JPS6079590A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6079590A JPS6079590A JP58186732A JP18673283A JPS6079590A JP S6079590 A JPS6079590 A JP S6079590A JP 58186732 A JP58186732 A JP 58186732A JP 18673283 A JP18673283 A JP 18673283A JP S6079590 A JPS6079590 A JP S6079590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- transfer paths
- bubble
- pattern
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイオンを打込むことによシバプル転送路を形成
する９３＆ ’Ａバブルメモリ、４（子（以下イオン打
込み素子と記す）に係シ、特に高密度化を図るに必要な
転送路間分離を行うための素子構造を備えた磁気バブル
メモリ孝子に関する。
する９３＆ ’Ａバブルメモリ、４（子（以下イオン打
込み素子と記す）に係シ、特に高密度化を図るに必要な
転送路間分離を行うための素子構造を備えた磁気バブル
メモリ孝子に関する。
従来のイオン打込み素子においては、第１図。
第２図に示す如く磁性ガーネット５の上部にマスクパタ
ーン１を形成しイオン打込みを行う。このイオン打込み
により磁性ガーネット上層部には面内方向を向いた磁化
７が形成されるつイオン打込み素子においては、この面
内方向を向いた磁化７がマスクパターン１周辺で不均一
に分布することによシ発生する特殊な磁極３（以下チャ
ージドウオールと記す）を利用してバブルを転送する。
ーン１を形成しイオン打込みを行う。このイオン打込み
により磁性ガーネット上層部には面内方向を向いた磁化
７が形成されるつイオン打込み素子においては、この面
内方向を向いた磁化７がマスクパターン１周辺で不均一
に分布することによシ発生する特殊な磁極３（以下チャ
ージドウオールと記す）を利用してバブルを転送する。
このチャージドウオール３は面内方向の外部磁界を回転
させることによシバターン周辺を移動し、このチャージ
ドウオール３に引きつけられたバブル２も移動する。し
かしながら従来のイオン打込み素子においては、一つの
転送路に発生するチャージドウオールが隣接する転送路
に発生する他のチャージドウオールと合体しやすいとい
う問題がある。第１図に示したチャージドウオール３は
その一例を示す。このとき、転送路上にあるバブル２は
隣接する転送路上のバブル２′の位置に移動しゃすくな
シバそりの誤動作の原因となる。
させることによシバターン周辺を移動し、このチャージ
ドウオール３に引きつけられたバブル２も移動する。し
かしながら従来のイオン打込み素子においては、一つの
転送路に発生するチャージドウオールが隣接する転送路
に発生する他のチャージドウオールと合体しやすいとい
う問題がある。第１図に示したチャージドウオール３は
その一例を示す。このとき、転送路上にあるバブル２は
隣接する転送路上のバブル２′の位置に移動しゃすくな
シバそりの誤動作の原因となる。
この問題に対し、’ｌ’、Ｊ、Ｎｅ１ｓｏｎ等は第３図
。
。
第４図に示した方法を提案している（ ＩＣＭＢ’−４
゜Ｇ １ ＋ １９８０ Ｊ ａｐａｎ 、篠原他第６
回日本応用磁気学会学術講演概要集、１５ａ、Ｌ）−
１，ｐ６９゜１９８２．１１月）。
゜Ｇ １ ＋ １９８０ Ｊ ａｐａｎ 、篠原他第６
回日本応用磁気学会学術講演概要集、１５ａ、Ｌ）−
１，ｐ６９゜１９８２．１１月）。
この方法においては、転送路間１にイオンの打込まれな
い領域１′を作シ、両転送路間のチャージドウオールを
分離する。しかしながら、この方法によｐ両転送路間の
チャージドウオールは分離するが、新たな問題が発生す
ることも明らかとなった。すなわち、両転送路間の分離
に用いた非打込み領域１′は転送路作成に用いたマスク
パターン１と同穐のマスク相を用いておシ、領域１′の
境界には転送路と同様に矩形断面を廟するイオン打込み
がなされている。このため、領域１′の境界には転送路
１と同様なチャージドウオールが発生し、バブルの転送
に悪影響を及ばず。
い領域１′を作シ、両転送路間のチャージドウオールを
分離する。しかしながら、この方法によｐ両転送路間の
チャージドウオールは分離するが、新たな問題が発生す
ることも明らかとなった。すなわち、両転送路間の分離
に用いた非打込み領域１′は転送路作成に用いたマスク
パターン１と同穐のマスク相を用いておシ、領域１′の
境界には転送路と同様に矩形断面を廟するイオン打込み
がなされている。このため、領域１′の境界には転送路
１と同様なチャージドウオールが発生し、バブルの転送
に悪影響を及ばず。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、この新たなチャージドウオールを発生
させることなく転送路間の分離を図ることにある。
させることなく転送路間の分離を図ることにある。
本発明においては、転送路間の分離を図るために用いる
イオン打込みに対するマスクパターンとして、側面にテ
ーパのついたマスク材を用いる。
イオン打込みに対するマスクパターンとして、側面にテ
ーパのついたマスク材を用いる。
このマスク材を用いるとき、イオン打込みをされる領域
とされない領域の境界においてイオン打込みの深さは連
続的に変化する。このようにイオン打込みのＣｋさが連
続的に変化する境界においてはバブルを吸引する程のチ
ャージドウオールの発生は見られない。したがって、本
発明にぶれば有害なチャージドウオールを発生させるこ
となく転送路間の分離を図ることが可能となる。
とされない領域の境界においてイオン打込みの深さは連
続的に変化する。このようにイオン打込みのＣｋさが連
続的に変化する境界においてはバブルを吸引する程のチ
ャージドウオールの発生は見られない。したがって、本
発明にぶれば有害なチャージドウオールを発生させるこ
となく転送路間の分離を図ることが可能となる。
ＣＢＦＪＡの実施例〕
実施しｌ１１
以下Ｘ本発明の一実廁列を、２も５図、第６図を用いて
説明する。ガドリニウムガリウムガーネット基板４の上
に単結晶成長した磁性ガーイ・ット膜５をバブル媒体と
して用いる。磁性ガーイ・ットの組成として（Ｙ８ｍＬ
ｕＧｄ）：＋ （Ｆ’ｅＧａ）５０１２を用い、膜厚１
．２ μ＋１１．バブル消滅ｊａ＆５′ｆ、４８００
ｅＮ ｆｉｌオ１１磁束密度８９０Ｇの材料を用いた。
説明する。ガドリニウムガリウムガーネット基板４の上
に単結晶成長した磁性ガーイ・ット膜５をバブル媒体と
して用いる。磁性ガーイ・ットの組成として（Ｙ８ｍＬ
ｕＧｄ）：＋ （Ｆ’ｅＧａ）５０１２を用い、膜厚１
．２ μ＋１１．バブル消滅ｊａ＆５′ｆ、４８００
ｅＮ ｆｉｌオ１１磁束密度８９０Ｇの材料を用いた。
この磁性ガーネット膜にハードバブル抑ｌ１ｉｊｌ用の
イオン４’Ｊ込みを行い、次にマスクパターン１を形成
する。ここでマスクパターン１の材料としては５０００
人のＭＯ膜全用い＼ホトレジストパターンを形成した後
、ＣＦ４ガスを用いたプラズマエツチングによｐＭｏパ
ターンを形成する。次いで、隣接する２つの転送路の中
間にレジストパターンを形成する。
イオン４’Ｊ込みを行い、次にマスクパターン１を形成
する。ここでマスクパターン１の材料としては５０００
人のＭＯ膜全用い＼ホトレジストパターンを形成した後
、ＣＦ４ガスを用いたプラズマエツチングによｐＭｏパ
ターンを形成する。次いで、隣接する２つの転送路の中
間にレジストパターンを形成する。
ここでレジスト材料として膜厚１μｍのＡＺ１３５０Ｊ
（ヘギスト社商品名）を用い、レジストパターン形成後
１８０ｔｌ’３０分の熱処理を行う。この熱処理により
レジスト１ｌｌｊ面は流動し第６図に示すようなテーパ
つきレジストパターン８を得る。このように、ＭＯによ
る転送路パターン１とテーパっきレジストパターン８を
形成した後、イオン打込みを行う。ここでイオン打込み
ｑこはＨ２＋イオンを用い、加速電ＥＥ 、ドース昭を
それぞれ３５ Ｋ、 ｅ Ｖ 。
（ヘギスト社商品名）を用い、レジストパターン形成後
１８０ｔｌ’３０分の熱処理を行う。この熱処理により
レジスト１ｌｌｊ面は流動し第６図に示すようなテーパ
つきレジストパターン８を得る。このように、ＭＯによ
る転送路パターン１とテーパっきレジストパターン８を
形成した後、イオン打込みを行う。ここでイオン打込み
ｑこはＨ２＋イオンを用い、加速電ＥＥ 、ドース昭を
それぞれ３５ Ｋ、 ｅ Ｖ 。
１ｘ１０＋ｒ＋個／ｃｒＡ、８０ＫｅＶ、４．４Ｘ １
０１６個／ ｃＡとした２重のイオン打込みを行った。
０１６個／ ｃＡとした２重のイオン打込みを行った。
このとき、テーパつきレジストパターン８の部分ではイ
オン打込みの深さは連続的に変化する。このためパター
ン８周辺のチャージドウオールは著しく弱められバブル
転送への悪影響は認められなかった。
オン打込みの深さは連続的に変化する。このためパター
ン８周辺のチャージドウオールは著しく弱められバブル
転送への悪影響は認められなかった。
棟た、隣接する転送路間のチャージドウオールは非打込
み領域８によって分断されたため、転送Ｉ格上のバブル
が隣接する転送路へ移動する誤動作も発生しなくなった
。なお、ここで１ψ用するレジストパターンのテーパは
６０度以下のとき上山：効来が確認された。
み領域８によって分断されたため、転送Ｉ格上のバブル
が隣接する転送路へ移動する誤動作も発生しなくなった
。なお、ここで１ψ用するレジストパターンのテーパは
６０度以下のとき上山：効来が確認された。
実施例２
先の実施例においてバブルｑ＝Ａ用のパターンとして数
珠状のパターンを用いたが、本実施例においては転送用
パターンとして第７図に示すように蛇状のパターン１を
用いる。このとき転送路間を分離する非打込み領域８も
蛇状とする。これらの配置は第７図の如くにすると転送
路間の間隔を最小とすることができる。なお、転送請の
形状以外の作成方法にＩＭＩ ｔ、では光の実施１９１
１と同様であ・）。
珠状のパターンを用いたが、本実施例においては転送用
パターンとして第７図に示すように蛇状のパターン１を
用いる。このとき転送路間を分離する非打込み領域８も
蛇状とする。これらの配置は第７図の如くにすると転送
路間の間隔を最小とすることができる。なお、転送請の
形状以外の作成方法にＩＭＩ ｔ、では光の実施１９１
１と同様であ・）。
実施例３
実施例１．実施例２においてイオン口１ΔみＶ（対する
マスクパターンは磁性ガーネット上に面接形成したが、
Ｉｆ１９図の本実施列に示すように、ｆ）’４＋性ガー
ネット５上にＳ Ｉ ０２膜９を形成した後、マスフパ
ターンを形成することも可能であるっ磁性ガーネット５
の上にスパッタにより５ｉＯ２９を１１０００Ａ着する
。次いで、ＭＯのパターン１、テーパつきレジストパタ
ーン８を形成した後イオン打込みを行う。ここで、イオ
ン打込みの加速電圧はｓ；０２ｃ＋を透過して磁性ガー
ネット中の所定の深さに致達するように調整することは
いうまでもない。
マスクパターンは磁性ガーネット上に面接形成したが、
Ｉｆ１９図の本実施列に示すように、ｆ）’４＋性ガー
ネット５上にＳ Ｉ ０２膜９を形成した後、マスフパ
ターンを形成することも可能であるっ磁性ガーネット５
の上にスパッタにより５ｉＯ２９を１１０００Ａ着する
。次いで、ＭＯのパターン１、テーパつきレジストパタ
ーン８を形成した後イオン打込みを行う。ここで、イオ
ン打込みの加速電圧はｓ；０２ｃ＋を透過して磁性ガー
ネット中の所定の深さに致達するように調整することは
いうまでもない。
実施ｌ＋１１４
以上の実施ｌｙ！Ｉにおいては転送路間の分離を行うだ
めのレジスＨ１ｆｉ厚を比較的厚く形成し、レジスト中
央部においてはイオンが打込まれない厚さとした。しか
しながら、このレジスト以外さは第１０図に示す如くレ
ジスト中央部において打込まれたイオンが一部透過する
厚さでも本発明の目的を達することができる。すなわち
、レジストパターン８の膜厚を５０００人とするとき実
Ｍｌｉ 、ｌｌｌ １と同じ条件でイオン打込みを行う
とレジスト中央部においては打込まれたイオンの一部が
透過する。しかしな・ノ玉ら、このときレジストパター
ン８の部分にはイオン打ｊへみ深さが連続的に変化する
。ｊｔ’ｊＩ或が形成されている。この領域によりチャ
ージドウオールは著しく弱められ、転送路間をバブルが
１喀動するという誤動作は防上される。
めのレジスＨ１ｆｉ厚を比較的厚く形成し、レジスト中
央部においてはイオンが打込まれない厚さとした。しか
しながら、このレジスト以外さは第１０図に示す如くレ
ジスト中央部において打込まれたイオンが一部透過する
厚さでも本発明の目的を達することができる。すなわち
、レジストパターン８の膜厚を５０００人とするとき実
Ｍｌｉ 、ｌｌｌ １と同じ条件でイオン打込みを行う
とレジスト中央部においては打込まれたイオンの一部が
透過する。しかしな・ノ玉ら、このときレジストパター
ン８の部分にはイオン打ｊへみ深さが連続的に変化する
。ｊｔ’ｊＩ或が形成されている。この領域によりチャ
ージドウオールは著しく弱められ、転送路間をバブルが
１喀動するという誤動作は防上される。
なお、以上の実施ｒｌＪにおいて転送路間の分離はテー
パのついたレジストパターンを用いて行ったが、本発明
の要点はこの領域においてイオン打込み深さを）！！ｌ
続的に変化させる点にある。したがって上記レジスト以
外の材料を用いてもチー、＜のついたマスクパターンを
用いることにより同様の効果を得ることができる。ある
いは、上記マスクツ（ターンを用いるかわりにイオン打
込み後、テーノこのついた溝を堀ることりこよりイオン
打込み＋ｆｆｉをを連続的に変化させること力託工能で
あり、転送路間の分離に関し同様の効果を得ることがで
きる。
パのついたレジストパターンを用いて行ったが、本発明
の要点はこの領域においてイオン打込み深さを）！！ｌ
続的に変化させる点にある。したがって上記レジスト以
外の材料を用いてもチー、＜のついたマスクパターンを
用いることにより同様の効果を得ることができる。ある
いは、上記マスクツ（ターンを用いるかわりにイオン打
込み後、テーノこのついた溝を堀ることりこよりイオン
打込み＋ｆｆｉをを連続的に変化させること力託工能で
あり、転送路間の分離に関し同様の効果を得ることがで
きる。
以」二、述べたように、本発明によれば転送路間でバブ
ルが１４動するという誤動作を防上す／・ことができる
ためメモリ動作はきわめて安定となる。
ルが１４動するという誤動作を防上す／・ことができる
ためメモリ動作はきわめて安定となる。
第１１図は従来の素子と本発明の素子の動作余裕度すな
わち回転磁界とバイアス磁界マージンの関係を示したも
のである。従来の素子においては曲線１１に示すように
バブルを転送させるに必要な最小回転磁界は４００ｅで
あるのに対し、本発明の素子では曲線１０に示すように
３００６となりよシ小さい回転磁界でバブルを転送でへ
ることがわかる。また、回転磁界５００ｅでのバイアス
磁界の余裕度は従来の素子で２８０８であるのに対し、
本発明の素子では５００ｅと約２倍の余裕度のあること
がわかる。
わち回転磁界とバイアス磁界マージンの関係を示したも
のである。従来の素子においては曲線１１に示すように
バブルを転送させるに必要な最小回転磁界は４００ｅで
あるのに対し、本発明の素子では曲線１０に示すように
３００６となりよシ小さい回転磁界でバブルを転送でへ
ることがわかる。また、回転磁界５００ｅでのバイアス
磁界の余裕度は従来の素子で２８０８であるのに対し、
本発明の素子では５００ｅと約２倍の余裕度のあること
がわかる。
第１図は従来のイオン打込みバブル素子の正面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は従来のイオン
打込みバブル素子の正面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ’
線断面図、第５図は本発明のイオン打込みバブル素子の
正面図、第６図は第５図のｃ−ｃ’線断面図、第７図は
本発明のイオン打込みバブル素子の正面図、第８図は第
７図のＤ−Ｄ’線断面図、第９図および第１０図は本発
明のイオン打込み素子の断面図、第１１図は従来および
本発明の素子のバイアス磁界マージン図である。 １・・・イオン打込み転送路パターン、２．２’・・・
磁気バブル、１・・・チャージドウオール、４・・・ガ
ドリニウムガリウムガーネット、５・・・Ｉ＋ａ性ガー
ネット、６・・・イオン打込み層、７．７’ 、７”・
・・磁化、８・・・テーパつきレジストパターン、９・
・・５ｉ０２．１０・・・本発明の素子のバイアス磁界
マージン曲線、１１・・・従来の素子のバイアス磁界マ
ージン曲線。 第 ｌ 目 第 ２ 国 第 ３ 図 第 ４ 凹 第 ５ 口 第 ６ ロ 第 ９ 図 第１頁の続き ０発 明 者 竹 内 輝 明 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 ０発 明 者 佐 藤 敏 浩 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は従来のイオン
打込みバブル素子の正面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ’
線断面図、第５図は本発明のイオン打込みバブル素子の
正面図、第６図は第５図のｃ−ｃ’線断面図、第７図は
本発明のイオン打込みバブル素子の正面図、第８図は第
７図のＤ−Ｄ’線断面図、第９図および第１０図は本発
明のイオン打込み素子の断面図、第１１図は従来および
本発明の素子のバイアス磁界マージン図である。 １・・・イオン打込み転送路パターン、２．２’・・・
磁気バブル、１・・・チャージドウオール、４・・・ガ
ドリニウムガリウムガーネット、５・・・Ｉ＋ａ性ガー
ネット、６・・・イオン打込み層、７．７’ 、７”・
・・磁化、８・・・テーパつきレジストパターン、９・
・・５ｉ０２．１０・・・本発明の素子のバイアス磁界
マージン曲線、１１・・・従来の素子のバイアス磁界マ
ージン曲線。 第 ｌ 目 第 ２ 国 第 ３ 図 第 ４ 凹 第 ５ 口 第 ６ ロ 第 ９ 図 第１頁の続き ０発 明 者 竹 内 輝 明 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 ０発 明 者 佐 藤 敏 浩 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
Claims (1)
- 磁性ガーネット膜上層部にイオンを打込むことによりバ
ブル転送路を形成する磁気バブルメモリ素子において、
隣接するバブル転送、塔の間に連続的にイオン打込み深
さの異なる領域を設けたことを特徴とする４ａ気バブル
メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186732A JPS6079590A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186732A JPS6079590A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079590A true JPS6079590A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16193669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186732A Pending JPS6079590A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079590A (ja) |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58186732A patent/JPS6079590A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4070658A (en) | Ion implanted bubble propagation structure | |
| JPS6079590A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| US11348627B2 (en) | Race-track memory with improved domain wall motion control | |
| US3996573A (en) | Bubble propagation circuits and formation thereof | |
| US4525808A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| JPS60157795A (ja) | イオン打込み磁気バブル素子 | |
| JPS5972696A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS59217286A (ja) | イオン注入磁気バブルデバイス | |
| US4516222A (en) | Laminated magnetic bubble device | |
| JPS59221887A (ja) | 磁気バブルメモリデバイス | |
| JPS60157794A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS622386B2 (ja) | ||
| JPS60119690A (ja) | イオン打込み方式バブル転送路の作製方法 | |
| JPS6087497A (ja) | 磁気バブル転送路形成方法 | |
| JPS59195396A (ja) | 磁気バブル転送路形成方法 | |
| JPS6381676A (ja) | イオン打込み磁気バブル素子の製造方法 | |
| JPS62214579A (ja) | ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6216290A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH02304794A (ja) | 磁気バブルメモリデバイス | |
| JPS6260756B2 (ja) | ||
| JPS63279485A (ja) | ハイブリッド磁気バブルメモリ素子の作製法 | |
| JPS6032197A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS59227079A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6129484A (ja) | イオン打込み方法 | |
| JPS63306587A (ja) | 磁気バブル転送パタ−ン |