JP3255905B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子とイ
ンダクティブ素子とを備えた薄膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置を小型化、大容量化す
るためには記録密度を高めることが重要であり、そのた
めには記録トラックの単位長さ当たりの容量である線記
録密度を高めると同時に、半径方向の単位長さ当たりの
記録トラック数であるトラック密度を高める必要があ
る。このトラック密度を高めること、つまりトラックピ
ッチを小さくするためには、トラック幅を狭くすること
が不可欠である。

【０００３】ところで、トラック幅を狭くすると、再生
時においては、僅かなトラック位置ずれの影響が大きく
なり、クロストークの増大等によるＳ／Ｎ比の悪化、お
よび出力の低下という問題を生じる。

【０００４】そこで、これを解決するため、例えば、特
開昭61−276110号公報に記載されている磁気ヘッドがあ
る。

【０００５】この磁気ヘッドは、図１０および図１１に
示すように、基板１上に、第１のシールド膜２と第２の
シールド膜１２とが配され、その間に絶縁膜３，６と磁
気抵抗効果素子５とリード用導体４とが形成されてい
る。第２のシールド膜１２の上には、絶縁膜１３を介し
て、第１の磁性膜７とギャップ膜８とコイル１４と絶縁
膜１５と第２の磁性膜９とが順次積層されて形成された
インダクティブ素子が配されている。インダクティブ素
子の上には、これを覆う保護膜１０が形成されている。
磁気抵抗効果素子５の両側には、リード用導体４を配し
て、実質的な再生トラック幅Ｒを狭くしている。

【０００６】これに対して、第１の磁性膜７および第２
の磁性膜９のトラック幅を磁気抵抗効果素子５のトラッ
ク幅とほぼ同じくすることにより、記録トラック幅を実
質的な再生トラック幅Ｒよりも大きくして、再生時にお
ける位置制御誤差や熱膨張等によるトラックずれの影響
を小さくしようというものである。

【０００７】しかし、この薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵
抗効果素子５に接続するリード用導体４により生ずる段
差のため、インダクティブ素子のギャップ界面１６が平
坦にならず、実質的な記録トラック幅Ｗは実質的な再生
トラック幅Ｒとほとんど同じ大きさになり、クロストー
クの増大等によるＳ／Ｎ比の悪化、および再生出力の低
下を実質的に防ぐことができない。

【０００８】そこで、特開昭63−127408号公報に記載さ
れている薄膜磁気ヘッドでは、図１２に示すように、基
板１ａを絶縁性磁性材料で形成して、第１のシールド膜
を省き、リード用導体４ａを基板１ａに埋め込むことに
より、ギャップ界面１６ａの平坦化を図っている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子５
が、磁性材である基板１ａと接触しているため、再生時
に、磁気抵抗効果素子５内に磁束があまり通らず、再生
出力が低下するという問題を新たに生じる。

【００１０】これを解決するためには、基板１ａと磁気
抵抗効果素子５およびリード用導体４ａとの間に、非磁
性絶縁膜を設ければよいが、これでは、磁気抵抗効果素
子５に段差が形成されて、インダクティブ素子のギャッ
プ界面１６ａに段差が形成されてしまう。

【００１１】また、基板１ａを絶縁性非磁性材料で形成
しても、磁気抵抗効果素子５のためのシールド膜が必要
になって、結局、これを設けると、ギャップ界面１６ａ
に段差が形成されてしまう。

【００１２】このように、実質的な記録トラック幅を実
質的な再生トラック幅よりも大きくするために、リード
用導体４ａを基板１ａに埋め込むと、再生出力が低下
し、この構成を維持しつつ再生出力の低下を防ごうとす
ると、ギャップ界面１６ａに段差が形成されて、実質的
な記録トラック幅を大きくすることができず、再生時に
おけるＳ／Ｎ比の悪化を防ぐことができないという問題
点がある。

【００１３】本発明は、このような従来の問題点につい
て着目してなされたもので、磁気抵抗効果素子の形成に
対して、特に規制を受けずに、インダクティブ素子のギ
ャップ界面を平坦にできる薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の薄膜磁気ヘッドは、基板上に、磁気抵抗効果を有する
素子とインダクティブ素子とが、この順序で積層され、
端部が間隔を開けて互いに向い合い、一方の端部に近づ
くに連れて、前記基板と反対側の面が次第に該基板に近
づく傾斜面が、それぞれの該端部に形成されている二つ
のリード用導体を有し、前記磁気抵抗効果を有する素子
は、二つの前記リード用導体の前記傾斜面上、及び二つ
の該リード用導体の前記端部相互間に形成されている、
ことを特徴とするものである。

【００１５】ここで、前記インダクティブ素子の一部を
構成する２つの磁性膜の記録媒体対向面におけるトラッ
ク幅は、前記磁気抵抗効果を有する素子のトラック幅方
向の平坦部の幅より、大きいことが好ましい。

【００１６】さらに、２つの前記磁性膜の記録媒体対向
面におけるそれぞれのトラック幅は、ほぼ等しいことが
好ましい。

【００１７】

【作用】ギャップ界面平坦化膜を有するものでは、イン
ダクティブ素子のギャップ界面が平坦に形成される。ま
た、磁気抵抗効果を有する素子よりも先にインダクティ
ブ素子を平坦な基板上に設けたものでも、インダクティ
ブ素子のギャップ界面は平坦に形成される。磁気抵抗効
果を有する素子は、少なくとも、このトラック幅方向の
平坦部の幅を、インダクティブ素子を構成する磁性膜の
記録媒体対向面におけるトラック幅より、狭くすること
で、実質的な再生トラック幅を実質的な記録トラック幅
より狭くすることができ、クロストークの増大等による
Ｓ／Ｎ比の悪化、および再生出力の低下を防ぐことがで
きる。

【００１８】この効果について詳細に説明すると、記録
時には、ギャップ界面が平坦化されているため、磁気媒
体上の磁化パターンは、インダクティブ素子の磁性膜の
ほぼ全トラック幅（実質的な記録トラック幅）に対応し
た幅で、直線状に形成される。

【００１９】一方、再生時には、磁気抵抗効果を有する
素子の平坦部（実質的な再生トラック幅）で、記録され
た信号が読み取られる。磁気抵抗効果を有する素子の平
坦部、つまり信号を読み取る幅は、インダクティブ素子
のギャップ界面が平坦化されているため、直線状の磁化
パターンの幅よりも、狭い。

【００２０】したがって、再生時に、位置制御の誤差お
よび熱膨張などによりトラックずれが生じたとしても、
出力低下を起こさず、Ｓ／Ｎ比の悪化も防ぐことができ
る。

【００２１】また、本発明に係る構成では、従来技術の
ように、基板を絶縁性磁性材で形成して、シールド膜を
省き、この上に直接磁気抵抗効果素子を形成するといっ
た、磁気抵抗効果を有する素子の形成に対して、特別な
規制を受けないので、磁気抵抗効果素子に隣接させて非
磁性材を形成することもでき、再生時に、磁気抵抗効果
素子内に磁束があまり通らず、再生出力が低下するとい
う問題は生じない。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る各種実施形態
について、図１〜図９を用いて説明する。なお、各種実
施形態を説明するにつき、同一の部位については、同一
の符号を付し、重複した説明を省略する。

【００２３】まず、第１の実施形態について、図１〜図
６に基づき説明する。

【００２４】図１〜図３に示すように、基板２０上に、
シールド膜２１を形成し、所定の形状にエッチングする
（ステップ１０１）。

【００２５】次に、絶縁膜２２を形成し（ステップ１０
２）、その上に、リード用導体２３，２３を形成して、
その端部が絶縁膜２２に対して傾斜するように、エッチ
ングする（ステップ１０３）。

【００２６】磁気抵抗効果素子２６を形成する磁気抵抗
効果膜とバイアス膜とを、絶縁膜２２およびリード用導
体２３，２３の上に、形成して（ステップ１０４，１０
５）、磁気抵抗効果素子２６が、絶縁膜２２と、リード
用導体２３，２３の端部傾斜面２４，２４およびリード
用導体２３，２３の平坦面２５，２５の一部のみに、形
成されるよう、エッチングする（ステップ１０６）。

【００２７】磁気抵抗効果素子２６は、絶縁膜２２と、
リード用導体２３，２３の端部傾斜面２４，２４および
平坦面２５，２５上に形成されるので、絶縁膜２２に接
触している中央平坦部２７と、リード用導体２３の端部
傾斜面２４に接触している傾斜部２８と、リード用導体
２３の平坦面２５に接触している両側平坦部２９とが形
成される。なお、中央平坦部２７のトラック幅方向の幅
は、６μmに形成されている。

【００２８】磁気抵抗効果素子２６と接触するリード用
導体２４の端部は、端部傾斜面２４が形成されているの
で、端部が急激に切れているものに比べて、電気的接続
性を高くすることができる。

【００２９】ここで、磁気抵抗効果素子２６の膜厚は概
略0.02〜0.1μm程度であるが、リード用導体２３の膜厚
は電気抵抗を下げるために、磁気抵抗効果素子２６に対
し、かなりの厚さを要求される。そのため、磁気抵抗効
果素子２６の上にリード用導体２３を仮りに形成した場
合、膜厚の厚いリード用導体２３をエッチングする際
に、磁気抵抗効果素子２６を傷つける恐れが大きい。特
に、トラック幅の精度を上げやすい反応性スパッタエッ
チなどのドライエッチングにおいては、磁気抵抗効果素
子２６の取扱いが困難となりやすい。本実施形態におい
ては予めリード用導体２３を形成しているため、磁気抵
抗効果素子２６が傷付く可能性を非常に小さくすること
ができる。

【００３０】磁気抵抗効果素子２６上に絶縁膜３０を形
成する（ステップ１０７）。

【００３１】絶縁膜３０上には、記録時における一方の
磁気ポールを形成すると共に磁気抵抗効果素子２６の磁
気シールドを形成する第１の磁性膜３１を形成する（ス
テップ１０８）。

【００３２】この第１の磁性膜３１は、磁気抵抗効果素
子２６上に形成されているので、磁気抵抗効果素子２６
の中央平坦部２７、傾斜部２８、両側平坦部２９に沿っ
た段差が形成される。この段差を無くすために、第１の
磁性膜３１に平坦化処理を施す（ステップ１０９）。平
坦化処理は、段差を有する第１の磁性膜３１上にノボラ
ック樹脂等を塗布し、これが硬化した後、ノボラック樹
脂等が無くなるまで、エッチバックすることにより、行
う。この平坦化をより完全にするためには、ノボラック
樹脂の熱処理条件や樹脂のエッチング速度等に考慮する
必要がある。また、エッチバックを行った後に局部的に
凹部が形成されている場合には、そこにホトレジストを
埋め込んで、再度エッチバックするとよい。

【００３３】平坦になった第１の磁性膜３１の面は、ギ
ャップ界面３２を形成する。

【００３４】平坦化処理された第１の磁性膜３１を、そ
のトラック幅が磁気抵抗効果素子２６のトラック幅とほ
ぼ同じになるようにエッチングする（ステップ１１
０）。

【００３５】図２に示すように、第１の磁性膜３１のギ
ャップ界面３２上に、ギャップ膜３３、コイル３４、絶
縁膜３５、第２の磁性膜３６、保護膜３７を順次積層し
て行く（ステップ１１５，１１６，１１７，１１８）。
第２の磁性膜３６のトラック幅は、１０μmに形成す
る。なお、本実施形態では、第１の磁性膜３１とギャッ
プ膜３３とコイル３４と絶縁膜３５と第２の磁性膜３６
とで、インダクティブ素子３８を形成している。

【００３６】基板２０上には、このように、磁気抵抗効
果素子２６やインダクティブ素子３８等を複数形成す
る。そして、基板２０を切断して、図４に示すような、
磁気抵抗効果素子２６やインダクティブ素子３８等が形
成されている磁気ヘッドスライダー４０を切り出す。切
り出した磁気ヘッドスライダー４０の端面に機械加工を
施して、磁気ヘッド４１を完成する。

【００３７】この磁気ヘッド４１は、図５に示すような
複数の磁気ディスク４２，４２，…が搭載されている磁
気ディスク装置に設けられる。

【００３８】複数の磁気ディスク４２，４２，…は、ス
ピンドル４５に固定されている。スピンドル４５は、こ
れを回転させるモータ４６に接続されている。

【００３９】磁気ディスク装置には、磁気ヘッド４１を
磁気ディスク４２の半径方向に移動させるリニア型のキ
ャリッジ４３が設けられている。キャリッジ４３には、
磁気ディスク４２方向に伸びる複数のアーム４４，４
４，…が設けられており、このアーム４４の一端に磁気
ヘッド４１が設けられている。

【００４０】次に、記録再生時における作用について説
明する。

【００４１】記録時には、コイル３４に所望の信号電流
を流すことにより、第１の磁性膜３１と第２の磁性膜３
６との間に記録磁界が発生し、磁気ディスク４２が磁化
されて所望の信号が記録される。このとき、インダクテ
ィブ素子３８のギャップ界面３２は平坦に形成されてい
るので、磁気ヘッド４１の実質的な記録トラック幅は、
第１の磁性膜３１と第２の磁性膜３６とのうち、トラッ
ク幅が短い第２の磁性膜３６の全トラック幅（＝１０μ
m）となる。磁気ディスク４２には、第２の磁性膜３６
の全トラック幅、つまり、実質的な記録トラック幅Ｗ
（＝１０μm）で、磁化パターンが直線状に記録され
る。

【００４２】再生時には、磁気抵抗効果素子２６の中央
平坦部２７のトラック幅方向の幅（＝６μm）が、実質
的な再生トラック幅Ｒとなって、磁気ディスク４２に記
録されている信号が読み取られる。実質的な再生トラッ
ク幅が、磁気抵抗素子２６の中央平坦部２７のみに限定
されるのは、この両側に傾斜部２８が形成されているた
め、磁気ディスク４２に信号が記録されている磁化パタ
ーンの方向（トラックの長手方向に対して直角な方向）
対して、傾斜部２８で信号を読み取る方向（トラックの
長手方向に対して斜めの方向）が異なっているからであ
る。

【００４３】したがって、実質的な再生トラック幅Ｒを
実質的な記録トラック幅Ｗよりも小さくすることができ
るので、クロストークの増大等によるＳ／Ｎ比の悪化、
および再生出力の低下を防ぐことができる。

【００４４】なお、本実施形態において、絶縁膜３０を
平坦化処理した後、単に第１の磁性膜３１を形成しても
よいようであるが、本実施形態のように、第１の磁性膜
３１が、記録時における一方の磁気ポールとしての機能
と磁気抵抗効果素子２６の磁気シールドとしての機能と
を兼ね備えている場合には、絶縁膜３０は、単にリード
用導体２３と磁気抵抗効果素子２６とを電気的に絶縁す
るのみならず、磁気抵抗効果素子２６を通る磁束が第１
の磁性膜３１を通って磁気媒体に戻る時の磁路の一部も
形成するため、絶縁膜３０の膜厚は一定である必要があ
り、膜厚が不均一になる平坦化処理を絶縁膜３０に対し
て施すことはできない。

【００４５】次に、磁気抵抗素子２６の中央平坦部２７
のトラック幅と、磁性膜３１，３６のトラック幅とを変
えて、その時の出力特性の変化について試験を行ったの
で、これについて図６に基づき説明する。なお、同図に
おいて、縦軸は出力を、横軸は磁気ディスクのトラック
ピッチ幅を表している。

【００４６】本発明に係る磁気ヘッドの再生出力は、再
生出力特性曲線Ａに示すように、トラックピッチ幅が１
０μm以下になっても、急激に低下しないが、従来の磁
気ヘッドの再生出力は、再生出力特性曲線Ａ₀に示すよ
うに、トラックピッチ幅が１０μm以下になると、急激
に低下する。

【００４７】また、本発明に係る磁気ヘッドのクロスト
ークによる出力は、クロストーク出力特性曲線Ｂに示す
ように、トラックピッチ幅が１０μm以下になっても、
急激に増加しないが、従来の磁気ヘッドのクロスストー
クによる出力は、クロスストーク出力特性曲線Ｂ₀に示
すように、トラックピッチ幅が１０μm以下になると、
急激に増加する。

【００４８】これは、本発明に係る磁気ヘッドが、実質
的な再生トラック幅よりも実質的な記録トラック幅の方
が、確実に大きいため、トラックピッチ幅が小さくなっ
てもトラックずれによる影響が小さくなるからである。

【００４９】従来の磁気ヘッドの出力低下を防ぐために
は、トラックピッチ幅に近い記録トラック幅を採用すれ
ば良いが、これではクロストークは更に大きくなる。本
発明に係る磁気ヘッドでは、クロストークを小さくする
ことができるので、記録トラック幅をトラックピッチ幅
の近くまで拡げることができ、再生出力をより大きくす
ることができる。

【００５０】なお、磁気ディスクのトラックピッチ幅が
１０μmに対応する磁気抵抗素子２６の中央平坦部２７
のトラック幅と磁性膜３１，３６のトラック幅とは、そ
れぞれ、約６μmと約１０μmであり、この寸法よりも小
さいときに、本発明による以上の作用が顕著に現れる。

【００５１】したがって、本発明に係る磁気ヘッドは、
トラックピッチ幅が小さくても、トラックずれによる影
響を少なくすることができて、Ｓ／Ｎ比の悪化を防ぐこ
とができると共に、比較的大きな再生出力を確保するこ
とができるので、高密度記録を実現することができる。

【００５２】次に、第１の実施形態の変形例について図
７に基づき説明する。

【００５３】本変形例は、第１の磁性膜３１ａ、ギャッ
プ膜３３ａ、第２の磁性膜３６ａにおける記録媒体対向
面のトラック幅を、すべてほぼ一致させ、これらの幅を
実質的な記録トラック幅Ｗとしたもので、その他の構成
は、第１の実施形態と全く同じである。

【００５４】本変形例では、磁気ポールとなる第１の磁
性膜３１ａと第２の磁性膜３６ａとにおける記録媒体対
向面のトラック幅がほぼ一致しているので、記録磁界の
にじみを減少させることができ、Ｓ／Ｎ比をよくするこ
とができる。

【００５５】本変形例および第１の実施形態で、さら
に、Ｓ／Ｎ比をよくするには、磁気抵抗効果素子２６の
両側平坦部２９を取り除くことにより実現することがで
きる。

【００５６】第１の実施形態および本変形例は、第１の
磁性膜３１，３１ａが磁気ポールとしての機能と磁気シ
ールドとしての機能とを兼ね備えているものであるが、
第１の磁性膜を磁気ポールとしての機能のみを持たせ、
磁気シールドとしての機能を別途設けたシールド膜によ
り実現しているものに対して、本発明を適用した薄膜磁
気ヘッドを第２の実施形態として、図３および図８に基
づき、次に、説明する。

【００５７】本実施形態は、第１の実施形態と同様に、
磁気抵抗効果素子２６の上に、絶縁膜３０を形成した
（ステップ１０７）後、磁気抵抗効果素子２６の磁気シ
ールドの機能を有するシールド膜４０を形成する（ステ
ップ１１１）。

【００５８】シールド膜４０の上に、絶縁膜４１を形成
し（ステップ１１２）、これを前述した平坦化処理と同
様の方法で、平坦化にする （ステップ１１３）。

【００５９】そして、第１の磁性膜４２を形成した後
（ステップ１１４）、第１の実施形態と同様に、ギャッ
プ膜３３、図示されていないコイルおよび絶縁膜、第２
の磁性膜３６、保護膜３７を順次積層して行く（ステッ
プ１１５，１１６，１１７，１１８）。

【００６０】本実施形態においても、絶縁膜４１の平坦
化により、インダクティブ素子４３のギャップ界面が平
坦になり、実質的な再生トラック幅Ｒを実質的な記録ト
ラック幅Ｗよりも小さくすることができるので、クロス
トークの増大等によるＳ／Ｎ比の悪化、および再生出力
の低下を防ぐことができる。

【００６１】次に、薄膜磁気ヘッドの第３の実施形態に
ついて図９に基づき説明する。

【００６２】本実施形態は、第１の磁性膜４２、ギャッ
プ膜３３、図示されていないコイルおよび絶縁膜、第２
の磁性膜３６から成るインダクティブ素子４３を磁気抵
抗効果素子２６を設ける前に、基板２０上に形成したも
のである。

【００６３】インダクティブ素子４３を形成した後、絶
縁膜４４を形成する。磁気抵抗効果素子２６は、前述し
たように、非常に薄いので、これを形成する面に凹凸が
ある場合には、変形してしまい、再生感度が低下する。
したがって、インダクティブ素子４３と磁気抵抗効果素
子２６との間の膜に対して、平坦化処理を施す必要があ
る。そこで、本実施形態では、インダクティブ素子４３
上に形成する絶縁膜４４に対して、平坦化処理を施して
いる。

【００６４】本実施形態においても、平坦な基板２０上
に直接インダクティブ素子４３を形成するので、インダ
クティブ素子４３のギャップ界面は平坦に形成され、実
質的な再生トラック幅Ｒを実質的な記録トラック幅Ｗよ
りも小さくすることができて、クロストークの増大等に
よるＳ／Ｎ比の悪化を防ぐことができる。さらに、本実
施形態では、熱影響を受けやすい磁気抵抗効果素子２６
を後から形成することができるので、製造時における磁
気抵抗効果素子２６の熱影響を小さくすることができ、
磁気抵抗効果素子２６の特性を良好に保つことができ
る。

【００６５】なお、以上の各種実施形態の薄膜磁気ヘッ
ドは、前述した磁気ディスク装置のみならず、磁気テー
プ装置など、磁気ヘッドを用いて記録再生を行うもので
あれば、いかなるものに用いてもよい。

【００６６】

【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果素子の形
成に対して、特に規制を受けずに、インダクティブ素子
のギャップ界面を平坦にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態である、記録媒体側か
ら見た薄膜磁気ヘッドの要部正面図である。

【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態である、薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程図である。

【図４】本発明の第１の実施形態である、薄膜磁気ヘッ
ドの全体斜視図である。

【図５】本発明の第１の実施形態である、磁気ディスク
装置の全体断面図である。

【図６】本発明の第１の実施形態である、薄膜磁気ヘッ
ドの再生出力特性とクロストーク出力特性とを示すグラ
フである。

【図７】本発明の第１の実施形態の変形例である、記録
媒体側から見た薄膜磁気ヘッドの要部正面図である。

【図８】本発明の第２の実施形態である、記録媒体側か
ら見た薄膜磁気ヘッドの要部正面図である。

【図９】本発明の第３の実施形態である、記録媒体側か
ら見た薄膜磁気ヘッドの要部正面図である。

【図１０】記録媒体側から見た従来の薄膜磁気ヘッドの
要部正面図である。

【図１１】図１０におけるXI−XI線断面図である。

【図１２】記録媒体側から見た、従来の他の薄膜磁気ヘ
ッドの要部正面図である。

【符号の説明】

２０…基板、２１，４０…シールド膜、２２，３０，４
１，４４…絶縁膜、２３…リード用導体、２６…磁気抵
抗効果素子、３１，３１ａ，４２…第１の磁性膜、３２
…ギャップ界面、３３，３３ａ…ギャップ膜、３６，３
６ａ…第２の磁性膜、３８，４３…インダクティブ素
子、４１…薄膜磁気ヘッド、４２…磁気ディスク。

フロントページの続き (72)発明者 池田 宏 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所 小田原工場内 (72)発明者 鈴木 三郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所 小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭62−248117（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−143914（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−161874（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−52314（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 5/31

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、磁気抵抗効果を有する素子とイ
   ンダクティブ素子とが、この順序で積層され、 端部が間隔を開けて互いに向い合い、一方の端部に近づ
   くに連れて、前記基板と反対側の面が次第に該基板に近
   づく傾斜面が、それぞれの該端部に形成されている二つ
   のリード用導体を有し、 前記磁気抵抗効果を有する素子は、二つの前記リード用
   導体の前記傾斜面上、及び二つの該リード用導体の前記
   端部相互間に形成されている、 ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。