JPS6359540B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、マスク
枚数が少なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部
および配線層パターンの形成方法を提供するもの
である。

半導体装置の製造工程において、絶縁膜への開
孔部の形成および配線パターンの従来の形成方法
を第１図に示す。半導体基板１およびこの中に形
成した導電体層１′上に絶縁膜２および感光性樹
脂膜３を形成し、開孔部形成用フオトマスクによ
り選択的に紫外線を照射し、樹脂膜３に所定の開
孔部４を形成するＡ。感光性樹脂膜３を食刻マス
クとして絶縁膜２を食刻し、開孔部を形成した後
感光性樹脂膜３を除去する。全面に導電体層５お
よび感光性樹脂膜６を形成した後、配線層パター
ンを有するフオトマスクにより感光性樹脂膜パタ
ーン６′を形成するＢ。感光性樹脂膜パターン
６′を食刻マスクとして、導電体層５を食刻した
後感光性樹脂膜６′を除去し、導電体層１′に接続
された配線層パターン７を形成するＣ。Ｄ，Ｅは
Ａ，Ｃの平面パターンを示す図である。

かかる方法では開孔部形成用のフオトマスクと
配線層形成用フオトマスクの２種類が必要であ
る。また開孔部形成用感光性樹脂膜３を除去後、
新たに配線層形成用感光性樹脂膜６′を形成する
ため、開孔部と配線層パターンの位置合せ精度が
必要であり合わせ余裕ｌを必要とし、高密度化の
妨げとなつている。また開孔部の巾が小さくなつ
てくると光の回折現象などのためフオトマスクに
忠実なパターンが形成できず角が丸くなるという
欠点があつた。

本発明は絶縁膜の開孔を精度良く行い、かつ開
孔部と導体配線層のマスク合せズレのない方法を
提供するものである。

第２図に従つて本発明の一実施例を説明する。
一導電型シリコン半導体基板１０にたとえば反対
導電型不純物を拡散し第１導電体層１１を選択的
に形成する。全面に絶縁膜１２および第１の感光
性樹脂膜１３を形成するＡ。第１導電体層１１の
形成に用いた第１のフオトマスクを用い第１の感
光性樹脂膜１３に開孔部１４を形成するＢ。第１
の感光性樹脂膜１３にベーキング処理を行なつた
後、全面に第２の感光性樹脂膜１５を第１の感光
性樹脂膜１３より厚く、表面が平坦になるように
形成するＣ。

次に第１の導電体層１１と接続される第２の導
電体層のパターンを有する第２のフオトマスクを
用い、第２の感光性樹脂膜にパターン１５′を形
成するＤ。第１の感光性樹脂膜１３のパターンと
第２の感光性樹脂膜パターン１５′の交差部１６
では絶縁膜１２が露出する。

次に絶縁膜１２を食刻除去して開孔部１６′を
形成した後Ｅ、露出している第１の感光性樹脂膜
１３を酸素プラズマ処理などにより除去する。

このとき同時に第２の感光性樹脂膜パターン１
５′も一部除去されるが、第１の感光性樹脂膜よ
りも厚く形成してあるのでパターン１５′下の第
１の感光性樹脂膜１３′は残留する。

全面に金属などの第２の導体層１７を形成し、
さらに第３の感光性樹脂膜１８を、残留している
第１および第２の感光性樹脂膜１３′，１５′の膜
厚より厚く形成する(F)。前記第２の導電層パター
ン形成用の第２のフオトマスクを用いるかあるい
は第２図Ｇに示すように第３の感光性樹脂膜を全
面にわたり薄くしていき、第１および第２の感光
性樹脂膜１３′，１５′以外の凹部の領域にのみ第
３の感光性樹脂膜パターン１８′を形成する。次
にパターン１８′をマスクとして第２の導電体層
の露出領域を食刻除去し、配線層パターン１７′
を形成する。

上記実施例において第２図Ｄに示した絶縁膜１
２の食刻工程をプラズマあるいはスパツタ法によ
るいわゆるドライエツチングで行なうことによ
り、次の第２の感光性樹脂膜の除去および第２の
導体層の形成までを連続して真空雰囲気の中で行
なうことができる。

また第２の導体層形成前に、第１と第２の接続
抵抗を小さくするためあらかじめ溶液あるいはド
ライエツチングにより、酸素プラズマ処理により
第１導体層上に形成された絶縁膜を除去してもよ
い。

上記実施例では第１のフオトマスクとして第１
の導電体層パターンを有するマスクを用いたが、
第１および第２の導電体層の接続部で第２の導電
体層パターンと交差する他のフオトマスクを用い
てもよいことはいうまでもない。

なお、第２図Ｈに示すように、第２の導体層パ
ターン１７′の長手方向には余裕寸法ｍを残して
おく方が、開孔部の形成を精度よく行なうことが
できる。尚、同図Ｉ，Ｊ，ＫはＢ，Ｄ，Ｈの平面
パターンを示す図である。

以上のように、本発明によれば開孔部を第１お
よび第２の導電体層形成用のフオトマスクにより
形成できるため、開孔部形成用の別のフオトマス
クを省略できる。また開孔部の角は異なるフオト
マスクの２辺により構成されるため形状が丸くな
ることはない。また、開孔部の形成と配線層の形
成を連続して行なえるため、従来と異なり位置合
せ精度が向上し、従来のような合せ余裕寸法を必
要とせず高密度化が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を説明するための図でＡ〜Ｃは
構造断面図、同Ｄ，ＥはそれぞれＡ，Ｃの状態の
平面図、第２図は本発明の一実施例の配線パター
ンの製造工程を説明するための図で、Ａ〜Ｈは構
造断面図、Ｉ，Ｊ，Ｋは同Ｂ，Ｄ，Ｈの状態の平
面図である。 １０……半導体基板、１１……第１導電体層、
１２……絶縁膜、１３……第１の感光性樹脂、１
４，１６′……開孔部、１５′……第２の感光性樹
脂パターン、１６……交差部、１７……配線層パ
ターン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 第１の導電体上の絶縁膜上に形成された第１
   の感光性樹脂膜に、前記第１の導電体上に第１の
   開孔部を有する第１のパターンを形成する工程
   と、第２の感光性樹脂膜を前記第１の感光性樹脂
   膜より厚く塗布し、前記第２の感光性樹脂膜に、
   前記第１のパターンと第１の開孔部と交差する第
   ２の開孔部を有する第２のパターンを形成する工
   程と、前記第１と第２のパターンの開孔部の交差
   部で露出した前記絶縁膜を食刻除去する工程と、
   前記第１の感光性樹脂膜の露出部を食刻除去する
   工程と、全面に第２の導電体層を形成した後、前
   記第２の導電体層を選択的に除去し前記第１の導
   電体に接するとともに前記第２のパターンに応じ
   た配線パターンを形成する工程とを備えたことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 第１の導電体の形成に、第１のパターン形成
   と同じマスクを用いることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。