JPH07262535A - 反転磁気抵抗ヘッド及び製作方法 - Google Patents

反転磁気抵抗ヘッド及び製作方法

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JPH07262535A
JPH07262535A JP4292095A JP4292095A JPH07262535A JP H07262535 A JPH07262535 A JP H07262535A JP 4292095 A JP4292095 A JP 4292095A JP 4292095 A JP4292095 A JP 4292095A JP H07262535 A JPH07262535 A JP H07262535A
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JP
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reversing
magnetoresistive head
pole
gap
magnetoresistive
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JP4292095A
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Allan E Schultz
イー．シュルツ アレン
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Seagate Technology International
Seagate Technology LLC
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SHIIGEITO TECHNOL INTERNATL
Seagate Technology International
Seagate Technology LLC
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Publication date
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    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 反転磁気抵抗ヘッド及び製作方法を提供す
る。 【構成】 反転磁気抵抗ヘッド５０の製作方法にはライ
ターの製作が含まれる。ライターはライトギャップ６
６、６６Ａ、磁極端７２、及び頂部磁極／底部シールド
２４だけでなく銅コイル６４及びポリマー５８が充填さ
れた凹んだ底部磁極５６を含んでいる。ポリマー５８及
びライトギャップ６６、６６Ａの頂面は平坦化されてリ
ーダーを配置することができる実質的に平滑な表面が提
供される。リーダーはライターの上に作成され第１のリ
ーダーギャップ７８、磁気抵抗素子８０、第２のリーダ
ーギャップ８４、及びシールド７４を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波、高データレー
ト、高トラック密度応用に対する磁気抵抗ヘッドの製作
に関し、特に磁気抵抗ヘッドのライター部上に作成され
た磁気抵抗ヘッドのリーダー部を有する反転磁気抵抗ヘ
ッドの製作に関する。
【０００２】
【従来の技術】標準磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドではリーダ
ー部の上にライター部が作成される。ＭＲヘッドは磁気
記憶システムにおいて磁気的に符号化された情報を磁気
記憶媒体から検出しかつ磁気的に符号化された情報を記
憶媒体へ書き込むのに使用される。読取モードでは、磁
気記憶媒体からの遷移に関連する時間依存磁界によりＭ
Ｒ素子の抵抗率が直接変調される。動作時に、ＭＲ素子
へセンス電流を通してその両端間の電圧を測定すること
によりＭＲ素子の抵抗変化を検出することができる。こ
のようにして得られる信号を使用して磁気記憶媒体から
情報やデータを回復することができる。
【０００３】実用的なＭＲ素子は代表的に透磁率が高い
ために強磁性合金を使用して形成され、その一例がニッ
ケル鉄（ＮｉＦｅ）である。絶縁基板すなわちウエーハ
の表面に強磁性材が薄膜として堆積される。磁気記憶媒
体からの変化する磁界によりＭＲ素子の磁化方向が変化
ししたがってセンサーの抵抗が変化する。この現象はＭ
Ｒ効果と呼ばれる。
【０００４】素子自体は磁気シールド層上に堆積されて
ＭＲ素子を形成するＭＲ材のストリップを含んでいる。
一連の堆積及びエッチング工程によりＭＲ素子の一部か
ら活性領域が形成される。活性領域はＭＲ素子の磁気記
憶媒体による磁界変化を感知する領域である。上部磁気
シールドがＭＲ素子と磁気記憶媒体表面間の障壁として
作用してヘッドを通過する遷移に関連する磁界変化が素
子と再結合するのを防止する。磁気シールドには周囲の
磁気記憶媒体の遷移に関連する浮遊磁界を素子が受け入
れることのないよう保護する働きもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドの性能に影
響を及ぼす一つの問題点はヘッド表面の平坦度すなわち
“平坦化”である。特に、従来技術のヘッドでは、ＭＲ
センサーの頂部シールドはＭＲ素子の活性領域のすぐ上
にディップがある。これによりオフトラック性能が低下
する。平坦化が行われない場合にはＭＲ素子へのコンタ
クトと頂部シールド間もしくは頂部シールドと引き続き
作成される層間に電気的短絡を生じることもある。更に
底部シールドの頂面は通常薄膜に対しては比較的粗いセ
ンダストで被覆されている。この比較的粗い表面により
底部シールドとコンタクト膜間に短絡の問題が生じるこ
ともある。ＭＲリーダーを平坦化する試みは底部シール
ドの平滑化、ＭＲセンサー上の絶縁体の平坦化、もしく
は頂部シールドの平滑化に集中されている。これらのス
テップは更に処理時間を必要とし設計の柔軟性を制限す
ることがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は磁気記憶媒体か
ら磁気的に記憶された情報を読み取る反転磁気抵抗ヘッ
ド及び製作方法を提供するものである。反転磁気抵抗ヘ
ッドはライターの上に配置されたリーダーを含んでい
る。ライターは底部磁極の上部凹み上にコイル及びポリ
マー絶縁体を充填した凹んだ底部磁極を含んでいる。こ
の底部磁極及びコイル構造が次に平坦化される。平坦化
された底部磁極／コイル構造の上にライトギャップ酸化
物層が堆積される。高モーメント頂部磁極端が形成さ
れ、リーダーの底部シールドでもある、頂部磁極構造の
残部が次に形成される。この底部シールドが平坦化され
る。平坦化された底部シールド上に第１のリーダーギャ
ップ酸化物層が堆積される。第１のリーダーギャップ酸
化物層上に磁気抵抗素子が形成される。磁気抵抗素子は
コンタクトにより磁気抵抗ヘッドの外部領域に接続され
る。磁気抵抗素子及びコンタクト上に第２のリーダーギ
ャップが配置される。第２のリーダーギャップ上に頂部
シールドが配置される。
【０００７】
【実施例】図１Ａは従来技術の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッド
１０の層構造の断面図である。図１のＭＲヘッド１０は
ヘッドのリーダー部上にヘッドのライター部が配置され
ている標準ＭＲヘッドを示す。ＭＲヘッド１０はベース
コート酸化物１２、底部シールド１４、第１のリーダー
ギャップ酸化物層１６、電気的コンタクト１８、ＭＲ素
子２０、第２のリーダーギャップ酸化物層２２、頂部シ
ールド／底部磁極２４、ライトギャップ酸化物層２６、
ポリマー絶縁体層２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、導電性コイ
ル層３０ａ、３０ｂ、及び頂部磁極３２を含んでいる。
【０００８】底部シールド１４はベースコート酸化物１
２上に堆積される。第１のリーダーギャップ酸化物層１
６が底部シールド１４上に堆積される。次にＭＲ素子２
０が磁界内で堆積されパターン化される。ＭＲ素子２０
はＭＲヘッド１０の読取動作中に磁気記憶媒体からの遷
移に関連する磁界を感知する部分である。次にＭＲ素子
２０及び第１のリーダーギャップ酸化物層１６上に電気
的コンタクト１８が堆積される。続いて第２のリーダー
ギャップ酸化物層２２が堆積される。２つの酸化物層１
６、２２はリードギャップを含みその中にＭＲ素子２０
が作成される。次に頂部シールド／底部磁極２４が配置
される。頂部シールド／底部磁極２４は通常ＭＲヘッド
１０のライター部の底部磁極だけでなくＭＲヘッド１０
のリーダー部の頂部シールドを提供するのに利用され
る。
【０００９】ライトギャップ酸化物層２６が堆積され、
続いてポリマー絶縁体層２８ａ、導電性コイル層３０
ａ、ポリマー絶縁体層２８ｂ、導電性コイル層３０ｂ、
及びポリマー絶縁体層２８ｃが堆積される。最後に、頂
部磁極３２が堆積されてＭＲヘッド１０の製作が完了す
る。頂部シールド／底部磁極２４及び頂部磁極３２によ
り書込動作中のＭＲヘッド１０の書込能力が与えられ
る。導電性コイル３０及びポリマー絶縁体層２８の数は
設計で決められＭＲヘッド１０のライター部のインダク
タンス能力に影響を及ぼす。しかしながら、各ポリマー
絶縁体層は特定ポリマーに応じて時間長を変えながら２
００−４００℃の温度で硬化しなければならない。硬化
工程に対するこの温度範囲の下半部を使用する場合だけ
ＭＲヘッド１０のリーダー部の磁気的劣化が回避され
る。これによりＭＲヘッドリーダーに利用できるポリマ
ーの選択が制限される。
【００１０】図１Ｂに示すように、ＭＲヘッド１０は第
２のリードギャップ酸化物層２２の頂面が平坦ではない
すなわち平坦化されないように作成される。第２のリー
ドギャップ酸化物層２２の表面が平坦でないとＭＲヘッ
ド１０の引き続き堆積される層も平坦とはならないすな
わち平坦化されない。特に、オーバーコート酸化物層３
３により被覆される頂部磁極３２はＭＲヘッド１０の中
心からオフセットされてＭＲヘッド１０により書き込ま
れるトラックの品質が低下することがある。更に、ＭＲ
ヘッド１０の各堆積層は平坦化して後に堆積される層が
短絡してＭＲヘッド１０が作動できなくなるのを防止す
ることが望ましい。
【００１１】図２に本発明で使用される底部磁極５６の
空気軸受面５２近くの層構造の断面を示す。反転ＭＲヘ
ッド５０はベースコート５４、底部磁極５６、頂面６０
及びディップ６２を有するポリマー絶縁体５８、及び導
電性コイル６４を含んでいる。先縁５１は空気軸受面５
２に対して識別される。
【００１２】本発明の反転ＭＲヘッド５０を製作するた
めに、めっきされたパーマロイにより形成される底部磁
極５６が最初にベースコート５４の凹み内に堆積され
る。ベースコート５４内の凹みは化学エッチング及びイ
オンミリングの組み合わせにより形成される。ポリマー
絶縁体５８及び導電性コイル６４が底部磁極５６上の凹
みを充填する。代表的には銅製である導電性コイル６４
はポリマー絶縁体５８内に一列に配置するか、もしくは
図２に示すように、複数列に配置することができる。導
電性コイル６４及びポリマー絶縁体層５８の数は反転Ｍ
Ｒヘッド５０のライター部のインダクタンス能力に影響
を及ぼす。
【００１３】図２に示すように、ポリマー絶縁体５８の
頂面６０は幾分凸凹することがある。硬化工程中にポリ
マーの量が消失してディップ６２が生じることがある。
本発明では、ポリマー絶縁体５８の頂面６０を平坦化し
てそのうえに堆積される反転ＭＲヘッド５０の残りの層
が平坦面上に堆積されることが重要である。したがっ
て、ディップ６２を含む頂面６０の粗い、ぎざぎざした
部分は除去しなければならない。
【００１４】図３では、ディップ６２を含む頂面６０の
ぎざぎざした粗い部分は全て除去されている。通常これ
は２つの方法で行われる。第一に、ポリマー絶縁体５８
を形成するポリマー材は頂面６０が底部磁極５６よりも
高くなるように堆積することができる。次にポリマー絶
縁体５８の頂面６０が平滑で底部磁極５６と同じ高さと
なるまで頂面６０にブランケット反応性イオンエッチバ
ック工程及び／もしくは化学機械研磨を実施することが
できる。第二は、ポリマー絶縁体５８を形成するポリマ
ー材は粗い頂面６０及びディップ６２を有して堆積する
ことができる（図２参照）。シリカ層をその頂面が底部
磁極５６よりも幾分上に来るように堆積することができ
る。次に、シリカ層上にホトレジストが堆積される。ホ
トレジストは硬化すると、表面張力により完全に平坦と
なる。次にポリマー絶縁体５８の頂面６０が平滑で完全
に平坦となるまで、ホトレジスト及びシリカ層にシリカ
及びホトレジストを同じ速度で除去するブランケット反
応性イオンエッチバック工程を実施することができる。
【００１５】図４に示すように、反転ＭＲヘッド５０は
更に頂面６８及びチャネル７０を有するライトギャップ
酸化物層６６を含むことができる。ライトギャップ酸化
物層６６はポリマー絶縁体５８の頂面６０に堆積され
る。ライトギャップ酸化物層６６はシリカ、アルミナ、
もしくはダイアモンド状カーボン等のさまざまな絶縁材
から形成することができる。次に空気軸受面５２の近く
に配置されたチャネル７０がイオンミリングによりチャ
ネル７０下側の実際のライトギャップ６６ａを画定する
ライトギャップ酸化物層６６とされる。これにより磁極
端７２を極めて正確に画定することができる（図５及び
図６参照）。その理由はホトレジストが平坦面上に堆積
されて、ホトレジストマスクの特徴がより精密に現像さ
れるためである。チャネル７０下側の空気軸受面５２に
おけるライトギャップ酸化物層６６ａは高さがおよそ
０．１−１．０ミクロンであり、好ましくはおよそ０．
２−０．８ミクロンである。
【００１６】図５に示すように、磁極端７２は反転ＭＲ
ヘッド５０の空気軸受面５２の後縁７３に配置されてい
る。磁極端７２は窒化鉄やコバルト鉄等の高モーメント
磁性材から形成されるインサートである。高モーメント
磁性材は標準ＭＲヘッドに使用されるパーマロイよりも
高密度の磁束を支持することができる。高モーメントイ
ンサート形成磁極端７２は磁束を集中させて狭いトラッ
クへの書き込みを行うことができる。
【００１７】磁極端７２を形成する高モーメント磁性材
はライトギャップ酸化物層６６の頂面６８よりもかなり
高くなるまでチャネル７０内へめっきもしくはスパッタ
リングされる。高モーメントインサートの厚さはライタ
ー設計における磁性材によって決まる。インサート厚の
代表的な値は０．５−２．０ミクロンであり、磁極端ト
ラック幅の代表的な値は２．０−５．０ミクロンであ
る。コバルト鉄（Ｃｏ90Ｆｅ10）等のめっきインサート
に使用される本発明の一実施例では、ニッケルバナジウ
ム（Ｎｉ80Ｖ20）等の非磁性シード層を使用することが
でき、それがライトギャップの一部となる。次に高モー
メント材の突起部がマスクされその周りにパーマロイを
めっきしてほぼ平坦な表面がえられる。次にインサート
上のマスクが除去され全体シールドがユニットとして所
望厚までめっきされる。頂部磁極７２／底部シールド７
４結合体の頂面は凹凸を含む可能性が高く、次にそれが
化学機械研磨により除去される。
【００１８】図６は反転ＭＲヘッド５０のライターの空
気軸受面５２を示す断面である。図６に示すように、磁
極端７２は底部磁極５６上で、底部磁極５６と磁極端７
２間に位置するライトギャップ酸化物層６６Ａの臨界部
分と一致される。ライトギャップ酸化物層６６の臨界距
離である底部磁極５６と磁極端７２間の距離はおよそ
１，０００−１０，０００Åの範囲であり、好ましくは
およそ２，０００−８，０００Åの範囲である。一実施
例では、底部磁極５６の高さはおよそ２．０−４．０μ
ｍの範囲であり、ポリマー絶縁体５８の頂面６０と頂面
６８間に形成されるライトギャップ酸化物層６６の高さ
はおよそ２，０００−８，０００Åの範囲であり、磁極
端７２の高さはおよそ５，０００−２０，０００Åの範
囲であり、ライトギャップ酸化物層６６の頂面６８と底
部シールド７４の頂面７６間の底部シールド７４の高さ
はおよそ１．５−４．０μｍの範囲である。
【００１９】図７は反転ＭＲヘッド５０のライター及び
リーダー部を含む完全に製作されたＭＲヘッド５０の断
面を示す。底部シールド７４が堆積され平坦化される
と、リーダーの残りの層を底部シールド７４の平坦面上
に堆積することができる。一連の平坦面を堆積させるこ
とにより、標準ＭＲヘッドにおいて重大な問題である短
絡が緩和される。
【００２０】反転ＭＲヘッド５０のライター部が作成さ
れると、底部シールド７４の上に第１のリーダーギャッ
プ酸化物層７８が堆積される。一実施例において、第１
のリーダーギャップ酸化物層７８の高さは４，０００Å
よりも低い。ＭＲ素子８０は第１のリーダーギャップ酸
化物層７８の反転ＭＲヘッド５０の後縁７３近くに作成
される。ＭＲ素子８０は単膜もしくは複合膜構造とする
ことができる。ＭＲ素子８０の特定の実施例によって本
発明の有用性が影響を受けることはない。次に電気的コ
ンタクト８２が堆積され、続いて第２のリーダーギャッ
プ酸化物層８４、頂部シールド８６、及びオーバーコー
ト酸化物層８８が堆積される。一実施例において、第２
のリーダーギャップ酸化物層８４の高さは４，０００Å
よりも低い。更に、特定応用に対して必要であれば境界
制御安定化層、永久磁石安定化層、及び／もしくは誘導
消去や回路抵抗低下のための付加コンタクト層をＭＲリ
ーダーに組み入れることができる。
【００２１】図８に反転ＭＲヘッド５０の空気軸受面を
示しリーダーとライターの両方が示されている。図８に
示すように、底部磁極５６、頂部磁極７２、及びＭＲ素
子８０は互いに一致されている。従来技術のＭＲヘッド
における１０以上の中間マスク層に較べて、マスクのア
ライメントを複雑にする中間マスク層が１，２層しかな
いため、本発明によりＭＲセンサーの頂部磁極に対する
アライメント精度が向上する。底部磁極５６、頂部磁極
７２、及びＭＲ素子８０のアライメントは磁気記憶媒体
に対して精密に情報を読み取りかつ書き込むことができ
るＭＲヘッドを形成するのに重要である。
【００２２】本発明による反転ＭＲヘッド５０にはいく
つかの利点がある。第１に、頂部磁極の精密な画定が行
われる。第２に、ＭＲ素子８０と頂部磁極７２間の距離
が従来技術に較べて実質的に短縮される。これにより反
転ＭＲヘッド５０は高い直線密度でディスクに書き込み
を行うことができる。第３に、頂部磁極の平坦性により
リーダー及びライターは、図１Ｂに示す従来技術のディ
ップような、ディップを頂部磁極に設けることなくオフ
セットすることができる。第４に、頂部シールド面より
上にある膜はオーバーコートだけであるため、頂部シー
ルドにセンダストや他の粗い膜を使用しても粗さによる
短絡を生じることがない。第５に、リーダーよりも先に
ライターを形成することによりＭＲセンサーの磁性その
他の特性を劣化させることなくポリイミドやベンゼンシ
クロブテン（ＢＣＢ）等の高温硬化ポリマーを使用する
ことができる。第６に、リーダーよりも先にライターを
形成することによりスピンバルブやジャイアントＭＲセ
ンサーを使用することができ、それは高温ポリマーの硬
化によりジャイアントＭＲセンサーやスピンバルブの極
めて薄い層間で相互拡散が生じてそれらの有効性が破壊
されるためである。リーダー部が形成される前に全ての
高温硬化を完了させることにより、ジャイアントＭＲ及
び／もしくはスピンバルブセンサーの使用に対する制約
は殆どなくなる。特に、リーダー及びライターの材料は
従来技術に較べて互いに独立に大幅に最適化することが
できる。
【００２３】特定実施例について本発明を説明してきた
が、当業者であれば発明の精神及び範囲内で形式及び詳
細を変更できることがお判りと思われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは従来技術の磁気抵抗ヘッドの層構造の断面
図。Ｂは従来技術の磁気抵抗ヘッドの空気軸受面の層構
造を示す断面図。
【図２】平坦化を行う前の磁気抵抗ヘッドのライターの
底部磁極の層構造の断面図。
【図３】平坦化を行った後の磁気抵抗ヘッドのライター
の底部磁極の層構造の断面図。
【図４】ライトギャップ内の凹んだチャネルを示すライ
ターの底部の層構造の断面図。
【図５】磁気抵抗ヘッドのライターの層構造の断面図。
【図６】磁気抵抗ヘッドのライターの空気軸受面層を示
す断面図。
【図７】完全な磁気抵抗ヘッドの層構造の断面図。
【図８】完全な磁気抵抗ヘッドの空気軸受面の層構造を
示す断面図。
【符号の説明】
１０ 磁気抵抗ヘッド １２ ベースコート酸化物 １４ 底部シールド １６ 第１のリーダーギャップ酸化物層 １８ 電気的コンタクト ２０ ＭＲ素子 ２２ 第２のリーダーギャップ酸化物層 ２４ 頂部シールド／底部磁極 ２６ ライトギャップ酸化物層 ２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ ポリマー絶縁体層 ３０Ａ、３０Ｂ 導電性コイル層 ３２ 頂部磁極 ３３ オーバーコート酸化物層 ５０ 反転ＭＲヘッド ５２ 空気軸受面 ５４ ベースコート ５６ 底部磁極 ５８ ポリマー絶縁体 ６４ 導電性コイル ６６、６６Ａ ライトギャップ酸化物層 ７２ 磁極端 ７４ 底部シールド ７８ 第１のリーダーギャップ酸化物層 ８０ ＭＲ素子 ８２ 電気的コンタクト ８４ 第２のリーダーギャップ酸化物層 ８６ 頂部シールド ８８ オーバーコート酸化物層

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反転磁気抵抗ヘッドの製作方法であっ
    て、該方法は、ヘッドの空気軸受面から遠い位置で上部
    に凹みを有してベースコート内に底部磁極を作成し、底
    部磁極上の凹み内にポリマー絶縁体及び導電性コイルを
    配置し、凹みに配置されたポリマー絶縁体の頂面を平坦
    化し、ポリマーの頂面上にライトギャップを作成し、空
    気軸受面に近いライトギャップ内に非磁性高モーメント
    材の磁極端を形成し、ライトギャップの頂面を平坦化
    し、磁極端及びライトギャップ上に頂部磁極／底部シー
    ルドを作成し、頂部磁極／底部シールド上に第１のリー
    ダーギャップを作成し、空気軸受面に近い第１のリーダ
    ーギャップ上に部分的に磁気抵抗素子を形成し、磁気抵
    抗素子を反転磁気抵抗ヘッドの外部領域へ電気的に接続
    する電気的コンタクトを第１のリーダーギャップ上に部
    分的に作成し、電気的コンタクト及び磁気抵抗素子上に
    第２のリーダーギャップを作成し、第２のリーダーギャ
    ップ上に頂部シールドを作成する、ステップからなる反
    転磁気抵抗ヘッドの製作方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の方法であって、底部磁極
    を作成するステップは更に、ベースコートへポリマーを
    被せる、ステップを含む反転磁気抵抗ヘッドの製作方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の方法であって、ポリマー
    絶縁体の頂面を平坦化するステップは更に、実質的に平
    滑となるまでポリマー絶縁体の頂面に反応性イオンエッ
    チングを施す、ステップを含む反転磁気抵抗ヘッドの製
    作方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の方法であって、ポリマー
    絶縁体の頂面を平坦化するステップは更に、実質的に平
    滑となるまでポリマー絶縁体の頂面を化学機械研磨によ
    り研磨する、ステップを含む反転磁気抵抗ヘッドの製作
    方法。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の方法であって、ポリマー
    絶縁体の頂面を平坦化するステップは更に、ポリマー絶
    縁体の頂面にシリカ層を堆積し、シリカ層の上にホトレ
    ジスト層を堆積し、ポリマー絶縁体の頂面が実質的に平
    滑となるまでシリカ層及びホトレジスト層に反応性イオ
    ンエッチングを施す、ステップを含む反転磁気抵抗ヘッ
    ドの製作方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の方法であって、頂部磁極
    がめっきされたパーマロイでできている、反転磁気抵抗
    ヘッドの製作方法。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の方法であって、ライトギ
    ャップがシリカにより形成される、反転磁気抵抗ヘッド
    の製作方法。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の方法であって、ライトギ
    ャップがダイアモンド状カーボンにより形成される、反
    転磁気抵抗ヘッドの製作方法。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の方法であって、ライトギ
    ャップがアルミナにより形成される、反転磁気抵抗ヘッ
    ドの製作方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の方法であって、更にチ
    ャネルをイオンミリングしてライトギャップとし、非磁
    性高モーメント材でチャネルを充填する、ステップを含
    む反転磁気抵抗ヘッドの製作方法。
  11. 【請求項１１】 記憶媒体に対して情報の読み取り及び
    書き込みを行う反転磁気抵抗ヘッドであって、該ヘッド
    は、ヘッドの空気軸受面から遠い位置で上部に凹みを有
    する底部磁極と、底部磁極の凹み内に配置され全体に間
    隔を置いて配置された複数個のコイルを有し頂面が平坦
    化されているポリマー絶縁体と、ポリマー絶縁体上に配
    置され平坦化された頂面を有するライトギャップと、ラ
    イトギャップ内で空気軸受面近くに配置された磁極端
    と、ライトギャップの一部及び磁極端上に配置された頂
    部磁極／底部シールドと、頂部磁極／底部シールドの上
    に配置された第１のリーダーギャップと、第１のリーダ
    ーギャップ上で空気軸受面近くに配置された磁気抵抗素
    子と、磁気抵抗素子上に配置され磁気抵抗素子を磁気抵
    抗ヘッドの外部領域に接続する電気的コンタクトと、磁
    気抵抗素子及びコンタクト上の第２のリーダーギャップ
    と、第２のリーダーギャップ上に配置されたシールド
    と、を具備する反転磁気抵抗ヘッド。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、底部磁極と磁極端間に配置されたライトギャ
    ップの一部は高さがおよそ０．１−１．０ミクロンであ
    る、反転磁気抵抗ヘッド。
  13. 【請求項１３】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、底部磁極の高さがおよそ２．０−４．０μｍ
    の範囲である、反転磁気抵抗ヘッド。
  14. 【請求項１４】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、底部磁極と磁極端間のライトギャップ酸化物
    の高さがおよそ１，０００−１０，０００Åの範囲であ
    る、反転磁気抵抗ヘッド。
  15. 【請求項１５】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、磁極端の高さがおよそ５，０００−２０，０
    ００Åの範囲である、反転磁気抵抗ヘッド。
  16. 【請求項１６】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、底部シールドの高さがおよそ１．５−４．０
    μｍの範囲である、反転磁気抵抗ヘッド。
  17. 【請求項１７】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、第１のリードギャップ酸化物層の高さが４，
    ０００Åよりも低い、反転磁気抵抗ヘッド。
  18. 【請求項１８】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、第２のリーダーギャップの高さが４，０００
    Åよりも低い、反転磁気抵抗ヘッド。
  19. 【請求項１９】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、頂部シールドの高さがおよそ１．５−４．０
    μｍの範囲である、反転磁気抵抗ヘッド。
  20. 【請求項２０】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、底部磁極には更にポリマーが被せられてい
    る、反転磁気抵抗ヘッド。
  21. 【請求項２１】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、ポリマー絶縁体の頂面は実質的に平滑となる
    まで反応性イオンエッチングが施される、反転磁気抵抗
    ヘッド。
  22. 【請求項２２】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、ポリマー絶縁体の頂面は実質的に平滑となる
    まで化学機械研磨により研磨される、反転磁気抵抗ヘッ
    ド。
  23. 【請求項２３】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、ポリマー絶縁体の頂面上に更にシリカ層が堆
    積されその上にホトレジスト層が配置され、ポリマー絶
    縁体の頂面が実質的に平滑となるまでシリカ層およそホ
    トレジスト層に反応性イオンエッチングが施される、反
    転磁気抵抗ヘッド。
  24. 【請求項２４】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、底部磁極がめっきされたパーマロイでできて
    いる、反転磁気抵抗ヘッド。
  25. 【請求項２５】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、ライトギャップがシリカにより形成される、
    反転磁気抵抗ヘッド。
  26. 【請求項２６】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、ライトギャップがダイアモンド状カーボンに
    より形成される、反転磁気抵抗ヘッド。
  27. 【請求項２７】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、ライトギャップがアルミナにより形成され
    る、反転磁気抵抗ヘッド。
  28. 【請求項２８】 請求項１１記載の反転磁気抵抗ヘッド
    であって、磁極端が更に空気軸受面に近いライトギャッ
    プ内のチャネルを充填する非磁性高モーメント材を含
    む、反転磁気抵抗ヘッド。
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