JPS6166285A - 磁気バブル素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブル素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6166285A JPS6166285A JP59186833A JP18683384A JPS6166285A JP S6166285 A JPS6166285 A JP S6166285A JP 59186833 A JP59186833 A JP 59186833A JP 18683384 A JP18683384 A JP 18683384A JP S6166285 A JPS6166285 A JP S6166285A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- gold
- ion
- magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気バブル素子の製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
バブル素子の高密度化に伴ない近年ではイオン注入技術
を使った新らしい磁気バブルの駆動方式が注目されてい
る◎これは、連接したディスク状のパターン（コンテイ
ギユアスディスクパターンと呼はれる）’ｔｆｆスクと
してパターンの外側の領域の磁性層にイオン注入を行な
いバブル駆動層を形成するものである◎この駆動層は適
渦なバイアス磁界と回転磁界のもとで、コンティギエア
スパターンの外周にそって、磁気バブルを転送させるこ
とができる◎このようなイオン注入ノーによる磁気バブ
ルの転送に関する基本概念はニー・アイ・ピー・コンフ
ァレンスΦプロシーディンゲス（Ａ。
を使った新らしい磁気バブルの駆動方式が注目されてい
る◎これは、連接したディスク状のパターン（コンテイ
ギユアスディスクパターンと呼はれる）’ｔｆｆスクと
してパターンの外側の領域の磁性層にイオン注入を行な
いバブル駆動層を形成するものである◎この駆動層は適
渦なバイアス磁界と回転磁界のもとで、コンティギエア
スパターンの外周にそって、磁気バブルを転送させるこ
とができる◎このようなイオン注入ノーによる磁気バブ
ルの転送に関する基本概念はニー・アイ・ピー・コンフ
ァレンスΦプロシーディンゲス（Ａ。
１、 Ｐ、 Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ ）第１０号３３９ページ（１９７３年）にウォ
ルフェらによって述べられている０またコンティギュア
スディスクバブル素子の構成に関しては、アイ・イー・
イー・イー・ト２ンズアクシ１ンズ・オン・マグネティ
クス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎｅ口ｃ
ｓ）第１５巻１６４２ページ（１９７９年）などの論文
にリンらによって述べられている。通）である。
ｎｇｓ ）第１０号３３９ページ（１９７３年）にウォ
ルフェらによって述べられている０またコンティギュア
スディスクバブル素子の構成に関しては、アイ・イー・
イー・イー・ト２ンズアクシ１ンズ・オン・マグネティ
クス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎｅ口ｃ
ｓ）第１５巻１６４２ページ（１９７９年）などの論文
にリンらによって述べられている。通）である。
このような素子の大容量化においては、バブル転送路を
均一に、精度良く形成することが重要となる０第１図（
ｊｅｔ （ｂｌは従来性なわれている転送路の形成プロ
セスの一例を示したものである。第１図（ａ）において
は、（ＹＳｍＬｕＢｉＣａ ） ｓ （ＦｅＧｅ ）Ｓ
Ｏ１２に代表されるような磁気バブルを保持し得る磁
性ガーネット１上にＣｒ／Ａｕ（Ｃｒは人Ｕの接着層）
マスクパターン２ｔ−形成し、続いてイオン注入３を行
なうロマスクパターンで覆われていない部分にイオン注
入層４が形成される。また第２図（ｂ）に示すように一
部のＣｒ／Ａｕパターン！Ｉｎ絶蛛層を介して積層され
る導体パターンとの位置合わせのために残し、他の金属
パターンｔすべて除去する口このような方法によってバ
ブル転送路を均−Ｋ。
均一に、精度良く形成することが重要となる０第１図（
ｊｅｔ （ｂｌは従来性なわれている転送路の形成プロ
セスの一例を示したものである。第１図（ａ）において
は、（ＹＳｍＬｕＢｉＣａ ） ｓ （ＦｅＧｅ ）Ｓ
Ｏ１２に代表されるような磁気バブルを保持し得る磁
性ガーネット１上にＣｒ／Ａｕ（Ｃｒは人Ｕの接着層）
マスクパターン２ｔ−形成し、続いてイオン注入３を行
なうロマスクパターンで覆われていない部分にイオン注
入層４が形成される。また第２図（ｂ）に示すように一
部のＣｒ／Ａｕパターン！Ｉｎ絶蛛層を介して積層され
る導体パターンとの位置合わせのために残し、他の金属
パターンｔすべて除去する口このような方法によってバ
ブル転送路を均−Ｋ。
精度良く形成するためには、欠陥なくイオン注入マスク
パターンを形成することと該マスクパターンを良好に剥
離除去できることが要求される。従来、用いられてきた
イオン注入マスクパターン材料テあるＣ ｒ ／Ａｕは
成膜時にヒロックと呼ｄれる０、５μｍφ程度の粒状の
突起が発生する。このヒロックはイオンミリング法によ
ってパターン形成全行なった後にわずかな突起として残
るため、イオン注入時の注入もれ欠陥とな）１問題があ
った。
パターンを形成することと該マスクパターンを良好に剥
離除去できることが要求される。従来、用いられてきた
イオン注入マスクパターン材料テあるＣ ｒ ／Ａｕは
成膜時にヒロックと呼ｄれる０、５μｍφ程度の粒状の
突起が発生する。このヒロックはイオンミリング法によ
ってパターン形成全行なった後にわずかな突起として残
るため、イオン注入時の注入もれ欠陥とな）１問題があ
った。
（発明の目的）
本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、イオ
ン注入によるバブル転送路を良好に製造できる磁気バブ
ル素子の製造方法を提供することＫある。
ン注入によるバブル転送路を良好に製造できる磁気バブ
ル素子の製造方法を提供することＫある。
（発明の構成）
本発明によれば、磁性層にイオン注入により面内磁化層
管形成し、磁気バブルの転送パターンと成すコンティギ
ュアスディスク磁気バブル素子の製造方法において、金
と銅の合金からなるパターンをマスクとして前記磁性層
にイオン注入し、磁気バブル転送路を形成する工程、及
び前記マスクパターンの一部を目合せ用のパターンとし
て残して該マスクパターンをエツチング除去する工程と
を有することを特徴とする磁気バブル素子の製造方法が
得られるり （構成に関する説明） 本発明者らは金にわずかの銅を混入するとヒロ 。
管形成し、磁気バブルの転送パターンと成すコンティギ
ュアスディスク磁気バブル素子の製造方法において、金
と銅の合金からなるパターンをマスクとして前記磁性層
にイオン注入し、磁気バブル転送路を形成する工程、及
び前記マスクパターンの一部を目合せ用のパターンとし
て残して該マスクパターンをエツチング除去する工程と
を有することを特徴とする磁気バブル素子の製造方法が
得られるり （構成に関する説明） 本発明者らは金にわずかの銅を混入するとヒロ 。
ツクの発生が激減することを見出した０電子銃加熱刃式
を用いた通常の真空蒸着法により金及び金と銅の合金を
厚さｓ ｏ ｏ ｎｍ蒸着し、ヒロック数全比較したと
ころ前者で７０００個／ｃ、？、後者（銅の含有率は２
重量％）で５０個／α２であった。
を用いた通常の真空蒸着法により金及び金と銅の合金を
厚さｓ ｏ ｏ ｎｍ蒸着し、ヒロック数全比較したと
ころ前者で７０００個／ｃ、？、後者（銅の含有率は２
重量％）で５０個／α２であった。
基板加熱は行なわず、金の接着層としてはクロム（膜厚
１０ｎｍ）を用いた。また走査型顕微鏡によシ膜表面を
観察したところ金と銅の合金を用いた場合には、全体に
ブレーンが小さくなっておシ、またヒロックも小さかっ
た。このことは、イオンミリング法によってパターン金
形成した場合、エツチング残９となる数が減るばかりで
なく、エツチング残シの程度も小さくなシ、イオン注入
時の注入もれ欠陥が、著しく少なくなることｔ意味して
いる。金に鋼を混入した場合、イオンミリング時のエツ
チング速度に有意義は認められなかったが、第２図に示
すように鋼の混入量を増す２会の化学、エツチング液に
よるエツチング速度が著しく低下することがわかった。
１０ｎｍ）を用いた。また走査型顕微鏡によシ膜表面を
観察したところ金と銅の合金を用いた場合には、全体に
ブレーンが小さくなっておシ、またヒロックも小さかっ
た。このことは、イオンミリング法によってパターン金
形成した場合、エツチング残９となる数が減るばかりで
なく、エツチング残シの程度も小さくなシ、イオン注入
時の注入もれ欠陥が、著しく少なくなることｔ意味して
いる。金に鋼を混入した場合、イオンミリング時のエツ
チング速度に有意義は認められなかったが、第２図に示
すように鋼の混入量を増す２会の化学、エツチング液に
よるエツチング速度が著しく低下することがわかった。
ここでエツチング液としてはヨードニョク化カリニ水＝
１：２：２０の混合液を用い九〇このことは銅の重量パ
ーセントが多い場合、イオン注入後に、イオン注入のた
めのマスクパターンを除去できなくなることを意味し、
バブルの制御層としての導体パターン等を積層形成して
いく上で望ましくない。この理由から銅の重量パーセン
トは４チ以下にすることが必要である。
１：２：２０の混合液を用い九〇このことは銅の重量パ
ーセントが多い場合、イオン注入後に、イオン注入のた
めのマスクパターンを除去できなくなることを意味し、
バブルの制御層としての導体パターン等を積層形成して
いく上で望ましくない。この理由から銅の重量パーセン
トは４チ以下にすることが必要である。
以下１本発明の実施例について説明する口（実施例）
（Ｙ８ｍＬｕＢｉＣａ ）ｓ （ＧｅＦｅ ）ａ Ｏ＋
ｚガーネット上に厚さ１０ ｎｍのクロム、厚さ５００
ｎｍの金−鋼合金を真空蒸着した０鋼はソースで２重
量パーセントのものを用いた。ノリさ０．６μｍの７オ
トレジストパターンをマスクとしてイオンミリングした
０レジストを酸素プラズマ法にて灰化した後Ｈｅイオン
を１００ ｋｅｙ／４．８ Ｘ １０ 個／ ｃｍ’
、 ５０ ｋｅＶ ／ １．７ＸＩＯ個／閏２の条件
で注文したライオン注入を行なった後、一部のパターン
を積層形成のための目合せマークとして残し、他のパタ
ーンを金のエッチャント、クロムのエッチャントにて化
学エクテング除去した〇 （発明の効果） 本発明によれば、注入もれ欠陥の少ない良好なイオン注
入転送路音形成することができる口
ｚガーネット上に厚さ１０ ｎｍのクロム、厚さ５００
ｎｍの金−鋼合金を真空蒸着した０鋼はソースで２重
量パーセントのものを用いた。ノリさ０．６μｍの７オ
トレジストパターンをマスクとしてイオンミリングした
０レジストを酸素プラズマ法にて灰化した後Ｈｅイオン
を１００ ｋｅｙ／４．８ Ｘ １０ 個／ ｃｍ’
、 ５０ ｋｅＶ ／ １．７ＸＩＯ個／閏２の条件
で注文したライオン注入を行なった後、一部のパターン
を積層形成のための目合せマークとして残し、他のパタ
ーンを金のエッチャント、クロムのエッチャントにて化
学エクテング除去した〇 （発明の効果） 本発明によれば、注入もれ欠陥の少ない良好なイオン注
入転送路音形成することができる口
第１図（ａ）、 （ｂ）はイオン注入転送路の形成のだ
めのプロセス図を示す図、第２図は化学エツチング速度
と金に加えた鋼の重量パーセントとの関係會示す図。 ■・・・磁性ガーネット幌、２・・・金属マスクパター
ン、３・・・注入イオン、４・・・注入層、５・・・目
合せパターン。 ７ｉ−１図
めのプロセス図を示す図、第２図は化学エツチング速度
と金に加えた鋼の重量パーセントとの関係會示す図。 ■・・・磁性ガーネット幌、２・・・金属マスクパター
ン、３・・・注入イオン、４・・・注入層、５・・・目
合せパターン。 ７ｉ−１図
Claims (1)
- 磁性層にイオン注入により面内磁化層を形成し、磁気バ
ブルの転送パターンと成すコンティギュアスディスク磁
気バブル素子の製造方法において、金と銅の合金から成
るパターンをマスクとして前記磁性層にイオン注入し磁
気バブル転送路を形成する工程、及び前記マスクパター
ンの一部を目合せ用のパターンとして残して該マスクパ
ターンをエッチング除去する工程とを有することを特徴
とする磁気バブル素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186833A JPS6166285A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 磁気バブル素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186833A JPS6166285A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 磁気バブル素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166285A true JPS6166285A (ja) | 1986-04-05 |
Family
ID=16195416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186833A Pending JPS6166285A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 磁気バブル素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166285A (ja) |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP59186833A patent/JPS6166285A/ja active Pending
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