JP2020165817A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 磁界感度の更なる向上を図ることができる磁気センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 最初に第一軟磁性薄膜12を形成し、次に、前記第一軟磁性薄膜12に接してTMR薄膜20を形成し、次に、前記第一軟磁性薄膜12に対して前記TMR薄膜20を挟むように第二軟磁性薄膜32を形成する。そして、前記TMR薄膜20の表面をエッチングして、膜厚を小さくする。その後、前記第一軟磁性薄膜12及び第二軟磁性薄膜32に電極521,522を形成するとともに、前記第一軟磁性薄膜12,TMR薄膜20,第二軟磁性薄膜32の上に、第二保護膜56を形成する。TMR薄膜20の膜厚を第一軟磁性薄膜12及び第二軟磁性薄膜32の膜厚よりも小さくすることで、第一軟磁性薄膜12及び第二軟磁性薄膜32からの漏れ磁束の磁束密度を高めてTMR薄膜20に作用するようになり、感度が向上する。【選択図】図1
Description
本発明は、トンネル磁気抵抗(TMR:Tunnel Magneto Resistance)効果を利用した磁気センサの改良に関する。
トンネル磁気抵抗効果を利用した磁気センサは、MR比(磁気抵抗変化率)が高い,TMR効果を有する材料が薄膜であるため小型化に適している,等の利点がある。TMR効果を示す材料としては、例えば金属−絶縁体系ナノグラニュラー膜がある。しかし、金属-絶縁体系ナノグラニュラー膜は、低磁界における磁界感度が非常に小さい。
このような欠点を改善するものとして、下記特許文献記載の背景技術がある。まず、下記特許文献1記載の「薄膜磁界センサ」には、TMR薄膜の両端に軟磁性薄膜を配置し、TMR薄膜の磁界感度を上げる点が開示されている(同公報図1参照)。下記特許文献2には、軟磁性薄膜から漏れる磁束を効率よくTMR薄膜に作用させるために、TMR薄膜が配置される軟磁性薄膜間のギャップ長を短くし、またTMR薄膜と軟磁性薄膜間の電気的接触状態のばらつきを低減させるようにした磁気センサ及びその製造方法が開示されている(同公報図2参照)。下記特許文献3には、軟磁性薄膜からの漏れ磁束の磁束密度を高めてTMR薄膜へ作用させることができるよう、軟磁性薄膜の膜厚(同公報図3のtf)に対するTMR薄膜の膜厚(同公報図3のtg)の比tg/tfが1以下、好ましくは0.9〜0.8以下とすることが開示されている。
しかしながら、上述した背景技術のうち、特許文献2では、ギャップ長を短くできる,TMR薄膜と軟磁性薄膜の接触状態を安定させることができる,といった点で有利であるが、軟磁性薄膜の膜厚とTMR薄膜の膜厚の比は「1」にすることはできても、「1」以下にすることは難しく、更なる感度の向上を図ることが難しい。
本発明は、かかる点に着目したもので、磁界感度の更なる向上を図ることができる磁気センサ及びその製造方法を提供することを、その目的とする。
本発明の磁気センサの製造方法は、TMR薄膜が第一軟磁性薄膜と第二軟磁性薄膜とによって挟まれている磁気センサの製造方法であって、第一軟磁性薄膜を形成する第一軟磁性薄膜形成工程と、前記第一軟磁性薄膜に接してTMR薄膜を形成するTMR薄膜形成工程と、前記第一軟磁性薄膜に対して前記TMR薄膜を挟むように第二軟磁性薄膜を形成する第二軟磁性薄膜形成工程と、前記TMR薄膜の表面をエッチングするTMR薄膜エッチング工程と、前記第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜に電極を形成する電極形成工程と、前記第一軟磁性薄膜,TMR薄膜,第二軟磁性薄膜の上に、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、を備えたことを特徴とする。主要な形態の一つによれば、前記TMR薄膜エッチング工程におけるエッチングをイオンミリングにより行うことを特徴とする。
本発明の磁気センサは、前記製造方法で製造した磁気センサであって、TMR薄膜の膜厚が第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。主要な形態の一つによれば、前記TMR薄膜が、金属−絶縁体系ナノグラニュラー膜,金属−金属系ナノグラニュラー膜,もしくは、磁性体で絶縁体を挟んで積層した積層膜であることを特徴とする。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
本発明によれば、TMR薄膜をエッチング工程によりエッチングし、TMR薄膜の膜厚を第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜の膜厚よりも小さくすることとしたので、第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜からの漏れ磁束の磁束密度を高めてTMR薄膜に作用するようになり、感度の向上を図ることができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。
最初に、本発明の磁気センサの製造方法の実施例から説明する。本実施例の製造方法は、
a,第一軟磁性薄膜形成工程,
b,TMR薄膜形成工程,
c,第二軟磁性薄膜形成工程,
d,TMR薄膜エッチング工程,
e,電極形成工程,
f,表面保護膜形成工程,
を備えている。
a,第一軟磁性薄膜形成工程,
b,TMR薄膜形成工程,
c,第二軟磁性薄膜形成工程,
d,TMR薄膜エッチング工程,
e,電極形成工程,
f,表面保護膜形成工程,
を備えている。
まず、図1を参照して、第一軟磁性薄膜形成工程から説明すると、絶縁性・非磁性の基板10の主面に、第一軟磁性層12Aを堆積する(同図(A)参照)。次に、その上にフォトレジスト層14Aを塗布した後、所定のパターンを有するマスク16を配置して露光を行う(同図(B)参照)。そして、現像処理によりフォトレジスト層14Aの感光部を除去することで、第一軟磁性薄膜12を形成する部分に、フォトレジスト膜14Bが形成される(同図(C)参照)。必要があれば、フォトレジスト膜14Bに対してポストベーク処理を施す。この状態でイオンビームなどによるエッチング処理を行って、不要な第一軟磁性層12Aを除去し、第一軟磁性薄膜12を形成する(同図(D)参照)。このとき、エッチング条件を適宜設定することで、第一軟磁性薄膜12の端面に傾斜角θが形成される。その後、フォトレジスト膜14Bは除去される(同図(E)参照)。以上のようにして、基板10上に第一軟磁性膜12が形成される。
次に、図2を参照して、TMR薄膜形成工程を説明すると、まず、主面の全体にTMR層20Aを堆積させ(同図(A)参照)、TMR薄膜20となる部分にフォトレジスト膜22を形成する(同図(B)参照)。この状態でイオンビームなどによるエッチング処理を行って、不要なTMR層20Aを除去し、TMR薄膜20を形成する(同図(C)参照)。その後、フォトレジスト膜22は除去される(同図(D)参照)。以上のようにして、第一軟磁性薄膜12の表面から傾斜面に掛けて、TMR薄膜20が形成される。
次に、図3を参照して、第二軟磁性薄膜形成工程を説明すると、前記図1(B)〜(C)と同様にして、所定部分を除いてフォトレジスト膜30を形成する(同図(A)参照)。そして、主面全体に第二軟磁性層32Aを形成し(同図(B)参照)、その後、フォトレジスト膜30を除去(リフトオフ)すると、第一軟磁性薄膜12とTMR薄膜20の上の第二軟磁性層32Aが残る(同図(C)参照)。この状態では、第一軟磁性薄膜12と第二軟磁性層32Aとが直接接しているので、これをTMR薄膜20を挟むように、不要部分を除去する必要がある。そこで、まず、主面の全体に、絶縁性かつ非磁性の第一保護膜34Aを堆積させる(同図(D)参照)。この第一保護膜34Aは、その下の凹凸を平坦化するためと、第一軟磁性薄膜12とTMR薄膜20を保護するために設けられる。そして、第一軟磁性薄膜12と第二軟磁性層32Aとが直接接触している部分がなくなるまで、機械研磨その他の適宜の方法により主面側を除去する(同図(E),(F)参照)。
このようにして、第二軟磁性薄膜32が形成される(図4(A)参照)。すなわち、所定の傾斜角θを有する対向面を備えた第一軟磁性薄膜12と、前記傾斜角θの対向面上に堆積させたTMR薄膜20と、このTMR薄膜20に堆積させた第二軟磁性薄膜32とによる積層構造が得られる。以上の各工程は、上述した特許文献2の方法と同様である。
ところで、本実施例では、図4に示すように、TMR薄膜20の膜厚を、第一軟磁性薄膜12及び第二軟磁性薄膜32よりも小さくするためのTMR薄膜エッチング工程による処理が行われる。図4(A)において、第一軟磁性薄膜12の膜厚(基板10からの高さ,以下同様)をta,第二軟磁性薄膜32の膜厚をtb,TMR薄膜20の膜厚をtcとすると、ta≒tb≒tcとなり、tc/ta≒1,tc/tb≒1である。本実施例では、比が1以下となるように、TMR薄膜20の膜厚tcが低減される。まず、主面上にフォトレジスト層40を形成し、フォトリソグラフィにより、TMR薄膜20が露出する開口42を形成する(同図(B)参照)。この状態でエッチング処理を施すと、開口42に露出しているTMR薄膜20やその周囲の第一軟磁性薄膜12及び第二軟磁性薄膜32がエッチングされ、膜厚がtcからtdとなる(同図(C)参照)。その後、フォトレジスト層40は除去される(同図(D)参照)。この図4(D)の状態を斜視図で示すと、図6(A)のようになる。上記図4(C)のエッチング処理としては、各種の公知の方法を適用してよいが、例えば、イオンミリングが好適である。
次に、図5(A)〜(C)を参照して、電極形成工程について説明する。上述した図4(D)の状態から、フォトリソグラフィにより、電極を形成する領域を除いて、フォトレジスト層50を形成する(図5(A)参照)。そして、主面上に導電性材料により導電性薄膜52Aを堆積し(同図(B)参照)、フォトレジスト層50を除去(リフトオフ)する。これにより、第一軟磁性薄膜12の端部には電極521が形成され、第二軟磁性薄膜32の端部には電極522が形成される(同図(C)参照)。
次に、図5(D)〜(F)を参照して、表面保護膜形成工程について説明する。まず、フォトリソグラフィにより、保護膜を形成する領域を除いて、フォトレジスト層54を形成する(同図(D)参照)。そして、主面の全体に、所定の厚さを有する第二保護層56Aを堆積させ(同図(E)参照)、フォトレジスト層54を除去(リフトオフ)する。これにより、第一軟磁性薄膜12,TMR薄膜20,第二軟磁性薄膜32の表面が、電極521,522が露出するように、第二保護膜56で覆われるようになる。以上の電極形成工程及び表面保護工程は、上述した特許文献2と同様である。
このように、本実施例によれば、TMR薄膜エッチング工程により、TMR薄膜20の膜厚tdが第一軟磁性薄膜12の膜厚ta及び第二軟磁性薄膜32の膜厚tbよりも小さくなり、膜厚の比td/ta<1,td/tb<1となる。このため、第一軟磁性薄膜12,第二軟磁性薄膜32からの漏れ磁束の磁束密度を高めてTMR薄膜20に作用するようになり、感度の向上を図ることができる。
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えることができる。例えば、以下のものも含まれる。
(1)TMR薄膜20を形成した開口42の形状としては、図6(A)に示した逆台形状の他、同図(B)に示す開口42Aのように略矩形状としてもよいし、同図(C)に示す開口42Bのように略円弧形状としてもよい。
(2)各部を形成する材料としては、上述した特許文献1〜3に記載されたものをそのまま適用することができる。また、エッチングなど各工程の手法も同様である。
(3)前記実施例では、図6(A)に示したように、特許文献1記載の平面形状となっているが、特許文献2や特許文献3のような平面形状としてもよい。
(4)TMR薄膜20としては、金属−絶縁体系ナノグラニュラー膜が好適であるが、金属−金属系ナノグラニュラー膜や、磁性体で絶縁体を挟んで積層した積層膜であってもよい。積層膜の場合、第一軟磁性薄膜12と第二軟磁性薄膜32との間に、磁性体ー絶縁体ー磁性体の積層膜が挟まれることになる。
(1)TMR薄膜20を形成した開口42の形状としては、図6(A)に示した逆台形状の他、同図(B)に示す開口42Aのように略矩形状としてもよいし、同図(C)に示す開口42Bのように略円弧形状としてもよい。
(2)各部を形成する材料としては、上述した特許文献1〜3に記載されたものをそのまま適用することができる。また、エッチングなど各工程の手法も同様である。
(3)前記実施例では、図6(A)に示したように、特許文献1記載の平面形状となっているが、特許文献2や特許文献3のような平面形状としてもよい。
(4)TMR薄膜20としては、金属−絶縁体系ナノグラニュラー膜が好適であるが、金属−金属系ナノグラニュラー膜や、磁性体で絶縁体を挟んで積層した積層膜であってもよい。積層膜の場合、第一軟磁性薄膜12と第二軟磁性薄膜32との間に、磁性体ー絶縁体ー磁性体の積層膜が挟まれることになる。
本発明によれば、TMR薄膜をエッチング工程によりエッチングし、TMR薄膜の膜厚を第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜の膜厚よりも小さくすることとしたので、第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜からの漏れ磁束の磁束密度を高めてTMR薄膜に作用するようになり、感度の向上を図ることができるので、磁気センサに好適である。
10:基板
12:第一軟磁性薄膜
12A:第一軟磁性層
14A:フォトレジスト層
14B:フォトレジスト膜
16:マスク
20:TMR薄膜
20A:TMR層
22:フォトレジスト膜
30:フォトレジスト膜
32:第二軟磁性薄膜
32A:第二軟磁性層
34A:第一保護膜
40:フォトレジスト層
42,42A,42B:開口
50:フォトレジスト層
52A:導電性薄膜
54:フォトレジスト層
56:第二保護膜
56A:第二保護層
521,522:電極
12:第一軟磁性薄膜
12A:第一軟磁性層
14A:フォトレジスト層
14B:フォトレジスト膜
16:マスク
20:TMR薄膜
20A:TMR層
22:フォトレジスト膜
30:フォトレジスト膜
32:第二軟磁性薄膜
32A:第二軟磁性層
34A:第一保護膜
40:フォトレジスト層
42,42A,42B:開口
50:フォトレジスト層
52A:導電性薄膜
54:フォトレジスト層
56:第二保護膜
56A:第二保護層
521,522:電極
Claims (4)
- TMR薄膜が第一軟磁性薄膜と第二軟磁性薄膜とによって挟まれている磁気センサの製造方法であって、
第一軟磁性薄膜を形成する第一軟磁性薄膜形成工程と、
前記第一軟磁性薄膜に接してTMR薄膜を形成するTMR薄膜形成工程と、
前記第一軟磁性薄膜に対して前記TMR薄膜を挟むように第二軟磁性薄膜を形成する第二軟磁性薄膜形成工程と、
前記TMR薄膜の表面をエッチングするTMR薄膜エッチング工程と、
前記第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜に電極を形成する電極形成工程と、
前記第一軟磁性薄膜,TMR薄膜,第二軟磁性薄膜の上に、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
を備えたことを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記TMR薄膜エッチング工程におけるエッチングをイオンミリングにより行うことを特徴とする請求項1記載の磁気センサの製造方法。
- 請求項1又は2記載の製造方法で製造した磁気センサであって、TMR薄膜の膜厚が第一軟磁性薄膜及び第二軟磁性薄膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする磁気センサ。
- 前記TMR薄膜が、金属−絶縁体系ナノグラニュラー膜,金属−金属系ナノグラニュラー膜,もしくは、磁性体で絶縁体を挟んで積層した積層膜であることを特徴とする請求項3記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019066787A JP2020165817A (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 磁気センサ及びその製造方法 |
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