで消去しきれ
なかった成分ＮｎｏＷの和がノイズとして働く。
６０は磁気ディスク媒体である。
従来の磁気ディスク装置用の皿ヘッドにおいては誰ヘッ
ド素子の幅を磁気ディスク媒体に記録されたトラック幅
（ｔＷ）に等しくさせていた・〔発明が解決するだめの
手段〕 このような従来の皿ヘッドのｔｗに対するオフトラック
クロストークおよびオフトラックオーバーライド特性を
第７図に示す。第７図より、製品として使用可能な８７
Ｎが２０ ｄＢ以上とすれば、従来の独ヘッドではオフ
トラック量εの１０倍のトラックピッチｔｐに対しては
トラック幅ｔｗの最適領域（０，７ｔｐ （ｔｗ ＜
Ｏ−９ｔｐ ）が存在するが、εの５倍のｔ、に対して
は１Ｗの最適領域が存在しないことがわかる。オフトラ
ック量は主としてトラ、り位置決め方式自体が有する誤
差と温度変化による誤差の和である。トラック位置決め
方式はサーボ位置決め方式を初め二相サーが方銚等種々
の改善が行われている。また、温度変化に対しても装置
内の温度分布の均一化を目的に種種の工夫が実施されて
いる。しかし、以上の改善にもかかわらず現状ではεを
２μｍ以下に押さえることは不可能である。このため従
来の磁気ディスク装置用ＭＲヘッドの使用においては２
０μｍ以下のトラックピッチ実現は不可能であった。言
い換えればトラック密度は５００ ｔｒａｃｋｓ／ｍが
限界であった。
ド素子の幅を磁気ディスク媒体に記録されたトラック幅
（ｔＷ）に等しくさせていた・〔発明が解決するだめの
手段〕 このような従来の皿ヘッドのｔｗに対するオフトラック
クロストークおよびオフトラックオーバーライド特性を
第７図に示す。第７図より、製品として使用可能な８７
Ｎが２０ ｄＢ以上とすれば、従来の独ヘッドではオフ
トラック量εの１０倍のトラックピッチｔｐに対しては
トラック幅ｔｗの最適領域（０，７ｔｐ （ｔｗ ＜
Ｏ−９ｔｐ ）が存在するが、εの５倍のｔ、に対して
は１Ｗの最適領域が存在しないことがわかる。オフトラ
ック量は主としてトラ、り位置決め方式自体が有する誤
差と温度変化による誤差の和である。トラック位置決め
方式はサーボ位置決め方式を初め二相サーが方銚等種々
の改善が行われている。また、温度変化に対しても装置
内の温度分布の均一化を目的に種種の工夫が実施されて
いる。しかし、以上の改善にもかかわらず現状ではεを
２μｍ以下に押さえることは不可能である。このため従
来の磁気ディスク装置用ＭＲヘッドの使用においては２
０μｍ以下のトラックピッチ実現は不可能であった。言
い換えればトラック密度は５００ ｔｒａｃｋｓ／ｍが
限界であった。
本発明の目的は上記従来の磁気ディスク装置用ＭＲヘッ
ドの欠点を除去し、トラックピッチに対し相対的に大き
なオフトラックが存在する場合でも高トラツク密度を実
現できる磁気ディスク装置用ＭＲヘッドを提供すること
にある。
ドの欠点を除去し、トラックピッチに対し相対的に大き
なオフトラックが存在する場合でも高トラツク密度を実
現できる磁気ディスク装置用ＭＲヘッドを提供すること
にある。
本発明のＭＲヘッドは磁気ディスク媒体に記録された信
号を読み取る磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗素子の幅または磁気抵
抗効果素子へ磁気ディスク媒体より発する磁束を伝達せ
しめる磁路層の幅を、磁気ディスク媒体に記録されてい
る記録トラックの幅より狭くしたことを特徴とするもの
である。
号を読み取る磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗素子の幅または磁気抵
抗効果素子へ磁気ディスク媒体より発する磁束を伝達せ
しめる磁路層の幅を、磁気ディスク媒体に記録されてい
る記録トラックの幅より狭くしたことを特徴とするもの
である。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の磁気ディスク川風ヘッドを書込み用薄
膜ヘッドと組み合わせた構成としだ一実施例の平面図で
ある。また第２図は第１図のＡＡ断面図である。第１図
および第２図によれば本発明の磁気ディスク装置川風ヘ
ッドは浮動スライダを兼ねる基板１１上に絶縁体層１２
を介して読取シ用のＭＲヘッド４０を形成し、さらにそ
の上に書込み用誘導型薄膜ヘッド２０を絶縁層１２を介
して形成している。皿ヘッド４０は磁性体よりなる上部
シールド層４２と下部シールド層４３によｐ ＭＲ素子
４１が絶縁体層１２を介して挾持されるシールド型ＭＲ
ヘッドである。ヘッド２０はコイル２３、上下部磁性層
２１゜２２からなる。２７ 、４６ 、４７はリード、
２８ 、２９ 。
膜ヘッドと組み合わせた構成としだ一実施例の平面図で
ある。また第２図は第１図のＡＡ断面図である。第１図
および第２図によれば本発明の磁気ディスク装置川風ヘ
ッドは浮動スライダを兼ねる基板１１上に絶縁体層１２
を介して読取シ用のＭＲヘッド４０を形成し、さらにそ
の上に書込み用誘導型薄膜ヘッド２０を絶縁層１２を介
して形成している。皿ヘッド４０は磁性体よりなる上部
シールド層４２と下部シールド層４３によｐ ＭＲ素子
４１が絶縁体層１２を介して挾持されるシールド型ＭＲ
ヘッドである。ヘッド２０はコイル２３、上下部磁性層
２１゜２２からなる。２７ 、４６ 、４７はリード、
２８ 、２９ 。
４８ 、４９は端子である。ＭＲ素子４１の中心線は誘
導型薄膜ヘッド２０の磁気コアである２つの磁性層すな
わち上部磁性層２１と下部磁性層２２の中心線に一致し
ておシ、誘導型薄膜ヘッド２０が磁気ディスク媒体（図
示せず）に書き込んだ記録トラックの信号読取シを可能
としている。本発明の特徴はＭＲ素子４１の幅Ｒｗを誘
導型薄膜ヘッド２０の上部磁性層２１および下部磁性層
２２により規定される記録トラック幅ＷＷ より磁気デ
ィスク装置の有する最大オフトラ、り量εだけ狭くした
こと、すなわちＲｗ ” Ｗｗ−εとしたことにある。
導型薄膜ヘッド２０の磁気コアである２つの磁性層すな
わち上部磁性層２１と下部磁性層２２の中心線に一致し
ておシ、誘導型薄膜ヘッド２０が磁気ディスク媒体（図
示せず）に書き込んだ記録トラックの信号読取シを可能
としている。本発明の特徴はＭＲ素子４１の幅Ｒｗを誘
導型薄膜ヘッド２０の上部磁性層２１および下部磁性層
２２により規定される記録トラック幅ＷＷ より磁気デ
ィスク装置の有する最大オフトラ、り量εだけ狭くした
こと、すなわちＲｗ ” Ｗｗ−εとしたことにある。
上記特徴により、本発明の磁気ディスク装置用部ヘッド
によるｔ、＝５６時のオフトラッククロストークおよび
オフトラックオーバーライド特性は第８図に示すように
なり、記録トラック幅の最適領域ｏ−７５ｔｐ（Ｗ、（
０，９ｔ、が得られる。以上の内容はオフトラック量ε
の５倍程度の狭いトラックピッチｔｐに対してもオフト
ラックに伴うＳ／Ｎ比悪化を改善したことを示すもので
ある。
によるｔ、＝５６時のオフトラッククロストークおよび
オフトラックオーバーライド特性は第８図に示すように
なり、記録トラック幅の最適領域ｏ−７５ｔｐ（Ｗ、（
０，９ｔ、が得られる。以上の内容はオフトラック量ε
の５倍程度の狭いトラックピッチｔｐに対してもオフト
ラックに伴うＳ／Ｎ比悪化を改善したことを示すもので
ある。
第３図は本発明の第２の実施例を示す平面図である。ま
た第４図は第３図のＢＢ断面図である。第３図および第
４図によれば本発明の第２の実施例の磁気ディスク川風
ヘッドは第１の実施例と同様に書込み用誘導型薄膜ヘッ
ドと組み合わせた構成をとっている。ただし、ＭＲへラ
ド４０は皿素子４１の記録媒体（図示せず）側の端面に
磁性体よりなり、記録媒体の磁束をＭＲ素子４１に導く
ための磁路層４５を形成し、さらに第１の実施例におけ
る上部シールド層を除去した構成である。第２の実施例
ではＭＲヘッド４０の読み取る幅は磁路層４５の幅Ｒｇ
ｗで規定される。第２の実施例において上記ＲｇＷは誘
導型薄膜ヘッド２０の上部磁性層２１と下部磁性層２２
の幅で規定される書込みトラック幅ＷＷの０．８倍、す
なわちＲｇｗ： ０．８ Ｗｗとしている。
た第４図は第３図のＢＢ断面図である。第３図および第
４図によれば本発明の第２の実施例の磁気ディスク川風
ヘッドは第１の実施例と同様に書込み用誘導型薄膜ヘッ
ドと組み合わせた構成をとっている。ただし、ＭＲへラ
ド４０は皿素子４１の記録媒体（図示せず）側の端面に
磁性体よりなり、記録媒体の磁束をＭＲ素子４１に導く
ための磁路層４５を形成し、さらに第１の実施例におけ
る上部シールド層を除去した構成である。第２の実施例
ではＭＲヘッド４０の読み取る幅は磁路層４５の幅Ｒｇ
ｗで規定される。第２の実施例において上記ＲｇＷは誘
導型薄膜ヘッド２０の上部磁性層２１と下部磁性層２２
の幅で規定される書込みトラック幅ＷＷの０．８倍、す
なわちＲｇｗ： ０．８ Ｗｗとしている。
ｔ、＝５６における第２の実施例のオフトラッククロス
トーク特性は第８図の示すものとほとんど同等であった
。これに対しオフトラックオーバーライドはＷｗ／ ｔ
ｐ （０，８において第８図の曲線よりやや悪化する方
向に変化し、このため記録トラック幅の最適領域は０．
８ ｔｐ ＜Ｗｗ （０，９ｔ、となった。上述のよう
に第２の実施例では記録トラック幅の最適領域は第１の
実施例よりやや狭くなるものの従来の皿ヘッドにおける
オフトラックに伴う８／Ｎ比悪化を改善する効果は存在
する。
トーク特性は第８図の示すものとほとんど同等であった
。これに対しオフトラックオーバーライドはＷｗ／ ｔ
ｐ （０，８において第８図の曲線よりやや悪化する方
向に変化し、このため記録トラック幅の最適領域は０．
８ ｔｐ ＜Ｗｗ （０，９ｔ、となった。上述のよう
に第２の実施例では記録トラック幅の最適領域は第１の
実施例よりやや狭くなるものの従来の皿ヘッドにおける
オフトラックに伴う８／Ｎ比悪化を改善する効果は存在
する。
本発明の他の実施例としては、書込みヘッドと分離した
ＭＲヘッドへの適用および書込みヘッドの上部磁性層と
下部磁性層の間ＫＭＲ素子を配設したヘッドへの適用が
あり上述と同等の効果が得られる。さらに上述の実施例
においては風素子まだは磁路層の幅を記録トラックの幅
よりオフトラック量だけ狭くした例と記録トラック幅の
０．８倍とする例について述べたが、信号出力の低下に
伴うＳ／Ｎ比の許せる範囲においてＭＲ素子または磁路
層の幅をさらに狭くすることが可能でより大きな効果が
得られる。
ＭＲヘッドへの適用および書込みヘッドの上部磁性層と
下部磁性層の間ＫＭＲ素子を配設したヘッドへの適用が
あり上述と同等の効果が得られる。さらに上述の実施例
においては風素子まだは磁路層の幅を記録トラックの幅
よりオフトラック量だけ狭くした例と記録トラック幅の
０．８倍とする例について述べたが、信号出力の低下に
伴うＳ／Ｎ比の許せる範囲においてＭＲ素子または磁路
層の幅をさらに狭くすることが可能でより大きな効果が
得られる。
以上説明したように本発明は、磁気ディスク媒体に記録
された信号を読み取るＭＲヘッドにおいてＭＲヘッドの
皿素子の幅またはＭＲ素子へ磁気ディスク媒体より発す
る磁束を伝達せしめる磁路層の幅を磁気ディスク媒体に
記録されている記録トラックの幅より狭くすることによ
り、オフトラックに伴う８．ＩＮ比悪化を改善し、トラ
ック密度を向上させる効果がある。
された信号を読み取るＭＲヘッドにおいてＭＲヘッドの
皿素子の幅またはＭＲ素子へ磁気ディスク媒体より発す
る磁束を伝達せしめる磁路層の幅を磁気ディスク媒体に
記録されている記録トラックの幅より狭くすることによ
り、オフトラックに伴う８．ＩＮ比悪化を改善し、トラ
ック密度を向上させる効果がある。
第１図は本発明のＭＲヘッドの第１の実施例を示す平面
図、第２図は第１図のＡＡ断面図、第３図は本発明の第
２の実施例を示す平面図、第４図は第３図のＢＢ断面図
、第５図はオフトラッククロストーク特性を説明するだ
めのＭＲ素子と記録信号の関係を示す模式図、第６図は
オフトラックオーバーライト特性を説明するための模式
図、第７図は従来のＭＲヘッドの記録トラック幅に対す
るオフトラッククロストークおよびオフトラックオーバ
ーライド特性を示す図、第８図は本発明のＭＲヘッドの
記録トラック幅に対するオフトラッククロストークおよ
びオフトラックオーバーライド特性を示す図である。 ２０・・・誘導型薄膜ヘッド、２１・・・上部磁性層、
２２・・・下部磁性層、４０・・・ＭＲヘッド、４１・
・・ＭＲ素子、４２・・・上部シールド層、４３・・・
下部シールド層、４５・・・磁路層、６０・・・磁気デ
ィスク。 第４図 ｔｗ ／ｌρ 第７図
図、第２図は第１図のＡＡ断面図、第３図は本発明の第
２の実施例を示す平面図、第４図は第３図のＢＢ断面図
、第５図はオフトラッククロストーク特性を説明するだ
めのＭＲ素子と記録信号の関係を示す模式図、第６図は
オフトラックオーバーライト特性を説明するための模式
図、第７図は従来のＭＲヘッドの記録トラック幅に対す
るオフトラッククロストークおよびオフトラックオーバ
ーライド特性を示す図、第８図は本発明のＭＲヘッドの
記録トラック幅に対するオフトラッククロストークおよ
びオフトラックオーバーライド特性を示す図である。 ２０・・・誘導型薄膜ヘッド、２１・・・上部磁性層、
２２・・・下部磁性層、４０・・・ＭＲヘッド、４１・
・・ＭＲ素子、４２・・・上部シールド層、４３・・・
下部シールド層、４５・・・磁路層、６０・・・磁気デ
ィスク。 第４図 ｔｗ ／ｌρ 第７図
Claims (1)
- （１）磁気ディスク媒体に記録された信号を読み取る磁
気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの磁気抵抗素子の幅または磁気抵抗効果素子へ磁
気ディスク媒体より発する磁束を伝達せしめる磁路層の
幅を、磁気ディスク媒体に記録されている記録トラック
の幅より狭くしたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11708285A JPS61276110A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11708285A JPS61276110A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276110A true JPS61276110A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14702944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11708285A Pending JPS61276110A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276110A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0340882A2 (en) * | 1988-04-25 | 1989-11-08 | Seagate Technology International | Thin film magnetic data transducer |
| JPH03269814A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US5095397A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head of embodied recording and reproducing transducer type |
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| EP0665535A2 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-02 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for controlling magnetic disk drive |
| US5493464A (en) * | 1993-03-17 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Thin-film magnetic head with separate recording and reproducing gaps |
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| US5940237A (en) * | 1994-07-29 | 1999-08-17 | Fujitsu Limited | Disk medium whose track density is changed in a radial direction and disk apparatus using the same disk medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5215217B2 (ja) * | 1972-10-06 | 1977-04-27 | ||
| JPS59151334A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP11708285A patent/JPS61276110A/ja active Pending
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