JPS6240687A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6240687A JPS6240687A JP60180411A JP18041185A JPS6240687A JP S6240687 A JPS6240687 A JP S6240687A JP 60180411 A JP60180411 A JP 60180411A JP 18041185 A JP18041185 A JP 18041185A JP S6240687 A JPS6240687 A JP S6240687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- soft magnetic
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既 要］
バブル転送路パターンに軟磁性Ｙ！ｖ膜を用いた磁気バ
ブルメモリ素子であって、その軟Ｉｆｆ性薄膜パターン
の上に５ｉＯｚ膜を積層することにより、導体パターン
の結晶に与えるストレスを増大させる軟磁性薄膜の収縮
歪を５ｉＯｚ膜の有する膨張歪により緩和することによ
り、バブル結晶に与える歪を戚少し、バブル転送路のマ
ージン劣化を防止可能とする。
ブルメモリ素子であって、その軟Ｉｆｆ性薄膜パターン
の上に５ｉＯｚ膜を積層することにより、導体パターン
の結晶に与えるストレスを増大させる軟磁性薄膜の収縮
歪を５ｉＯｚ膜の有する膨張歪により緩和することによ
り、バブル結晶に与える歪を戚少し、バブル転送路のマ
ージン劣化を防止可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる４
ｉ気バブルメモリに関するものである。
ｉ気バブルメモリに関するものである。
磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し、
その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフディ
スク型又は非対称シェブロン型等のパターンを行列させ
たバブル転送路を形成したものであり、バブル発生器に
より情報に従って発生させたバブルを転送路に導き、そ
のパターンにバブルがある場合を１″、ない場合を“０
”として情報を記憶するようになっている。
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し、
その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフディ
スク型又は非対称シェブロン型等のパターンを行列させ
たバブル転送路を形成したものであり、バブル発生器に
より情報に従って発生させたバブルを転送路に導き、そ
のパターンにバブルがある場合を１″、ない場合を“０
”として情報を記憶するようになっている。
このようなルｆｌ気バブルメモリ素子において、最近の
情報量の増加、装置の小型化などの要求により高密度化
が進められている。この高密度化に伴なうバブル径の微
小化により、バブル制御用導体パターンと交差する軟磁
性薄膜のバブル転送路は、そのマージンが劣化し、素子
全体の特性を決定する１頃向にある。
情報量の増加、装置の小型化などの要求により高密度化
が進められている。この高密度化に伴なうバブル径の微
小化により、バブル制御用導体パターンと交差する軟磁
性薄膜のバブル転送路は、そのマージンが劣化し、素子
全体の特性を決定する１頃向にある。
第３図は従来のレプリケートゲートを示す図であり、ａ
は平面図、ｂは層構成を示す断面図である。同図におい
て、■はメジャーライン、２はマイナーループ、３は導
体パターン、４はバブル結晶、５は５ｉ（ｈのスペーサ
、６，６′は樹脂絶縁膜、７は軟磁性薄膜パターンであ
る。このレプリケートゲートでは導体パターン３と交叉
する軟磁性薄膜パターン７にはマイナーループ２より大
きい拡大周期パターンを採用し、バブル駆動力を増して
マージン劣化を抑えている。
は平面図、ｂは層構成を示す断面図である。同図におい
て、■はメジャーライン、２はマイナーループ、３は導
体パターン、４はバブル結晶、５は５ｉ（ｈのスペーサ
、６，６′は樹脂絶縁膜、７は軟磁性薄膜パターンであ
る。このレプリケートゲートでは導体パターン３と交叉
する軟磁性薄膜パターン７にはマイナーループ２より大
きい拡大周期パターンを採用し、バブル駆動力を増して
マージン劣化を抑えている。
しかしバブル径が１μｍあるいはそれ以下になると交叉
部での扉体パターンストレスによりマージンが大きく劣
化し、軟磁性薄膜パターンの拡大だけでは十分にマージ
ン劣化を抑えることができない。
部での扉体パターンストレスによりマージンが大きく劣
化し、軟磁性薄膜パターンの拡大だけでは十分にマージ
ン劣化を抑えることができない。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、簡易
な構成で導体パターンと軟磁性薄膜パターンの交叉部で
のマージン劣化を抑えた磁気バブルメモリ素子を提供す
ることを目的とするものである。
な構成で導体パターンと軟磁性薄膜パターンの交叉部で
のマージン劣化を抑えた磁気バブルメモリ素子を提供す
ることを目的とするものである。
このため本発明においては、バブル転送路及び機能ゲー
ト類に軟磁性薄膜パターンを用いた磁気バブルメモリ素
子において、軟磁性薄膜パターン１４上にＳｉＯ２膜１
５を積層し、該軟磁性薄膜パターン１４がバブル結晶１
０に与える圧縮歪を、ＳｉＯ□膜１５がバブル結晶１０
に与える引張り歪によって打消すようにしたことを特徴
としている。
ト類に軟磁性薄膜パターンを用いた磁気バブルメモリ素
子において、軟磁性薄膜パターン１４上にＳｉＯ２膜１
５を積層し、該軟磁性薄膜パターン１４がバブル結晶１
０に与える圧縮歪を、ＳｉＯ□膜１５がバブル結晶１０
に与える引張り歪によって打消すようにしたことを特徴
としている。
軟磁性薄膜パターンがバブル結晶に与える圧縮歪を、該
軟磁性薄膜パターン上に形成したＳｉＯ□膜がバブル結
晶に与える引張り歪によって打消すことにより動作マー
ジンの劣化防出が可能となる。
軟磁性薄膜パターン上に形成したＳｉＯ□膜がバブル結
晶に与える引張り歪によって打消すことにより動作マー
ジンの劣化防出が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。
同図においてＩＯはバブル結晶、１１はＳｉＯ□等のス
ペーサ、１２は導体パターン、１３．１３’は樹脂絶縁
膜、１４は軟磁性薄膜パターン、１５はＳｉＯ□膜であ
る。
ペーサ、１２は導体パターン、１３．１３’は樹脂絶縁
膜、１４は軟磁性薄膜パターン、１５はＳｉＯ□膜であ
る。
本実施例は図に示すようにｍ膜パターン１２と交差する
軟磁性薄膜パターン１４の上にそれと同じ形状のＳｉｎ
ｇ膜１５全１５したものである。
軟磁性薄膜パターン１４の上にそれと同じ形状のＳｉｎ
ｇ膜１５全１５したものである。
このように構成された本実施例は軟磁性）Ｗ膜パターン
１４がバブル結晶ｌＯに与える圧縮歪を、ＳｉＯ□膜１
５がバブル結晶に与える引張り歪によって打消すことに
よりバブル結晶の歪を減少し、従来に比し動作マージン
の向上が得られる。
１４がバブル結晶ｌＯに与える圧縮歪を、ＳｉＯ□膜１
５がバブル結晶に与える引張り歪によって打消すことに
よりバブル結晶の歪を減少し、従来に比し動作マージン
の向上が得られる。
第２図は本実施例の動作マージンを従来例と比較して示
した図である。同図は１４μｍ周朋のパーマロイパター
ン１６が導体パターン１７と交差する場合であり、縦軸
にバイアス磁界Ｈ３を、横軸に駆動磁界Ｈ８をとり曲線
Ａで本実施例（ＳｉＯ□膜の厚さ５０００人）を、曲線
Ｂで従来例（Ｓｉ０ｇ膜なし）をそれぞれ示した。図よ
り本実施例は従来例に比し優れていることがわかる。
した図である。同図は１４μｍ周朋のパーマロイパター
ン１６が導体パターン１７と交差する場合であり、縦軸
にバイアス磁界Ｈ３を、横軸に駆動磁界Ｈ８をとり曲線
Ａで本実施例（ＳｉＯ□膜の厚さ５０００人）を、曲線
Ｂで従来例（Ｓｉ０ｇ膜なし）をそれぞれ示した。図よ
り本実施例は従来例に比し優れていることがわかる。
以上述べてきたように、本発明によれば極めて簡易な構
成で動作マージンの向上が得られ、実用的には極めて有
用である。
成で動作マージンの向上が得られ、実用的には極めて有
用である。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は本発明
の効果を従来例と比較して示した図、 第３図は従来のレプリケートゲートを示す図である。 第１図において、 ＩＯはバブル結晶、 １１はスペーサ、 １２は導体パターン、 １３．１３’は樹脂絶縁膜、 １４は軟磁性薄膜パターン、 １５はＳｉＯ□膜である。
の効果を従来例と比較して示した図、 第３図は従来のレプリケートゲートを示す図である。 第１図において、 ＩＯはバブル結晶、 １１はスペーサ、 １２は導体パターン、 １３．１３’は樹脂絶縁膜、 １４は軟磁性薄膜パターン、 １５はＳｉＯ□膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、バブル転送路及び機能ゲート類に軟磁性薄膜パター
ンを用いた磁気バブルメモリ素子において、 軟磁性薄膜パターン（１４）上にＳｉＯ＿２膜（１５）
を積層し、該軟磁性薄膜パターン（１４）がバブル結晶
（１０）に与える圧縮歪を、ＳｉＯ＿２膜（１５）がバ
ブル結晶（１０）に与える引張り歪によって打消すよう
にしたことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180411A JPS6240687A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180411A JPS6240687A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240687A true JPS6240687A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16082779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180411A Pending JPS6240687A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580004A (en) * | 1993-02-26 | 1996-12-03 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Self-propelled crushing machine |
| US5797548A (en) * | 1993-10-25 | 1998-08-25 | Komatsu Ltd. | Self-propelled crushing machine |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60180411A patent/JPS6240687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580004A (en) * | 1993-02-26 | 1996-12-03 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Self-propelled crushing machine |
| US5797548A (en) * | 1993-10-25 | 1998-08-25 | Komatsu Ltd. | Self-propelled crushing machine |
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