JPS60157795A - イオン打込み磁気バブル素子 - Google Patents
イオン打込み磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS60157795A JPS60157795A JP59011940A JP1194084A JPS60157795A JP S60157795 A JPS60157795 A JP S60157795A JP 59011940 A JP59011940 A JP 59011940A JP 1194084 A JP1194084 A JP 1194084A JP S60157795 A JPS60157795 A JP S60157795A
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- Japan
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- transfer paths
- distortion
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオン打込み転送路を用いた磁気バブルメモ
リ素子に関し、詳しくは、イオン杓込み層（バブル駆動
層）が、磁気バブルの転送路間で分離されていることを
特徴とするイオン打込み磁気バブル素子に関する。
リ素子に関し、詳しくは、イオン杓込み層（バブル駆動
層）が、磁気バブルの転送路間で分離されていることを
特徴とするイオン打込み磁気バブル素子に関する。
周知のように、イオン打込み方式Ｃ４気バブルメモリ素
子は、磁気バブルを保持するための磁性ガーネット膜ヘ
イオン打込みによって形成された、バブル転送路を有す
ることが牝徴であって、転送路にギャップがないため、
磁気バブルメモリ素子の高密度化に摘していると見なさ
１１．ている。上記バブル転送路は、第１（ａＬ （ｔ
＋）に示すように、磁気バブル１を保持するための磁性
ガーネット膜２の表面に、ポトレジスト膜もしくは金属
膜からなるマスク層３を形成し、水素やネオンなどのイ
オンを打込んで、このイオン打込みによる歪の効果で、
面内方向の磁化層４を形成することよって得られる。バ
ブル転送路は、マスク層を形成した非イオン打込み領域
であって、面内方向に磁界を印加するとこの縁部に磁荷
を帯びた特殊磁壁が生じ、磁気バブルはこの特殊磁壁に
吸引される。この特殊磁壁は、面内方向の回転磁界によ
って転送路の外周に沿って移動し、それにより、磁気バ
ブルが転送される。
子は、磁気バブルを保持するための磁性ガーネット膜ヘ
イオン打込みによって形成された、バブル転送路を有す
ることが牝徴であって、転送路にギャップがないため、
磁気バブルメモリ素子の高密度化に摘していると見なさ
１１．ている。上記バブル転送路は、第１（ａＬ （ｔ
＋）に示すように、磁気バブル１を保持するための磁性
ガーネット膜２の表面に、ポトレジスト膜もしくは金属
膜からなるマスク層３を形成し、水素やネオンなどのイ
オンを打込んで、このイオン打込みによる歪の効果で、
面内方向の磁化層４を形成することよって得られる。バ
ブル転送路は、マスク層を形成した非イオン打込み領域
であって、面内方向に磁界を印加するとこの縁部に磁荷
を帯びた特殊磁壁が生じ、磁気バブルはこの特殊磁壁に
吸引される。この特殊磁壁は、面内方向の回転磁界によ
って転送路の外周に沿って移動し、それにより、磁気バ
ブルが転送される。
周知のように、上記バブル転送路の形成に際しては、マ
スク層３だけを介してイオン打込みが行なわれるため、
現状の素子では、マスク層以外の磁性ガーネット膜全面
に面内方向の磁化層が形成される。すなわち、第２図に
示すように、隣接したバブル転送路間は、全て一様なイ
オン打込み歪層４である。したがって、素子の高密度化
に際して、隣接転送路間の距離が短くなると、第２図に
示すように、隣接転送上の磁気バブル間で互いに干渉し
合い、たとえば、磁気バブル１が隣接転送路に飛び込む
（磁気バブル１′）などの誤動作が生じてくる。
スク層３だけを介してイオン打込みが行なわれるため、
現状の素子では、マスク層以外の磁性ガーネット膜全面
に面内方向の磁化層が形成される。すなわち、第２図に
示すように、隣接したバブル転送路間は、全て一様なイ
オン打込み歪層４である。したがって、素子の高密度化
に際して、隣接転送路間の距離が短くなると、第２図に
示すように、隣接転送上の磁気バブル間で互いに干渉し
合い、たとえば、磁気バブル１が隣接転送路に飛び込む
（磁気バブル１′）などの誤動作が生じてくる。
そこで、この誤動作を防ぐために、例えば第３図（ａ）
、（ｂ）および第４図に示すような、隣接転送路間全部
方法が考案されている。
、（ｂ）および第４図に示すような、隣接転送路間全部
方法が考案されている。
第３図（ａ）、（ｂ）は、バブル転送用マス９Ｍ３形成
の際に、同時にこの転送路間に分離用マスク層６を形成
して、バブル転送路間の面内方向の磁化層（バブル駆動
層）を寸断して、前述の誤動作を防止するものである。
の際に、同時にこの転送路間に分離用マスク層６を形成
して、バブル転送路間の面内方向の磁化層（バブル駆動
層）を寸断して、前述の誤動作を防止するものである。
しかし、この方法では、隣接バブル転送路間の磁気バブ
ルの飛びによる誤動作は防止できるが、分離用マスク層
６の縁部に強力な磁荷が生じて磁気バブルが分離層に飛
び込むという新たな誤動作が生じる欠点がある。
ルの飛びによる誤動作は防止できるが、分離用マスク層
６の縁部に強力な磁荷が生じて磁気バブルが分離層に飛
び込むという新たな誤動作が生じる欠点がある。
一方、第４図は、この第３図の（ａ）、（ｂ）の欠点を
克服するために、ＭＯを用いたマスク層７などのサイド
エツチング法を用いている。前述の分離用マスク層６だ
けを薄くして、バブル転送路間で、図示したように面内
方向の磁化層に強弱をっけ、隣接転送路で生じる特殊磁
壁の影響を少なくして、第りで生じた誤動作を防止する
ものである。しかし、この方法においても、隣接バブル
転送路間の磁気バブルの飛びによる誤動作は防止できる
が、サイドエツチング法という極めて制御が困難なプロ
セス技術を用いるために、素子作製上、極めて再現性が
悪いという欠点がある９〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を解決し、隣接
バブル転送路を再現性よく分離する手段と、この転送路
間で磁気バブルの誤動作のないイオン打込み磁気バブル
素子を提供することにある。
克服するために、ＭＯを用いたマスク層７などのサイド
エツチング法を用いている。前述の分離用マスク層６だ
けを薄くして、バブル転送路間で、図示したように面内
方向の磁化層に強弱をっけ、隣接転送路で生じる特殊磁
壁の影響を少なくして、第りで生じた誤動作を防止する
ものである。しかし、この方法においても、隣接バブル
転送路間の磁気バブルの飛びによる誤動作は防止できる
が、サイドエツチング法という極めて制御が困難なプロ
セス技術を用いるために、素子作製上、極めて再現性が
悪いという欠点がある９〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を解決し、隣接
バブル転送路を再現性よく分離する手段と、この転送路
間で磁気バブルの誤動作のないイオン打込み磁気バブル
素子を提供することにある。
本発明は、高密度磁気バブル素子において、隣接転送路
（ループ）間のバブル間干渉などによる誤動作を防止す
るため、イオン打込み層を分離するパターン形成法に関
する。
（ループ）間のバブル間干渉などによる誤動作を防止す
るため、イオン打込み層を分離するパターン形成法に関
する。
詳しくは、従来のイオン打込みマスク層の形成による分
離パターン形成法とは異なり、マイクロイオンビーｌ・
、を用いて、直接イオン打込み歪層に歪の強弱をつけて
、」二記ループ間分前層を構成するものである。
離パターン形成法とは異なり、マイクロイオンビーｌ・
、を用いて、直接イオン打込み歪層に歪の強弱をつけて
、」二記ループ間分前層を構成するものである。
上記マイクロイオンビームは、そのビーム強度、−がガ
ウス分布を示し、本発明は、このビーム強度の強弱を用
いて、たとえば−筆書きのような手法により、イオン打
込み層の分離層を形成するものである。
ウス分布を示し、本発明は、このビーム強度の強弱を用
いて、たとえば−筆書きのような手法により、イオン打
込み層の分離層を形成するものである。
さらに、上記マイクロイオンビームを所望の径（０，１
〜１０μｍ）に絞ることにより、マスクレスドーピング
法を用いた、イオン打込み層分離型の高密度イオン打込
み磁気バブル素子を提供することができる。
〜１０μｍ）に絞ることにより、マスクレスドーピング
法を用いた、イオン打込み層分離型の高密度イオン打込
み磁気バブル素子を提供することができる。
第５図は（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の一実施例
として、磁気バブル転送路形成用のマスクより、大きな
直径を有したマイクロイオンビーム８を用いて、隣接ル
ープ間のイオン打込み歪層を分離したイオン打込み磁気
バブル素子の模式図を示す。
として、磁気バブル転送路形成用のマスクより、大きな
直径を有したマイクロイオンビーム８を用いて、隣接ル
ープ間のイオン打込み歪層を分離したイオン打込み磁気
バブル素子の模式図を示す。
第５図（ａ）に図示したごとく、マイクロイオンビーム
の断面形状は、所望径のかつ完全な円形を示し、このイ
オンビームの強度は通常ガウス分布を示す。このような
強度分布をもったマイクロイオンビームを第５図（ｂ）
中の矢印のごとく、マスク層３の中心線上にそって走査
すると、イオン打込みによって形成された磁性ガーネッ
ト膜中の歪は、マスク層の縁部では大きく、隣接転送路
間の中心部では小さくなる。そこで、次に隣のマスク層
３の中心線上にそって、さらにこのイオンビームを走査
すると隣接転送路間の歪は合成され、結果として第５図
（ｃ）に図示したような歪の強弱を有したイオン打込転
送路が形成できる。すなわち、磁気バブルの転送に必要
な転送路（マスク層）縁部では、歪の値がマイクロイオ
ンビームの強度を反映して大きく、逆に転送路間の中心
部では、前述の誤動作をまねく歪層（歪の値）を小さく
できる。
の断面形状は、所望径のかつ完全な円形を示し、このイ
オンビームの強度は通常ガウス分布を示す。このような
強度分布をもったマイクロイオンビームを第５図（ｂ）
中の矢印のごとく、マスク層３の中心線上にそって走査
すると、イオン打込みによって形成された磁性ガーネッ
ト膜中の歪は、マスク層の縁部では大きく、隣接転送路
間の中心部では小さくなる。そこで、次に隣のマスク層
３の中心線上にそって、さらにこのイオンビームを走査
すると隣接転送路間の歪は合成され、結果として第５図
（ｃ）に図示したような歪の強弱を有したイオン打込転
送路が形成できる。すなわち、磁気バブルの転送に必要
な転送路（マスク層）縁部では、歪の値がマイクロイオ
ンビームの強度を反映して大きく、逆に転送路間の中心
部では、前述の誤動作をまねく歪層（歪の値）を小さく
できる。
したがって、本発明のマイクロイオンビームによる歪層
形成を繰り返せば、ウェーハ全面にわたって、第４図と
同様な、隣接転送路間でバブル誤動作（バブルの飛び込
みなど）のない素子構成が可能となる。
形成を繰り返せば、ウェーハ全面にわたって、第４図と
同様な、隣接転送路間でバブル誤動作（バブルの飛び込
みなど）のない素子構成が可能となる。
なお、マイクロイオンビームの走査に関しては、素子特
性上、必要な所望のドース量（歪量）まで、同一箇所を
繰り返し走査することも可能である。
性上、必要な所望のドース量（歪量）まで、同一箇所を
繰り返し走査することも可能である。
また、このマイクロイオンビーム走査による本発明のイ
オン打込み歪層分離パターンの形成：＆は、極めて精度
の高いものであり、従来のサイドエツチング法などによ
る分離マスク層形成法と比較して、プロセス上極めて再
現性の高いものである。
オン打込み歪層分離パターンの形成：＆は、極めて精度
の高いものであり、従来のサイドエツチング法などによ
る分離マスク層形成法と比較して、プロセス上極めて再
現性の高いものである。
第６図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の一実施例と
して、磁気バブル転送路形成用のマスクより小さな直径
を有したマイクロイオンビーム８を用いて、隣接ループ
間のイオンｈ込み歪層を分離したイオン打込み磁気バブ
ル素子の模式図を示す。この場合には、第６図（、）に
図示したような強度分布（ガウス分布）のマイクロイオ
ンビームをマスク層３縁部にそって走査すれば、第５図
に示した構成と同様な、マイクロイオンビームの強度を
反映して、歪の強弱を有したイオン打込み転送路か形成
できる。すなわち、転送路間の中心部では、歪を小さく
して、隣接ループで生じる特殊磁壁の影響を少なくでき
、隣接転送路間でバブル誤動作のない素子構成が可能と
なる。
して、磁気バブル転送路形成用のマスクより小さな直径
を有したマイクロイオンビーム８を用いて、隣接ループ
間のイオンｈ込み歪層を分離したイオン打込み磁気バブ
ル素子の模式図を示す。この場合には、第６図（、）に
図示したような強度分布（ガウス分布）のマイクロイオ
ンビームをマスク層３縁部にそって走査すれば、第５図
に示した構成と同様な、マイクロイオンビームの強度を
反映して、歪の強弱を有したイオン打込み転送路か形成
できる。すなわち、転送路間の中心部では、歪を小さく
して、隣接ループで生じる特殊磁壁の影響を少なくでき
、隣接転送路間でバブル誤動作のない素子構成が可能と
なる。
なお、本発明のマイクロイオンビームに水素イオンを用
いるのは、水素イオンは他のＨｅやＮｅなどのイオンと
異なり、打込んだイオンで生じる歪層にほぼ比例して、
面内方向に大きな磁化層が形成できるためである。また
、さらにこの水素イオン打込みによって、歪層を形成す
る場合には、素子特性の安定化のために必要な熱処理の
際に、水素が熱拡散により揮散する恐れがあるために、
ＳｉＣ２膜などの絶縁膜やあるいは半導体膜などによっ
て、イオン打込み層をコーティングすることが必須であ
る。
いるのは、水素イオンは他のＨｅやＮｅなどのイオンと
異なり、打込んだイオンで生じる歪層にほぼ比例して、
面内方向に大きな磁化層が形成できるためである。また
、さらにこの水素イオン打込みによって、歪層を形成す
る場合には、素子特性の安定化のために必要な熱処理の
際に、水素が熱拡散により揮散する恐れがあるために、
ＳｉＣ２膜などの絶縁膜やあるいは半導体膜などによっ
て、イオン打込み層をコーティングすることが必須であ
る。
第７図は、本発明の一実施例として、マイクロイオンビ
ーム８を用いて、マスクレス打込みを行なった場合の隣
接ループ間のイオン打込み歪層を分離したイオン打込み
磁気バブル素子の模式図を示す。この場合には、図示し
た強度分布８をもつマイクロイオンビームを所望の形状
で走査することにより直接、隣接転送路間のイオン打込
み歪層４分離型の素子構成が可能となる。さらに、本構
成においては、マスク層形成（マスク材積層−ホトレジ
−パターン形成）というプロセス工程を省略することが
でき、極めて量産性にすぐれ、かつ再現性の高い素子作
製プロセスが実現可能となる。
ーム８を用いて、マスクレス打込みを行なった場合の隣
接ループ間のイオン打込み歪層を分離したイオン打込み
磁気バブル素子の模式図を示す。この場合には、図示し
た強度分布８をもつマイクロイオンビームを所望の形状
で走査することにより直接、隣接転送路間のイオン打込
み歪層４分離型の素子構成が可能となる。さらに、本構
成においては、マスク層形成（マスク材積層−ホトレジ
−パターン形成）というプロセス工程を省略することが
でき、極めて量産性にすぐれ、かつ再現性の高い素子作
製プロセスが実現可能となる。
なお、本発明の実施例第５図から第７図において、マイ
クロイオンビームの走査という観点からイオン打込み層
の構成について述べたが、これは電子線描画装置などに
使われているビームを固定し、ウェーハ支持台の走査に
よっても全く等価なイオン打込み層の構成が可能である
。
クロイオンビームの走査という観点からイオン打込み層
の構成について述べたが、これは電子線描画装置などに
使われているビームを固定し、ウェーハ支持台の走査に
よっても全く等価なイオン打込み層の構成が可能である
。
以上述べたように、本発明は、従来技術の欠点を解決し
、マイクロイオンビームにより隣接バブル転送路間のイ
オン打込み歪層を再現性よく分離することができ、かつ
この転送路間で誤動作のないイオン打込み磁気バブル素
子を提供することができる。
、マイクロイオンビームにより隣接バブル転送路間のイ
オン打込み歪層を再現性よく分離することができ、かつ
この転送路間で誤動作のないイオン打込み磁気バブル素
子を提供することができる。
第１図はイオン打込み転送路の概略構成を示すための模
式図、第２図は隣接転送路間のバブル誤動作を説明する
ための模式図、第３図および第４図は周知の隣接転送路
（ループ）間分離パターン形成法を説明するための構成
図、第５図から第７図は本発明の原理を示すための隣接
転送路間のイオン打込み歪層を分離したイオン打込み転
送路の構成図を示す。 １・・・磁気バブル、２・・・磁性ガーネット、３・・
・マスク層、４・・イオン打込み歪層（面内磁化層）、
５・・・基板結晶（ＧＧＧ）＋ ６・・・分離用マスク
層、７・・・サイドエツチング用マスク層、８・・・マ
イクロイ第 ｌ 日 第 ２ 口 第 ４ 口 奉 ５ 日 第 ６ 図 幅（イイト、）
式図、第２図は隣接転送路間のバブル誤動作を説明する
ための模式図、第３図および第４図は周知の隣接転送路
（ループ）間分離パターン形成法を説明するための構成
図、第５図から第７図は本発明の原理を示すための隣接
転送路間のイオン打込み歪層を分離したイオン打込み転
送路の構成図を示す。 １・・・磁気バブル、２・・・磁性ガーネット、３・・
・マスク層、４・・イオン打込み歪層（面内磁化層）、
５・・・基板結晶（ＧＧＧ）＋ ６・・・分離用マスク
層、７・・・サイドエツチング用マスク層、８・・・マ
イクロイ第 ｌ 日 第 ２ 口 第 ４ 口 奉 ５ 日 第 ６ 図 幅（イイト、）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルを保持し得る磁性ガーネット膜の表面領
域の所望部分に、マイクロイオンビームを用いてイオン
を打込むことにより、上記所望部分に面内方向の磁化層
（バブル駆動層）を形成することを特徴とするイオン打
込み磁気バブル素子。 − ２、上記マイクロイオンビームは、水素イオンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオン打込
み磁気バブル素子。 ３、上記マイクロイオンビームによって形成されたイオ
ン打込み層（バブル駆動層）は、磁気バブルの転送路間
で分離されていることは特徴とする特許請求の範囲第１
または２項記載のイオン打込み磁気バブル素子。 ４、上記マイクロイオンビームによって形成されたイオ
ン打込みＭ（バブル駆動層）は、絶縁膜および半導体膜
で積層され、熱処理を施されることを特徴とする特許請
求の範囲第１または２項記載のイオン打込み磁気バブル
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011940A JPS60157795A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | イオン打込み磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011940A JPS60157795A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | イオン打込み磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157795A true JPS60157795A (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=11791642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011940A Pending JPS60157795A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | イオン打込み磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7410435B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Hydraulic pipe mechanism for industrial vehicle |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59011940A patent/JPS60157795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7410435B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Hydraulic pipe mechanism for industrial vehicle |
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