JPS59211232A - 半導体装置における金属層パタ−ンの形成方法 - Google Patents
半導体装置における金属層パタ−ンの形成方法Info
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- JPS59211232A JPS59211232A JP8680283A JP8680283A JPS59211232A JP S59211232 A JPS59211232 A JP S59211232A JP 8680283 A JP8680283 A JP 8680283A JP 8680283 A JP8680283 A JP 8680283A JP S59211232 A JPS59211232 A JP S59211232A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置における金属層パターンの形成方
法の改良に関するものである。
法の改良に関するものである。
第１図は従来の方法を説明するためのその主要段階にお
ける状態を示す断面図で、まず第１図Ａに示すように、
半導体基板（１）の上にホトレジストを塗布し、これに
所要の露光、現像処理を施して開孔（２）を有する第１
のホトレジスト膜（３）を形成する。次に第１図Ｂに示
すように＠１のホトレジスト膜（３）の開孔（２）内を
含めて全上面にわたって金属膜（４）を形成する。この
とき上記開孔（２）Ｋ対応して四部（５）が形成される
。つづいて、第１図Ｃに示すように金属［（４）の上に
再びホトレジストを塗布して露光、現像処理を施して、
金属膜（４）の凹部（５）の部分を含む開孔（６）を有
する第２のホトレジスト膜（７）を形成する。その後に
、第１図りに示すように、この第２のホトレジスト膜（
７）をマスクとして、金属膜（４）をｔｉとしてメッキ
を施して、金属膜（４）の四部（５）および第２のホト
レジスト膜（７）の開孔（６）内にメッキ金属層（８）
を形成する。最後に第１図元に示すように、レジストは
く離液などを用いて、第１のホトレジスト膜（２）、第
２のホトレジス）ＵＮ（７）および金属膜（４）のこれ
らの間の部分を一度に除去して所望のメッキ金属層パタ
ーン（８）が完成する。
ける状態を示す断面図で、まず第１図Ａに示すように、
半導体基板（１）の上にホトレジストを塗布し、これに
所要の露光、現像処理を施して開孔（２）を有する第１
のホトレジスト膜（３）を形成する。次に第１図Ｂに示
すように＠１のホトレジスト膜（３）の開孔（２）内を
含めて全上面にわたって金属膜（４）を形成する。この
とき上記開孔（２）Ｋ対応して四部（５）が形成される
。つづいて、第１図Ｃに示すように金属［（４）の上に
再びホトレジストを塗布して露光、現像処理を施して、
金属膜（４）の凹部（５）の部分を含む開孔（６）を有
する第２のホトレジスト膜（７）を形成する。その後に
、第１図りに示すように、この第２のホトレジスト膜（
７）をマスクとして、金属膜（４）をｔｉとしてメッキ
を施して、金属膜（４）の四部（５）および第２のホト
レジスト膜（７）の開孔（６）内にメッキ金属層（８）
を形成する。最後に第１図元に示すように、レジストは
く離液などを用いて、第１のホトレジスト膜（２）、第
２のホトレジス）ＵＮ（７）および金属膜（４）のこれ
らの間の部分を一度に除去して所望のメッキ金属層パタ
ーン（８）が完成する。
ところが、この従来の方法では、第１のホトレジス）Ｉ
ｌｌ（２）、第２のホトレジスト膜（７）及びこれらの
間の金彊膜（４）を−挙にリフトオフ法で除去するので
、金Ｍ Ｉｌｌ！ （４）は引きちぎられた形となり、
第１図元に示すように不要の部分が残ることがあり、こ
れが隣接するパターンＣ図には示さず）に接触するなど
して、半導体装置の不良の原因となる。
ｌｌ（２）、第２のホトレジスト膜（７）及びこれらの
間の金彊膜（４）を−挙にリフトオフ法で除去するので
、金Ｍ Ｉｌｌ！ （４）は引きちぎられた形となり、
第１図元に示すように不要の部分が残ることがあり、こ
れが隣接するパターンＣ図には示さず）に接触するなど
して、半導体装置の不良の原因となる。
また、この残存する金属膜（４）は薄く柔軟であり変形
しやすく半導体装置の信頼性を低下させる原因となって
いた。
しやすく半導体装置の信頼性を低下させる原因となって
いた。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、第
２のホトレジスト膜、その下の金属膜および第１のホト
レジスト膜を順次完全に除去することによって、正確な
パターンのメッキ金属層を形成し、信頼性の高い半導体
装置を提供するものである。
２のホトレジスト膜、その下の金属膜および第１のホト
レジスト膜を順次完全に除去することによって、正確な
パターンのメッキ金属層を形成し、信頼性の高い半導体
装置を提供するものである。
第２図はこの発明の一実施例の主要工程部分における状
態を示す断面図である。この実施例において、第２図Ａ
の状態は従来例の第１図りの状態と全く同様で、これま
での工程は第１図Ａ−Ｄの工程と同一であるので図示お
よび説明を省略する。
態を示す断面図である。この実施例において、第２図Ａ
の状態は従来例の第１図りの状態と全く同様で、これま
での工程は第１図Ａ−Ｄの工程と同一であるので図示お
よび説明を省略する。
さて、との状態から、まず第２図Ｂに示すように１第２
のホトレジスト膜（７）をリアクティブ・イオン・エツ
チング（Ｒより）、プラズマエツチングなどで除去する
０このとき第１のホトレジスト膜（２）は金属膜（４）
がマスクとなりエツチングされない。次姉第２図Ｃに示
すようにメッキ金属層（８）をマスクとして化学的エツ
チングを施して金属膜（４）の不要部分を除去する。そ
して、最後に第２図りに示すようＫ、第１のホトレジス
ト膜（２）をレジストはく離液で除去する。このように
して金属膜（４）の不要部分が完全に除去されたメッキ
金属層パターン（８）が完成するＯ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明では半導体基板の所望部
位にメッキによって金属層パターンを形成するに当って
当該部位の周囲部分に構成される第１のホトレジスト膜
、金属膜および第２のホトレジスト膜の三重膜を、第２
のホトレジスト膜、金属膜および第１のホトレジスト膜
の順に一々に除去するよう処したので、金属膜の不要部
分が完全忙除去され、従来のように隣接パターンに接触
するおそれがなく、半導体装置の信頼性が向上する。
のホトレジスト膜（７）をリアクティブ・イオン・エツ
チング（Ｒより）、プラズマエツチングなどで除去する
０このとき第１のホトレジスト膜（２）は金属膜（４）
がマスクとなりエツチングされない。次姉第２図Ｃに示
すようにメッキ金属層（８）をマスクとして化学的エツ
チングを施して金属膜（４）の不要部分を除去する。そ
して、最後に第２図りに示すようＫ、第１のホトレジス
ト膜（２）をレジストはく離液で除去する。このように
して金属膜（４）の不要部分が完全に除去されたメッキ
金属層パターン（８）が完成するＯ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明では半導体基板の所望部
位にメッキによって金属層パターンを形成するに当って
当該部位の周囲部分に構成される第１のホトレジスト膜
、金属膜および第２のホトレジスト膜の三重膜を、第２
のホトレジスト膜、金属膜および第１のホトレジスト膜
の順に一々に除去するよう処したので、金属膜の不要部
分が完全忙除去され、従来のように隣接パターンに接触
するおそれがなく、半導体装置の信頼性が向上する。
第１図は従来の金属層パターンの形成方法を説明するた
めにその主要段階における状態を示す断面図、第一２図
はこの発明の一実施例の主要工程段階における状態を示
す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（３）はｉｌのホト
レジスト膜、（２）はその開孔、（４）は金属膜、（５
）はその凹部、（７）は第２のホトレジスト膜、（６）
はその開孔、（８）はメッキ金属層パターンであるＯな
お、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図
めにその主要段階における状態を示す断面図、第一２図
はこの発明の一実施例の主要工程段階における状態を示
す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（３）はｉｌのホト
レジスト膜、（２）はその開孔、（４）は金属膜、（５
）はその凹部、（７）は第２のホトレジスト膜、（６）
はその開孔、（８）はメッキ金属層パターンであるＯな
お、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）半導体基板上に所望の形状の開孔を有する第１の
ホトレジスト膜を形成する第１の工程、上記開孔内面を
含めて上記第１のホトレジスト膜の上に金属膜を形成す
る第２の工程、この金属膜の上に、上記第１のホトレジ
スト膜の上記開孔に対応する上記金属膜の凹部を含む開
孔を有する第２のホトレジスト膜を形成する第３の工程
、この第２のホトレジスト膜をマスク表し上記金属膜を
寵極としてメッキを施し上記第２のホトレジスト膜の上
記開孔に露出する上記金属膜の上に金属層パターンを形
成する第４の工程、その後に上記第２のホトレジスト膜
を灰化除去する第５の工程、この第５の工程で露出した
上記金属膜の不要部分をエツチング除去する第６の工程
、及びこの第６の工程で露出した上記第１のホトレジス
ト膜をレジストはく離液などによって除去する第マの工
程を備えたことを特徴とする半導体装置における金属層
パターンの形成方法。 - （２）第５の工程においてリアクティブ・イオン・エツ
チングによって第２のホトレジスト膜を除去することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置にお
ける金属層パターンの形成方法。 - （３） 第５の工程においてプラズマエツチングによ
って第２のホトレジスト膜を除去することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置における金属層
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8680283A JPS59211232A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体装置における金属層パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8680283A JPS59211232A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体装置における金属層パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211232A true JPS59211232A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13896926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8680283A Pending JPS59211232A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体装置における金属層パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211232A (ja) |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8680283A patent/JPS59211232A/ja active Pending
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