JPS6238586A - 磁気バブル転送路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 磁気バブルメモリ素子における軟磁性薄膜を用いたバブ
ル転送路であって、そのバブル転送パターンのバブル転
送経路を他の部分よりスペーサを薄くすることにより、
パターン内で生ずるバブルの誤動作を防止可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリにおけるバブル転送路に関するものであ
る。

磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネ。

トの薄膜を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜
を用いたハーフディスク型又は非対称シェブロン型等の
パターンを行列させたバブル転送路を形成したものであ
り、バブル発生器により情報に従って発生させたバブル
を転送路に導き、そのパターンにバブルがある場合を１
１”、ない場合を“０”として情報を記憶するようにな
っている。

このような磁気バブルメモリ装置においては最近の情報
量の増加や機器の小型化などにより記憶密度の高度化が
進められており、それに伴ってバブル転送路パターンの
微細化が要求されている。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕バブ
ルメモリ素子の高密度化は転送パターン及びバブル径の
縮小により達成されて来たがパーマロイ等の軟磁性薄膜
パターンを用いたゲート等メジャ一部パターンは制御動
作マージンの拡大あるいは信頼性向上のため拡大周期パ
ターンを採用している。ところが拡大周期パターンにお
いてもバブル径がパターン周期の１／２０以下となると
第３図ａに示すようにバイアス磁界が高いときはバブル
１はパターン２の外周部を矢印３の如く正常に転送され
るが、バイアス磁界が低い場合には第３図すに示すよう
にバブル１”がパターン２内で迷走し誤動作を生ずるこ
とがある。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので簡易な
構成でバブルの誤動作を防止した磁気バブルメモリ素子
を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、軟磁性薄膜パターンのみ、
もしくは軟磁性薄膜パターンとイオン注入パターンとを
用いた磁気バブルメモリ素子の磁気バブル転送路におい
て、軟磁性薄膜パターン１４のバブル転送経路となる部
分へのスペーサ１１　、１３厚が他の部分Ｂより薄いこ
とを特徴としている。

〔作　用〕

軟磁性薄膜パターンのバブル転送経路となる部分のスペ
ーサの厚さを他の部分より薄くすることにより、スペー
サの薄い部分と厚い部分との境界に生ずるバリヤーのた
めバブルはパターンの内側に入りに（くなり、バブルは
正常に転送され誤動作が抑えられる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図におい
て、１０は磁気バブル結晶、１１は第１のスペーサ、１
２は非磁性パターン、１３は第２のスペーサ、１４はバ
ブル転送用の軟磁性薄膜パターンである。

本実施例は第１図ａ、ｂに示すように磁気バブル結晶１
０の上に非磁性パターン１２を挟んだ第１、第２のスペ
ーサ１１　、１３を形成し、その上にバブル転送用の軟
磁性薄膜パターン１４を形成したもので、非磁性パター
ン１２は軟磁性薄膜パターン１４のバブル転送経路とな
る部分Ａを除いた部分Ｂに形成されている。従ってＡ部
のスペーサ厚りはＢ部のスペーサ厚Ｈよりも薄くなって
いる。

このように構成された本実施例はスペーサの薄い部分Ａ
と厚い部分Ｂとの境界に生ずるバリヤーのためバブル１
５はＢ部に入りにくくなり、Ａ部は正常に転送され誤動
作を生じない。

第２図は本発明の効果を従来例と比較して示した図であ
る。同図において縦軸にはバイアス磁界ＨＢを、横軸に
は駆動磁界ＨＤをとり、曲線Ａにより本発明の実施例の
バイアスマージンを、曲線Ｂにより従来例のバイアスマ
ージンを示した。図より本発明の実施例は従来例に比し
て低バイアス側でのマージンが増加していることがわか
る。

〔発明の効果〕

以上述べてきたようにに、本発明によれば極めて簡単な
構成でバブルの誤動作を防止することができ、実用的に
は極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の実施例の効果を従来例と比較して示した図、 第３図は従来の拡大周期パーマロイ転送路と微小バブル
の転送エラーを説明するための図である。 第１図において、 １０はバブル結晶、 工１は第１のスペーサ、 １２は非磁性パターン、 １３は第２のスペーサ、 １４は軟磁性薄膜パターン、 １５はバブルメである。 本発明の詳細な説明するだめの図 第１図 １４・・・軟磁性薄膜、・クターン １５・・・バブル ５０　　　　６０　　　　７０　　　　　ＥＤＨｏ　　
（Ｏｅ） 本発明の実施例の効果を従来例と比較 して示す図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、軟磁性薄膜パターンのみ、もしくは軟磁性薄膜パタ
   ーンとイオン注入パターンとを用いた磁気バブルメモリ
   素子の磁気バブル転送路において、軟磁性薄膜パターン
   （１４）のバブル転送経路となる部分（Ａ）のスペーサ
   （１１、１３）厚が他の部分（Ｂ）より薄いことを特徴
   とする磁気バブル転送路。