JPS58102520A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58102520A JPS58102520A JP20126181A JP20126181A JPS58102520A JP S58102520 A JPS58102520 A JP S58102520A JP 20126181 A JP20126181 A JP 20126181A JP 20126181 A JP20126181 A JP 20126181A JP S58102520 A JPS58102520 A JP S58102520A
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- pattern
- photosensitive resin
- photoresist
- metal layer
- forming
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体基板を選択
的に食刻して凹形領域を設け、ここに電極金属を形成す
る方法に関するものである。
的に食刻して凹形領域を設け、ここに電極金属を形成す
る方法に関するものである。
従来、高出力を得る丸めに半導体基板、例えばガリウム
ーヒ素基板を選択的に食刻し、しかるのちの食刻領域に
電極形成をおこなうことが知られている。しかしながら
この方法では、ガリウムーヒ素基板に食刻され九凹部領
域が微小であること、および凹部領域に精度よく電極金
属を形成しなければないこと等を注意しなければならな
いが、フォトレジスト工程における目合せズレ、フォト
マスクと半導体基板とのピッチズレ、及び電極金属エツ
チング時のアンダーカット等が生じ、目的に沿り九電極
を形成することが困難であった。
ーヒ素基板を選択的に食刻し、しかるのちの食刻領域に
電極形成をおこなうことが知られている。しかしながら
この方法では、ガリウムーヒ素基板に食刻され九凹部領
域が微小であること、および凹部領域に精度よく電極金
属を形成しなければないこと等を注意しなければならな
いが、フォトレジスト工程における目合せズレ、フォト
マスクと半導体基板とのピッチズレ、及び電極金属エツ
チング時のアンダーカット等が生じ、目的に沿り九電極
を形成することが困難であった。
そこでこの欠点をとシのぞ〈丸め、フォトレジスト工程
での目金露光において、顕微鏡の倍率を上げる。また基
板をできるだけ平坦にする。高精度のフォトマスクを使
用する、あるいはフォトレジストと基板もしくは表面保
膜膜との密着性を強くする等の対策をおこなっていた。
での目金露光において、顕微鏡の倍率を上げる。また基
板をできるだけ平坦にする。高精度のフォトマスクを使
用する、あるいはフォトレジストと基板もしくは表面保
膜膜との密着性を強くする等の対策をおこなっていた。
しかしながら、かかる対、策において４精変の問題は完
全に解決されてはおらず、逆に処理時間が長くなること
、およびフォトレジストの密着性も弱くなること等の弊
害を生じていえ。
全に解決されてはおらず、逆に処理時間が長くなること
、およびフォトレジストの密着性も弱くなること等の弊
害を生じていえ。
本発明の目的は、電極エツチング時のアンダーカットや
フォトマスクの位置ズレを除去し精度よく金属層を形成
する方法を提供することにある。
フォトマスクの位置ズレを除去し精度よく金属層を形成
する方法を提供することにある。
以下本発明の一実施例を図面を参照して詳しく説明する
。第１図乃至＠５図は１本発明の一実施例におけるその
製造順の各工程における断面図である。
。第１図乃至＠５図は１本発明の一実施例におけるその
製造順の各工程における断面図である。
まず第１図に示すように、半導体基板ｌ（本実施例では
ガリウムーヒ素基板）に絶縁膜２（本実施例では、ポリ
イミド樹脂）を約５０００Ａ８度形成し、これを１５０
℃及び３００℃で熱処理する０次に、ポジ型レジスト３
を形成し、フォトマスクを用いて、選択的に光照射をお
こなう。（本実施例では、開口部４は約１μ）。次にこ
れを熱処理したのち、酸素プラズマ中で開口部のポリイ
ミド樹脂を精度よく窓開けし、フォトマスクと同じ寸法
の開口部を形成する。しかるのち基板を電解液（本実施
例では５％酒石酸溶液）中で反応させ、開口部に対応す
る基板を食刻する（第２図）。
ガリウムーヒ素基板）に絶縁膜２（本実施例では、ポリ
イミド樹脂）を約５０００Ａ８度形成し、これを１５０
℃及び３００℃で熱処理する０次に、ポジ型レジスト３
を形成し、フォトマスクを用いて、選択的に光照射をお
こなう。（本実施例では、開口部４は約１μ）。次にこ
れを熱処理したのち、酸素プラズマ中で開口部のポリイ
ミド樹脂を精度よく窓開けし、フォトマスクと同じ寸法
の開口部を形成する。しかるのち基板を電解液（本実施
例では５％酒石酸溶液）中で反応させ、開口部に対応す
る基板を食刻する（第２図）。
次に、前記開口部４を有するフォトレジスト上にさらに
ネガ型の７オトレジスト５を形成し、フォトマスクを使
用して開口部４よシ広いパターン４′を窓開けする（本
実施例では約３μのパターンをドライ現像法で実現し九
）。しかるのちネガ型および開口部のポジ型レジストを
酸素プラズマで除去する。そめ後真空蒸着法等によシ金
属層６（本実施例ではアルミニウム）を形成する（第４
図）。
ネガ型の７オトレジスト５を形成し、フォトマスクを使
用して開口部４よシ広いパターン４′を窓開けする（本
実施例では約３μのパターンをドライ現像法で実現し九
）。しかるのちネガ型および開口部のポジ型レジストを
酸素プラズマで除去する。そめ後真空蒸着法等によシ金
属層６（本実施例ではアルミニウム）を形成する（第４
図）。
しかるのち残され九ポジ型フォトレジストを除去する時
、同時にその上の金属層を除去（リフトオフ）して所望
の電極パターン６′を形成する。
、同時にその上の金属層を除去（リフトオフ）して所望
の電極パターン６′を形成する。
本方法を採用することによシ、従来実施していた半導体
基板に絶縁膜を形成し、基板を７オトレジストエ程で選
択的にウェット方法で食刻し、しかるのち金属層を形成
して金属をパターニングする方法よシ精度よく電極を、
形成することを可能となした。即ち、電極のパターニン
グではエツチング除去を採用しておらず、その丸めにア
ンダーカット口やマスクズレは生じない。さらに処理工
程の短縮１種々の薬品の削減等の効果が期待できるとい
う製造上の効果も大きい。
基板に絶縁膜を形成し、基板を７オトレジストエ程で選
択的にウェット方法で食刻し、しかるのち金属層を形成
して金属をパターニングする方法よシ精度よく電極を、
形成することを可能となした。即ち、電極のパターニン
グではエツチング除去を採用しておらず、その丸めにア
ンダーカット口やマスクズレは生じない。さらに処理工
程の短縮１種々の薬品の削減等の効果が期待できるとい
う製造上の効果も大きい。
なお本実施例は半導体基板としてガリウムーヒ素の場合
について述べたが、シリコン等地の半導体基板で本同様
の効果を得ることができる。また絶縁膜としてはポリイ
ミド樹脂を使用し九個を示したが、酸化膜や窃化膜等で
屯よい。さらに、フォトレジストとしてはネガ型および
ポジ型の順序を入れか、えて使用してもよい。
について述べたが、シリコン等地の半導体基板で本同様
の効果を得ることができる。また絶縁膜としてはポリイ
ミド樹脂を使用し九個を示したが、酸化膜や窃化膜等で
屯よい。さらに、フォトレジストとしてはネガ型および
ポジ型の順序を入れか、えて使用してもよい。
第１図乃至第５図は本発明の一実施例を説明する九めの
各工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ポリイミド
樹脂、３・・・・・・ポジ型フォトレジスト、４．４’
・・・・・・フォトレジスト、ポリイミド及び基板の開
口部、５・旧・・ネガ型フォトレジスト、６．６’・・
・・・・アルミニウム層。 半１図 ＊ｚｍ 半３図 ｊ４＋図 峯ダ旧 ８３−
各工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ポリイミド
樹脂、３・・・・・・ポジ型フォトレジスト、４．４’
・・・・・・フォトレジスト、ポリイミド及び基板の開
口部、５・旧・・ネガ型フォトレジスト、６．６’・・
・・・・アルミニウム層。 半１図 ＊ｚｍ 半３図 ｊ４＋図 峯ダ旧 ８３−
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に
感光性樹脂を形成し選択的に第１のパターンを窓開けす
る工程と、該窓開けされた領域に相当する前記絶縁膜を
除去する工程と、除去され九部分に相当する領域の前記
半導体基板に凹部を形成する工程と、＠２の感光性Ｗ＠
を形成しこれに前記第１の微小パターンを含むようにそ
れより大きい第２のパターンを窓開けする工程と、該第
２の感光性樹脂をマスクとして前記第１の感光性樹脂を
除去する工程と、この除去を含めて前記第２の感光性樹
脂上に金属層を形成する工程と、前記第１および第２の
感光性樹脂上の金属層を除去する工程とを含むことを特
徴とする早導体装蓋の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126181A JPS58102520A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126181A JPS58102520A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102520A true JPS58102520A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16438007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20126181A Pending JPS58102520A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539806A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 电极的制造方法、电极及半导体器件 |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20126181A patent/JPS58102520A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539806A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 电极的制造方法、电极及半导体器件 |
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