JPH01105383A - イオン注入転送路作製法 - Google Patents
イオン注入転送路作製法Info
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- JPH01105383A JPH01105383A JP62260774A JP26077487A JPH01105383A JP H01105383 A JPH01105383 A JP H01105383A JP 62260774 A JP62260774 A JP 62260774A JP 26077487 A JP26077487 A JP 26077487A JP H01105383 A JPH01105383 A JP H01105383A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電子計算装置等の記憶装置に用いられるイオン注入磁気
バブルメモリ素子のイオン注入転送路作製法に関し、 イオン注入用マスクの残渣やゴミ等による転送路欠陥の
発生を防止することを目的とし、イオン注入転送路を持
つ磁気バブルメモリ素子において、前記イオン注入転送
路作製のためのマスク材層とバブル結晶表面との間にレ
ジスト層を形成しておき、後にマスクパターンを形成す
る際に発生する残渣およびゴミ等の異物が結晶表面に直
接付着するのを防ぎ、イオン注入直前に前記レジストを
除去するように構成する。
バブルメモリ素子のイオン注入転送路作製法に関し、 イオン注入用マスクの残渣やゴミ等による転送路欠陥の
発生を防止することを目的とし、イオン注入転送路を持
つ磁気バブルメモリ素子において、前記イオン注入転送
路作製のためのマスク材層とバブル結晶表面との間にレ
ジスト層を形成しておき、後にマスクパターンを形成す
る際に発生する残渣およびゴミ等の異物が結晶表面に直
接付着するのを防ぎ、イオン注入直前に前記レジストを
除去するように構成する。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子のイオン注入転送路作製法に関する。
ブルメモリ素子のイオン注入転送路作製法に関する。
イオン注入磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）等の単結晶基板の
上に液相エピタキシャル成長法により磁性ガーネットの
薄膜（磁気バブル結晶）を形成し、この薄膜にイオン注
入法によりコンテイギユアスデイスク型又はスネーク型
等のイオン注入バブル転送路を形成したものであり、バ
ブル発性器により情報に従って発生させたバブルを転送
路に導き、そのパターンの所定の位置にバブルがある場
合を１″、ない場合を“０”として情報を記録するよう
になっている。
ム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）等の単結晶基板の
上に液相エピタキシャル成長法により磁性ガーネットの
薄膜（磁気バブル結晶）を形成し、この薄膜にイオン注
入法によりコンテイギユアスデイスク型又はスネーク型
等のイオン注入バブル転送路を形成したものであり、バ
ブル発性器により情報に従って発生させたバブルを転送
路に導き、そのパターンの所定の位置にバブルがある場
合を１″、ない場合を“０”として情報を記録するよう
になっている。
第２図は従来のイオン注入転送路作製法を示す図である
。この作製法は先ずａ図に示すようにバブル結晶１の表
面に蒸着あるいはスパッタでマスク材２を形成する。次
にｂ図に示すようにマスク材２の上にレジストを塗布し
、マスクパターンを露光・現像しレジストパターン３を
形成する。次に０図に示すようにマスク材２をイオンミ
リングしてマスクパターン２′を形成し、レジストパタ
ーン３を除去する。次にｄ図の如くイオン４を注入しイ
オン注入領域５を形成する。最後にｅ図の如くマスクパ
ターン２′を除去して転送路を完成する。
。この作製法は先ずａ図に示すようにバブル結晶１の表
面に蒸着あるいはスパッタでマスク材２を形成する。次
にｂ図に示すようにマスク材２の上にレジストを塗布し
、マスクパターンを露光・現像しレジストパターン３を
形成する。次に０図に示すようにマスク材２をイオンミ
リングしてマスクパターン２′を形成し、レジストパタ
ーン３を除去する。次にｄ図の如くイオン４を注入しイ
オン注入領域５を形成する。最後にｅ図の如くマスクパ
ターン２′を除去して転送路を完成する。
上記従来のイオン注入転送路作製法では、第２図Ｃのマ
スクパターン２′を形成する工程において、マスクパタ
ーン２′以外のマスク材２が完全に除去されるべき結晶
表面にマスク材残渣やゴミなどの異物６が付着し、ｄ図
のイオン注入の際イオン注入を遮蔽する原因となりこれ
が転送路欠陥７になるという問題があった。
スクパターン２′を形成する工程において、マスクパタ
ーン２′以外のマスク材２が完全に除去されるべき結晶
表面にマスク材残渣やゴミなどの異物６が付着し、ｄ図
のイオン注入の際イオン注入を遮蔽する原因となりこれ
が転送路欠陥７になるという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、マスク材の残渣やゴミ等の
異物による転送路欠陥の発生を防止可能としたイオン注
入転送路作製法を提供することを目的とするものである
。
異物による転送路欠陥の発生を防止可能としたイオン注
入転送路作製法を提供することを目的とするものである
。
上記目的は、イオン注入転送路を持つ磁気バブルメモリ
素子において、前記イオン注入転送路作製のためのマス
ク材層１２とバブル結晶１０表面との間にレジスト層１
１を形成しておき、後にマスクパターン１２′を形成す
る際に発生する残渣およびゴミ等の異物１６が結晶表面
に直接付着するのを防ぎ、イオン注入直前に前記レジス
ト１１を除去することを特徴としたイオン注入転送路作
製法によって達成される。
素子において、前記イオン注入転送路作製のためのマス
ク材層１２とバブル結晶１０表面との間にレジスト層１
１を形成しておき、後にマスクパターン１２′を形成す
る際に発生する残渣およびゴミ等の異物１６が結晶表面
に直接付着するのを防ぎ、イオン注入直前に前記レジス
ト１１を除去することを特徴としたイオン注入転送路作
製法によって達成される。
マスク材層１２とバブル結晶１０の表面との間にレジス
ト層を形成しておくことにより、マスク材１２をイオン
ミリングしてマスクパターン１２′を形成後もレジスト
層１１が残るため、イオン注入の直前に該レジスト層１
１を除去すると同時にマスク材の残渣やゴミ等の異物１
６も除去でき、欠陥のない転送路の形成が可能となる。
ト層を形成しておくことにより、マスク材１２をイオン
ミリングしてマスクパターン１２′を形成後もレジスト
層１１が残るため、イオン注入の直前に該レジスト層１
１を除去すると同時にマスク材の残渣やゴミ等の異物１
６も除去でき、欠陥のない転送路の形成が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図である。
本実施例のイオン注入転送路の作製法は先ず第１図ａに
示すようにバブル結晶１０の表面にレジスト１１を塗布
し、マスクパターンが形成される部分のレジストを露光
・現像して除去する。次に第１図すに示すようにマスク
材層１２を蒸着又はスパツタリングにより形成する。次
に第１図Ｃに示すようにマスク材層Ｉ２の上にレジスト
を塗布し露光・現像してレジストマスクパターン１３を
形成する。次に第１図ｄに示すようにマスク材層１２を
イオンミーリングしてマスクパターン１２′を形成し、
レジスト１３も除去する。最後に第１図ｅに示すように
レジスト１１を除去した後にイオン１４を注入してイオ
ン注入層１５による転送路を形成した後マスクパターン
１２′を除去して第１図ｆの如く完成する。
示すようにバブル結晶１０の表面にレジスト１１を塗布
し、マスクパターンが形成される部分のレジストを露光
・現像して除去する。次に第１図すに示すようにマスク
材層１２を蒸着又はスパツタリングにより形成する。次
に第１図Ｃに示すようにマスク材層Ｉ２の上にレジスト
を塗布し露光・現像してレジストマスクパターン１３を
形成する。次に第１図ｄに示すようにマスク材層１２を
イオンミーリングしてマスクパターン１２′を形成し、
レジスト１３も除去する。最後に第１図ｅに示すように
レジスト１１を除去した後にイオン１４を注入してイオ
ン注入層１５による転送路を形成した後マスクパターン
１２′を除去して第１図ｆの如く完成する。
本実施例によれば、第１図ｄのマスクパターン１２′を
イオンミーリングで形成するとき、その残渣やゴミ等の
異物１６がレジスト１１の表面に付着しても、次のイオ
ン注入工程の直前にレジス１〜１１を除去するため、異
物１６も除去され、イオン注入の障害とならず、従って
転送路の欠陥も生じない。
イオンミーリングで形成するとき、その残渣やゴミ等の
異物１６がレジスト１１の表面に付着しても、次のイオ
ン注入工程の直前にレジス１〜１１を除去するため、異
物１６も除去され、イオン注入の障害とならず、従って
転送路の欠陥も生じない。
以上説明した様に、本発明によれば、バブル結晶表面に
レジスト層を形成してから、これを除去するまでの間、
結晶表面はレジスト層に保護され、途中の過程で生じた
残渣及びゴミ等はレジスト上に付着し、レジストの除去
と共に除去されるので清浄な結晶表面にイオンを注入す
ることができ、異物の付着による転送路の欠陥発生は防
止される。
レジスト層を形成してから、これを除去するまでの間、
結晶表面はレジスト層に保護され、途中の過程で生じた
残渣及びゴミ等はレジスト上に付着し、レジストの除去
と共に除去されるので清浄な結晶表面にイオンを注入す
ることができ、異物の付着による転送路の欠陥発生は防
止される。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は従
来のイオン注入転送路作製法を示す図である。 図において、 １０はバブル結晶、 １１はレジスト、 １２はマスク材、 １２′はマスクパターン、 １３はレジストマスクパターン、 １４はイオン、 １５はイオン注入層、 １６は異物、 を示す。
来のイオン注入転送路作製法を示す図である。 図において、 １０はバブル結晶、 １１はレジスト、 １２はマスク材、 １２′はマスクパターン、 １３はレジストマスクパターン、 １４はイオン、 １５はイオン注入層、 １６は異物、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン注入転送路を持つ磁気バブルメモリ素子にお
いて、 前記イオン注入転送路作製のためのマスク材層（１２）
とバブル結晶（１０）表面との間にレジスト層（１１）
を形成しておき、後にマスクパターン（１２′）を形成
する際に発生する残渣およびゴミ等の異物（１６）が結
晶表面に直接付着するのを防ぎ、イオン注入直前に前記
レジスト（１１）を除去することを 特徴とするイオン注入転送路作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260774A JPH01105383A (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | イオン注入転送路作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260774A JPH01105383A (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | イオン注入転送路作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105383A true JPH01105383A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17352540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260774A Pending JPH01105383A (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | イオン注入転送路作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396696A (en) * | 1992-08-26 | 1995-03-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Flyback transformer device and apparatus for preparing same |
-
1987
- 1987-10-17 JP JP62260774A patent/JPH01105383A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396696A (en) * | 1992-08-26 | 1995-03-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Flyback transformer device and apparatus for preparing same |
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