JPH05128440A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH05128440A JPH05128440A JP31153791A JP31153791A JPH05128440A JP H05128440 A JPH05128440 A JP H05128440A JP 31153791 A JP31153791 A JP 31153791A JP 31153791 A JP31153791 A JP 31153791A JP H05128440 A JPH05128440 A JP H05128440A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に下部磁性膜，コイル導体及び上部磁
性膜が絶縁膜を介して順次積層されてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記下部磁性膜が飽和磁束密度９０００ガ
ウス以上の結晶合金，例えばＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等合金のような結晶質合金からなる軟
磁性膜であり、前記上部磁性膜がＣｏ系非晶質合金，例
えばＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系非晶質合金からなる軟磁性薄膜
であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 【効果】 高い再生出力とオーバーライト特性を付与す
ることができる。
性膜が絶縁膜を介して順次積層されてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記下部磁性膜が飽和磁束密度９０００ガ
ウス以上の結晶合金，例えばＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等合金のような結晶質合金からなる軟
磁性膜であり、前記上部磁性膜がＣｏ系非晶質合金，例
えばＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系非晶質合金からなる軟磁性薄膜
であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 【効果】 高い再生出力とオーバーライト特性を付与す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオフロッピ
ーディスク等に情報を書き込みあるいは読み出しするの
に好適な薄膜磁気ヘッドに関し、詳細には磁気回路を構
成する磁性膜の改良に関する。
ーディスク等に情報を書き込みあるいは読み出しするの
に好適な薄膜磁気ヘッドに関し、詳細には磁気回路を構
成する磁性膜の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気テープや磁気ディスク等の
磁気記録媒体に情報を高密度に記録する装置として薄膜
磁気ヘッドが知られている。一方、情報の記憶手段であ
る磁気記録媒体は、上述の高密度記録化に伴って、高抗
磁力化の方向にある。従って、上記薄膜磁気ヘッドにお
いても、挟トラック化、挟ギャップ化を進める等構造上
の改善もさることながら、より一層の飽和磁束密度を有
する磁気コア材料の開発が望まれている。
磁気記録媒体に情報を高密度に記録する装置として薄膜
磁気ヘッドが知られている。一方、情報の記憶手段であ
る磁気記録媒体は、上述の高密度記録化に伴って、高抗
磁力化の方向にある。従って、上記薄膜磁気ヘッドにお
いても、挟トラック化、挟ギャップ化を進める等構造上
の改善もさることながら、より一層の飽和磁束密度を有
する磁気コア材料の開発が望まれている。
【０００３】従来、上記薄膜磁気ヘッドの磁性膜には、
Ｆｅ−Ｎｉ系合金が多用されている。しかしながら、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金の飽和磁束密度は８．８ｋＧ程度であ
り、近年要求されているレベルの高密度記録が可能な性
能を磁性膜に付与することができない。そこで、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金よりも高い飽和磁束密度を有する、例えば、
Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の
ような結晶質軟磁性材料や、Ｃｏ系非晶質合金のような
アモルファス非晶質軟磁性材料が開発されている。Ｆｅ
−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金のような
結晶質合金は５００℃以上でアニール処理を施すことで
良好な軟磁性を得ることができ、Ｃｏ系非晶質合金は３
００℃程度でのアニール処理によって良好な軟磁性を得
ることができる。
Ｆｅ−Ｎｉ系合金が多用されている。しかしながら、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金の飽和磁束密度は８．８ｋＧ程度であ
り、近年要求されているレベルの高密度記録が可能な性
能を磁性膜に付与することができない。そこで、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金よりも高い飽和磁束密度を有する、例えば、
Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の
ような結晶質軟磁性材料や、Ｃｏ系非晶質合金のような
アモルファス非晶質軟磁性材料が開発されている。Ｆｅ
−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金のような
結晶質合金は５００℃以上でアニール処理を施すことで
良好な軟磁性を得ることができ、Ｃｏ系非晶質合金は３
００℃程度でのアニール処理によって良好な軟磁性を得
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高密度記録
化の為に磁気コア材料として例えば、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金のような結晶質合金を
用いた場合、これらの合金は良好な軟磁性を得るために
５００℃以上でアニールを行う必要があるため、コイル
導体間に介される層間絶縁膜は少なくともアニール温度
以上の温度までの耐熱性が要求される。従って、層間絶
縁膜として、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等のスパッタ形成の
できる無機材料を使用せざるを得ない。
化の為に磁気コア材料として例えば、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金のような結晶質合金を
用いた場合、これらの合金は良好な軟磁性を得るために
５００℃以上でアニールを行う必要があるため、コイル
導体間に介される層間絶縁膜は少なくともアニール温度
以上の温度までの耐熱性が要求される。従って、層間絶
縁膜として、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等のスパッタ形成の
できる無機材料を使用せざるを得ない。
【０００５】ところが、これら無機材料で層間絶縁膜を
形成した場合、感光性の有機絶縁膜で層間絶縁膜を形成
した場合と比較して、次のような問題点がある。先ず、
コイル導体間に良好な膜質を保ったまま層間絶縁膜をス
パッタリングを用いて形成しようとした場合、コイル導
体の形状が巻き線状であるため、コイル導体の巻きピッ
チを感光性の有機絶縁膜を用いた場合よりも、広くとる
必要がある。何故なら、スパッタによって凹部に均質な
膜を形成することは難しく、特に膜厚と凹部の寸法が同
じであると均質な膜を形成することは更に困難となるた
めである。従って、同一磁路長の薄膜ヘッドにおいて無
機材料を層間絶縁膜に使用すると、感光性の有機絶縁膜
を使用した場合に比較して、コイルの巻き数が減少す
る。これは、再生時の出力の低下に繋がり、好ましくな
い。
形成した場合、感光性の有機絶縁膜で層間絶縁膜を形成
した場合と比較して、次のような問題点がある。先ず、
コイル導体間に良好な膜質を保ったまま層間絶縁膜をス
パッタリングを用いて形成しようとした場合、コイル導
体の形状が巻き線状であるため、コイル導体の巻きピッ
チを感光性の有機絶縁膜を用いた場合よりも、広くとる
必要がある。何故なら、スパッタによって凹部に均質な
膜を形成することは難しく、特に膜厚と凹部の寸法が同
じであると均質な膜を形成することは更に困難となるた
めである。従って、同一磁路長の薄膜ヘッドにおいて無
機材料を層間絶縁膜に使用すると、感光性の有機絶縁膜
を使用した場合に比較して、コイルの巻き数が減少す
る。これは、再生時の出力の低下に繋がり、好ましくな
い。
【０００６】よって、無機材料を層間絶縁膜として使用
する場合、ドライエッチングプロセスによって成型せざ
るを得ない。しかしながら、この層間絶縁膜の厚みは少
なくても数μｍあり、ドライエッチングで形成するには
時間がかかり、量産性に問題がある。
する場合、ドライエッチングプロセスによって成型せざ
るを得ない。しかしながら、この層間絶縁膜の厚みは少
なくても数μｍあり、ドライエッチングで形成するには
時間がかかり、量産性に問題がある。
【０００７】一方、磁気コア材料として、例えばＣｏ−
Ｚｒ−Ｐｄ系等に代表されるＣｏ系非晶質合金を用いた
場合、これらは３００℃程度でのアニールによって良好
な軟磁性を得ることができるので、層間絶縁膜として、
感光性の有機絶縁膜の使用が可能である。しかしなが
ら、これらの材料は熱的に純安定であるためにヘッドフ
ォトプロセス工程において生ずる熱履歴により磁気特性
に劣化が生じやすい。特に、上記有機絶縁膜の特性を安
定化させるために行う熱処理時に劣化が生じやすいた
め、下層磁性膜に非晶質合金を用いた場合の劣化は激し
く、そのまま薄膜磁気ヘッドを形成すると、再生時の出
力の低下を起こす。
Ｚｒ−Ｐｄ系等に代表されるＣｏ系非晶質合金を用いた
場合、これらは３００℃程度でのアニールによって良好
な軟磁性を得ることができるので、層間絶縁膜として、
感光性の有機絶縁膜の使用が可能である。しかしなが
ら、これらの材料は熱的に純安定であるためにヘッドフ
ォトプロセス工程において生ずる熱履歴により磁気特性
に劣化が生じやすい。特に、上記有機絶縁膜の特性を安
定化させるために行う熱処理時に劣化が生じやすいた
め、下層磁性膜に非晶質合金を用いた場合の劣化は激し
く、そのまま薄膜磁気ヘッドを形成すると、再生時の出
力の低下を起こす。
【０００８】これらの問題を解決する一案として、特開
平２─３０８４０８に見られるように、下層磁性膜を
Ｆｅ−Ｎｉ系合金とし、上層磁性膜をＣｏ系非晶質合金
を使用したものや、Ｃｏ系非晶質合金とＦｅ−Ｎｉ系合
金の多層膜を上層磁性膜とした薄膜磁気ヘッド等が考案
されていた。下層磁性膜をＦｅ−Ｎｉ系合金とし、上層
磁性膜をＣｏ系非晶質合金を使用した薄膜磁気ヘッド
は、従来のＦｅ−Ｎｉ系合金のみを用いた薄膜磁気ヘッ
ドと比較して再生出力は同等であるが、磁性膜にＣｏ系
非晶質合金のみを用いたものと比較するとオーバーライ
ト特性が低下することがわかった。
平２─３０８４０８に見られるように、下層磁性膜を
Ｆｅ−Ｎｉ系合金とし、上層磁性膜をＣｏ系非晶質合金
を使用したものや、Ｃｏ系非晶質合金とＦｅ−Ｎｉ系合
金の多層膜を上層磁性膜とした薄膜磁気ヘッド等が考案
されていた。下層磁性膜をＦｅ−Ｎｉ系合金とし、上層
磁性膜をＣｏ系非晶質合金を使用した薄膜磁気ヘッド
は、従来のＦｅ−Ｎｉ系合金のみを用いた薄膜磁気ヘッ
ドと比較して再生出力は同等であるが、磁性膜にＣｏ系
非晶質合金のみを用いたものと比較するとオーバーライ
ト特性が低下することがわかった。
【０００９】本発明は、かかる実情を鑑みて提案された
ものであり、磁気回路を構成する磁気薄膜の磁気特性が
向上し、再生出力を低下することなく、オーバーライト
特性の向上した薄膜磁気記録ヘッドを提供することを目
的とする。
ものであり、磁気回路を構成する磁気薄膜の磁気特性が
向上し、再生出力を低下することなく、オーバーライト
特性の向上した薄膜磁気記録ヘッドを提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に下部磁性膜，コイル導体及び
上部磁性膜が絶縁膜を介して順次積層されてなる薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記下部磁性膜が、飽和磁束密度９
０００ガウス以上の例えばＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金のような結晶質合金からなる軟磁
性薄膜であり、前記上部磁性膜がＣｏ系非晶質合金から
なる軟磁性薄膜であることを特徴とするものである。
めに、本発明は、基板上に下部磁性膜，コイル導体及び
上部磁性膜が絶縁膜を介して順次積層されてなる薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記下部磁性膜が、飽和磁束密度９
０００ガウス以上の例えばＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金のような結晶質合金からなる軟磁
性薄膜であり、前記上部磁性膜がＣｏ系非晶質合金から
なる軟磁性薄膜であることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
合金のような結晶質合金，Ｃｏ系非晶質合金のような軟
磁性材料は、飽和磁気密度が９ｋＧ以上であり、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金（飽和磁束密度８．８ｋＧ）と比較して大き
いため、磁性薄膜の磁気特性を向上させることができ
る。
合金のような結晶質合金，Ｃｏ系非晶質合金のような軟
磁性材料は、飽和磁気密度が９ｋＧ以上であり、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金（飽和磁束密度８．８ｋＧ）と比較して大き
いため、磁性薄膜の磁気特性を向上させることができ
る。
【００１２】また、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金のような結晶質合金を下部磁性膜とし、
Ｃｏ系非晶質合金を上部磁性膜とすることで、層間絶縁
膜に感光性の有機材料を使用した場合でも、熱履歴によ
る特性の劣化が起こることはない。
ｌ−Ｓｉ系合金のような結晶質合金を下部磁性膜とし、
Ｃｏ系非晶質合金を上部磁性膜とすることで、層間絶縁
膜に感光性の有機材料を使用した場合でも、熱履歴によ
る特性の劣化が起こることはない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの実
施例について図面を参照しながら、説明する。
施例について図面を参照しながら、説明する。
【００１４】実施例 １ 図１に本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一実施例を示
す。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、図１に示すように、
基板１上にＡｌ2 Ｏ3 膜２，下部磁性膜３が形成され、
さらに下部磁性膜３上にギャップ絶縁膜４が形成されて
いる。また、ギャップ絶縁膜４上には第１の絶縁膜５が
形成されている。
す。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、図１に示すように、
基板１上にＡｌ2 Ｏ3 膜２，下部磁性膜３が形成され、
さらに下部磁性膜３上にギャップ絶縁膜４が形成されて
いる。また、ギャップ絶縁膜４上には第１の絶縁膜５が
形成されている。
【００１５】上記第１の絶縁膜５の上には、第１のコイ
ル導体６が形成され、さらに第２の絶縁膜７を介して第
２のコイル導体８が形成されており、その上には第３の
絶縁膜９が形成されている。そして、第３の絶縁膜９の
上には、上部磁性膜１０が被着形成されている。
ル導体６が形成され、さらに第２の絶縁膜７を介して第
２のコイル導体８が形成されており、その上には第３の
絶縁膜９が形成されている。そして、第３の絶縁膜９の
上には、上部磁性膜１０が被着形成されている。
【００１６】本実施例では、上記基板１として、非磁性
基板であるＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣセラミックを使用したが、
他のセラミックやＮｉ−Ｚｎフェライト，Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライト等の強磁性酸化物基板を使用しても良い。ギャ
ップ絶縁膜４はバックギャップ部を除いた下部磁性膜３
上に形成されており、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等が使用で
きる。
基板であるＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣセラミックを使用したが、
他のセラミックやＮｉ−Ｚｎフェライト，Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライト等の強磁性酸化物基板を使用しても良い。ギャ
ップ絶縁膜４はバックギャップ部を除いた下部磁性膜３
上に形成されており、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等が使用で
きる。
【００１７】この時、上記下部磁性膜３の材質として
は、飽和磁束密度が９０００ガウス以上、透磁率が膜厚
３μｍ，周波数１ＭＨｚの時に４００以上の特性を有す
るもので、前述のように、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等が挙げられる。これらは、前述
のように成膜後５００℃以上でのアニール処理を施すこ
とによって、上記のような特性を得ることができるた
め、これらの膜をスパッタ法にてＡｌ2 Ｏ3 膜２上に形
成し、成膜後５００℃以上でのアニール処理を施し、ド
ライエッチング等の手法を用いて所定の形状にエッチン
グする。この工程においては、Ａｌ2 Ｏ3 ＴｉＣセラミ
ック等よりなる基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜２及びＦｅ−Ｇａ
−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等よりなる下部
磁性膜３が積層されている状態であり、これらは耐熱性
が高いため、５００℃以上でのアニール処理がこれらの
特性に影響を及ぼすことはない。
は、飽和磁束密度が９０００ガウス以上、透磁率が膜厚
３μｍ，周波数１ＭＨｚの時に４００以上の特性を有す
るもので、前述のように、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等が挙げられる。これらは、前述
のように成膜後５００℃以上でのアニール処理を施すこ
とによって、上記のような特性を得ることができるた
め、これらの膜をスパッタ法にてＡｌ2 Ｏ3 膜２上に形
成し、成膜後５００℃以上でのアニール処理を施し、ド
ライエッチング等の手法を用いて所定の形状にエッチン
グする。この工程においては、Ａｌ2 Ｏ3 ＴｉＣセラミ
ック等よりなる基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜２及びＦｅ−Ｇａ
−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等よりなる下部
磁性膜３が積層されている状態であり、これらは耐熱性
が高いため、５００℃以上でのアニール処理がこれらの
特性に影響を及ぼすことはない。
【００１８】また、下部磁性膜３と第１のコイル導体６
の絶縁を図るために、ギャップ絶縁膜４上にはフロント
ギャップ部やバックギャップ部を除いて感光性の有機材
料よりなる第１の絶縁膜５が形成されている。この絶縁
膜５は、通常、パターニングした後、特性を安定化させ
るために熱処理を行う。この工程においては、Ａｌ2 Ｏ
3 ＴｉＣセラミック等よりなる基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜
２，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
等よりなる下部磁性膜３及び感光性の有機材料よりなる
絶縁膜５が積層されている状態である。基板１，Ａｌ2
Ｏ3 膜２，下部磁性膜３は上述のように、高温下でのア
ニール処理が可能なため、絶縁膜５の熱処理によって、
その特性に影響を受けることはない。
の絶縁を図るために、ギャップ絶縁膜４上にはフロント
ギャップ部やバックギャップ部を除いて感光性の有機材
料よりなる第１の絶縁膜５が形成されている。この絶縁
膜５は、通常、パターニングした後、特性を安定化させ
るために熱処理を行う。この工程においては、Ａｌ2 Ｏ
3 ＴｉＣセラミック等よりなる基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜
２，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
等よりなる下部磁性膜３及び感光性の有機材料よりなる
絶縁膜５が積層されている状態である。基板１，Ａｌ2
Ｏ3 膜２，下部磁性膜３は上述のように、高温下でのア
ニール処理が可能なため、絶縁膜５の熱処理によって、
その特性に影響を受けることはない。
【００１９】上記第１の絶縁膜５の上には、Ｃｕあるい
はＡｌ等の導電金属材料よりなる第１のコイル導体６
が、所定の間隔をもって複数ターン（本実施例では３タ
ーン）を有する渦巻状に形成されている。このコイル導
体６は、上記金属材料を第１の絶縁膜５に電界メッキを
施すことにより形成する。さらに、上記第１のコイル導
体６を被覆するように感光性の有機絶縁膜よりなる第２
の絶縁膜７が被着形成され、第１の絶縁膜５と同様に熱
処理を施す。第２のコイル導体８は、上記第１のコイル
導体６と同一の巻回方向を有し、上記第２の絶縁膜７に
形成されたコンタクト窓部１１を介して上記第１のコイ
ル導体６と電気的に接続された状態で形成されている。
この第２のコイル導体８も渦巻状で、この例では３ター
ンを有している。従って、これら第１のコイル導体６と
第２のコイル導体８を合わせて６ターンのスパイラル２
層重ね巻線構造となっている。なお、これらコイル導体
としては、前述のスパイラル多層巻線構造に限られず、
ヘリカル型，ジグザグ型等、如何なる巻線構造であって
もよい。
はＡｌ等の導電金属材料よりなる第１のコイル導体６
が、所定の間隔をもって複数ターン（本実施例では３タ
ーン）を有する渦巻状に形成されている。このコイル導
体６は、上記金属材料を第１の絶縁膜５に電界メッキを
施すことにより形成する。さらに、上記第１のコイル導
体６を被覆するように感光性の有機絶縁膜よりなる第２
の絶縁膜７が被着形成され、第１の絶縁膜５と同様に熱
処理を施す。第２のコイル導体８は、上記第１のコイル
導体６と同一の巻回方向を有し、上記第２の絶縁膜７に
形成されたコンタクト窓部１１を介して上記第１のコイ
ル導体６と電気的に接続された状態で形成されている。
この第２のコイル導体８も渦巻状で、この例では３ター
ンを有している。従って、これら第１のコイル導体６と
第２のコイル導体８を合わせて６ターンのスパイラル２
層重ね巻線構造となっている。なお、これらコイル導体
としては、前述のスパイラル多層巻線構造に限られず、
ヘリカル型，ジグザグ型等、如何なる巻線構造であって
もよい。
【００２０】第３の絶縁膜９は、上記第２のコイル導体
８の上に、上記第１の絶縁膜５と同様に上部磁性膜１０
との絶縁を図るために形成されている。これも、第１の
絶縁膜５，第２の絶縁膜７と同様に熱処理を施す。
８の上に、上記第１の絶縁膜５と同様に上部磁性膜１０
との絶縁を図るために形成されている。これも、第１の
絶縁膜５，第２の絶縁膜７と同様に熱処理を施す。
【００２１】そして、第３の絶縁膜９の上には、上記非
磁性基板よりなる基板１との共働で磁気回路を構成する
上部磁性膜１０が被着形成されている。この時、上部磁
性膜１０の材質としては、飽和磁束密度が９飽和磁束密
度が９０００ガウス以上、透磁率が膜厚３μｍ，周波数
１ＭＨｚの時に４００以上の特性を有するもので、例え
ばＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系非晶質合金等が挙げられる。Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｐｄ系非晶質合金は、前述のように３００℃程
度でのアニール処理を施すことによって、上記のような
特性を得ることができる。そのため、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｐｄ
系非晶質合金の膜をスパッタ法にて第３の絶縁膜９上に
形成し、成膜時に３００℃程度の温度下での回転磁場中
アニール等のアニール処理を施し、ドライエッチング等
の手法を用いて所定の形状にエッチングする。
磁性基板よりなる基板１との共働で磁気回路を構成する
上部磁性膜１０が被着形成されている。この時、上部磁
性膜１０の材質としては、飽和磁束密度が９飽和磁束密
度が９０００ガウス以上、透磁率が膜厚３μｍ，周波数
１ＭＨｚの時に４００以上の特性を有するもので、例え
ばＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系非晶質合金等が挙げられる。Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｐｄ系非晶質合金は、前述のように３００℃程
度でのアニール処理を施すことによって、上記のような
特性を得ることができる。そのため、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｐｄ
系非晶質合金の膜をスパッタ法にて第３の絶縁膜９上に
形成し、成膜時に３００℃程度の温度下での回転磁場中
アニール等のアニール処理を施し、ドライエッチング等
の手法を用いて所定の形状にエッチングする。
【００２２】この工程においては、Ａｌ2 Ｏ3 ＴｉＣセ
ラミック等よりなる基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜２，Ｆｅ−Ｇ
ａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等よりなる下
部磁性膜３，感光性の有機材料よりなる絶縁膜５，感光
性の有機材料よりなる絶縁膜７を介してＣｕあるいはＡ
ｌ等の導電金属材料よりなるコイル導体６及び８，感光
性の有機材料よりなる絶縁膜９，及び上部磁性膜１０が
積層された状態である。基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜２，下部
磁性膜３は上述のように、高温下でのアニール処理が可
能なため、３００℃付近で上部磁性膜１０のアニール処
理を行っても、その特性に影響を受けることはない。一
方、有機材料よりなる絶縁膜５，７，９においても、上
部磁性膜１０のアニール処理温度が低いことから、無理
な熱履歴を受けることはない。
ラミック等よりなる基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜２，Ｆｅ−Ｇ
ａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等よりなる下
部磁性膜３，感光性の有機材料よりなる絶縁膜５，感光
性の有機材料よりなる絶縁膜７を介してＣｕあるいはＡ
ｌ等の導電金属材料よりなるコイル導体６及び８，感光
性の有機材料よりなる絶縁膜９，及び上部磁性膜１０が
積層された状態である。基板１，Ａｌ2 Ｏ3 膜２，下部
磁性膜３は上述のように、高温下でのアニール処理が可
能なため、３００℃付近で上部磁性膜１０のアニール処
理を行っても、その特性に影響を受けることはない。一
方、有機材料よりなる絶縁膜５，７，９においても、上
部磁性膜１０のアニール処理温度が低いことから、無理
な熱履歴を受けることはない。
【００２３】ところで、この上部磁性膜１０の形状であ
るが、上記各コイル導体６，８の渦巻の中央部から、基
板１の磁気記録媒体対接面近傍に跨がって被着形成さ
れ、上記渦巻の中央部では、各絶縁膜５，７，９に設け
られた窓部１２を介して基板１と接続され、バックギャ
ップを構成するとともに、磁気記録媒体対接面近傍では
ギャップ絶縁膜４を挟んで基板１と対向し、作動ギャッ
プを構成するようになっている。
るが、上記各コイル導体６，８の渦巻の中央部から、基
板１の磁気記録媒体対接面近傍に跨がって被着形成さ
れ、上記渦巻の中央部では、各絶縁膜５，７，９に設け
られた窓部１２を介して基板１と接続され、バックギャ
ップを構成するとともに、磁気記録媒体対接面近傍では
ギャップ絶縁膜４を挟んで基板１と対向し、作動ギャッ
プを構成するようになっている。
【００２４】さらにまた、図示していないが、通常は上
述のコイル導体６，８や上部磁性膜１０等により構成さ
れる磁気回路部を保護し磁気記録媒体に対する当たりを
確保するための保護板が、低融点ガラス等を接着剤とし
て融着接合されている。
述のコイル導体６，８や上部磁性膜１０等により構成さ
れる磁気回路部を保護し磁気記録媒体に対する当たりを
確保するための保護板が、低融点ガラス等を接着剤とし
て融着接合されている。
【００２５】そこで、実際に下部磁性膜３をＦｅ−Ｇａ
−Ｓｉ−Ｒｕ系合金（飽和磁束密度９０００ガウス以
上）、上部磁性膜１０をＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系合金とし
て、上述の構成を有する薄膜磁気ヘッドを作成してサン
プル１とし、また下部磁性膜３にＦｅ−Ｎｉ系合金（飽
和磁束密度８８００ガウス）を使用した他は同様の構成
の薄膜磁気ヘッドを作成して比較サンプルとして、これ
らの飽和磁化とオーバーライト特性の測定を行った。そ
の結果、本実施例を適用したサンプル１ではオーバーラ
イト特性が−３６ｄＢ、比較サンプルでは−３０ｄＢで
あり、サンプル１の方がオーバーライト特性が−６ｄＢ
高かった。
−Ｓｉ−Ｒｕ系合金（飽和磁束密度９０００ガウス以
上）、上部磁性膜１０をＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系合金とし
て、上述の構成を有する薄膜磁気ヘッドを作成してサン
プル１とし、また下部磁性膜３にＦｅ−Ｎｉ系合金（飽
和磁束密度８８００ガウス）を使用した他は同様の構成
の薄膜磁気ヘッドを作成して比較サンプルとして、これ
らの飽和磁化とオーバーライト特性の測定を行った。そ
の結果、本実施例を適用したサンプル１ではオーバーラ
イト特性が−３６ｄＢ、比較サンプルでは−３０ｄＢで
あり、サンプル１の方がオーバーライト特性が−６ｄＢ
高かった。
【００２６】以上のように、本実施例の薄膜磁気ヘッド
においては、上記下部磁性膜３がＦｅ−Ｎｉ系合金より
も高い磁束飽和密度を有するＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の結晶質合金からなる軟磁性
薄膜であり、上記上部磁性膜１０が、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
よりも高い磁束飽和密度を有するＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等
のＣｏ系非晶質合金からなる軟磁性薄膜により構成され
ているため、高い飽和磁束密度を有する。また、その製
造工程においては、下部磁性膜３を構成するＦｅ−Ｇａ
−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等に充分な高温
下でのアニール処理を行うことが可能であり、また、上
記絶縁膜５，７，９の熱処理時に熱劣化を受けることは
ない。一方、上部磁性膜を構成するＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系
等のＣｏ系非晶質合金等は、各絶縁膜５，７，９に無理
な熱履歴を懸けることの無い温度でのアニール処理によ
って良好な軟磁性を得ることが可能である。また、上記
絶縁膜５，７，９を感光性の有機材料としているため、
コイル導体６，８等を形成する上でも有利である。従っ
て、高い再生出力を得ることができ、また、上下層とも
高い飽和磁束密度を有するので優れたオーバーライト特
性を示す。
においては、上記下部磁性膜３がＦｅ−Ｎｉ系合金より
も高い磁束飽和密度を有するＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の結晶質合金からなる軟磁性
薄膜であり、上記上部磁性膜１０が、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
よりも高い磁束飽和密度を有するＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等
のＣｏ系非晶質合金からなる軟磁性薄膜により構成され
ているため、高い飽和磁束密度を有する。また、その製
造工程においては、下部磁性膜３を構成するＦｅ−Ｇａ
−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等に充分な高温
下でのアニール処理を行うことが可能であり、また、上
記絶縁膜５，７，９の熱処理時に熱劣化を受けることは
ない。一方、上部磁性膜を構成するＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系
等のＣｏ系非晶質合金等は、各絶縁膜５，７，９に無理
な熱履歴を懸けることの無い温度でのアニール処理によ
って良好な軟磁性を得ることが可能である。また、上記
絶縁膜５，７，９を感光性の有機材料としているため、
コイル導体６，８等を形成する上でも有利である。従っ
て、高い再生出力を得ることができ、また、上下層とも
高い飽和磁束密度を有するので優れたオーバーライト特
性を示す。
【００２７】実施例 ２ 図２に、本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの断
面図を示す。図２において、図１と同様に、Ａｌ2 Ｔｉ
Ｏ3 セラミック等よりなる基板１上に、Ａｌ2 Ｏ3 膜
２、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の合
金からなる下部磁性膜３、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等のギ
ャップ絶縁膜４が形成されている。また、ギャップ絶縁
膜４上には第１の絶縁膜５，第１のコイル導体６が形成
され、さらに第２の絶縁膜７を介して第２のコイル導体
８が形成されており、その上には第３の絶縁膜９が形成
されている。各コイル６，７及び各絶縁膜５，７，９は
実施例１と同様に形成されている。
面図を示す。図２において、図１と同様に、Ａｌ2 Ｔｉ
Ｏ3 セラミック等よりなる基板１上に、Ａｌ2 Ｏ3 膜
２、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の合
金からなる下部磁性膜３、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等のギ
ャップ絶縁膜４が形成されている。また、ギャップ絶縁
膜４上には第１の絶縁膜５，第１のコイル導体６が形成
され、さらに第２の絶縁膜７を介して第２のコイル導体
８が形成されており、その上には第３の絶縁膜９が形成
されている。各コイル６，７及び各絶縁膜５，７，９は
実施例１と同様に形成されている。
【００２８】ここで、第３の絶縁膜９の上に形成される
上部磁性膜１３は、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等のＣｏ系非晶
質合金からなる軟磁性膜１３ａとＦｅ−Ｎｉ系合金より
なる軟磁性膜１３ｂの２種類の材料により構成されてい
る。軟磁性膜１２ａは、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等のＣｏ系
非晶質合金をスパッタ法により第３の磁性膜９上に形成
し、３００℃程度の温度下で回転磁場中アニール等のア
ニール処理を施し、ドライエッチングを用いて形成す
る。軟磁性膜１２ｂは、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を電解メッキ
を用いて上記軟磁性膜１２ａ上に形成する。なお、これ
らの軟磁性膜１２ａ，１２ｂの形状は、実施例１の上部
磁性膜１０と同様である。
上部磁性膜１３は、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等のＣｏ系非晶
質合金からなる軟磁性膜１３ａとＦｅ−Ｎｉ系合金より
なる軟磁性膜１３ｂの２種類の材料により構成されてい
る。軟磁性膜１２ａは、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等のＣｏ系
非晶質合金をスパッタ法により第３の磁性膜９上に形成
し、３００℃程度の温度下で回転磁場中アニール等のア
ニール処理を施し、ドライエッチングを用いて形成す
る。軟磁性膜１２ｂは、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を電解メッキ
を用いて上記軟磁性膜１２ａ上に形成する。なお、これ
らの軟磁性膜１２ａ，１２ｂの形状は、実施例１の上部
磁性膜１０と同様である。
【００２９】本実施例による形状の薄膜磁気ヘッドにお
いても、実施例１のヘッドと同様、ヘッド形成工程での
熱履歴による劣化が無いこと、絶縁膜５，７，９に感光
性の有機材料を使用できることから、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
にて磁性膜を作成した薄膜磁気ヘッドと同様の再生出力
を得ることができ、また、上下層とも高い飽和磁束密度
を有するので優れたオーバーライト特性を示す。
いても、実施例１のヘッドと同様、ヘッド形成工程での
熱履歴による劣化が無いこと、絶縁膜５，７，９に感光
性の有機材料を使用できることから、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
にて磁性膜を作成した薄膜磁気ヘッドと同様の再生出力
を得ることができ、また、上下層とも高い飽和磁束密度
を有するので優れたオーバーライト特性を示す。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気回路を構成する磁
性薄膜のうち、下部磁性膜を飽和磁束密度が９０００ガ
ウス以上の結晶質合金、例えばＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の結晶質合金とし、上部
磁性膜を例えばＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等のＣｏ系非晶質合
金としているので、飽和磁束密度が大幅に向上し、優れ
たオーバーライト特性を得ることができる。また、ヘッ
ド形成工程での熱履歴による劣化が無いこと、層間絶縁
膜に感光性の有機材料を使用できることから、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金にて磁性膜を作成した薄膜磁気ヘッドと同様の
再生出力を得ることができる。
明の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気回路を構成する磁
性薄膜のうち、下部磁性膜を飽和磁束密度が９０００ガ
ウス以上の結晶質合金、例えばＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等の結晶質合金とし、上部
磁性膜を例えばＣｏ−Ｚｒ−Ｐｄ系等のＣｏ系非晶質合
金としているので、飽和磁束密度が大幅に向上し、優れ
たオーバーライト特性を得ることができる。また、ヘッ
ド形成工程での熱履歴による劣化が無いこと、層間絶縁
膜に感光性の有機材料を使用できることから、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金にて磁性膜を作成した薄膜磁気ヘッドと同様の
再生出力を得ることができる。
【００３１】また、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの
製造プロセスの変更は必要なく、生産効率の低下や精度
の低下の心配はない。よって、本発明の工業的価値は非
常に高いものと思われる。
製造プロセスの変更は必要なく、生産効率の低下や精度
の低下の心配はない。よって、本発明の工業的価値は非
常に高いものと思われる。
【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１・・・・・・基板 ３・・・・・・下部磁性膜 ６，８・・・・コイル導体 １０，１２・・上部磁性膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下部磁性膜，コイル導体及び上
部磁性膜が絶縁膜を介して順次積層されてなる薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記下部磁性膜が飽和磁束密度９０００ガウス以上の結
晶質合金からなる軟磁性薄膜であり、前記上部磁性膜が
Ｃｏ系非晶質合金からなる軟磁性薄膜であることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31153791A JPH05128440A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31153791A JPH05128440A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128440A true JPH05128440A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18018434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31153791A Pending JPH05128440A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128440A (ja) |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP31153791A patent/JPH05128440A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991026 |