JPH0727616B2 - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気ヘッドの製造方法

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JPH0727616B2
JPH0727616B2 JP17023287A JP17023287A JPH0727616B2 JP H0727616 B2 JPH0727616 B2 JP H0727616B2 JP 17023287 A JP17023287 A JP 17023287A JP 17023287 A JP17023287 A JP 17023287A JP H0727616 B2 JPH0727616 B2 JP H0727616B2
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Japan
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magnetic
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head
amorphous
temperature
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JP17023287A
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和夫 中村
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は非晶質磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁気
ヘッドに関するものである。
従来の技術 従来からの薄膜ヘッドの構成では、主磁極薄膜が唯一の
磁性薄膜構成要素である様な垂直磁気記録用ヘッドなど
を除くと、一般に複数層の磁性薄膜が用いられている。
第2図にその様な一例を示す。同図は典型的なリング型
の薄膜ヘッドを示すものであり、下部磁性層1、上部磁
性層2、ギャップ3、コイル4、などによって構成され
ている。
ここで磁性層としては、最近では、耐蝕性や耐磨耗性に
優れ、また高透磁率の得やすい非晶質磁性膜がしばしば
用いられる。特に、非晶質磁性膜は、成膜後の磁場中に
アニールによって容易に磁気異方性の方向や大きさを制
御できるので、磁化困難軸方向の動作を用いることが望
ましい高周波用途の磁気ヘッドの様に、異方性の制御が
重要な技術要素となる応用では特に好ましい磁性膜であ
る。
しかしながらこのことは、その後の熱履歴によって磁気
特性が乱され易いという欠点も意味するものであり、特
に上記の様な、複数層の磁性膜を含む場合に問題が生じ
る。すなわち、第2図のヘッドの製造プロセスにおい
て、上部磁性層2を作成してアニールを施すとき、すで
に形成が終わって異方性も整えられている下部磁性層1
が熱的影響を受けるのである。
このことは、とくにトラック幅が狭いときに顕著であ
る。すなわち、上述の様な磁化困難軸方向の動作を持た
せるために、一般には、磁性膜にはトラック幅方向(第
1図、5)の磁界中のアニールが施されて、この方向が
磁化容易軸となる様にされる。しかしトラック幅が狭い
ときには、トラック幅方向の反磁界が大きいので、通常
の実用的な磁界印加手段では、この反磁界に打ち勝って
十分な実効磁界を磁性膜に与えるのが容易では無い。し
たがって、狭トラックの場合、通常は磁性膜が大面積の
状態で磁界中アニールを施してからパターニングされ
る。この様にすればアニール時に十分な実効磁界が磁性
膜に印加される。しかし、パターニングの後にその磁性
膜コアが再び磁界中アニールを受けるときは、大きな反
磁界のために、トラック幅方向の磁界は不足し、その方
向の異方性が維持できなくなる。その結果、形状異方性
が優勢となり、磁性膜面内でトラック幅方向に垂直な方
向(すなわち、ヘッドの記録再生磁束の通過方向)が磁
化容易軸となって、その方向の初透率が低下する。
発明が解決しようとする問題点 この様に、非晶質膜磁性層を用いた薄膜磁気ヘッドで
は、すでに形成された磁性膜コアが、それ以降の磁性膜
のための熱処理プロセスによって影響を受けることが問
題であり、特に狭トラック時にそれが顕著である。
問題点を解決するための手段 薄膜プロセス上、後に形成される磁性膜コアほど、結晶
化温度のより低い非晶質磁性膜を用いる。
作用 この様にすることによって、プロセス上、あとに来る磁
性膜の熱処理ほど、その処理温度を低く出来るので、そ
れが、先行して形成されている磁性膜コアに及ぼす影響
は軽微になる。
実施例 第1図は本発明の実施例を示すものである。非磁性基板
6の上には、下部磁性層1が非晶質磁性膜により形成さ
れており、これは膜形成後、所定の温度T1で磁界中アニ
ールを施してから、所定形状にパターニングされたもの
である。その上層には、ギャップ層3、コイル層4など
が、通常の薄膜技術では形成されている。更にこれらの
上に上部磁性層2が非晶質磁性膜により形成されてお
り、これは膜形成後、所定の温度T2(<T1)で磁界中ア
ニールを施してから、所定形状にパターニングされたも
のである。
ここで下部磁性層1はCoNiZr系の非晶質磁性膜よりなっ
ており、その結晶化温度Tx1は530℃、アニール温度T1
450℃である。また、上部磁性層2はCoTaZr系の非晶質
磁性膜よりなっており、その結晶化温度Tx2は、440℃、
アニール温度T2は350℃である。これらのアニール温度
は、それぞれの磁性膜の結晶化が起こらないための実用
的な安全幅も含めたアルール可能上限温度である。
これらの温度における磁界中アニールによって、それぞ
れの磁性膜に十分な異方性を付与することが出来るが、
重要なことは、高い温度で付けられた異方性ほど、温度
によって乱され難いと言うことである。
本発明の磁気ヘッドでは、下部磁性層の異方性はより高
温で付けられており、また上下両磁性層の間には十分な
アニール温度差を設けてあるので、上部磁性層のための
磁界中アニール処理に下部磁性層がパターニングされた
状態でさらされても、下部磁性層に与えられた異方性
は、殆ど乱され無い。このために上下両方の磁性層とも
適切な異方性を持つことが出来、従って高周波領域まで
高い透磁率が保たれるので、優れた性能の磁気ヘッドが
得られる。特に、この様な優れた性能がより狭トラック
でも実現できる。
以上の説明では、薄膜ヘッド中に2層の磁性層が含まれ
る場合について説明をしたが、本発明は2層を越える磁
性層を含む場合、すなわち、磁性層厚みを部分的に増大
する目的や、2層の磁性層をつなぐ目的などで第3、第
4の磁性層がある場合などにも実施可能である。これら
の場合、薄膜プロセスの実施順に従って、非晶質磁性膜
のアニール可能上限温度が順次低くなるように非晶質磁
性膜の選択を行えばよい。
なお、この様なアニール可能上限温度の序列は結晶化温
度の序列と、ほぼ、1対1の対応がつくので、工学的に
より明確な限定としては、結晶化温度の高低によって非
晶質膜の選択を行うのがよい。
発明の効果 本発明によれば、高周波特性に優れた薄膜磁気ヘッドを
得ることが出来、特に狭トラック時にこの効果が顕著で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)は各々、本発明の一実施例を示す
平面図と断面図、第2図(a)、(b)は各々、従来例
を示す平面図と断面図である。 1……下部磁性層、2……上部磁性層、 3……ギャップ、4……コイル、 5……トラック幅方向、6……非磁性基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ヘッド磁気回路を構成する磁性層の少なく
    とも一部として、結晶化温度の異なる少なくとも二種の
    非晶質磁性膜を含む薄膜磁気ヘッドの製造において、下
    部非晶質磁性膜を形成して磁界中アニールを施したの
    ち、上記下部非晶質磁性膜よりも結晶化温度の低い上部
    非晶質磁性膜を形成し上記アニールよりも低い温度で磁
    界中アニールを施すことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
JP17023287A 1987-07-08 1987-07-08 磁気ヘッドの製造方法 Expired - Lifetime JPH0727616B2 (ja)

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JPS6414708A JPS6414708A (en) 1989-01-18
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JPH03241509A (ja) * 1990-02-19 1991-10-28 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

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