JPH02292706A - 薄膜層の構造を用いた装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、全体が一体に接合された少なくとも２つの
部分からなり、そのうちの一つか薄膜型層構造からなる
装置に関する。特に（排他的ではなく）、この発明は、
プレーナー構造を有する磁気ヘッドの製造に効果的に適
用されるものであって、前記磁気ヘッドは第１に、１又
は複数のアッセンブリされた（例えば、フエライトの）
部分からなり、かつ磁界シールド回路（通常の方法によ
る１又は複数のコイルからなるものでよい）を形成する
本体（前記部分のうちの一つを形成する）を備え、第２
に、前記本体上に搭載された枯造（他の部分を形成する
）を備え、前記構造が前記磁極を構成するように配列さ
れた薄ｐＡ層により形成され、かつ前記磁極が空隙によ
り分雛されると共に、当該磁気ヘッドの活性面を形成し
ているものからなる。

磁気回路をなす基板を作成するために用いられる技術は
周知であり、フランス特許出願第８６　１４９７４号，
第８８　０８５２６号，第８７　１４８２４号及び第８
８　０８５２７号に詳細に説明されている。

特に、フランス特許出願第８７　１４８２４号、及ひ第
８６　１４９７４号は、薄膜層の技術を用いた磁気ヘッ
ドの活性面の一実施例を説明している。

この種の磁気ヘッドは、最後に引用したフランス特許出
願第８６　１４９７４号に示すように、磁気読み出し／
書き込み磁気ヘッドの有用な特性を改良すると共に、製
造が大規模となるので、大幅なコス１・の低減が得られ
る。

実際、このような複数の磁気ヘッドは、同一基板上に同
時に作成された後、切断されて個別的な複数の磁気ヘッ
ドが形成される。

第１図は、前述の型式の基板例を示すものであり、フラ
ンス特許出願第８７　１４８２４号の目的をなすもので
ある。しかし、このフランス特許出１頭は未だ公告され
ていない。

第１図は、複数の磁気ヘットを同時に形成するように設
計されたアッセンブリを示す斜視図である。このアッセ
ンブリは、磁性材料（例えば、フェライト・ブロック）
からなる基板１により形成される。基板１は磁性材料か
らなる取｛＝ｌ板３をＣｉｆｉえている。取付板３を基
板１に取り付ける前に、平行ノッチ２を厚さＥの基板１
に切り込み、かつ狭い領域４を各平行ノッチ２のベース
に設ける。

これによって、この平行ノッチ２と狭い領域４とが取付
板３に対向する基板１の表面８と接触しないようにして
いる。

次いで、狭い領域４には、ガラス・ベース材のような非
磁性材料が充填される。取付板３は基坂１に張り付けら
れる。最後に、基板１は、新しい活性面９に狭い領域４
が現われるまで、表面８に沿って機械加工され、基板３
に対向ずる前記基板の部分（５）を除去し、かつ所望の
幅のギャッ”ブ６（非磁性材料からなる）の部分５（点
線により示す）が得られるまで機械加工を行なう。勿論
、狭い領域４は、点線により示す狭い領域４ａのように
、三角形状のものであってもよい。

このようにして形成された構造は、個別的な磁気回路に
切断される。この切断は、面、例えば平行ノッチ２巻に
位置し、かつこの平行ノッチ２の軸に平行な面１〕に沿
って行なわれる。その理由は、第１図の構造が三面体Ｘ
Ｙ″／．内で平行であり、ｉｒ＋ｉ　Ｉ）のような面が
面ＺＹに平行なためである。

次いで、図示されていない而ＹＸに平行な面に沿って切
断を行なう。

次のステップでは、第２図に示すようなコイル７を各磁
気回路ＣＭに設ける。このコイル７は平行ノッヂ２を通
って磁気回路ＣＭの１領域に巻き付けられる。

薄膜の磁気ヘッドの場合は、ギャップ６からなる活性面
９が、高′３ｌ１磁率材、例えばセンタスト（ＦｅＸＳ
ｉＺ　ＡＬＺ）として知られている材利のＪｖＩ（図示
なし）により被覆される。この処理は、個々の磁気回路
を切り込む前に実行される。このような高透磁率材料に
よる被覆は、活性面９及び各磁気回路のギャップ６の部
分を覆うことによっ゜Ｃ磁気ヘッドの２つの磁極を形成
するものである。

従って、閉磁回路を形成する基板は、全体的に１又は複
数の薄膜層用の親基板を構成する。

例えば、前記２つの特許出願のいずれかの記載によれば
、磁気ヘッドの活性表面を形成するために、基本的な薄
膜技術を用いても、その技術には次の欠点がある。

−薄膜の１又は複数の薄膜層を支えることを意図した基
板面、即ち磁気回路を形成ずる基板は、薄膜の堆積に適
応した表面特性を得るように完全に研磨されなければな
らない。

一更に、フエライト（非常に硬い）の表面と、微小な空
隙を形成ずると共に、（余り硬くない）非磁性材、例え
ばガラス（狭い領域４に設けられている）との間に高さ
の差を発生させることなＯく、基板面を所望の研磨仕」
二げのものにすることは困難である。これは、薄膜の品
質を劣化させる破断ゾーンを形成する原因となる。

−磁気回路、又は磁界遮断基板を形成する基板上に堆積
された磁気薄膜を焼鈍することがしばしば必要となるが
、焼鈍温度はこの基板の製造に関連して又はその製造に
おいて用いた材料（磁気回路を形成するフエライト、フ
エライト部品の接着刑として又は肉眼で見える空隙の充
填剤として用いるガラス、又は他の非磁性材料）と両立
しないことがある。

一磁極は製造の最終ステップにおけるエッチングにより
定められる。従って、磁気ヘツ１への活性而がフエライ
ト基板の表面から突起し、磁気ヘッドの活性面が平面と
ならない。このために、耐摩耗性の膜を磁気ヘッドの表
面に堆積ずれは、磁極の縁によってこの薄膜の脆性な領
域が形成されてしまう。

この発明は、これらの欠点を除去する製造方法に関する
。勿論、この発明は、薄膜技術を用いた磁気ヘッドを製
造するばかりでなく、一部か薄膜層のうちの少なくとも
一部分をなすと共に、他の部分が前記薄膜層を支持した
親基板を形成する、少なくとも２つの部分を有する装置
の製造を含む全ての場合に関連する。

この発明によれば、少なくとも一つの薄膜層からなる薄
膜型式の構造を備え、前記薄膜型式の構造を親基板に搭
載した装置の製造方法において、中間基板上に前記薄膜
層を堆積して中間アッセンブリを作成し、前記中間アッ
センブリを前記親基板に取り付けることにより、前記親
基板を前記中間アッセンブリに一体に接合させるステッ
プな（＋Ｉｉｆえ、前記薄膜層が前記親基板と同一側に
配置されており、最後に、前記中間基板の少なくとも一
部分が除去されて、前記薄膜層の有用な部分のみを残す
ようにしたことを特徴とする。

この発明を、より明確に理解するために、非限定的な一
実施例を示し、付図を参照する以下の説明により明らか
にする。

第３図は、非限定的な一実施例として、磁気書き込み／
読み出しヘッドの製造に、この発明を適用した図である
。

第３図は、磁性材料の支持体又は基板を形成する親基板
１０を示しているが、これは第１図における面Ｙ−Ｘの
断面から見た基板と同様のものである。第３図の実施例
では、２つの平行ノッチ２のみを示し、各平行ノッヂ２
が１列の磁気ヘッドに対応している。製造処理の終りで
、これら２列の磁気ヘッドは点線に沿って切断されるこ
どにより切り離され、全ての磁気ヘットが前述のように
切り出される。

更に、第３図は１又は複数の薄Ｊｌｕ層を有ずる薄膜構
造１１を示ず。薄膜層を有する薄膜構遣１ｌは、以下の
説明では中間基板１３と呼ぶ基板上に形成されている。

また、中間基板１３は、薄膜捕逍１１と共に中間アッセ
ンプソ１２を形成している。

この発明は、薄膜構造１１を最終的に支持するように設
計された基板を除き、基板上に薄膜構造１１の少なくと
も一部分を作成して、中間アッセンブリ１２を最終的な
基板即ち親基板１０に取り付けることからなり、この発
明の製造方法の重要な特徴を示すものてある。これは、
１又は複数の薄膜層を親基板１０上に堆積して処理する
従来の工程と異なる。

説明した非限定的な実施例では、この発明の製造方法の
ステップにおいて、薄膜構造１１は重畳した３層を堆積
することにより形成される。この３層は、各磁気ヘッド
において、第１図及び第２図に先に示したように、各狭
い領域４により形成された巨視的な空隙に対する微視的
な空隙により分離された２つの磁極を形成するように設
計される。勿論、中間基板１３は、第２図に示す磁気ヘ
ッドのような磁気ヘッドの活性面を得るために、１層の
磁性材料を支持してもよい。

中間基板ｌ３により支持され、重畳する３つの堆積層１
４，　１５．　１６において、薄ＷＡ／１１５は、微小
空隙２０，２０ａを形成するように設計された非磁性材
料（例えば、アルミニウム、ケイ素化合物）の層である
。

第３図に示すように、中間アッセンブリ１２は、微小空
隙２０がほぼ平行ノッチ２の長軸２ｌ上に位圓するよう
に、親基板１０上に配置される。ここで、堆積層１４，
　１５．　１６は狭い領域４を向いて、即ち狭い領域４
と接触している親基板の活性面９を向いている。

親基板１０及び中間アッセンブリ１２は、接着物質、例
えばエボキシ樹脂、溶融ガラス、又は粉末ガラスを用い
る通常の手段により一体に接合されている。この接着物
質は親基板１０と中間アッセンブリ１２との間に配置さ
れ、これらの２部分は接着物質が例えば５μｍの程度の
比較的薄い中間Ｍ２２になるまで、通常の手段（図示な
し）により一緒に圧着される。しかし、この中間層は、
粗い研磨処理を行なっても、親基板の活性而９上に存在
する不整、Ｉ！１１ち表面の荒れを補償するのに十分な
厚さかある。

これは、この発明の方法により得られる大きな効果であ
る。これは、接着剤として作用すると共に、中間層２２
が不整及び表面の粗さを補償し、これによって極端に高
品質の研磨処理を必要としないことによる。

第４ａ図及び第４ｂ図は中間基板１３を準ｆｉｌ　Ｌ／
−Ｃ薄膜層の堆積を支持する手順を示す。

中間基板１３は任意の材質により作成することができる
。しかし、この材質は、薄膜層技術の分野で現在採用さ
れている技術を用いるもの、特に通常の化学的なマスク
及びエッチングの技術を用いるものに適したものでなけ
ればならない。この材質は、薄膜Ｎ（このような焼鈍が
必要な）の焼鈍するために必要な（例えば５００°Ｃ程
度）の２ｕ度に耐える能力も有する必要があり、かつ薄
膜の膨張係数と両立する膨張係数を示す必要がある。従
って、中間基板ｌ３に用いる材質は薄膜層の処理に必要
な条件と両立するものが選択される。

従って、薄膜の性質（以下で説明する）が与えられたと
きは、半導体がケイ素化合物のような中間基板、又はゲ
ルマニウム・ガラス等のような他の種類の材質を形成す
るのに適している。

中間基板１３の表面２５は、最大粗さが数百分の１μｍ
となるように処理されてもよい。この程度の表面荒さは
完全に許容できるものであり、薄膜の特性を損なうこと
なく、かつ通常の機械的な平削り技術を用いて容易に達
成することができる。

第３図に示す微小空隙２０．２０ａは、中間基板１３に
エッチングされた段差を用いて作成される。段差の縁は
、的確に定めて可能な限り長方形の空隙を形成する必要
がある。これは、化学的、機械的又は他のエッチング技
術により達成可能である。

このため、発明の処理の特徴の一つによれば、中間基板
は単結晶型半導体から作成される。縁が正確にその結晶
軸に従う段差を化学的に工・ソチングする技術は知られ
ているので、例えば単結晶ケイ素化合物が特に適したも
のとなる。

例えば、ガリウム砒素ＧａΔＳもこの目的に用いること
ができる。

通常の方法により樹脂マスク２６を堆積させて、中間基
板１３の表面２５に平坦領域２７が現われるようにする
（第４ａ図）。

平坦領域２７における中間基板１３のシリコンは、通常
の技術、例えば化学的な処理によりエッチングされる。

次いて、樹脂マスク２６か適当な製品により溶解される
。これにより、平坦領域２７か先にあった中間基板ｌ３
の空間には、第４ｂ図に示すように、凹部２８が形成さ
れ、この凹部２８の底２９がほぼ長方形の縁を有する段
差３０．３０ａを介して表面２５に接合する。

次いで、通常方法のカソ一ド壊変、又は化学気相成長（
ＣＶＤ）のような他の通常の方法を用いて、堆積層１４
，　１５．　１６が表面２５及び凹部２８上に堆頬され
る。

第５図は、複数の薄膜層を中間基板ｌ３に堆珀した後、
即ち中間基板１３が薄膜構造１１を支持しているときの
中間基板１３を示す。

第１の堆積層１４は、例えば厚さか１〜５μ１ｎの範囲
にあるセンダスト（Ｆｅｗ　Ｓｉ．　ＡＬｚ）として知
られている高透磁率材料の層である。

第１の堆積層１４の上には、例えばアルミニウム又はシ
リコンからなる非磁性材料の第２の堆４ａ　ｆ’Ｑ１５
がある。この第２の堆積層１５は、段差３０．３０ａ上
の微小空隙２０．２０ａを形成するように設計されてい
る。これらの微小空隙２０．２０ａの厚さは、例えば０
．１〜１μｍの範囲にある第２の堆積層１５の厚さのみ
に依存している。

勿論、図における寸法は、これらの図を明確にするため
に実寸ではない。

第２の堆積層１５の」二には、磁性材料からなる第３の
堆積層１６がある。第３の堆積層１６は第１の堆積層１
４のものと同様の種類及び厚さのものである。堆積Ｊａ
　１４，　１５．　１６か完全に中間基板に設けられ、
落ち込んた領域即ち凹部２８の形状に従うことに注怠す
べきである。

従って、第１の堆積層１４、第２の堆祐層１５、次いで
第３の堆積／＠１６を堆積ずることにより、堆積層１４
，　１５．　１６を堆積ずる処理におい゜乙即ち第１の
堆積層１４を堆祐した時点から第３の堆和層１６を堆積
した時点までに、これらの堆祐を行なった囲みから中間
アッセンブリ１２を除去する必要がないように、第１の
堆積ｆｖＪ１４、第２の堆積層１５、第３の堆祐層１６
を順次堆祐ずる。実際、堆祐間には、フォトリソグラフ
ィーの工程を必要としないのて、樹脂の清掃に関連した
全ての問題を除去する。

方、従来技術ではこのような清掃が堆積層間で適正な接
着を確保するるために重要なことであった。

第６図は通常の研磨処理を行なう中間アッセンブリ１２
を示す。この研磨処理は、落ち込み領域即ち凹部２８の
各側面から、第３層の部分１６ｂ，　１６ｃ及び第２の
層（非磁性材料）の部分１５ｂ，　１５ｃ　（点線によ
り示す）を除去するように設計されているので、この処
理のステップでは、第１の堆ｆｉ１層１４（完全）；第
２の堆積層の中心部１５ａ（凹部２８に位置する）及び
段差３０．３０ａ上に形成された微小空隙２０．２０ａ
；第３の堆積層１６の中心部１６ａにのみ残留する。

この処理の結果は、下記により形成される薄膜構造１１
の平面３２が出現する。

一凹部２８の両側に位置する第１の堆積層ｌ４の周辺部
１４ｂ，　１４ｃ　； −磁性材料からなる第３の堆積層１６の磁性体層１６ａ
； −（第３の堆積層１６の）磁気層１６ａを（第１の堆積
層１４の）周辺部１４ｂ，　１４ｃから離ずようにずる
各微小空隙２０．２０ａの一端； 一磁気中心部１４ａ，　１６ａ間に非磁性材料の中心部
１５ａが配置される。

親基板１０（又は磁界シールド基板）及び中間アッセン
ブリ１２は、第３図に示す方法により一体に接合されて
いる。

次の手順は、化学的、機械的又は他の処理により中間ア
ッセンブリ１２を除去し、第１の堆積層１４から磁気中
心部１４ａを除去し、かつ第２の堆積層１５の非磁性中
心部１５ｃの全ての又は一部分を除去するために用いら
れる。

第７図に示すように、中間層２２（現在、機能部分１１
ａに縮小されている）を介して薄ＩＩ　ｊｆＩ造ｌ１を
支持する親基板１０が得られる。ここで、薄膜構造１１
は、同一面に位置し、かつ微小空隙２０．２０ａにより
分離され、親基板１０に対向する活性面３５ａ，　３５
ｂを形成している。

残っている唯一の処理は、例えばフランス特許出願第８
７　１４８２２号に説明されているように、活性面３５
ａ，　３５ｂ上に磁極の形状をエッチングすることであ
る。

磁極の形状は、非限定的な実施例として示す第８図のも
のでよい。第８図は磁極１’ｌ及びＰ２の形状を示す図
である。また、磁極Ｐｉ及びＰ２は、例えば微小空隙２
０，　２０ａ、微小空隙２０ａのいずれかの側面に作成
されたものでもよい、この場合に、磁極Ｐ１及びＰ２は
第７図に矢印４０により示すように、上から見たもので
ある。

磁極ＰＩ及びＰ２をエッチングするために、処理が簡単
であり、その方法については説明するまでもないが、以
下に説明する処理を採用してもよい。

−活性面上に感光性樹脂又は被覆を堆積ずる。

一磁ｆＭＰ１及びＰ２に与えられる形状及び寸法のマス
クを用いて、この被覆を１回以上マスクする。

一マスクした感光性樹脂の被覆を露出させる。

一感光性樹脂及びマスクを除去した後、ｌｉ！極Ｐ１、
Ｐ２を作成するために、通常の方法によるエッチング（
化学的なエッチング、イオン・エッチング、プラズマ・
エッチング）をしてもよい。この方法によって、磁ｔｉ
Ｐ１，　Ｐ２は周辺の表面から突起したものとなる。

１つ又は複数のコイルの製造及び／又はアッセンブリに
ついては、例えばフランス特許出願　第８６　１４９７
５号に説明されている方法により達成され、又は個別的
に磁気ヘッドを切断又は分離して達成される。この磁気
ヘッドは平行ノッチ２、２ａを介して磁気回路の１領域
に１又は複数のコイルが巻き付けられる。

以下の説明は、この発明による製造方法の実施例に関す
るものであり、中開基扱１３に埋込まれた、即ち周辺面
から突起することのない磁極を提供するものである。

第９ａ図及び第９ｂ図は、第８図に示す中間２５　＄ｉ
　１　：Ｊに、磁極ＰＩ，Ｐ２のものと同様の形状をも
った磁極の型を得る処理を示す。第９ａ図及び第９ｂ図
は第８図に示すＸ軸に沿い、磁極ＰＩ，Ｐ２の横方向の
側面４６が存在する縦断面図である。

中間基板ｌ３の表面２５にマスクが作成される。マスク
が作成されると、第８図に示磁極の形状をもった平坦面
４８が浮び上がる。第９ａ図の形状はこの磁極の側面４
６を長さ方向について示すものである。

例えば、化学的な処理により平坦而４８をエッチングし
、マスク４７の樹脂を除去すると、表面Ｚ５に磁極の形
状をもった凹部４９が現われる。この凹部４９は、垂直
な段差５０．５１を介して表面２５に会合する。

第１０ａ図及び第１０ｂ図は、第２のｒＪｊ１極を形成
し、かつ前記凹部４９の深さを増加することにより、前
記凹部２８に対称な他の凹部を作成する処理のステップ
を示す。

このために、凹部４９により形成された新しい平坦領域
５４と、第２の磁極の形状の付加的な平坦領域５５とが
現われるように、２つの磁極の形状をなす第２のマスク
５３を中間基板１３の表面２５に配置する。

初期パターンを形成している現在の凹部４　９　１ｉ１
’ｌに作成すべき第２のパターンを重畳することは、可
能な限り正確でなければならないが、その性質から極端
に厳密なものではない。好ましいものとして、第２マス
ク５３は、第１０ａ図に示すように、垂直な段差５０を
覆う第１のマスクに対していくらかオフセットされる。

第ｔａｂ図は、平坦領域５４の位置に平坦領域５４をエ
ッチングし、かつ第２マスク５３を除去ずると、中間基
板１３の表面２５に二段領域６０が形成される。

二段領域６０は、更に深い凹部４９及び６１により形成
されている。凹部６１は、最後の平坦領域５５をｆｆｌ
Ａし、一端が新しい段差６３により表面２５に接続し、
他端が二段領域６０の中心にほぼ位置する段差５１即ち
中間段差により凹部４９の底に接合し゜Ｃいる。

第１１図は３つの堆積層１４，　１５．　１６を示す。

これらの堆積層１４，　１５．　１６は中間基板１３上
に、特に二段領Ｊ或６０に堆積されており、前記実施例
のように重畳され、段差６３，　５１．　５０の形状に
従っている。

次の手順は二段領域６０の外側にある薄膜層の複数部分
を除去するステップからなる。これは、前記実施例のよ
うに、研磨処理をして中間基板１３の表面２５から突起
している物質を除去することにより達成される。前記表
面２５は、第１１図の点線により定められているもので
ある。

この研磨処理の結果、第１２図に示すように、表面２５
のときと同一面で二段領域６０の位置に磁性材料からな
る堆積層１４の表面Ｓ１４と、堆積層１６の表面３１６
とが形成される。非磁性材科の第２の堆わ１層１５はこ
れら２つの准禎層１４及び１６を分離ずるものであり、
その縁は垂直な段差５０．５１の高さのところに来る。

このような方法により形成された中間アッセンブリ１２
は、前記実施例に説明したものと同様の方法により、親
基板１０に一体に接合可能になる。この発明の実施例で
は、勿論、前記状況にもかかわらず、磁極ＰＬ，Ｐ２の
形状が既に堆稙層１４，１６に形成されている。

第１３図は、中間層２２を介して中間アッセンブリ１２
に一体に接合する親基板１０、親基板１０を向く表面２
５、Ｓ１４，　Ｓ１５及びほぼ平行ノッチ２の艮軸２１
を中心とした段差５１を示す。この時点では、非磁性材
料からなる第２の堆積層１５か段差を形成している。こ
の段差は空隙７３を形成ずるように設計されたものであ
る。

この発明の製造方法において、次のステップは中間基板
１３と、中間アッセンブリ１２の最深レベルにある第１
の堆積層１４の部分とを部分的に除去するステップであ
る。ここで、磁気薄膜層の最深レベルの領域は、第１３
図に示す第１の７ｉｌ４Ｐとして識別される。実際、こ
の処理は、点線７０により表わされた面を超えている全
ての物質を除去するステップからなる。この点線７０は
、ζの層を保持する、即ち表面３１４に対向ずる部分が
第１の堆積層ｌ４の下而７１に対応する。その結果、橘
逍の機能部的な薄膜構造１ｌｂのみが保持される。

第１４図はこの処理の結果を示す。この機能的な部分の
薄Ｊｌ！構造１ｌｂが、親基板１０に一体に接合される
こと、及び前記実施例と異なり、２つの磁極ＰＩ，Ｐ２
が既に形成され、第１の堆稙層１４の一部分と、第３の
堆積層ｌ６の一部分とによりそれぞれ表わされているこ
とは、明らかである。２つの磁極ＰＩ，Ｐ２は第２の堆
積層１５により作成された微小な空隙７３により分離さ
れている。

この発明の処理の実施例では、括性面が完全に平らとな
るように、中間基板１３の残りの部分１３ａと部分１３
ｂとの間に埋め込まれていることも明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は複数の磁気ヘットを作成するために用いられ、
かつ１又は複数の薄膜層用の親基板を↑１４成すること
になる磁性材料の公知の基板を示す斜視図、 第２図は第１図に示す基板を切断して作成された公知の
磁気回路を示す斜視図、 第３図はこの発明の処理の特徴的な工程の概要を示すと
共に、第２図に示すものと同一の親茫根の断面図、 第４ａ図及び第４ｂ図は第３図に示す中間基板をエッチ
ングするステップの前後について概要的に示す断面図、 第５図は３薄膜層により被覆された中間基板の断面図、 第６図は空隙を作成するように設計された研磨工程が続
く第５図の中間基板を示す断面図、第７図は同一面に配
置された磁気的な薄膜層により被覆され、空隙により分
離された親基板を示すと共に、中間基板を除去した後の
磁気ヘッドの概要輪郭を形成する２つの磁気薄膜層の断
面図、第８図は非限定的な一実施例として磁気ヘッドの
磁極に付けられた形状を示す断面図、第９ａ図，第９ｂ
図は、この発明の好ましい一実施例として第１の磁極に
関連するマスキンク及びエッチングに関する処理の１ス
テップを示す図であり、中間アッセンブリ上に磁極を形
成する、即ち中間支持体を除去する前に、中間アッセン
ブリ上に（［！極を形成する、即ち中間基板を除去する
前の図、 第１０ａ図，第１０ｂ図は２つの磁極に関するマスキン
グ及びエッチングのステップを概要的に示す図、 第１１図は中間基板上に３つの薄膜層を連続的に堆積し
、研磨することにより、直接、空隙により分離された２
つの磁極が現われる研磨結果を示す図、 第１２図は第１１図に示す薄膜層の構造の研磨及び平削
のステップが続く中間アッセンブリの断面図、 第１３図は中間アッセンブリがこの発明の方法の好まし
い一実施例における親基板に取り付けられているステッ
プを示す断面図、 第１４図は中間基叛を除去した後の薄膜層を接着した親
基板を示す断面図である。 １０・・・親基板、　　　　　１１・・・薄膜構造、１
２・・・中間アッセンブリ、ｌ３・・・中間基板、１４
，　１５．　１６・・・堆積層、　　２２・・・中間層
、２５・・・表面、　　　　　　２８，４９．６１・・
・凹部、３０，　３０ａ，　５０，　５１．　６３・・
・段差、３２・・・平面、　　　　　　４８・・・平坦
図、５３・・・マスク、　　　　　５４．５５・・・平
坦領域、６０・・・二重領域、　　　　７１・・・下面
、７３・・・空隙、　　　　　　ＰＬ，Ｐ２・・・磁極
。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一つの磁気ヘッドを形成するように設
   計された装置が薄膜層の型式の構造（１１、１１ａ）を
   備え、 前記構造（１１、１１ａ）が磁性材料（１４、１５、１
   ６）の少なくとも一層を備え、 前記構造（１１、１１ａ）が親基板（１０）により支持
   された装置の製造方法において、 中間アッセンブリ（１２）を作成するように中間基板（
   １３）上に磁性材料（１４、１５、１６）の層を堆積す
   るステップと、 前記親基板（１０）が前記親基板（１０）側にある磁性
   材料（１４、１５、１６）の層により中間アッセンブリ
   （１２）に一体に接合するように、前記中間アッセンブ
   リ（１２）を前記親基板（１０）に取り付けるステップ
   とを備え、 中間アッセンブリ（１２）が親基板（１０）に一体に接
   合されたときに、前記中間基板上に層を堆積させること
   なく、前記中間アッセンブリの機能的な部分（１１、１
   １ｂ）のみを残すように、前記中間基板（１３）を少な
   くとも部分的に除去することを特徴とする製造方法。
2. （２）請求項１記載の製造方法において、 前記中間アッセンブリ（１２）と前記親基板（１０）と
   の間に中間層（２２）を形成する接着物質により前記中
   間アッセンブリ（１２）及び前記親基板（１０）を一体
   に接合するステップを備え、 前記中間層（２２）は前記親基板（１０）上に存在する
   不整又は面のあらさを補償するために十分な厚さのもの
   であることを特徴とする製造方法。
3. （３）請求項１記載の製造方法において、 前記親基板（１０）は少なくとも一つの磁気回路を備え
   、 磁性材料の少なくとも一層（１４、１６）を前記中間基
   板（１３）上に堆積して前記磁極（Ｐ１、Ｐ２）を形成
   することを特徴とする製造方法。
4. （４）請求項３記載の製造方法について、 前記中間基板（１３）の一つの表面（２５）に少なくと
   も一つの凹部（２８）を形成するステップと、前記中間
   基板（１３）の表面（２５）及び前記凹部（２８）に重
   畳した３つの薄膜層（１４、１５、１６）を堆積するス
   テップとを備え、 前記中間基板（１３）と接触している前記第１の層（１
   ４）は磁性材料の層であり、 前記第１の層（１４）上に堆積された前記第２の層（１
   ５）は非磁性材料であり、 前記第２の層上に堆積した第３の層（１６）は磁性材料
   であり、 前記表面（２５）と前記凹部（２８）との間の凹部は段
   差（３０、３０ａ）を形成し、 前記段差（３０、３０ａ）の形状は前記第１及び第２の
   層の形状に従うと共に、 更に前記製造方法において、 前記第３の層（１６）の側の前記中間アッセンブリ（１
   ２）を機械加工するステップを備えて、前記凹部（２８
   ）の外側に位置する層の部分（１６ｂ、１６ｃ）を除去
   し、 可能な限り前記凹部（２８）の外側にある第２の非磁性
   膜の周辺部（１５ｂ、１５ｃ）を除去して、実質的に平
   面（３２）を形成し、 かつ前記平面上に段差（３０、３０ａ）に対向する前記
   第２の層（１５）の少なくとも一端（２０、２０ａ）の
   面上に出現させ、 各端（２０、２０ａ）は２つの磁性体層を分離する空隙
   を形成し、その一方が前記第１の層（１４）の一部によ
   り形成され、他方が前記第３の層（１６）の部分により
   形成され、 前記中間アッセンブリ（１２）は前記平面（３２）によ
   り前記親基板（１０）に一体に接合される ことを特徴とする製造方法。
5. （５）請求項４記載の製造方法において、 前記親基板（１０）及び前記中間アッセンブリ（１２）
   は一体に接合された後、前記親基板（１０）に対向する
   面上の前記中間アッセンブリ（１２）を機械加工して、
   前記中間基板（１３）及び前記第１の磁性体層（１４）
   の中心部を除去するステップと、 前記第１及び第２の磁性体層（１４、１６）の残りの部
   分は同一の面に存在するようにその中心部を前記凹部（
   ２８）に配置し、前記残りの部分をエッチングして空隙
   （３０、３０ａ）により分離された少なくとも２つの磁
   極（Ｐ１、Ｐ２）を形成するステップとを備えたことを
   特徴とする製造方法。
6. （６）前記請求項のうちのいずれかに記載の製造方法に
   おいて、 前記中間基板（１３）は単結晶型半導体を用いて作成さ
   れていることを特徴とする製造方法。
7. （７）請求項１記載の製造方法において、 前記中間基板（１３）はシリコンからなることを特徴と
   する製造方法。
8. （８）請求項１記載の製造方法において、 前記中間基板（１３）の前記表面（２５）上に磁極（Ｐ
   １、Ｐ２）の形状をもった平坦領域（４８）を形成する
   ステップと、 前記平坦領域（４８）の位置に第１の凹部（４９）を作
   成するステップと、 前記中間基板（１３）の前記表面（２５）上にマスク（
   ５３）を形成するステップとを備え、 前記マスクの一部分は前記第１の凹部（４９）に対向す
   る第１の磁極（Ｐ１）の形状を有し、かつその少なくと
   も一部分が前記第１の凹部を開放し、その他の部分が前
   記第１の凹部（４９）に連続する第２平坦領域（５５）
   を形成し、前記第２の磁極（Ｐ２）の形状を有し、 前記マスク（５３）は対称的に配置された２つの磁極に
   対応する新しい平坦領域（５４）を形成すると共に、 前記製造方法において、 前記新しい平坦領域（５４）をエッチングして、前記第
   １の凹部（４９）と、前記第１の凹部（４９）より浅い
   第２の凹部（６１）とからなる二重レベル区画（６０）
   を作成するステップを備え、 前記２つの凹部が中間段差（５１）により分離されると
   共に、 前記製造方法において、 それぞれ磁性体、非磁性体及び磁性体からなる３薄膜層
   （１４、１５、１６）を前記二重レベル区画（６０）に
   堆積するステップと、 前記中間基板の前記表面（２５）から突起する全物質を
   除去するステップと、 前記中間基板（１３）が前記親基板（１０）に対向する
   ように、中間アッセンブリ（１２）を前記親基板（１０
   ）に一体に接合させるステップと、 前記第１の薄膜層（１４）の一部分を除去して前記第１
   の凹部（４９）に最深の層を形成するステップと、 前記第１の磁性体層（１４）の残りの部分の下面（７１
   ）を含む面（７０）から突起する前記中間基板（１３）
   の一部を除去して、前記中間アッセンブリ（１２）の残
   りの全てが前記第１の磁性体層（１４）の一部分及び前
   記第３の磁性体層（１６）の一部分を形成する機能部的
   な部分（１１ｂ）とするステップとを備え、前記第２の
   非磁性体層（１５）の残りの部分が前記中間段差（５１
   ）上に形成した空隙により前記２つの磁性体層（１４、
   １６）を分離し、 前記磁性体層（１４、１６）の２つの部分が前記中間基
   板（１３）から除去されていない前記部分（１３ａ、１
   ３ｂ）に埋込まれた磁極（Ｐ１、Ｐ２）を形成すること
   を特徴とする製造方法。